KR20070083503A - 미소 구조체의 프로브 카드, 미소 구조체의 검사 장치,검사 방법 및 컴퓨터 프로그램 - Google Patents

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마사미 야카베
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가부시끼가이샤 오크테크
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Abstract

프로브 혹은 검사용 전극을 손상시키지 않고, 또한, 프로브와 검사용 전극의 접촉에 있어서 침압의 영향을 억제함으로써, 정밀도가 높은 검사를 실행하는, 가동부를 갖는 미소 구조체를 위한 검사 방법을 제공한다. 미소 구조체의 검사를 행하는 경우에는 우선, 한 쌍의 프로브(2)를 각 전극 패드(PD)에 접촉시킨 후, 릴레이(30)를 통해 한 쌍의 프로브(2)와 프리팅용 전원(50)을 접속한다. 다음에, 프리팅용 전원(50)으로부터 한 쌍의 프로브(2)에 한쪽 프로브(2)에 대하여 전압을 인가한다. 그리고, 서서히 승압하면, 프리팅 현상에 의해 한 쌍의 프로브(2) 사이의 산화막을 통해 한 쌍의 프로브(2) 사이에서 전류가 흐르고, 프로브(2)와 전극 패드(PD) 사이에서 전기적으로 도통한다. 계속해서, 릴레이(30)를 통해 한 쌍의 프로브(2)를 프리팅용 전원(50)으로부터 측정부(40)측으로 전환하여 측정부(40)와 전기적으로 결합시킨다.

Description

미소 구조체의 프로브 카드, 미소 구조체의 검사 장치, 검사 방법 및 컴퓨터 프로그램{MICROSTRUCTURE PROBE CARD, AND MICROSTRUCTURE INSPECTING DEVICE, METHOD, AND COMPUTER PROGRAM}
본 발명은 특히 미소 구조체, 예컨대 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)를 검사하기 위한 프로브 카드, 검사 장치, 검사 방법 및 미소 구조체의 검사용 컴퓨터 프로그램에 관한 것이다.
최근, 특히 반도체 미세 가공 기술 등을 이용하여, 기계·전자·광·화학 등의 다용한 기능을 집적화한 디바이스인 MEMS가 주목받고 있다. 지금까지 실용화된 MEMS 기술로서는, 예컨대 자동차·의료용 각종 센서로서, 마이크로 센서인 가속도센서나 압력 센서, 에어 플로우 센서 등에 MEMS 디바이스가 탑재되어 있다. 또한, 잉크젯 프린터 헤드에 이 MEMS 기술을 채용함으로써 잉크를 분출하는 노즐수의 증가와 정확한 잉크의 분출이 가능해지며, 화질의 향상과 인쇄 스피드의 고속화를 도모하는 것이 가능해지고 있다. 나아가서는 반사형 프로젝터에 있어서 이용되고 있는 마이크로 미러 어레이 등도 일반적인 MEMS 디바이스로서 알려져 있다.
또한, 이후 MEMS 기술을 이용한 여러 가지 센서나 액츄에이터가 개발됨으로써, 광 통신·모바일 기기에의 응용, 계산기 주변 기기에의 응용, 나아가서는 바이 오 분석이나 휴대용 전원에의 응용으로 전개되는 것이 기대되고 있다. 기술 조사 레포트 제3호(경제 산업성 산업 기술 환경국 기술 조사실 제조 산업국 산업 기계과 발행 2003년 3월 28일)에는 MEMS에 관한 기술의 현상과 과제라는 의제로 여러 가지의 MEMS 기술이 소개되어 있다.
한편, MEMS 디바이스의 발전에 따라, 미세한 구조 등이기 때문에 그것을 적정하게 검사하는 방식도 중요해진다. 종래에 있어서는 패키지 후에 디바이스를 회전시키는 것이나 혹은 진동 등의 수단을 이용하여 그 특성의 평가를 실행해 왔지만, 미세 가공 기술 후의 웨이퍼 상태 등의 초기 단계에서 적정한 검사를 실행하여 불량을 검출함으로써 수율을 향상시키고, 제조 비용을 보다 저감하는 것이 가능해진다.
발명의 개시
일반적으로 가속도 센서 등의 미소한 가동부를 갖는 미소 구조체는 미소한 움직임에 대해서도 그 응답 특성이 변화하는 디바이스이다. 따라서, 그 특성을 평가하기 위해서는 정밀도가 높은 검사를 해야 한다.
디바이스의 테스트에는 여러 가지가 있지만, 예컨대 전기적 특성을 검사하는 경우에는 프로브를 접촉자로 하여 디바이스 검사용 전극에 전기적으로 접촉시키고, 프로브를 통해 전기 신호를 송신하여 디바이스의 검사가 행해지고 있다.
그런데, 검사용 전극(전극 패드라고도 칭함)은 알루미늄, 구리, 땜납 등의 산화되기 쉬운 재료에 의해 형성되어 있는 경우, 검사 단계에서는 검사용 전극 표면에는 산화막 등의 절연 피막이 형성되어 있기 때문에, 프로브와 검사용 전극을 전기적으로 접촉시키려고 하여도 양자의 전기적 접촉이 안정되지 않는다. 특히, 검사용 전극으로서 일반적으로 이용되고 있는 알루미늄의 경우에는 매우 딱딱한 산화막(절연 피막)이 검사용 전극의 표면에 형성되기 때문에, 프로브와 검사용 전극의 전기적 접촉이 어렵다는 문제가 있다.
그래서, 어느 정도의 침압을 부여하여 프로브의 선단을 검사용 전극 표면의 산화막에 대하여 삽입하고, 프로브와 검사용 전극과의 전기적 접촉을 확보할 필요성이 있다.
도 15는 가속도 센서에서 프로브의 선단을 검사용 전극에 삽입한 경우의 공진 주파수를 설명하는 도면이다.
횡축은 프로브의 선단을 압박한 프로브 카드의 변위량을 나타내고 있다. 또한, 종축은 공진 주파수의 값을 나타내고 있다. 프로브 선단을 압박하는 변위량이 증대되는 동시에 침압의 값도 커진다.
도 15를 참조하면, 침압이 증가하면 할수록 공진 주파수는 저하하고 있다. 이것은 침압의 영향에 의해 디바이스의 주파수 특성이 변화하고 있는 것을 나타내고 있다.
특히 MEMS 디바이스와 같이 가동부를 갖는 미소 구조체의 경우에는 프로브를 접촉시킴으로써, 가동부의 움직임이 변화하는, 즉 디바이스의 응답 특성이 변화할 가능성이 있다. 프로브의 침압에 의해, 미소 구조체에 불필요한 응력이 가해져 미소 구조체의 가동부 움직임이 변화한다.
따라서, 정밀도가 높은 계측, 즉 디바이스 본래의 응답 특성을 계측하기 위해서는 가능한 한 침압을 작고, 또한 침압의 방향을 미소 구조체가 변형되지 않도록 한정하는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 프로브와 검사용 전극과의 접촉에 있어서 침압의 영향을 억제함으로써, 디바이스의 특성 변화를 억제하여 정밀도가 높은 검사를 실행하는 미소 구조체의 프로브 방법, 프로브 카드, 검사 장치, 검사 방법 및 검사 프로그램을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[과제를 해결하기 위한 수단]
본 발명의 제1 관점에 따른 미소 구조체의 프로브 카드는 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 검사하기 위한 미소 구조체의 프로브 카드로서, 상기 미소 구조체에 설치된 검사용 전극과 상기 프로브 카드에 설치된 프로브를 프리팅(flitting) 현상을 이용하여 도통시키기 위해, 하나의 상기 검사용 전극에 대하여 2개의 프로브를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 프로브 카드는 프리팅 현상을 이용하여 상기 검사용 전극과 상기프로브를 도통시키는 도통 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 미소 구조체의 특성을 검사하기 위해 상기 미소 구조체의 가동부를 변동시키는 변동 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
특히, 상기 변동 수단은 상기 미소 구조체의 가동부에 대하여 테스트 음파를 출력하기 위한 적어도 하나의 음파 발생 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 프로브의 상기 미소 구조체의 검사용 전극에 접촉하는 선단은 상기 미소 구조체의 검사 전극에 대하여 수직으로 접촉하도록 형성되어 있다.
본 발명의 제2 관점에 따른 미소 구조체의 검사 장치는 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 검사하는 미소 구조체의 검사 장치로서, 상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브를 접촉시키는 수단과, 프리팅 현상을 이용하여 상기 검사용 전극과 상기 프로브를 도통시키는 도통 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 도통 수단은 상기 프리팅 현상을 일으키기 위해 상기 검사용 전극에 전압을 인가하기 위해 이용되는 프리팅용 전원과, 상기 검사용 전극과 전기적으로 접속되며, 소정의 검사를 실행하기 위한 검사용 신호를 출력하기 위한 측정부와, 상기 프리팅 현상을 일으킬 때에 상기 프리팅용 전원과 접속하고, 상기 소정의 검사를 실행할 때에 상기 측정부와 접속되는 전환 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 도통 수단은 상기 검사용 전극에 프리팅 현상을 일으키는 전압 신호를 인가하거나 혹은 상기 검사용 전극에 소정의 검사를 실행하기 위한 검사용 전압 신호를 인가하는 전압 출력 수단과, 상기 검사용 전압 신호에 응답하여 상기 검사용 전극으로부터 검출되는 신호를 검지하는 검지 수단을 포함한다.
또한, 상기 미소 구조체의 가동부에 대하여 테스트 음파를 출력하기 위한 적어도 하나의 음파 발생 수단을 포함한다.
또한, 미소 구조체는 가속도 센서 및 경사각 센서 중 적어도 한쪽에 해당한다.
특히, 가속도 센서 및 경사각 센서는 다축 가속도 센서 및 다축 경사각 센서에 각각 해당한다.
본 발명의 제3 관점에 따른 미소 구조체의 검사 방법은 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 검사하기 위한 미소 구조체의 검사 방법으로서, 상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브를 접촉시키는 접촉 단계와, 프리팅 현상을 이용하여 상기 검사용 전극과 상기 프로브를 도통시키는 도통 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 도통 단계는 상기 프리팅 현상을 일으키기 위해 상기 프로브와 프리팅용 전원을 접속하여, 상기 검사용 전극에 전압을 인가하는 단계를 포함하고, 상기 검사용 전극과 상기 프로브가 도통한 후에, 상기 프로브를 통해 소정의 검사를 실행하기 위한 검사용 신호를 상기 검사용 전극에 출력하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
특히, 상기 검사용 신호에 응답하여 상기 검사용 전극으로부터 검출되는 신호를 검지하는 단계를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 접촉 단계는 상기 프로브를 상기 미소 구조체의 검사용 전극면에 대하여 수직으로 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 접촉 단계는 상기 검사용 전극과 프로브가 접촉하는 것을 검지하는 접촉 검지 단계를 더 포함한다.
바람직하게는, 상기 접촉 검지 단계는 하나의 상기 검사용 전극에 접촉하는 상기 프로브 사이의 전기 저항의 변화를 검지함으로써 행한다.
또한, 상기 접촉 단계는 상기 접촉 검지 단계 후, 상기 프로브를 소정의 변위량만큼 검사용 전극에 대하여 더욱 변위시키는 과변위 단계를 포함한다.
또한, 상기 과변위 단계에 있어서, 상기 프로브를 상기 검사용 전극에 대하여 변위시키는 소정의 변위량은 상기 기판 상에 형성된 어느 하나의 미소 구조체에 대해서도 동일한 양이다.
또한, 본 발명의 검사 방법은 상기 미소 구조체의 특성을 검사하기 위해 상기 미소 구조체의 가동부를 변동시키는 변동 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 변동 단계는 상기 도통 단계 후에 행해지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제4 관점에 따른 미소 구조체의 검사 방법은 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 검사하기 위한 미소 구조체의 검사 방법으로서, 상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브가 접촉하는 것을 검지하는 접촉 검지 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 접촉 검지 단계 후, 상기 프로브를 소정의 변위량만큼 검사용 전극에 대하여 더욱 변위시키는 과변위 단계를 포함한다.
특히, 상기 과변위 단계에 있어서, 상기 프로브를 상기 검사용 전극에 대하여 이동시키는 소정의 이동량은 상기 기판 상에 형성된 어느 하나의 미소 구조체에 대해서도 동일한 양인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제5 관점에 따른 미소 구조체 검사용 컴퓨터 프로그램은 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 평가하는 미소 구조체 검사용 컴퓨터 프로그램으로서, 컴퓨터를 상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브를 접촉시키는 접촉 수단, 프리팅 현상을 이용하여 상기 검사용 전극과 상기 프로브를 도통시키는 도통 수단으로서 기능시킨다.
본 발명의 제6 관점에 따른 미소 구조체의 검사용 컴퓨터 프로그램은 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 평가하는 미소 구조체의 검사용 컴퓨터 프로그램으로서, 컴퓨터를 상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브을 접촉하는 것을 검지하는 접촉 검지 수단을 포함하는 미소 구조체의 검사 수단으로서 기능시킨다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 미소 구조체 검사 장치의 개략 구성도.
도 2는 도 1에 도시되는 프로브 카드와, 웨이퍼를 설명하는 도면.
도 3은 3축 가속도 센서의 디바이스 상면에서 본 도면.
도 4는 3축 가속도 센서의 개략도.
도 5는 각축 방향의 가속도를 받은 경우의 중추체와 빔의 변형을 설명한 개념도.
도 6은 각축에 대하여 설치되는 휘스톤 브릿지의 회로 구성도.
도 7은 3축 가속도 센서의 경사각에 대한 출력 응답을 설명하는 도면.
도 8은 중력 가속도(입력)와 센서 출력과의 관계를 설명하는 도면.
도 9는 3축 가속도 센서의 주파수 특성을 설명하는 도면.
도 10은 본 발명의 실시 형태에 따른 프로버부를 설명하는 도면.
도 11은 본 발명의 실시 형태에 따른 프로브 동작의 일례를 도시하는 흐름 도.
도 12는 본 발명의 실시 형태에 따른 다른 프로버부를 설명하는 도면.
도 13은 본 발명의 실시 형태에 따른 또 다른 프로버부를 설명하는 도면.
도 14는 본 발명의 실시 형태의 변형예 2의 프로브 카드의 구성도.
도 15는 가속도 센서에 프로브의 선단을 검사용 전극에 압박한 경우의 공진 주파수를 설명하는 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 검사 장치
5 : 검사부
10, 10# : 프로브 카드
11, 11# : 프로브 제어부
12 : 로더부
15 : 웨이퍼
20 : 메인 척
25, 25# : 프로버부
30 : 릴레이 회로
40, 40# : 측정부
41, 41# : 드라이버
42 : 비교기
50 : 프리팅용 전원
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 도면 중 동일 또는 상당 부분에는 동일 부호를 붙여, 그 설명은 반복하지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 미소 구조체의 검사 장치(1)의 개략 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 형태에 따른 검사 장치(1)는 테스트 대상물(예컨대, 웨이퍼)(15)을 반송하는 로더부(12)와, 웨이퍼(15)의 전기적 특성 검사를 행하는 프로버부(25)와, 프로버부(25)의 결과를 받아 웨이퍼(15)의 상태를 판단하는 검사부(5)와, 도시하지 않지만 이들을 제어하는 제어 장치를 포함하고 있다.
로더부(12)는 예컨대 25장의 웨이퍼(15)가 수납된 카세트를 적재하는 적재부(도시하지 않음)와, 이 적재부의 카세트로부터 웨이퍼(15)를 한 장씩 반송하는 웨이퍼 반송 기구를 포함하고 있다.
웨이퍼 반송 기구로서는 3축(X축, Y축, Z축) 이동 기구인 X, Y, Z 테이블(12A, 12B, 12C)을 통해 3축 방향으로 이동하는 동시에 θ 방향에서 웨이퍼(15)를 정(+) 역회전하는 메인 척(20)이 설치되어 있다. 구체적으로는 Y 방향으로 이동하는 Y 테이블(12A)과, 이 Y 테이블(12A) 상을 X 방향으로 이동하는 X 테이블(12B)과, 이 X 테이블(12B)의 중심과 축심을 일치시켜 배치된 Z 방향으로 승강하는 Z축 테이블(12C)을 갖고, 메인 척(20)을 X, Y, Z 방향으로 이동시킨다. 또한, 도시하지 않은 θ 구동 기구를 통해 중심축을 중심으로 소정의 범위에서 정(+) 역방향으로 회전한다.
프로버부(25)는 프리팅 현상을 이용하여 웨이퍼(15) 상에 예컨대 구리, 구리 합금, 알루미늄 등의 도전성 금속에 의해 형성된 전극 패드와 프로브를 전기적으로 도통시키는 프로브 카드(10)와, 이 프로브 카드(10)의 프로브와 웨이퍼(15)의 위치 맞춤을 행하는 얼라이먼트 기구(도시하지 않음)와, 프로브 카드(10)를 제어하는 프로브 제어부(11)를 포함하고, 프로브 카드(10)의 프로브와 웨이퍼(15)의 전극 패드를 전기적으로 접촉시켜 웨이퍼(15)의 전기적 특성 검사를 행한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 검사 장치의 검사에 대해서 설명하기 전에 우선 테스트 대상물인 미소 구조체의 3축 가속도 센서에 대해서 설명한다.
도 2는 도 1에 도시되는 프로브 카드(10)와, 웨이퍼(15)를 설명하는 도면이다.
도 2에 도시되는 바와 같이 프로브 카드(10)에는 복수의 프로브가 설치되어 있으며, 얼라이먼트 기구에 의해 웨이퍼 상의 소정 위치에 얼라이먼트 조정된다. 또한, 본 예에 있어서 웨이퍼(15)에는 3축 가속도 센서인 복수의 미소 구조체의 칩(TP)이 설치되어 있다.
도 3은 3축 가속도 센서의 디바이스 상면에서 본 도면이다.
도 3에 도시되는 바와 같이, 웨이퍼 기판에 형성되는 칩(TP)에는 복수의 전극 패드(PD)가 그 주변에 배치되어 있다. 그리고, 전기 신호를 전극 패드에 대하여 전달하거나 혹은 전극 패드로부터 전달하기 위해 금속 배선이 설치되어 있다. 그리고, 중앙부에는 클로버형을 형성하는 4개의 중추체(AR)가 배치되어 있다.
도 4는 3축 가속도 센서의 개략도이다.
도 4를 참조하면, 이 3축 가속도 센서는 피에조 저항형이며, 검출 소자인 피에조 저항 소자가 확산 저항으로서 설치되어 있다. 이 피에조 저항형 가속도 센서는 저렴한 IC 프로세스를 이용할 수 있는 동시에, 검출 소자인 저항 소자를 작게 형성하여도 감도 저하가 없기 때문에, 소형화·저비용화에 유리하다.
구체적인 구성으로서는 중앙의 중추체(AR)는 4개의 빔(BM)으로 지지한 구조로 되어 있다. 빔(BM)은 X, Y의 2축 방향으로 상호 직교하도록 형성되어 있으며, 1축에 대하여 4개의 피에조 저항 소자를 포함하고 있다. Z축 방향 검출용 4개의 피에조 저항 소자는 X축 방향 검출용 피에조 저항 소자의 가로에 배치되어 있다. 중추체(AR)의 상면 형상은 클로버형을 형성하고, 중앙부에서 빔(BM)과 연결되어 있다. 이 클로버형 구조를 채용함으로써, 중추체(AR)를 크게 하는 동시에 빔 길이도 길게 할 수 있기 때문에, 소형이라도 고감도 가속도 센서를 실현하는 것이 가능하다.
이 피에조 저항형의 3축 가속도 센서의 동작 원리는 중추체가 가속도(관성력)를 받으면, 빔(BM)이 변형하고, 그 표면에 형성된 피에조 저항 소자 저항값의 변화에 의해 가속도를 검출하는 메커니즘이다. 그리고 이 센서 출력은 3축 각각 독립적으로 조립된 후술하는 휘스톤 브릿지의 출력으로부터 취출하는 구성으로 설정되어 있다.
도 5는 각 축 방향의 가속도를 받은 경우의 중추체와 빔의 변형을 설명하는 개념도이다.
도 5에 도시되는 바와 같이 피에조 저항 소자는 가해진 왜곡에 의해 그 저항값이 변화하는 성질(피에조 저항 효과)을 가지고 있으며, 인장 왜곡된 경우는 저항값이 증가하고, 압축 왜곡된 경우는 저항값이 감소한다. 본 예에 있어서는 X축 방향 검출용 피에조 저항 소자(Rx1∼Rx4), Y축 방향 검출용 피에조 저항 소자(Ry1∼Ry4) 및 Z축 방향 검출용 피에조 저항 소자(Rz1∼Rz4)가 일례로서 표시되어 있다.
도 6은 각 축에 대하여 설치되는 휘스톤 브릿지의 회로 구성도이다.
도 6의 (a)은 X(Y)축에 있어서의 휘스톤 브릿지의 회로 구성도이다. X축 및 Y축의 출력 전압으로서는 각각 Vxout 및 Vyout로 한다.
도 6의 (b)은 Z축에 있어서의 휘스톤 브릿지의 회로 구성도이다. Z축의 출력 전압으로서는 Vzout로 한다.
전술한 바와 같이 가해진 왜곡에 의해 각 축 4개의 피에조 저항 소자의 저항값은 변화하고, 이 변화에 기초하여 각 피에조 저항 소자는 예컨대 X축 Y축에 있어서는 휘스톤 브릿지로 형성되는 회로의 출력 각축의 가속도 성분이 독립적으로 분리된 출력 전압으로서 검출된다. 또한, 상기한 회로가 구성되도록 도 3에서 도시되는 바와 같은 전술한 금속 배선 등이 연결되고, 소정의 전극 패드로부터 각 축에 대한 출력 전압이 검출되도록 구성되어 있다.
또한, 이 3축 가속도 센서는 가속도의 DC 성분도 검출할 수 있기 때문에 중력 가속도를 검출하는 경사각 센서로서도 이용하는 것이 가능하다.
도 7은 3축 가속도 센서의 경사각에 대한 출력 응답을 설명하는 도면이다.
도 7에 도시되는 바와 같이 센서를 X, Y, Z축 주위로 회전시켜 X, Y, Z축 각 각의 브릿지 출력을 디지털 볼트미터로 측정한 것이다. 센서 전원으로서는 저전압전원＋5 V를 사용하고 있다. 또한, 도 7에 표시되는 각 측정점은 각축 출력의 제로점 오프셋을 산술적으로 감한 값이 플롯되어 있다.
도 8은 중력 가속도(입력)와 센서 출력의 관계를 설명하는 도면이다.
도 8에 도시되는 입출력 관계는 도 7의 경사각인 코사인으로부터 X, Y, Z축에 각각 관계되어 있는 중력 가속도 성분을 계산하고, 중력 가속도(입력)와 센서 출력의 관계를 구하여 그 입출력의 선형성을 평가한 것이다. 즉 가속도와 출력 전압의 관계는 대략 선형이다.
도 9는 3축 가속도 센서의 주파수 특성을 설명하는 도면이다.
도 9에 도시되는 바와 같이 X, Y, Z축 각각의 센서 출력의 주파수 특성은 일례로서 3축 모두 200 Hz 부근까지는 평평한 주파수 특성을 나타내고 있으며, X축에 있어서는 602 Hz, Y축에 있어서는 600 Hz, Z축에 있어서는 883 Hz에서 공진하고 있다. 또한, 여기서의 주파수 특성은 패키지 후의 주파수 특성에 대해서 나타내고 있다.
이하에 있어서, 본 발명의 실시 형태에 따른 프로브 방법에 대해서 설명한다.
도 10은 본 발명의 실시 형태에 따른 프로버부(25)를 설명하는 도면이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시 형태에 따른 프로버부(25)는 프로브 카드(10)와, 프로브 제어부(11)를 포함하고, 프로브 제어부(11)는 프리팅용 전원(50)과, 측정부(40)를 포함한다.
프로브 카드(10)는 웨이퍼 복수의 전극 패드(PD)에 각각 접촉하는 한 쌍의 프로브(2)와, 각 프로브(2)에 각각 접속된 릴레이(30)를 갖고, 릴레이(30)를 통해 측정부(40)와 프리팅용 전원(50) 사이에서 한 쌍의 프로브(2)를 전환하여 접속하도록 하고 있다.
측정부(40)는 드라이버(41)와, 비교기(42)를 갖고 있으며, 드라이버(41)로부터 검사용 신호를 출력하여, 비교기(42)에 의해 그 결과를 비교 판정할 수 있는 구성으로 되어 있다. 또한, 여기서는 한 쌍의 프로브에 2개의 드라이버 및 2개의 비교기가 접속되는 구성이 표시되어 있지만, 1개의 드라이버 및 1개의 비교기를 접속한 구성으로 하는 것도 가능하다.
프로브(2)를 전극 패드(PD)에 압박하는 응력에 의한 미소 구조체에의 영향을 작게 하기 위해 침압을 작게 하면, 프로브(2)와 전극 패드(PD) 사이의 접촉 저항이 증가한다. 침압의 응력과 접촉 저항은 이율 배반의 관계에 있다. 그래서, 본 발명의 실시 형태에 따른 검사 방식에 있어서는 프리팅 현상을 이용함으로써 침압의 영향을 억제한다. 또한, 프리팅 현상이란 금속(본 발명에서는 전극 패드)의 표면에 형성된 산화막에 인가되는 전위 경도가 105∼106 V/cm 정도가 되면, 산화막 두께나 금속 조성의 불균일성에 의해 전류가 흘러 산화막이 파괴되는 현상을 말한다.
프로브(2)의 컴플라이언스 특성(휘기 쉬움)은 높은 쪽이 바람직하다. 프로브(2) 선단의 웨이퍼(15)에 대한 높이는 정확히는 일정하지 않고, 프로브(2)마다 약간 다른 경우가 있다. 프로브(2) 선단 높이의 균일 정밀도와, 프로브 카드(6)의 제조 비용은 트레이드오프의 관계에 있다. 프로브(2) 선단의 높이차를 흡수하여, 모든 프로브(2)를 전극 패드에 접촉시켰을 때에, 프로브(2)의 컴플라이언스 특성이 높으면, 프로브(2)마다 침압차가 작다. 컴플라이언스 특성을 높게 함으로써, 프로브(2) 선단의 높이에 차이가 있어도 그 침압을 대략 일정하게 할 수 있다.
또한, 프로브(2)의 선단이 전극 패드(PD)에 접촉한 것을 검지하고, 그 점으로부터 일정한 길이(오버 드라이브량이라고 함)만큼 프로브(2)를 전극 패드(PD)에 압박하도록 구성한다. 특히 MEMS와 같이 웨이퍼(15)에 입체 구조를 형성하는 가공에서는 웨이퍼(15)의 표면을 완전한 평면으로 유지하는 것은 곤란하며, 칩(TP)마다 조금씩 높이가 다르다. 프로브(2)의 선단이 전극 패드(PD)에 접촉한 것을 검지하고, 일정한 오버 드라이브량으로 프로브(2)를 압박함으로써, 칩(TP)마다 높이가 달라도 칩(TP)마다 측정하는 침압을 일정하게 할 수 있다.
프로브(2)의 선단이 전극 패드(PD)에 접촉한 것을 검지하기 위해서는 예컨대, 레이저 계측에 의해 프로브 카드와 전극 패드(PD)의 거리를 측정하는 방법, 프로브(2)의 선단과 전극 패드(PD)의 화상으로부터 형상을 추출함으로써 접촉 상태를 검지하는 방법, 또는 프리팅에 이용하기 위한 쌍을 이룬 프로브(2) 사이의 전기 저항 변화에 의해 검지하는 방법 등이 있다. 쌍을 이룬 프로브(2) 사이의 전기 저항의 변화에 의한 경우는 전기 저항이 매우 큰 개방 상태로부터 쌍을 이루는 프로브(2)가 하나의 전극 패드(PD)에 접촉하여 전기 저항이 작아짐에 따라 검지할 수 있다.
이렇게 해서, 웨이퍼(15) 상의 칩(TP)마다의 높이의 차이와, 프로브(2) 선단 의 높이의 차이를 흡수하여, 침압이 일정한 조건으로 미소 구조체의 검사를 행할 수 있다.
또한, 프로브(2) 중 적어도 선단은 미소 구조체의 검사용 전극에 대하여 수직으로 접촉하도록 형성된다. 이것에 의해, 수직(도 4에서 말하는 Z축 방향)으로만 침압이 가해지며, 수평 방향(도 4에서 말하는 X축 방향 혹은 Y축 방향)으로 침압이 가해지는 것을 억제하여 침압에 기인하는 외란을 억제할 수 있다.
웨이퍼(15)의 검사를 행할 경우에는, 우선 한 쌍의 프로브(2)를 각 전극 패드(PD)에 접촉시킨 후, 릴레이(30)를 통해 한 쌍의 프로브(2)와 프리팅용 전원(50)을 접속한다. 또한, 프로브(2)는 디바이스, 즉 각 전극 패드(PD)에 대하여 수직인 방향으로부터 접촉시키는 것이 바람직하다. 경사 방향으로부터 접촉시킨 경우에는 침압의 영향이 X축 및 Y축에 나타날 가능성이 있기 때문이다.
또한, 프로브(2)를 전극 패드(PD)에 접촉한 것을 검지하고, 접촉한 후에 일정한 오버 드라이브량만큼 프로브(2)를 전극 패드(PD)에 압박하는 방법은 프리팅을 이용하지 않는 프로브(2)와 프로브 방법에 있어서도 프로브 조건을 일정하게 유지하고, 칩(TP)에의 영향을 작게 하는 효과가 있다. 또한, 프로브(2) 선단의 형상을 전극 패드(PD)에 수직으로 접촉하도록 형성하는 것 및 프로브(2)의 선단을 전극 패드(PD)에 대하여 수직 방향으로 접촉시키는 방법에 대해서도 프리팅을 이용하지 않는 프로브(2)와 프로브 방법에 있어서, 칩(TP)에의 영향을 작게 하는 효과가 있다.
도 11은 본 발명의 실시 형태에 따른 프로브 동작의 일례를 도시하는 흐름도이다. 미소 구조체의 검사에 앞서, 프로브(2)와 전극 패드(PD)의 접촉 저항을 작게 하고, 또한, 프로브(2)의 침압에 의한 응력을 무시할 수 있을 정도로 억제하도록 미리 오버 드라이브량을 적절한 값으로 정해둔다.
웨이퍼(15)가 메인 척(20)에 적재되고, 검사 개시가 입력되면(단계 S1), 검사 대상의 칩을 선택하여 그 칩을 프로브(2)의 위치가 되도록 메인 척(20)의 X-Y 방향의 위치와 방위 각(θ)을 움직여 얼라이먼트 제어한다(단계 S20).
다음에, 웨이퍼(15)와 프로브 카드(10)를 가까이 하여, 프로브(2)의 선단이 전극 패드(PD)에 접촉한 것을 검지한다. 즉, 웨이퍼(15)를 프로브 카드(10)의 방향으로 이동하여(단계 S3), 프리팅 현상을 일으키는 한 쌍의 프로브 사이의 저항을 측정하고(단계 S4), 저항이 내려갈 때까지(단계 S5) 웨이퍼(15)를 프로브 카드에 가까이 한다. 그리고, 그 점으로부터 일정한 오버 드라이브량만큼 프로브(2)를 전극 패드(PD) 방향으로 이동시키고(단계 S6), 침압을 일정한 작은 값으로 유지한다. 웨이퍼(15)의 각 칩(TP)에 대하여 프로브(2)를 접촉시키고 나서 미리 정해진 오버 드라이브량만큼 변위시킴으로써, 칩(TP)에 부여하는 영향을 최소로 하여, 칩(TP)마다 동일한 조건으로 검사를 행할 수 있다.
다음에, 프리팅용 전원(50)으로부터 한 쌍의 프로브(2)에 한쪽 프로브(2)에 대하여 전압을 인가한다. 그리고, 서서히 승압하면, 한 쌍의 프로브에 인가되는 전압차에 기초하는 프리팅 현상에 의해 한 쌍의 프로브(2) 사이의 산화막을 통하여 한 쌍의 프로브(2) 사이에서 전류가 흐르고, 프로브(2)와 전극 패드(PD) 사이에서 전기적으로 도통한다(단계 S7). 계속해서, 릴레이(30)를 통해 한 쌍의 프로브(2)를 프리팅용 전원(50)으로부터 측정부(40)측으로 전환하여 측정부(40)와 전기적으로 결합시킨다(단계 S8). 본 예에 있어서는 릴레이(30)를 이용하여 프리팅용 전원(50)과 측정부(40)의 전환을 실현하는 구성에 대해서 설명하고 있지만 이것에 한정되지 않고 릴레이(30) 대신에 반도체 스위치를 이용하여 전환을 실행하는 것도 가능하다.
그리고, 프로브(2)를 통해 측정부(40)로부터 전극 패드(PD)에 검사용 신호를 인가하고, 칩(TP)에 외력을 인가하면서 칩(TP)의 특성을 측정한다(단계 S9). 측정결과를 기억하여 필요에 따라 표시한다(단계 S10). 웨이퍼(15)에 다음 검사 대상 칩(TP)이 있으면(단계 S11; Yes), 그 칩(TP)을 선택하여 얼라이먼트 제어(단계 S2)로부터 측정 결과의 기억·표시(단계 S10)까지의 동작을 반복한다. 웨이퍼(15)에 검사 대상 칩(TP)이 없다면(단계 S11; No) 검사를 종료한다.
이와 같이 프리팅 현상을 이용하는 경우에는 프로브(2)와 전극 패드(PD) 사이의 침압을 매우 낮게 설정할 수 있고, 전극 패드 등을 손상시킬 우려가 없으며, 신뢰성이 높은 검사를 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따른 프로브 방법을 컴퓨터에 실행시키는 프로그램을 미리 FD, CD-ROM 혹은 하드디스크 등의 기억 매체에 기억시켜 놓는 것도 가능하다. 이 경우에는 도시하지 않는 제어 장치에 기록 매체에 저장된 상기 프로그램을 판독하는 드라이버 장치를 설치하여, 드라이버 장치를 통해 제어 장치가 프로그램을 수신하고, 제어 장치의 제어에 의해 프로버부(25)가 제어되어 전술한 프로브 방법을 실행하는 것도 가능하다. 또한, 네트워크 접속되어 있는 경우에는 서버로부터 상기 프로그램을 다운로드하여 제어 장치의 제어에 의해 프로버부(25)가 제어되고, 전술 한 프로브 방법을 실행하는 것도 가능하다.
(실시 형태의 변형예 1)
도 12는 본 발명의 실시 형태에 따른 다른 프로버부(25#)를 설명하는 도면이다.
도 12를 참조하면, 프로버부(25#)는 프로브 카드(10#)와, 프로브 제어부(11#)를 포함한다. 프로브 카드(10#)는 프로브 카드(10)와 비교하여, 릴레이(30)가 설치되어 있지 않은 구성이다. 프로브 제어부(11#)는 측정부(40#)를 갖고, 프로브 제어부(11)와 비교하여, 프리팅용 전원(50)이 설치되어 있지 않은 구성이다.
상기 구성에 있어서는 측정부(40#)에 포함되는 드라이버(41#)에 전술한 프리팅용 전원(50)과 동일한 기능을 갖게 하고 있다. 구체적으로는 프리팅 현상을 일으키게 하는 것이 가능한 크기의 전압을 프로브(2)에 직접 인가할 수 있는 구성으로 되어 있다. 그리고, 프리팅 현상이 발생한 후에는 드라이버(41)와 동일하게 검사용 신호를 인가한다. 또한, 여기서는 도시하지 않은 이 비교기(42)가 내장되어 있으며, 검사용 신호에 응답하여 출력되는 신호를 비교 판정할 수 있는 구성으로 되어 있다.
이것에 의해, 릴레이(30) 및 프리팅용 전원(40)을 설치하지 않고, 간이한 구성으로 프리팅 현상을 발생시켜, 디바이스 검사하는 것도 가능하다.
(실시 형태의 변형예 2)
도 13은 본 발명의 실시 형태에 따른 또 다른 프로버부(25A)를 설명하는 도면이다.
도 13을 참조하면, 프로버부(25A)는 프로브 카드(10A)와, 프로브 제어부(11A)를 포함한다. 프로브 카드(10A)는 프로브 카드(10)와 비교하여, 프리팅용 전원(50)을 더 내장한 구성이다. 이것에 따라, 프로브 제어부(11A)는 측정부(40)만을 갖는 구성으로 되어 있다.
상기 구성으로 함으로써, 프로브 카드 자체에 프리팅 현상을 발생시키는 기능을 갖게 하고, 프로브와 검사용 전극을 도통시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 예에 있어서는 프로브 카드(10A)는 테스트 음파 출력부(60)를 더 포함한다.
도 14는 실시 형태의 변형예 2의 프로브 카드(10A)의 구성도이다. 프로브 카드(10A)는 테스트 음파 출력부(60)를 포함한다. 테스트 음파 출력부(60)로서는 예컨대, 스피커를 이용할 수 있다. 테스트 음파 출력부(60)의 음파가 검사 대상의 칩(TP)에 접촉하도록 프로브 카드(10A)에는 테스트 음파 출력부의 위치에 개구 영역이 형성되어 있다. 프로브 카드(10A)의 기판(100)에는 프로브(2)가 개구 영역으로 밀어내도록 부착되어 있다. 또한, 개구 영역 근방에 마이크(3)가 포함된다. 마이크(3)에 의해, 칩(TP) 근방의 음파를 파악하고, 칩(TP)에 인가되는 음파가 원하는 주파수 성분이 되도록 테스트 음파 출력부(60)로부터 출력되는 테스트 음파를 제어한다.
테스트 음파 출력부(60)는 프로브 카드(10A)에 부여되는 테스트 지시에 응답하여 테스트 음파를 출력하는 것으로 한다. 이것에 의해, 예컨대 3축 가속도 센서의 가동부가 움직이게 되며, 프리팅 현상에 의해 도통한 프로브를 통해 검사용 전 극으로부터 가동부 움직임에 따른 신호를 검출하는 것이 가능하다. 이 신호를 측정부(40)에서 측정하여 해석함으로써 디바이스 검사를 실행하는 것도 가능하다.
또한, 여기서는 프로브 카드(10A)는 테스트 음파를 출력하는 테스트 음파 출력부를 내장하는 경우에 대해서 설명하였지만 이것에 한정되지 않고, 예컨대 진동 장치 등, 3축 가속도 센서의 가동부를 움직이는 것이 가능한 가동 수단에 의해 필요에 따라 원하는 검사(테스트)를 실행하는 것도 가능하다.
상기한 실시 형태에 있어서는 3축 가속도 센서를 일례로서 예로 들어 설명하였지만, 본 발명의 프로브 카드 및 프로브 방법은 3축 가속도 센서뿐만 아니라, 다른 MEMS 예컨대 마이크로폰에 있어서도 적용 가능하다.
이번에 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니고 특허청구범위에 의해 표시되며, 특허청구범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
본 출원은 2005년 3월 31일에 출원된 일본 특허 출원 제2005-102751호, 일본 특허 출원 제2005-102760호 및 2005년 9월 14일에 출원된 일본 특허 출원 제2005-266720호에 기초한다. 본 명세서 중에 일본 특허 출원 제2005-102751호, 일본 특허 출원 제2005-102760호 및 일본 특허 출원 제2005-266720호의 명세서, 특허청구범위, 도면 전체를 참조로써 포함하는 것으로 한다.
본 발명에 따른 미소 구조체의 프로브 방법, 프로브 카드, 검사 장치, 검사 방법 및 검사 프로그램은 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브를 접촉시키고, 프리팅 현상을 이용하여 검사용 전극과 프로브를 도통시킨다. 따라서, 프로브 혹은 검사용 전극을 손상시키지 않고, 또한, 프로브와 검사용 전극과의 접촉에 있어서 침압의 영향을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 침압의 영향에 의한 전기적 특성의 변화를 억제하여 정밀도가 높은 검사를 실행하는 것이 가능해진다.

Claims (26)

  1. 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 검사하기 위한 미소 구조체의 프로브 카드로서,
    상기 미소 구조체에 설치된 검사용 전극과 상기 프로브 카드에 설치된 프로브를 프리팅(flitting) 현상을 이용하여 도통시키기 위해, 하나의 상기 검사용 전극에 대하여 2개의 프로브
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 프로브 카드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프로브 카드는 프리팅 현상을 이용하여 상기 검사용 전극과 상기 프로브를 도통시키는 도통 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 프로브 카드.
  3. 제1항에 있어서, 상기 미소 구조체의 특성을 검사하기 위해, 상기 미소 구조체의 가동부를 변동시키는 변동 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 프로브 카드.
  4. 제3항에 있어서, 상기 변동 수단은 상기 미소 구조체의 가동부에 대하여 테스트 음파를 출력하기 위한 적어도 하나의 음파 발생 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 프로브 카드.
  5. 제1항에 있어서, 상기 프로브의 상기 미소 구조체의 검사용 전극에 접촉하는 선단은 상기 미소 구조체의 검사 전극에 대하여 수직으로 접촉하도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
  6. 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 검사하는 미소 구조체의 검사 장치로서,
    상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브를 접촉시키는 수단과,
    프리팅 현상을 이용하여 상기 검사용 전극과 상기 프로브를 도통시키는 도통수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 도통 수단은,
    상기 프리팅 현상을 일으키기 위해 상기 검사용 전극에 전압을 인가하기 위해 이용되는 프리팅용 전원과,
    상기 검사용 전극과 전기적으로 접속되며, 소정의 검사를 실행하기 위한 검사용 신호를 출력하기 위한 측정부와,
    상기 프리팅 현상을 일으킬 때에는 상기 프리팅용 전원과 접속하고, 상기 소정의 검사를 실행할 때에는 상기 측정부와 접속되는 전환 회로
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 도통 수단은,
    상기 검사용 전극에 프리팅 현상을 일으키는 전압 신호를 인가하거나 혹은 상기 검사용 전극에 소정의 검사를 실행하기 위한 검사용 전압 신호를 인가하는 전압 출력 수단과,
    상기 검사용 전압 신호에 응답하여 상기 검사용 전극으로부터 검출되는 신호를 검지하는 검지 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 미소 구조체의 가동부에 대하여 테스트 음파를 출력하기 위한 적어도 하나의 음파 발생 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 미소 구조체는 가속도 센서 및 경사각 센서 중 적어도 한쪽에 해당하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 가속도 센서 및 경사각 센서는 다축 가속도 센서 및 다축 경사각 센서에 각각 해당하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 장치.
  12. 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 검사 하기 위한 미소 구조체의 검사 방법으로서,
    상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브를 접촉시키는 접촉 단계와,
    프리팅 현상을 이용하여 상기 검사용 전극과 상기 프로브를 도통시키는 도통단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 도통 단계는, 상기 프리팅 현상을 일으키기 위해 상기 프로브와 프리팅용 전원을 접속하여 상기 검사용 전극에 전압을 인가하는 단계를 포함하고,
    상기 검사용 전극과 상기 프로브가 도통한 후에, 상기 프로브를 통해 소정의 검사를 실행하기 위한 검사용 신호를 상기 검사용 전극에 출력하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 검사용 신호에 응답하여 상기 검사용 전극으로부터 검출되는 신호를 검지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  15. 제12항에 있어서, 상기 접촉 단계는 상기 프로브를 상기 미소 구조체의 검사용 전극면에 대하여 수직으로 접촉시키는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 접촉 단계는 상기 검사용 전극과 프로브가 접촉하는 것을 검지하는 접촉 검지 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 접촉 검지 단계는 하나의 상기 검사용 전극에 접촉하는 상기 프로브 사이의 전기 저항의 변화를 검지함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 접촉 단계는 상기 접촉 검지 단계 후, 상기 프로브를 소정의 변위량만큼 검사용 전극에 대하여 더 변위시키는 과변위 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 과변위 단계에서, 상기 프로브를 상기 검사용 전극에 대하여 변위시키는 소정의 변위량은 상기 기판 상에 형성된 어느 하나의 미소 구조체에 대해서도 동일한 양인 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  20. 제12항에 있어서, 상기 미소 구조체의 특성을 검사하기 위해 상기 미소 구조체의 가동부를 변동시키는 변동 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 변동 단계는 상기 도통 단계 후에 행해지는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  22. 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 검사하기 위한 미소 구조체의 검사 방법으로서,
    상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브가 접촉하는 것을 검지하는 접촉 검지 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 접촉 검지 단계 후, 상기 프로브를 소정의 변위량만큼 검사용 전극에 대하여 더 변위시키는 과변위 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미소 구조체의 검사 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 과변위 단계에서, 상기 프로브를 상기 검사용 전극에 대하여 이동시키는 소정의 이동량은 상기 기판 상에 형성된 어느 하나의 미소 구조체에 대해서도 동일한 양인 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  25. 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 평가하는 미소 구조체의 검사용 컴퓨터 프로그램으로서, 컴퓨터를,
    상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브를 접촉시키는 접촉 수단,
    프리팅 현상을 이용하여 상기 검사용 전극과 상기 프로브를 도통시키는 도통 수단
    으로서 기능시키기 위한 컴퓨터 프로그램.
  26. 기판 상에 형성된 가동부를 갖는, 적어도 하나의 미소 구조체의 특성을 평가하는 미소 구조체의 검사용 컴퓨터 프로그램으로서, 컴퓨터를,
    상기 미소 구조체의 검사용 전극과 프로브가 접촉하는 것을 검지하는 접촉 검지 수단을 포함하는 미소 구조체의 검사 수단으로서 기능시키기 위한 컴퓨터 프로그램.
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