KR20070064680A - 고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법 - Google Patents

고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20070064680A
KR20070064680A KR1020077011899A KR20077011899A KR20070064680A KR 20070064680 A KR20070064680 A KR 20070064680A KR 1020077011899 A KR1020077011899 A KR 1020077011899A KR 20077011899 A KR20077011899 A KR 20077011899A KR 20070064680 A KR20070064680 A KR 20070064680A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
porous sintered
sintered body
positive electrode
electrolytic capacitor
porous
Prior art date
Application number
KR1020077011899A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100904794B1 (ko
Inventor
초지로 쿠리야마
Original Assignee
로무 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로무 가부시키가이샤 filed Critical 로무 가부시키가이샤
Publication of KR20070064680A publication Critical patent/KR20070064680A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100904794B1 publication Critical patent/KR100904794B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02Mountings
    • H01G2/06Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support
    • H01G2/065Mountings specially adapted for mounting on a printed-circuit support for surface mounting, e.g. chip capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/008Terminals
    • H01G9/012Terminals specially adapted for solid capacitors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/02Diaphragms; Separators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/15Solid electrolytic capacitors

Abstract

고체 전해 컨덴서(A)는 밸브 작용을 가지는 금속으로 이루어지는 제1의 다공질 소결체(1A)와, 제1의 다공질 소결체(1A)에 도통하는 양극 도통 부재(21A, 21B)와, 양극 도통 부재(21A, 21B)에 도통하는 면실장용의 양극 단자(3A, 3B)와, 면실장용의 음극 단자와, 밸브 작용을 가지는 금속으로 이루어지고 또한 제1의 다공질 소결체(1A)와 양극 도통 부재(21A, 21B)와의 사이에 개재하는 제2의 다공질 소결체(1B)를 구비한다.

Description

고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법{SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은 밸브 작용 금속의 다공질 소결체를 구비한 고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
고체 전해 컨덴서의 용도로는 CPU 등의 디바이스로부터 발생하는 노이즈 제거나, 전자 기기로의 전원 공급의 안정화가 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조). 도 21은 이와 같은 고체 전해 컨덴서의 일례를 나타내고 있다. 이 고체 전해 컨덴서 X는 밸브 작용을 가지는 금속의 다공질 소결체(90)를 구비하고 있다. 양극 와이어(91)는 양극 도통 부재의 일례이며, 그 일부가 다공질 소결체(90)로부터 돌출하도록 설치되어 있다. 다공질 소결체(90)의 표면에는 음극을 구성하는 도전층(92)이 형성되어 있다. 도체 부재(93, 94)는 각각 양극 와이어(91) 및 도전층(92)과 도통하고 있다. 도체 부재(93, 94) 중에서 봉지 수지(95)로부터 노출한 부분이 면실장(面實裝)용의 양극 단자(93a) 및 음극 단자(94a)로 되어 있다. 여기서, 고체 전해 컨덴서의 임피던스 Z의 주파수 특성은 식 1에 의해 결정된다.
[식 1]
Figure 112007038444352-PCT00001
식 1에 있어서 ω은 각속도를 나타내고, 주파수의 2π 배에 상당한다. 또, C는 고체 전해 컨덴서의 용량을, R은 저항을, L은 인덕턴스를 각각 나타내고 있다. 상기의 식으로부터 알 수 있는 바와 같이, 자기 공진점보다 주파수가 낮은 저주파수 영역에 있어서, 임피던스 Z는 1/ωC 가 주된 결정 인자로 된다. 이 때문에, 용량 C를 크게 하는 것에 의해 저임피던스화가 가능하다. 또, 자기 공진점 부근의 고주파수 영역에 있어서는 저항 R이 주된 결정 인자로 된다. 이 때문에, 저임피던스화를 위해서는 저ESR(등가 직렬 저항)화를 도모할 필요가 있다. 또한, 자기 공진점보다 더욱 주파수가 높은 초고주파수 영역에 있어서는 ωL 이 주된 결정 인자로 된다. 이 때문에, 저임피던스화에는 저ESL(등가 직렬 인덕턴스)화가 필요하게 된다.
최근, 클록 주파수가 고주파수화된 CPU 등의 디바이스로부터는 고조파(高調波) 성분을 포함하는 주파수가 높은 노이즈가 발생하고 있다. 또, 전자 기기의 고속화 및 디지털화에 수반하여, 전력 수요에 고속으로 응답하는 것이 가능한 전원계가 필요하게 되고 있다. 이러한 용도로 사용되는 고체 전해 컨덴서 X에는 저ESL화가 강하게 요구되고 있다. 저ESL화를 도모하는 수단으로서는, 예를 들어 다공질 소결체(90)의 형상을 편평하게 하는 것이 고안된다. 그러나, 다공질 소결체(90)를 편평하게 할수록, 다공질 소결체(90) 중에서 양극 와이어(91)를 덮는 부분의 두께가 얇아진다. 예를 들어 고체 전해 컨덴서 X의 제조 공정에 있어서 양극 와이어(91)에 외력이 작용하면, 다공질 소결체(90)가 파손하고, 양극 와이어(91)가 다공질 소결 체(90)로부터 빠질 우려가 있다. 이와 같이 저ESL화를 목적으로 하여 다공질 소결체(90)의 박형화를 도모했을 경우에, 양극 와이어(90)의 접합 강도가 부족하다고 하는 문제가 있었다.
[특허 문헌 1] 일본 특개 2003-163137호 공보(도 15)
본 발명은 상기한 바를 감안하여 이루어진 것이며, 저ESL화를 도모하며, 양극 도통 부재의 접합 강도를 높이는 것이 가능한 고체 전해 컨덴서, 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 과제로 하고 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명에서는 다음의 기술적 수단을 강구하고 있다.
본 발명의 제1 측면에 의해 제공되는 고체 전해 컨덴서는 밸브 작용을 가지는 금속으로 이루어지는 제1의 다공질 소결체와, 상기 제1의 다공질 소결체에 도통하는 양극 도통 부재와, 상기 양극 도통 부재에 도통하는 면실장용의 양극 단자와, 면실장용의 음극 단자와, 밸브 작용을 가지는 금속으로 이루어지고 또한 상기 제1의 다공질 소결체와 상기 양극 도통 부재와의 사이에 개재하는 제2의 다공질 소결체를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제2의 다공질 소결체는 NbO를 포함하고 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제2의 다공질 소결체는 Nb를 추가로 포함하고 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제2의 다공질 소결체는 그 평균 입경이 상기 제1의 다공질 소결체의 평균 입경보다 작다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 양극 도통 부재는 밸브 작용을 가지는 금속제이다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 양극 도통 부재는 판 형상의 첩부(貼付)부를 가지고 있고, 또 이 첩부부에 있어서 상기 제2의 다공질 소결체를 통하여 상기 제1의 다공질 소결체에 첩부되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제1의 다공질 소결체에는 요(凹)부가 형성되어 있고, 또 이 요부에 상기 첩부부가 첩부되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 첩부부에는 구멍이 형성되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 구멍의 내면은 상기 제2의 다공질 소결체에 의해 덮여 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 첩부부는 상기 구멍의 내면으로부터 상기 제1의 다공질 소결체와는 반대측인 면에 걸쳐서 상기 제2의 다공질 소결체에 덮여 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제1의 다공질 소결체에는 상기 첩부부의 상기 구멍에 진입하는 돌기가 형성되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 첩부부는 톱날 형상의 가장자리부를 가지고 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제1의 다공질 소결체는 두께 방향 치수가 그 두께 방향과 직교하는 방향에 있어서의 폭치수보다 작은 편평한 형상이고, 상기 양극 도통 부재는 상기 첩부부와 수직으로 연결된 판 형상의 연출부(延出部)를 가지고 있고, 상기 첩부부는 상기 제1의 다공질 소결체 중에서 그 두께 방향으로 수직인 방향을 향하는 면에 첩부되어 있고, 상기 연출부는 상기 제1의 다공질 소결체의 두께 방향으로 수직인 방향으로 뻗어 있고, 또 이 연출부에는 상기 양극 단자가 접합되어 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 제1의 다공질 소결체는 두께 방향 치수가 그 두께 방향과 직교하는 방향에 있어서의 폭치수보다 작은 편평한 형상이고, 상기 양극 도통 부재는 상기 첩부부와 동방향으로 연결된 판 형상의 연출부를 가지고 있고, 상기 첩부부는 상기 제1의 다공질 소결체 중에서 그 두께 방향을 향하는 면에 첩부되어 있고, 상기 연출부는 상기 제1의 다공질 소결체의 두께 방향과 수직인 방향으로 뻗어 있고, 또 이 연출부에는 상기 양극 단자가 접합되어 있다.
본 발명의 제2 측면에 의해 제공되는, 고체 전해 컨덴서의 제조 방법은 밸브 작용을 가지는 금속의 다공질체 또는 다공질 소결체로 이루어지는 중간품(中間品)에, 밸브 작용을 가지는 금속의 미세 분말을 포함하는 페이스트를 사용하여 1 이상의 밸브 작용을 가지는 금속의 양극 도통 부재를 첩부하는 공정과, 상기 중간품과 상기 페이스트를 소결하는 것에 의해, 상기 중간품으로부터 제1의 다공질 소결체를 형성하고, 또 상기 페이스트로부터 제2의 다공질 소결체를 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 페이스트는 NbO의 미세 분말을 포함하고 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 페이스트는 Nb의 미세 분말을 추가로 포함하고 있다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 페이스트에 포함되는 상기 미세 분말의 평균 입경은 상기 중간품을 구성하는 상기 다공질체 또는 상기 다공질 소결체의 평균 입경보다 작다.
본 발명의 바람직한 실시 형태에 있어서, 상기 양극 도통 부재로서는 각각이 판 형상의 연출부를 가지는 복수의 양극 도통 부재를 사용하는 동시에, 상기 복수의 양극 도통 부재 중에서 적어도 하나의 양극 도통 부재는 그 연출부의 연출 치수(延出 寸法)가 다른 양극 도통 부재의 연출부의 연출 치수보다 크다.
본 발명의 그 외의 특징 및 이점은 첨부한 도면을 참조하여 이하에 실시하는 상세한 설명에 의해서, 보다 분명하게 된다.
도 1은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제1 실시 형태의 단면도.
도 2는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제1 실시 형태의 주요부 사시도.
도 3은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제조 방법의 일례에 있어서, 양극 도통 부재를 첩부하는 공정을 나타내는 사시도.
도 4는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제조 방법의 일례에 있어서, 소 결을 행한 후 상태를 나타내는 사시도.
도 5는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제조 방법의 일례에 있어서, 제2의 다공질 소결체를 형성하는 공정을 나타내는 주요부 단면도.
도 6은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제조 방법의 일례에 있어서, 양극 단자 및 음극 도통 부재를 첩부하는 공정을 나타내는 사시도.
도 7은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제2 실시 형태의 주요부 사시도.
도 8은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제2 실시 형태의 주요부 사시도.
도 9는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제3 실시 형태의 주요부 사시도.
도 10은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제3 실시 형태의 주요부 사시도.
도 11은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제3 실시 형태의 주요부 사시도.
도 12는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제3 실시 형태의 주요부 사시도.
도 13은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제4 실시 형태의 주요부 단면도.
도 14는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제4 실시 형태의 주요부 단면도.
도 15는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제4 실시 형태의 주요부 사시도.
도 16은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제4 실시 형태의 단면도.
도 17은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제5 실시 형태의 주요부 사시도.
도 18은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제6 실시 형태의 주요부 사시도.
도 19는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제6 실시 형태의 주요부 사시도.
도 20은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제6 실시 형태의 주요부 사시도.
도 21은 종래의 고체 전해 컨덴서의 일례의 단면도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해, 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.
도 1 및 도 2는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제1 실시 형태를 나타내고 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 고체 전해 컨덴서(A)는 제1의 다공질 소결체(1A), 제2의 다공질 소결체(1B), 제1 및 제2의 양극 도통 부재(21A, 21B), 양극 단자(3A, 3B), 음극 도통 부재(41) 및 봉지 수지(7)를 구비하고 있다. 또한, 도 2에 있어서는 봉지 수지(7)는 생략되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 제1의 다공질 소결체(1A)는 그 두께 방향 치수가 두께 방향 치수와 직교하는 방향에 있어서의 폭치수보다 작은 편평한 직사각형 판 형상이다. 제1의 다공질 소결체(1A)는 밸브 작용을 가지는 금속인 니오브(Nb)의 분말을 가압 성형하고 이것을 소결하는 것에 의해 형성되어 있다. 제1의 다공질 소결체(1A)는 니오브의 분말끼리가 소결한 것이고, 이러한 사이에 미소한 틈새가 형성된 구조를 가지고 있다. 상기 분말의 표면에는, 예를 들어 5 산화 니오브(Nb2O5)로 이루어지는 유전체층(도시 생략)이 형성되어 있다. 또, 이 유전체층의 표면상에는 고체 전해질층(도시 생략)이 형성되어 있다. 이 고체 전해질층은 예를 들어 이산화 망간 또는 도전성 폴리머로 이루어지고, 바람직하게는 상기 틈새의 전체를 메우도록 형성되어 있다. 다공질 소결체(1)의 재질로서는 밸브 작용을 가지는 금속이면 좋고, 니오브에 대신하여, 예를 들어 탄탈(Ta) 등을 사용해도 된다.
제1의 다공질 소결체(1A)의 측면에는 4개의 요부(1Aa)가 형성되어 있다. 이러한 요부(1Aa)에는 4개의 제2의 다공질 소결체(1B)를 통하여 2개씩의 양극 도통 부재(21A, 21B)가 첩부되어 있다.
각 제2의 다공질 소결체(1B)는 밸브 작용을 가지는 금속인 산화 니오브(NbO)의 분말을 소결하는 것에 의해 형성되어 있다. 각 제2의 다공질 소결체(1B)는 제1의 다공질 소결체(1A)와 동일하게 미소한 틈새가 형성된 구조를 가지고 있고, 상기 유전체층 및 상기 고체 전해질층이 형성되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는 제2의 다공질 소결체(1B)를 형성하는 산화 니오브의 미세 분말은 그 평균 입경이 제1의 다공질 소결체(1A)를 형성하는 니오브의 미세 분말의 평균 입경보다 작은 것으로 되어 있다.
2개씩의 제1 및 제2의 양극 도통 부재(21A, 21B)는 거의 L자 형상의 판 형상이며, 밸브 작용을 가지는 금속인 니오브제이다. 각 양극 도통 부재(21A, 21B)는 서로 수직으로 연결된 첩부부(21a)와 연출부(21b)를 가지고 있다. 각 양극 도통 부재(21A, 21B)는 그 첩부부(21a)가 제2의 다공질 소결체(1B)를 통하여 제1의 다공질 소결체(1A)의 요부(1Aa)에 첩부되어 있다. 각 첩부부(21a)에는 구멍(21c)이 형성되어 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 제2의 다공질 소결체(1B)는 각 첩부부(21a)와 각 요부(1Aa) 사이의 공간을 메우는 동시에, 각 구멍(21c)의 내면을 덮고 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 각 연출부(21b)는 제1의 다공질 소결체(1A)의 두께 방향과 수직인 방향(도면의 좌우 방향)으로 연출하고 있다. 제1의 양극 도통 부재(21A)의 연출부(21b)의 도면 아래면에는 제1의 양극 단자(3A)가 접합되어 있다. 제2의 양극 도통 부재(21B)의 연출부(21b)의 도면 아래면에는 제2의 양극 단자(3B)가 접합되어 있다. 이러한 접합은, 예를 들어 도전성 수지(6)에 의해 이루어져 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제1 및 제2의 양극 단자(3A, 3B)는 긴 직사각 형상이며, 예를 들어 구리제이다.
제1의 다공질 소결체(1A)의 도면 아래면에는 음극 도통 부재(41)가 설치되어 있다. 이 음극 도통 부재(41)는, 예를 들어 도전층(5)을 통하여 제1의 다공질 소결체(1A)에 접합되어 있다. 이 도전층(5)은 제1의 다공질 소결체(1A)의 표면에 형성된 상기 고체 전해질층(도시 생략)상에 그라파이트(graphite)층과 은 페이스트의 층을 적층시키는 것에 의해 형성되어 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 음극 도통 부재(41)에는 4개의 연출부가 형성되어 있고, 이러한 연출부가 2개씩의 제1 및 제2 의 음극 단자(4A, 4B)로 되어 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 봉지 수지(7)는 다공질 소결체(1), 양극 도통 부재(21A, 21B) 등을 덮음으로써, 이들을 보호하기 위한 것이다. 봉지 수지(7)는, 예를 들어 에폭시 수지 등의 열강화성 수지를 사용하여 형성된다. 제1 및 제2의 양극 단자(3A, 3B)와, 제1 및 제2의 음극 단자(4A, 4B)는 각각의 아래면이 봉지 수지(7)로부터 노출하고 있고, 고체 전해 컨덴서(A)의 면실장에 사용된다. 이와 같이 고체 전해 컨덴서(A)는 입력용의 제1의 양극 단자(3A) 및 출력용의 제2의 양극 단자(3B)와, 입력용의 제1의 음극 단자(4A) 및 출력용의 제2의 (4B)를 구비하는 것에 의해, 이른바 4단자형의 고체 전해 컨덴서로서 구성되어 있다.
다음에 고체 전해 컨덴서(A)의 제조 방법의 일례에 대해 도 3 ~ 도 6을 참조하면서 이하에 설명한다.
우선, 도 3에 나타내는 바와 같이, 니오브의 다공질 소결체(11)를 준비한다. 구체적으로는, 니오브(Nb)의 미세 분말을 금형에 충전하고, 가압 성형하는 것에 의해 니오브의 다공질체를 형성한다. 이 다공질체에 소결을 행하는 것에 의해, 다공질 소결체(11)가 얻어진다. 상기 소결에 있어서는 다공질 소결체(11)의 소결 정도가 도 1에 나타내는 제1의 다공질 소결체(1A)보다 작아지도록, 소결 온도 및 소결 시간을 조절한다. 이 다공질 소결체(11)는 본 발명에서 말하는 제1의 다공질 소결체의 중간품의 일례에 상당하는 것이다.
다공질 소결체(11)를 형성한 후는 그 요부(11a)에 페이스트(12)를 도포한다. 페이스트(12)는 산화 니오브(NbO)의 미세 분말로, 예를 들어 아크릴 등의 유기 용 매를 혼합한 것이다. 산화 니오브의 미세 분말은 그 평균 입경이 상기 다공질체를 형성할 때에 사용한 니오브의 미세 분말의 평균 입경보다 작은 것으로 해둔다.
페이스트(12)를 도포한 후는 거의 L자 형상의 양극 도통 부재(21A, 21A', 21B)를 요부(11a)에 첩부한다. 양극 도통 부재(21A, 21A', 21B)의 첩부는 각각의 첩부부(21a)를 요부(11a)내의 페이스트(12)에 눌러서 붙이는 것에 의해 행한다. 각 첩부부(21a)에는 3개씩의 구멍(21c)이 형성되어 있다. 이 때문에, 상기 첩부할 때에는 각 구멍(21c)내에 페이스트(12)가 충전된 상태로 된다. 양극 도통 부재(21A, 21A', 21B)에는 연출부(21b, 21b')가 형성되어 있다. 이 중, 양극 도통 부재(21A')의 연출부(21b')는 그 외의 연출부(21b)보다 긴 것으로 되어 있다. 양극 도통 부재(21A, 21A', 21B)를 첩부한 상태로 방치해 두는 것에 의해, 페이스트(12)에 포함되는 상기 유기 용매가 증발하여, 페이스트(12)의 고체화가 진행한다.
그 다음에, 양극 도통 부재(21A, 21A', 21B)가 첩부된 다공질 소결체(11)에 대하여 재차 소결을 행한다. 다공질 소결체(11)에는 상술한 바와 같이, 이미 소결이 행해지고 있기 때문에, 합계 2회의 소결이 행해지게 된다. 그 결과, 다공질 소결체(11)는 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1의 다공질 소결체(1A)로 된다. 도 3에 나타내는 페이스트(12)에 대해서는 상기 유기 용매가 소결에 의해 추가로 증발되거나, 또는 고온에 의해 분해된다. 이 유기 용매의 증발 및 분해의 과정에 있어서, 페이스트(12)에 포함되는 산화 니오브의 미세 분말은 서로 응집한다. 이 산화 니오브의 미세 분말은 평균 입경이 비교적 작기 때문에, 1회만의 소결에 의해 충분히 소결되게 된다. 그 결과, 페이스트(12)는 도 4에 나타내는 바와 같이, 제2의 다공 질 소결체(1B)로 된다.
산화 니오브는, 예를 들어 니오브에 비해 무른 재료이기 때문에, 미세화가 용이하고, 평균 입경이 작은 미세 분말로 하는데 적합하다. 또, 산화 니오브의 미세 분말의 평균 입경이 작을수록, 보다 낮은 소결 온도로 제2의 다공질 소결체(1B)를 얻을 수 있다. 소결 온도가 낮으면, 제1 및 제2의 다공질 소결체(1A, 1B)를 형성할 때의 체적 축소를 작게 하는 것이 가능하다. 이것에 의해, 양극 도통 부재(21A, 21A', 21B)의 첩부부(21a)의 첩부면에 있어서, 제2의 다공질 소결체(1B)가 박리하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 페이스트(12)에, 산화 니오브의 미세 분말에 더하여 니오브의 미세 분말을 혼입해도 된다. 니오브를 혼입하는 것에 의해, 평균 입경이 동일한 정도이어도 소결 온도를 추가로 내리는 것이 가능하다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 구멍(21c)내는 페이스트(12)에 의해 충전된 상태로 된다. 제2의 다공질 소결체(1B)는 상기 증발 및 소결의 공정을 거쳐서 형성되기 때문에, 페이스트(12)보다 그 체적이 축소된다. 이 때문에, 제2의 다공질 소결체(1B)는 구멍(21a)의 내면을 덮도록 형성된다.
또한, 본 실시 형태와는 달리, 제1의 다공질 소결체(1A)의 중간품으로서, 다공질 소결체(11) 대신에 소결을 행하기 전의 다공질체를 사용해도 된다. 이 경우, 소결 처리는 양극 도통 부재(21A, 21B)를 첩부한 후에 1회만 행해진다.
제1 및 제2의 다공질 소결체(1A, 1B)를 형성한 후는 제1 및 제2의 다공질 소결체(1A, 1B)에 유전체층(도시 생략) 및 고체 전해질층(도시 생략)을 형성한다. 상기 유전체층의 형성에 있어서는 도 4에 나타내는 양극 도통 부재(21A')의 연출 부(21b')를 협지(挾持)하면서, 제1 및 제2의 다공질 소결체(1A, 1B)를 예를 들어 인산 수용액의 화성액(化成液)에 침지시킨다. 이것에 의해, 제1 및 제2의 다공질 소결체(1A, 1B)에 양극 산화 처리가 행해지고, 5 산화 니오브(Nb2O5)로 이루어지는 상기 유전체층이 형성된다. 또, 상기 고체 전해질층의 형성은 제1 및 제2의 다공질 소결체(1A, 1B)를 예를 들어 초산 망간의 수용액에 침지시킨 후에, 이것을 끌어올려서 소성하는 것을 반복하는 것에 의해 행한다. 연출부(21b')는, 예를 들어 그 외의 연출부(21b)보다 긴 것으로 되어 있기 때문에, 이것을 협지하여 상술한 침지시키는 작업을 행하는데 편리하다.
상기 고체 전해질층을 형성한 후는, 예를 들어 그라파이트층 및 은 페이스트층으로 이루어지는 도전층(5)을 형성한다. 이 때, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1의 다공질 소결체(1A)의 도면 아래면에는 도전층(5)을 통하여 음극 도통 부재(41)를 접합한다. 한편, 양극 도통 부재(21A')의 연출부(21b')를 다른 연출부(21b)와 동일한 치수로 되도록 절단한다. 이것에 의해 양극 도통 부재(21A')는 연출부(21b)를 가지는 양극 도통 부재(21A)로 된다. 2개씩의 제1 및 제2의 양극 도통 부재(21A, 21B)의 연출부(21b)의 도면 아래면에는 제1 및 제2의 양극 단자(3A, 3B)를, 예를 들어 도전성 수지를 사용하여 접합한다.
그 후는 에폭시계 수지를 사용한 몰드 성형을 행하는 것에 의해, 도 1에 나타내는 봉지 수지(7)를 형성한다. 이상으로부터, 수지 패키지형의 고체 전해 컨덴서(A)가 얻어진다.
다음으로, 고체 전해 컨덴서(A)의 작용에 대해 설명한다.
본 실시 형태에 의하면, 저ESL화를 도모하는 동시에, 양극 도통 부재(21A, 21B)의 접합 강도를 높일 수 있다. 즉, 제1의 다공질 소결체(1A)로서는 편평한 형상일수록, 제1의 다공질 소결체(1A)내의 인덕턴스를 작게 하는 것이 가능하고, 저ESL화를 도모하는데 유리하게 된다. 본 실시 형태의 제1의 다공질 소결체(1A)는 편평한 직사각형 판 형상으로 되어 있고, 저ESL화에 적절한 구성으로 되어 있다. 한편, 본 실시 형태와 달리, 예를 들어 금속 와이어를 양극 도통 부재로서 사용하여 이 금속 와이어의 일부를 다공질 소결체내에 진입시킨 구성이 있다. 이와 같은 경우, 상기 다공질 소결체를 박형으로 할수록, 상기 금속 와이어를 진입시키는 것이 곤란하게 된다. 또, 상기 금속 와이어의 직경과 상기 다공질 소결체의 두께의 치수차가 작아질수록, 상기 다공질 소결체 중에서 상기 금속 와이어를 덮는 부분이 얇아진다. 이와 같은 것에서는, 상기 금속 와이어에 힘이 작용한 경우에, 상기 다공질 소결체가 파손하여, 상기 금속 와이어가 누락하는 등의 불편이 생긴다. 이와 같은 불편을 회피하기 위하여, 예를 들어 상기 금속 와이어의 세경화(細徑化)를 도모하는 것도 가능하다. 그러나, 상기 금속 와이어 자체의 저항이 커져서, 고체 전해 컨덴서 전체적으로도 ESR이 커져 버린다. 본 실시 형태에 의하면, 양극 도통 부재(21A, 21B)는 제1의 다공질 소결체(1A)에 첩부되는 구성이기 때문에, 제1의 다공질 소결체(1A)를 박형으로 해도, 제1의 다공질 소결체(1A)가 파손하는 등의 우려가 없다.
또, 도 1에 나타내는 바와 같이, 양극 도통 부재(21A, 21B)의 연출부(21b)는 제1의 다공질 소결체(1A)의 도면 아래면과 동일한 정도의 높이에 있어서, 도면의 좌우 방향으로 연출하고 있다. 이 때문에, 제1 및 제2의 양극 단자(3A, 3B)와 제1의 다공질 소결체(1A) 사이의 전류 경로는 대개 평탄한 형상으로 되어 있고, 크게 기립하는 부분이 없다. 따라서, 상기 전류 경로에 있어서 인덕턴스를 작게 하는 것이 가능하고, 고체 전해 컨덴서(A)의 저ESL화를 도모할 수 있다.
제2의 다공질 소결체(1B)는 산화 니오브의 미세 분말을 사용하여 형성되어 있는 것에 의해, 제1의 다공질 소결체(1A)와 양극 도통 부재(21A, 21B)를 적절하게 접합시킬 수 있다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 미리 소결을 행한 다공질 소결체(11)와 페이스트(12)에 포함된 산화 니오브의 미세 분말은 서로 잘 친화된다. 또, 양극 도통 부재(21A, 21B)는 니오브제이기 때문에, 도 3에 나타내는 페이스트(12)에 포함되는 산화 니오브의 미세 분말과 잘 친화된다. 또한, 제2의 다공질 소결체(1B)를 형성하기 위한 소결 공정은 그 평균 입경이 작은 것에 의해 소결 온도가 낮고, 소결 시간도 짧다. 이 때문에, 도 5에 나타내는 페이스트(12)에서부터 제2의 다공질 소결체(1B)로의 체적 축소를 작게 할 수 있다. 따라서, 제2의 다공질 소결체(1B)를 형성하는 과정에 있어서, 상기 체적 축소에 의해, 양극 도통 부재(21A, 21B)가 박리하는 것을 방지할 수 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 양극 도통 부재(21A, 21B)의 첩부부(21a)에 설치된 구멍(21c)은 그 내면이 제2의 다공질 소결체(1B)에 의해 덮여 있다. 이 때문에, 양극 도통 부재(21A, 21B)에 힘이 작용해도, 제2의 다공질 소결체(1B) 중에서 구멍(21c)내에 있는 부분에 의해, 이른바 앵커(anchor) 효과가 발휘된다. 따라서, 양극 도통 부재(21A, 21B)의 접합 강도를 높이는데 적합하다. 또, 양극 도통 부재(21A, 21B)는 요부(1Aa)내에 첩부부(21a)가 수납되어 있다. 이 때문에, 상기 앵커 효의 상승 효과에 의해, 양극 도통 부재(21A, 21B)가 어긋나는 것을 방지할 수 있다.
본 실시 형태에 있어서는 제2의 다공질 소결체(1B)를 형성하는 산화 니오브의 미세 분말을 평균 입경이 작은 것으로 할수록, 양극 도통 부재(21A, 21B)의 접합 강도를 높이는데 유리하다. 즉, 상기 산화 니오브의 미세 분말의 평균 입경이 작으면, 도 5에 나타내는 바와 같이, 페이스트(12)에 포함되는 유기 용매가 증발할 때에, 상기 미세 분말끼리에, 이른바 반데르발스력(분자간력)이 작용하기 쉽고, 서로 강고하게 응집한다. 한편, 이와 같은 작용은 제2의 다공질 소결체(1B)를 고밀도화시키는 동시에, 그 내부의 틈새를 축소화시킨다. 그렇지만, 도 1에 나타내는 바와 같이, 고체 전해 컨덴서(A)는 제2의 다공질 소결체보다 체적이 현저하게 큰 제1의 다공질 소결체(1A)를 구비하고 있다. 이 때문에, 제1의 다공질 소결체(1A)를 충분한 틈새를 가지는 것으로 해두면, 고체 전해 컨덴서(A)의 대용량화를 적절하게 도모할 수 있다.
도 7 ~ 도 20은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 다른 예를 나타내고 있다. 또한, 이러한 도면에 있어서 상기 실시 형태와 유사한 요소에 대해서는 동일한 부호를 부여하고 적절히 설명을 생략한다.
도 7에 나타내는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제2 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재(22A, 22B)의 형상이 상술한 제1 실시 형태의 양극 도통 부 재(21A, 21B)와 다르다. 또한, 본 도면에 있어서는 양극 단자, 음극 단자, 및 봉지 수지가 생략되어 있다. 구체적으로, 양극 도통 부재(22A, 22B)는 각각이 2개의 직각부를 가지는 형상으로 되어 있다. 양극 도통 부재(22A, 22B)의 각각 중에서, 도면의 상부와 중앙부가 각각 첩부부(22a, 22a')로 되어 있다. 각 첩부부(22a, 22a')는 제1의 다공질 소결체(1A)의 도면의 윗면부터 도면의 측면에 이르는 부분에 제2의 다공질 소결체(1B)를 통하여 첩부되어 있다.
이와 같은 실시 형태에 의하면, 양극 도통 부재(22A, 22B)와 제1의 다공질 소결체(1A)와의 첩부 면적을 크게 하는 것이 가능하다. 또, 서로 수직으로 연결된 첩부부(22a, 22a')를 사용하여 첩부하는 것에 의해, 그 첩부 방향이 두 방향으로 되어 있다. 따라서, 양극 도통 부재(22A, 22B)의 접합 강도를 높이는데 유리하다.
도 8은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제2 실시 형태의 변형예를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재(22A, 22B)로서는 폭이 큰 형상의 것이 하나씩 사용되고 있다. 이와 같은 실시 형태에 의하면, 양극 도통 부재(22A, 22B)의 첩부 면적을 더욱 크게 할 수 있다.
도 9는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제3 실시 형태를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재(23A, 23B)는 니오브제의 대판(帶板)이다. 이러한 양극 도통 부재(23A, 23B)의 중앙 근방의 부분이 첩부부(23a)로 되어 있고, 제1의 다공질 소결체(1A)의 도면의 윗면에 첩부되어 있다. 양극 도통 부재(23A, 23B) 중에서 첩부부(23a)를 사이에 두고 양측으로 뻗는 부분이 연출부(23b)로 되어 있고, 이러한 연출부에 양극 단자(도시 생략)가 접합된다.
이와 같은 실시 형태에 의해서, 저ESL화와 양극 도통 부재(23A, 23B)의 접합 강도의 향상을 도모할 수 있다. 대판 형상의 양극 도통 부재(23A, 23B)는, 예를 들어 니오브의 평판 재료를 절단하는 것에 의해 용이하게 작성하는 것이 가능하다.
도 10은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제3 실시 형태의 변형예를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재(23A, 23B)에, 4개씩의 구멍(23c)이 형성되어 있다. 이것에 의해, 이른바 앵커 효과가 적절히 발휘되고, 양극 도통 부재(23A, 23B)의 접합 강도를 더욱 높일 수 있다.
도 11은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제3 실시 형태의 다른 변형예를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재(23A, 23B) 중에서 폭방향으로 이간하는 가장자리부(23d)가 톱날 형상으로 되어 있다. 이러한 가장자리부(23d)는 제2의 다공질 소결체(1B)에 의해 덮여 있다. 이와 같은 실시 형태에 의해서, 앵커 효과가 발휘되어 양극 도통 부재(23A, 23B)의 접합 강도의 향상을 도모할 수 있다.
도 12는 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제3 실시 형태의 다른 변형예를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서는 대판 형상의 양극 도통 부재(23)의 첩부부(23a)가 제1의 다공질 소결체(1A)에 형성된 그루브(溝)(1Ab)내에 수납되어 있다. 또, 그루브(1Ab) 중에서 첩부부(23a) 이외의 공간은 제2의 다공질 소결체(1B)에 의해 메워져 있다. 이와 같은 실시 형태에 의하면, 양극 도통 부재(23)의 접합 강도를 높이는 동시에, 그 두께 방향에 있어서 첩부부(23a)를 제1의 다공질 소결체(1A)로부터 돌출되지 않는 것이 가능하다. 따라서, 고체 전해 컨덴서(A)의 소형화를 도 모할 수 있다.
도 13은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제4 실시 형태를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서는 평판 형상의 양극 도통 부재(24)의 첩부부(24a)에 구멍(24c)가 설치되어 있다. 제2의 다공질 소결체(1B)는 양극 도통 부재(24) 중에서 구멍(24c)의 내면부터 첩부부(24a)의 도면의 윗면에 이르는 영역을 덮도록 형성되어 있다. 이와 같은 실시 형태에 의해서도 양극 도통 부재(24)의 접합 강도를 높일 수 있다.
또한, 도 14에 나타내는 변형예에 있어서는 제1의 다공질 소결체(1A)에, 구멍(24c)에 진입하는 돌기(1Ac)가 형성되어 있다. 돌기(1Ac)는 원추의 꼭대기부가 절단된 형상으로 되어 있다. 이와 같은 실시 형태에 의하면, 앵커 효과를 더욱 높일 수 있다. 또, 도 15에 나타내는 바와 같이, 이 양극 도통 부재(24)를 중간품(11)에 첩부하는 공정에 있어서, 돌기(11c)가 구멍(24c)에 삽입되는 것에 의한 중심맞춤 효과(centering effect)가 기대된다. 따라서, 양극 도통 부재(24)를 중간품(11)에 대해서 보다 정확한 위치에 첩부할 수 있다.
도 16은 도 14 및 도 15에 나타낸 실시 형태와 유사한 접합 구조를 가지는 고체 전해 컨덴서의 일례이다. 본 실시 형태에 있어서는 제1의 다공질 소결체(1A)의 도면 아래면에 요부(1Aa)가 형성되어 있고, 이 요부(1Aa)의 바닥부에 돌기(1Ac)가 설치되어 있다. 양극 도통 부재(24)에 형성된 구멍(24c)에는 돌기(1Ac)가 진입하고 있다. 돌기(1Ac) 및 첩부부(24a)는 제2의 다공질 소결체(1B)에 덮여 있다. 또, 요부(1Aa)의 아래쪽 영역에는 도전층(5)이 충전(充塡)되어 있다. 이것에 의해, 제1의 다공질 소결체(1A)의 아래면은 평활한 면으로 되어 있다. 이와 같은 평활면에는 큰 사이즈의 음극 도통 부재(41)를 용이하게 첩부할 수 있다. 또, 본 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재(24)에는 단차부(24e)가 형성되어 있다. 이 때문에, 연출부(24b)는 도면의 아래쪽 근방에 위치하고 있다. 이것에 의해, 연출부(24b)에 접합된 양극 단자(3)는 음극 도통 부재(41)에 설치된 음극 단자(도시 생략)와 한 면으로 된다. 이와 같은 구성은 저ESL화를 도모하는데 매우 적합하다.
도 17은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제5 실시 형태를 나타내고 있다. 본 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재(25A, 25B)에는 기립한 첩부면(25a)과, 이 첩부면(25a)과 수직으로 연결된 첩부면(25a')이 형성되어 있다. 이러한 첩부면(25a, 25a')은 제1의 다공질 소결체(1A)의 측면 및 도면 아래면에 첩부되어 있다. 첩부면(25a')에서부터는 연출부(25b)가 연출하고 있다. 이 연출부(25b)에는 단차부(25e)가 형성되어 있다. 이것에 의해, 연출부(25b)의 선단 근방의 부분은 음극 단자(4A, 4B)와 동일한 높이로 되어 있다. 이 부분이 양극 단자(3A, 3B)를 겸하고 있다. 이와 같은 실시 형태에 의하면, 양극 단자(3A, 3B)와 음극 단자(4A, 4B)를 동일한 방향으로 향하도록 배치하는 것이 가능하다. 이와 같은 구성은 이 고체 전해 컨덴서(A)가 실장되는 배선 패턴을 컴팩트하게 배치하는데 적합하다.
도 18 ~ 도 20은 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 제6 실시 형태를 나타내고 있다. 이러한 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재로서 양극 와이어가 사용되고 있는 점이 상술한 실시 형태와 다르다.
도 18에 나타낸 실시 형태에 있어서는 양극 도통 부재로서의 양극 와이 어(26A, 26B)가 제1의 다공질 소결체(1A)의 양측면에 첩부되어 있다. 양극 와이어(26A, 26B)의 양단부는 본 발명에서 말하는 연출부(26b)로 되어 있고, 이 부분에 양극 단자(도시 생략)가 접합된다. 양극 와이어(26A, 26B)와 제1의 다공질 소결체(1A)의 측면 사이의 영역은 제2의 다공질 소결체(1B)에 의해 메워져 있다. 이 영역은 원호 형상면과 평면에 의해 둘러싸인 것이기 때문에, 비교적 큰 틈새로 되어 있다. 본 실시 형태에 있어서는 제2의 다공질 소결체(1B)는 산화 니오브의 미세 분말을 포함한 페이스트로 형성되어 있다. 이 때문에, 상기 틈새에는 제2의 다공질 소결체(1B)가 조밀하게 충전되어 있고, 부당한 공극 등이 생기지 않았다. 따라서, 제1의 다공질 소결체(1A)와 양극 와이어(26A, 26B) 사이의 저항이 부당하게 커지는 일이 없으며, 고체 전해 컨덴서(A)의 저ESR화에 바람직하다.
도 19에 나타낸 실시 형태에 있어서는 양극 와이어(26)는 그 일부가 제1의 다공질 소결체(1A)에 형성된 요부(1Aa)내에 진입하고 있고, 제2의 다공질 소결체에 덮여 있다. 이와 같은 실시 형태에 의하면, 예를 들어 제1의 다공질 소결체(1A)의 중간품에 해당하는 다공질체를 형성할 때에, 양극 와이어(26)를 미리 진입 하게 할 필요가 없다. 그 때문에, 제조 효율을 높이는 것이 가능하다. 또, 도 20에 나타내는 실시 형태와 같이, 양극 와이어(26A, 26B)를, 제1의 다공질 소결체(1A)에 형성한 그루브(1Ab)를 관통하도록 설치하는 구성으로 해도 된다.
본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서는 상술한 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서의 각 부의 구체적인 구성은 여러 가지로 설계 변경할 수 있다.
다공질 소결체 및 양극 도통 부재의 재질로서는 니오브, 산화 니오브 또는 탄탈 등의 밸브 작용을 가지는 금속이면 된다. 또, 본 발명에 관한 고체 전해 컨덴서는 그 구체적인 용도도 한정되지 않는다.
본 발명에 의하면, 밸브 작용 금속의 다공질 소결체를 구비한 고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.

Claims (19)

  1. 밸브 작용을 가지는 금속으로 이루어지는 제1의 다공질 소결체와,
    상기 제1의 다공질 소결체에 도통하는 양극 도통 부재와,
    상기 양극 도통 부재에 도통하는 면실장(面實裝)용의 양극 단자와,
    면실장용의 음극 단자와,
    밸브 작용을 가지는 금속으로 이루어지고 또한 상기 제1의 다공질 소결체와 상기 양극 도통 부재 사이에 개재하는 제2의 다공질 소결체를 구비하는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2의 다공질 소결체는 NbO를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2의 다공질 소결체는 Nb를 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2의 다공질 소결체는 그 평균 입경이 상기 제1의 다공질 소결체의 평 균 입경보다 작은 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 양극 도통 부재는 밸브 작용을 가지는 금속제인 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 양극 도통 부재는 판 형상의 첩부(貼付)부를 가지고 있고, 또한 상기 첩부부가 상기 제2의 다공질 소결체를 통하여 상기 제1의 다공질 소결체에 첩부되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1의 다공질 소결체에는 요(凹)부가 형성되어 있고, 또 상기 요부에 상기 첩부부가 첩부되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 첩부부에는 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 구멍의 내면은 상기 제2의 다공질 소결체에 의해 덮여 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 첩부부는 상기 구멍의 내면으로부터 상기 제1의 다공질 소결체와는 반대측인 면에 걸쳐서 상기 제2의 다공질 소결체에 의해 덮여 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1의 다공질 소결체에는 상기 첩부부의 상기 구멍에 진입하는 돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  12. 제6항에 있어서,
    상기 첩부부는 톱날 형상의 가장자리부를 가지고 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 제1의 다공질 소결체는 두께 방향 치수가 그 두께 방향과 직교하는 방향에 있어서의 폭치수보다 작은 편평한 형상이고,
    상기 양극 도통 부재는 상기 첩부부와 수직으로 연결된 판 형상의 연출(延 出)부를 가지고 있고,
    상기 첩부부는 상기 제1의 다공질 소결체 중에서 그 두께 방향에 수직인 방향을 향하는 면에 첩부되어 있고,
    상기 연출부는 상기 제1의 다공질 소결체의 두께 방향에 수직인 방향으로 뻗어 있고, 또한 이 연출부에는 상기 양극 단자가 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  14. 제6항에 있어서,
    상기 제1의 다공질 소결체는 두께 방향 치수가 그 두께 방향과 직교하는 방향에 있어서의 폭치수보다 작은 편평한 형상이고,
    상기 양극 도통 부재는 상기 첩부부와 동방향으로 연결된 판 형상의 연출부를 가지고 있고,
    상기 첩부부는 상기 제1의 다공질 소결체 중에서 그 두께 방향을 향하는 면에 첩부되어 있고,
    상기 연출부는 상기 제1의 다공질 소결체의 두께 방향과 수직인 방향으로 뻗어 있고, 또 이 연출부에는 상기 양극 단자가 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서.
  15. 밸브 작용을 가지는 금속의 다공질체 또는 다공질 소결체로 이루어지는 중간품에, 밸브 작용을 가지는 금속의 미세 분말을 포함한 페이스트를 사용하여 1 이상 의 밸브 작용을 가지는 금속의 양극 도통 부재를 첩부하는 공정과,
    상기 중간품과 상기 페이스트를 소결하는 것에 의해, 상기 중간품으로부터 제1의 다공질 소결체를 형성하고, 또한 상기 페이스트로부터 제2의 다공질 소결체를 형성하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 페이스트는 NbO의 미세 분말을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 페이스트는 Nb의 미세 분말을 추가로 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 페이스트에 포함되는 상기 미세 분말의 평균 입경은 상기 중간품을 구성하는 상기 다공질체 또는 상기 다공질 소결체의 평균 입경보다 작은 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서의 제조 방법.
  19. 제15항에 있어서,
    각각이 판 형상의 연출부를 가지는 복수의 양극 도통 부재를 사용하는 동시 에,
    상기 복수의 양극 도통 부재 중에서 적어도 하나의 양극 도통 부재는 그 연출부의 연출 치수가 다른 양극 도통 부재의 연출부의 연출 치수보다 큰 것을 특징으로 하는 고체 전해 컨덴서의 제조 방법.
KR1020077011899A 2004-11-30 2005-11-25 고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법 KR100904794B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2004-00346019 2004-11-30
JP2004346019A JP4177322B2 (ja) 2004-11-30 2004-11-30 固体電解コンデンサおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070064680A true KR20070064680A (ko) 2007-06-21
KR100904794B1 KR100904794B1 (ko) 2009-06-25

Family

ID=36564980

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020077011899A KR100904794B1 (ko) 2004-11-30 2005-11-25 고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7706131B2 (ko)
JP (1) JP4177322B2 (ko)
KR (1) KR100904794B1 (ko)
CN (2) CN101065817A (ko)
TW (1) TWI284909B (ko)
WO (1) WO2006059546A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5289669B2 (ja) * 2005-06-10 2013-09-11 ローム株式会社 Nb化合物の微粉末の製造方法、Nb化合物の微粉末を用いた固体電解コンデンサの製造方法
JP2008159826A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 San Denshi Kogyo Kk 固体電解コンデンサ
JP5216363B2 (ja) * 2008-02-25 2013-06-19 三洋電機株式会社 固体電解コンデンサ
JP5206958B2 (ja) * 2008-09-30 2013-06-12 日本ケミコン株式会社 固体電解コンデンサとその製造方法
JP2010135750A (ja) * 2008-10-31 2010-06-17 Sanyo Electric Co Ltd 固体電解コンデンサ及びその製造方法
DE102008063853B4 (de) * 2008-12-19 2012-08-30 H.C. Starck Gmbh Kondensatoranode
US8441777B2 (en) * 2009-05-29 2013-05-14 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with facedown terminations
US8199461B2 (en) * 2009-05-29 2012-06-12 Avx Corporation Refractory metal paste for solid electrolytic capacitors
CN102347137B (zh) * 2010-07-29 2014-04-02 禾伸堂企业股份有限公司 电容器结构及其制造方法
WO2015118901A1 (ja) * 2014-02-07 2015-08-13 株式会社村田製作所 コンデンサ
CN108025178B (zh) * 2015-09-16 2021-09-28 心脏起搏器股份公司 用于烧结阳极和烧结阴极的组装技术
WO2018136380A1 (en) * 2017-01-17 2018-07-26 Kemet Electronics Corporation Improved wire to anode connection
US11929215B2 (en) 2017-01-17 2024-03-12 Kemet Electronics Corporation Wire to anode connection
WO2019058535A1 (ja) * 2017-09-23 2019-03-28 株式会社村田製作所 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP7057488B2 (ja) 2017-09-27 2022-04-20 日亜化学工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN111133541A (zh) * 2017-09-29 2020-05-08 松下知识产权经营株式会社 电解电容器
JP2022149517A (ja) * 2021-03-25 2022-10-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 電解コンデンサ

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2927970A1 (de) 1979-07-11 1981-01-29 Fluidtech Gmbh Vorrichtung zum filtern einer fluessigkeit, insbesondere hydraulikoel
JP3535014B2 (ja) 1998-06-19 2004-06-07 松下電器産業株式会社 電解コンデンサ用電極
WO2000074091A1 (fr) * 1999-05-28 2000-12-07 Showa Denko K.K. Condensateur electrolytique solide et son procede de production
JP2001085273A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップ形固体電解コンデンサ
DE50103671D1 (de) * 2000-11-16 2004-10-21 Willi Horber Gelenkprothese
JP4521849B2 (ja) * 2000-12-01 2010-08-11 昭和電工株式会社 コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ
EP1402079B1 (en) 2001-05-15 2014-12-03 Showa Denko K.K. Niobium sintered body and capacitor using the sintered body
US7737066B2 (en) 2001-05-15 2010-06-15 Showa Denko K.K. Niobium monoxide powder, niobium monoxide sintered body and capacitor using the sintered body
JP4539948B2 (ja) 2001-11-29 2010-09-08 ローム株式会社 コンデンサの製造方法
JP2003188055A (ja) * 2001-12-14 2003-07-04 Toei Kasei Kk 固体電解コンデンサ用陽極素子及びその製造方法、並びに該固体電解コンデンサ用陽極素子を用いた固体電解コンデンサ
JP3925781B2 (ja) 2002-02-22 2007-06-06 Necトーキン株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
JP2003338433A (ja) * 2002-05-22 2003-11-28 Nec Tokin Corp 固体電解コンデンサ用の陽極体、その製造方法及び固体電解コンデンサ
JP4010447B2 (ja) * 2002-05-30 2007-11-21 ローム株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP4366055B2 (ja) * 2002-08-01 2009-11-18 ローム株式会社 固体電解コンデンサの製造方法
WO2004084243A1 (ja) * 2003-03-17 2004-09-30 Tdk Corporation コンデンサ素子、固体電解コンデンサ及びそれらの製造方法並びにコンデンサ素子結合体
JP4439848B2 (ja) * 2003-06-30 2010-03-24 パナソニック株式会社 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP4343652B2 (ja) * 2003-11-07 2009-10-14 Tdk株式会社 固体電解コンデンサ及び固体電解コンデンサデバイス
US7311536B2 (en) * 2004-04-26 2007-12-25 Valeo Schalter Und Sensoren Gmbh Transmission device for transmitting electrical signals between a rotor and a stator
JP4183091B2 (ja) * 2005-06-15 2008-11-19 ローム株式会社 面実装型固体電解コンデンサとその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4177322B2 (ja) 2008-11-05
US7706131B2 (en) 2010-04-27
CN103440991B (zh) 2016-08-17
KR100904794B1 (ko) 2009-06-25
CN103440991A (zh) 2013-12-11
WO2006059546A1 (ja) 2006-06-08
US20080037201A1 (en) 2008-02-14
JP2006156759A (ja) 2006-06-15
CN101065817A (zh) 2007-10-31
TW200636781A (en) 2006-10-16
TWI284909B (en) 2007-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100904794B1 (ko) 고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법
KR100610462B1 (ko) 고체 전해 커패시터, 전송선로장치, 그 제조방법 및 그것을이용하는 복합 전자부품
US7359181B2 (en) Solid electrolytic capacitor
US7551424B2 (en) Solid electrolytic capacitor
US7320924B2 (en) Method of producing a chip-type solid electrolytic capacitor
JP2006237520A (ja) 薄型多端子コンデンサおよびその製造方法
JP5007677B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP5120026B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
KR101695775B1 (ko) 하면 전극형의 고체 전해적층 콘덴서 및 그 실장체
US7554794B2 (en) Solid electrolytic capacitor, anode used for solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing the anode
CN110853920B (zh) 固态钽电容器及其制作工艺
KR100885269B1 (ko) 고체 전해 콘덴서 및 그 제조방법
US20080094780A1 (en) Solid Electrolytic Capacitor
JP7025326B2 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP2009182276A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
JP5120025B2 (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法
CN219958797U (zh) 一种片式固体电解电容器
JP2005236090A (ja) 固体電解コンデンサ及び伝送線路素子とそれらの製造方法とそれらを用いた複合電子部品
JP2004281749A (ja) 固体電解コンデンサ
JP5206958B2 (ja) 固体電解コンデンサとその製造方法
JP2012238803A (ja) 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法
JP2006060017A (ja) 表面実装薄型コンデンサ
JP2002208540A (ja) 固体電解コンデンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120521

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee