KR20070098325A - 탄화수소계 고분자 전해질막 표면 개질 - Google Patents
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Abstract
Description
작동온도 | 80 ℃ |
촉매 사용량 | 2 ㎎/㎠ |
연료 | 2 M CH3OH |
산소 | 1000 ㏄/min 1kfg 가압 |
Claims (24)
- Cl계 용매에 용해(dissolution)되지 않으면서 Cl계 용매에 의해 micro-domain 크기로 팽윤(swelling) 가능한 부분을 포함하는 고분자로서, 상기 팽윤 가능한 부분에 한정하여 화학반응이 진행되어 개질된 것이 특징인 고분자.
- 제1항에 있어서, 상기 Cl계 용매에 의해 팽윤 가능한 부분에 한정하여 화학반응이 진행되어 불소화된 것이 특징인 고분자.
- 제1항에 있어서, Cl계 용매에 의해 팽윤 가능한 부분은 술폰산기, 인산기, 카르복실산기로 구성된 군에서 1종 이상 선택된 친수성 작용기를 포함하지 않는 것이 특징인 고분자.
- 제1항에 있어서, 상기 화학반응 대상은 술폰산기 함유 부분화된 탄화수소계 블록 고분자인 것이 특징인 고분자.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 막(film) 형태인 것이 특징인 고분자.
- 술폰화 탄화수소계 부분화된 블록고분자(Segmented Blockcopolymer) 전해질 막 중 술폰산기를 함유하지 않는 소수블록에만 표면 불소화 개질된 것이 특징인 전해질막.
- 제6항에 있어서, 상기 표면 불소화가 가능한 술폰산기를 함유하지 않는 부분은 Cl계 용매에 의해 팽윤(swelling) 가능한 부분인 것이 특징인 전해질막.
- 제6항에 있어서, 상기 표면 불소화 개질은 불소 치환 또는 불소 함유 화합물의 그라프팅 결합인 것이 특징인 전해질막.
- 제6항에 있어서, 상기 술폰화 탄화수소계 부분화된 블록고분자 전해질막은 Cl계 용매에 용해되지 않는 것이 특징인 전해질막.
- 제6항에 있어서, 상기 표면 불소화 개질 대상인 술폰화 탄화수소계 부분화된 블록고분자 전해질막은 비불소 술폰화 탄화수소계 고분자 전해질막 또는 부분불소 술폰화 탄화수소계 고분자 전해질막인 것이 특징인 전해질막.
- 제6항에 있어서, 표면 불소화 대상이 되는 술폰화 탄화수소계 부분화된 블록고분자 전해질막의 고분자 재료는 술폰화 폴리아릴렌에테르, 술폰화 폴리이미드, 술폰화 폴리아미드, 술폰화 폴리포스파젠, 술폰화 폴리스타이렌, 술폰화 radiation-grafted FEP-g-polystyrene, 술폰화 radiation-grafted ETFE-g- polystyrene, 술폰화 radiation-grafted LDPE-g-polystyrene, 술폰화 radiation-grafted PVDF-g-polystyrene로 구성된 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함하는 블록 공중합체 (Block copolymer), 멀티블록 공중합체(Multiblock copolymer), 그라프트 공중합체(Grafting copolymer)인 것이 특징인 전해질막.
- 제6항에 있어서, 표면 불소화 대상이 되는 술폰화 탄화수소계 부분화된 블록고분자 전해질막의 고분자 재료는 술폰화 radiation-grafted FEP-g-polystyrene 전해질막, 술폰화 radiation-grafted ETFE-g-polystyrene 전해질막, 술폰화 radiation-grafted LDPE-g-polystyrene 전해질막, 술폰화 radiation-grafted PVDF-g-polystyrene 인 것이 특징인 전해질막.
- Cl계 용매에 용해(dissolution)되지 않으면서 Cl계 용매에 의해 micro-domain 크기로 팽윤(swelling) 가능한 부분을 포함하는 고분자를 화학반응제를 함유하는 Cl계 용매에 담그는 제1단계를 포함하여, 상기 팽윤 가능한 부분에 한정하여 화학반응이 진행되어 개질 고분자를 제조하는 방법.
- 제13항에 있어서, 불소화제를 함유하는 Cl계 용매에 술폰화 탄화수소계 부분화된 블록고분자(Segmented Blockcopolymer) 막을 담그는 제1단계를 포함하여, 술폰산기를 함유하지 않는 소수블록에만 표면 불소화 개질된 술폰화 탄화수소계 고분자 막의 제조 방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서, 그라프팅(Grafting)에 의해 개질된 것이 특징인 제법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1단계에서 Friedel-Crafts 반응이 일어나는 것이 특징인 제법.
- 제16항에 있어서, Friedel-Crafts 반응의 촉매로 SnCl4, FeCl3, AlCl3 로 구성된 군에서 1종 이상 선택된 것을 사용하는 것이 특징인 제법.
- 제14항에 있어서, 상기 제1단계에서 CCl4, CHCl3, CH2Cl2, 니트로벤젠, 프레온(Freon)으로 구성된 군에서 선택된 1종이상을 함유하는 용매를 사용하는 것이 특징인 제법.
- 제14항에 있어서, 불소화제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 군으로부터 1종 이상 선택된 것이 특징인 제법.[화학식 1]여기서, A1은 , , , , 또는 할로겐 원소이고; X1은 할로겐 원소, C1~C12의 전불소 혹은 부분 불소계 알킬기, C2~C12의 전불소 혹은 부분 불소계 알케닐기, 혹은 로 표시되고, 이때 R1 내지 R5 는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원소, C1~C12의 전불소 혹은 부분 불소계 알킬기, C2~C12의 전불소 혹은 부분 불소계 알케닐기이고; G1는 수소, 알킬기 혹은 페닐기이며;B는 각각 독립적으로 -CD1D2-, , 혹은 이의 조합으로 표시되고; 이때 D1, D2 는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원소, 수산화기, , 혹은 로 표시되며, m 은 1 내지 6 의 정수이고;E 는 직접결합(direct bond), -O-, -S-, -CO-, -SO2-, -C(CH3)2-, 또는 -C(CF3)2- 이고, R6 내지 R9 는 각각 독립적으로 수소, 할로겐 원소, C1~C12의 전불소 혹은 부분 불소계 알킬기, C2~C12의 전불소 혹은 부분 불소계 알케닐기이고; n 은 1 내지 24 의 정수이며;
- 제14항에 있어서, 불소화제의 농도는 0.02 mmol/L 내지 2 mol/L인 것이 특징인 제법.
- 제16항에 있어서, Friedel-Crafts 반응의 촉매 농도는 사용되는 불소화제의 몰수대비 0.1 내지 10 의 화학적당량인 것이 특징인 제법.
- 제16항에 있어서, Friedel-Crafts 반응 온도는 -80 ℃ 내지 250 ℃ 인 것이 특징인 제법.
- 환원극(cathode); 산화극(anode); 상기 환원극과 산화극 사이에 개재된 제6항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 표면 불소화 개질된 고분자 전해질막을 구비한 막-전극 접합체(MEA).
- 제23항의 막-전극 접합체를 포함하는 연료전지.
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