KR20070058612A - 텍스쳐화된 발광 다이오드 - Google Patents
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Abstract
높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드(LED) 구조는 패턴된 기판 위에 에피택셜 측방 과성장(EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)에 의해 증착된 도프된 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 제1 텍스쳐화된 클래딩 및 컨택트층과; Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체합금 및 전자와 홀의 방사성 재조합이 일어나는 장소 또는 인터서브밴드 전이가 발생하는 장소를 포함하는 텍스쳐화된 언도프 또는 도프된 활성층과; 도프된 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 제2 텍스쳐화된 클래딩 및 컨택트층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
필팩터, 발광다이오드, 에피택셜 측방 과성장, 도전기판, 절연기판
Description
본 발명은 가시광선, 적외선 또는 자외선을 산출하는 텍스쳐화된 발광다이오드에 관한 것으로서, 특히 고광출력을 위한 필팩터(FILL FACTOR)를 향상시킨 고효율 발광다이오드(LED) 장치에 관한 것이다.
최근 화합물 반도체 분야에서 차세대 발광다이오드 및 가시광 스펙트럼 영역용 레이저, 특히 청색 및 녹색 파장영역에서 III-V족 질화물계 장치가 개발되고 있다. 다른 광역밴드갭(WIDE BAND-GAP) 반도체와 비교해볼 때 질화물 반도체의 주된 이점은 광학장치에서 성능저하가 낮다는 것이다.
최근에 새로운 가정조명(house-lighting)산업을 시작하려는 회사들에 의해 엄청난 연구결과물들이 얻어지고 있으며, 더 확실하고 경제적인 반도체 광원인 발광다이오드(LED) 램프로 종래의 백열등 및 형광등을 대체하려는 것이 일반화되고 있다.
상기 백열등 및 형광등을 대체할 LED계 백색광은, 형광체(PHOSPHOR)를 사용하여 청색 또는 자외선 발광다이오드(LED)를 하향전환시키고, 적색, 녹색, 청색의 발광다이오드(LED)와 같은 서로 다른 파장의 발광다이오드(LED)의 조합을 사용하는 것과 같은 몇 가지 방법에 의해 생산될 수 있었다.
특히, 청색 및 녹색 파장영역에서 발광다이오드(LED)의 낮은 발광효율(lm/W)은 중요 방해요소 중의 하나이다.
현재 AlInGaP계 적색 발광다이오드(LED)는 약 60~80lm/W 범위로 발광효율을 얻었지만, 청색 및 녹색 발광다이오드(LED)는 단지 약 20lm/W에 도달할 뿐이었다.
현재 청색, 녹색 및 백색 발광다이오드(LED)는 사파이어(SAPPHIRE) 또는 탄화규소(SiC) 기판에서 생성된다.
GaN 합금의 높은 굴절률과 평행한 발광활성영역을 가지는 발광다이오드(LED) 구조는 빛의 80%가 GaN층 내부에 트랩되고, 단지 20%만이 사파이어 기판과 그 상부를 통해 빠져나간다.
또한, 이러한 종류의 문제점들은 GaAs에서 성장한 AlInGaP에서 동일하게 발생된다.
전반사(TOTAL INTERNAL REFLECTION)에 의해 유도된 이러한 웨이브가이딩효과(WAVEGUIDING EFFECT)를 극복하기 위해 대부분의 연구결과들은 전반사가 발생되지 않도록 하기 위해 발광다이오드(LED) 장치의 모양과 표면텍스쳐를 바꾸는데 집중해왔고, 결과적으로 광추출효율을 향상시킬 수 있었다.
역각뿔대(INVERSE TRUNCATED PYRAMID) 구조와 발광활성층 위의 거칠게 한 표면은 광추출효율을 개선하기 위해 AlInGaP계 적색 발광다이오드(LED)에 일반적으로 사용되어져 왔다.
본 발명의 텍스쳐화된 발광다이오드(LED) 구조는 발광다이오드(LED)로부터 광추출효율을 개선하는 새로운 접근에 기반을 두고 있다.
종래의 발광다이오드(LED) 장치에서 활성영역은 평면구성이므로 필팩터, 즉 칩사이즈 대비 활성발광영역이 사파이어 기판에서 성장한 GaN에 있어서의 것보다 일반적으로 더 작고, 또는 n-타입 SiC 기판에서 성장한 GaN, 또는 프리스탠딩 n-GaN 또는 GaAs에서 성장한 AlInGaP에서의 것과 적어도 동등하다.
다음 예에서, 발광다이오드(LED) 구조는 표면활성발광영역의 필팩터를 증가시키며, 내부반사를 제거하고, 화합물 반도체와 그 합금에 의한 흡수를 감소시키기 위해 트랜치 또는 컨벡스를 가지는 텍스쳐화된 구조로 만들어진다.
그러므로, 보다 높은 광출력이 텍스쳐화된 발광다이오드에 의해 얻어질 수 있다.
선행기술 : 표면 러프닝-'향상된 광출력과 p-GaN 표면의 마이크로 러프닝에 의한 InGaN계 발광다이오드의 전기적 성능.C.Huh,KS Lee, EJ Kang, and SJ Park, J.Appl.Physics, 93(11), 9383-9385, 2003.
표면방출각도변화:US Patent 6,768,136 '구조요소를 방사하는 라디에이션'
본 발명의 목적은 Ⅲ-Ⅴ족 및 Ⅱ-Ⅵ족 반도체를 사용하는 고광출력을 위한 필팩터가 1 이상인 고효율의 텍스쳐화된 발광다이오드(LED)구조를 제공하는데 있다.
본 발명의 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드(LED) 구조는,
패턴된 기판 위에 에피택셜 측방 과성장(EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH : ELOG)에 의해 증착된 도프된 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 제1 텍스쳐화된 클래딩 및 컨택트층(CLADDING AND CONTACT LAYER)과;
Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체 합금 및 전자와 홀의 방사성 재조합이 일어나는 장소 또는 인터서브밴드 전이가 발생하는 장소를 포함하는 텍스쳐화된 언도프 또는 도프된 활성층과; 그리고
도프된 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 제2 텍스쳐화된 클래딩 및 컨택트층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 구성에 의한, 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드 구조는,
패턴된 기판 위에 에피택셜 측방 과성장(EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)에 의해 증착된 n-타입 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 텍스쳐화된 n-클래딩 및 컨택트층과;
Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체 합금 및 전자와 홀의 방사성 재조합이 일어나는 장소를 포함하는 텍스쳐화된 활성층과; 그리고
p-타입 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 텍스쳐화된 홀 발광층 및 p-타입 컨택트층을 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따른 텍스쳐화된 발광다이오드의 구조는,
도전 또는 절연기판과;
HVPE, MOCVD, MBE, LPE, 승화(SUBLIMATION), 스퍼터링(SPUTTERING) 또는 다른 적절한 증착법에 의해 상기 기판 위에 증착된 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 또는 그러한 반도체 합금과; 그리고
사진석판술(PHOTOLITHOGRAPHY), 전자빔 또는 초점을 맞춘 이온빔을 사용하는 직접 라이팅, 스캐닝터널링마이크로스코피(SCANNING TUNNELING MICROSCOPY), 홀로그라피(HOLOGRAPHY), 나노임프린트(NANOIMPRINT), 애노딕 다공성 알루미나(ANODIC POROUS ALUMINA), 습식에칭(WET ETCHING) 또는 다른 패터닝방식 또는 결합방식을 포함하는 마스크 또는 마스크레스법에 의해 제조된 기판 패턴을 포함하여 이루어진다.
상기 각각의 텍스쳐화된 클래딩 및 컨택트층은 단일층 또는 복수층 또는 초격자(SUPERLATTICE)의 형태일 수 있다.
상기 텍스쳐화된 홀발광층 및 p-타입 컨택트층은 단일층, 복수층 또는 초격자(SUPERLATTICE)의 형태일 수 있다.
상기 텍스쳐화된 활성층은 도프 또는 언도프된 더블 헤테로구조, 단일양자웰 또는 복수양자웰의 형태일 수 있다.
상기 텍스쳐화된 n-클래딩 및 컨택트층은 단일층, 복수층 또는 초격자(SUPERLATTICE)의 형태일 수 있다.
상기 도전기판은 GaN, AIN, SiC, Si, GaAs, InP, ZnSe 또는 다른 금속산화물을 포함할 수 있다.
상기 절연기판은 사파이어, AIN, GaN, ZnO 또는 다른 금속산화물을 포함할 수 있다.
본 발명은 3차원(3D) 컨벡스 텍스쳐화 또는 트랜치된 발광다이오드(LED)구조로 발광다이오드(LED)를 디자인할 수 있게 한다.
3각형 또는 6각형 모양이거나, 볼록하고, 오목한 모양이거나, 또는 사다리꼴 모양의 발광다이오드(LED) 구조의 배열은 3차원 텍스쳐에 의해 활성발광영역이 확대됨으로써 필팩터를 1이상으로 증가시킨다.
동시에, 광추출효율이 크게 향상될 수 있도록 텍스쳐화된 표면이 상기 장치의 내부반사를 제거하고, 화합물 반도체 및 그들의 합금의 흡수거리를 감소시킨다.
도 1a 와 1b는 절연기판과 도전기판 각각에서 종래 발광다이오드(LED)구조를 나타내는 개략도,
도 2는 본 발명에 따른 절연기판에서 발광다이오드(LED)의 일 실시예의 구조를 나타낸 개략도,
도 3은 1보다 더 큰 필팩터를 가지는 삼각형 발광다이오드(LED) 구조의 단면을 나타내는 개략도,
도 4는 본 발명에 따른 도전기판에서 발광다이오드(LED)의 일 실시예의 구조를 나타낸 개략도,
도 5는 GaN 템플레이트에 증착된 SiO2 마스크에서 6각형 윈도우오프닝을 가지는 6각형의 마스크를 나타내는 다이어그램,
도 6은 애노딕 다공성 알루미나 마스크에서 6각형의 나노홀 윈도우 오프닝을 가지는 6각형의 나노홀 마스크를 나타내는 사시도,
도 7은 에피택셜 측방 과성장법을 사용한 SiO2 마스크와 GaN 템플레이트의 상부에서 성장한 6각형의 GaN을 나타낸 개략도,
도 8은 본 발명에 따른 절연기판에서 텍스쳐화된 발광다이오드(LED) 구조의 일 실시예에 따른 6각형의 피라미드 구조를 나타낸 개략도,
도 9는 본 발명에 따른 도전기판에서 텍스쳐화된 발광다이오드(LED) 구조의 일 실시예에 따른 6각형의 피라미드 구조를 나타내는 개략도이다.
도 1a는 절연기판(1)에서 성장한 n-타입 화합물 반도체층(2)을 가진 종래 평면 발광다이오드(LED) 구조의 개략도이며, 이는 n-타입 컨택트층(2)의 상부에 증착된 양자웰 또는 더블 헤테로 구조 활성층(3) 및 상기 활성층(3)의 상부에 증착된 p-타입 컨택트층(4)이 존재한다.
p-컨택트전극(5)은 p-타입 컨택트층(4)의 상부에 만들어지고, n-컨택트전극(6)은 건식 또는 습식 에칭공정에 의해 에칭된 n-컨택트층(3)에 증착된다.
도 1b는 n-타입 기판(1)의 하부에 접촉하도록 만들어진 n-컨택트전극(6)을 가진 도전 n-타입 기판(1) 상의 유사한 평면 발광다이오드(LED) 구조를 나타낸다.
상기 발명의 실시예는 도전 에피택셜 과성장을 위한 기판으로써 패턴된 화합물 반도체를 사용하여 텍스쳐화된 n-타입 클래딩 및 컨택트층, 활성층, p-타입 클래딩 및 컨택트층을 형성한다.
상기 패턴된 화합물 반도체는 금속유기화학증착(MOCVD), 수소화물기상에피택시(HVPE), 분자빔에피택시(MBE), 쵸콜라스키(CZOCHRALSKI)공법, 승화(SUBLIMATION), 하이드로써멀(HYDROTHERMAL) 테크닉, 스퍼터링(SPUTTERING) 또는 리쏘그라피(LITHOGRAPHY)와 결합된 다른 적당한 증착테크닉에 의해 제조될 수 있다.
마스크 또는 마스크레스(MASKLESS) 리쏘그라피 테크닉은 패터닝에 사용될 수 있다.
패터닝을 위해 사용되는 상기 화합물 반도체 기판은 도전 또는 절연기판 위에 호모에피택셜하게 성장하거나 또는 헤테로에피택셜하게 성장한 화합물 반도체일 수 있는데, Si, GaAs, InP, SiC, GaN, AlN, ZnSe 및 다른 금속산화물 중의 어느 하나일 수 있다.
에피택셜 측방 과성장은 MOCVD, HVPE 또는 다른 적절한 증착테크닉에 의해 수행될 수 있다.
에피택셜 성장한 완전한 발광다이오드(LED) 구조의 단면은 삼각형, 다각형, 사다리꼴모양, 볼록하거나 오목한 모양일 수 있다.
그러한 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체계 텍스쳐화된 높은 필팩터의 발광다이오드(LED)는 다음에 오는 실시예를 사용하여 설명하기로 한다.
<실시예1>
도 2는 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 발광다이오드(LED) 구조를 나타낸다.
사파이어(Al2O3) 기판에서 성장한 GaN의 <11-00> 또는 <112-0> 방향을 따라 SiO2 마스크는 포토리쏘그라피(PHOTOLITHOGRAPHY) 기술을 이용하여 2㎛ 윈도우 오프닝 및 2㎛ 마스크된 영역(7)을 만든다.
GaN의 2-3㎛ 두께는 수소화물기상에피택시(HVPE) 또는 금속유기화학증착(MOCVD)에 의해 증착될 수 있다.
n-클래딩 및 컨택트층(2)은 에피택셜 측방 과성장에 의해 증착되고, 5x1017-1019cm-3 수준으로 도핑한 실리콘(Si)에 의해 도프된 1-3㎛ 두께의 n-GaN으로 만들어졌다.
삼각형 모양의 n-컨택트층은 측방에피택셜과성장 메카니즘으로 인해 얻어진다.
이러한 층에서 활성층(3)은 에피택시하게 성장했고, 0.05<x<0.5인 InxGa1 - xN웰과 0≤y≤0.05인 InYGa1 - YN 바리어로 구성된 2.5-50nm 두께의 언도프 또는 도프된 단일 또는 복수 양자웰로 만들어진다.
0.5㎛ 이하 두께의 홀발광층(4)은 8x1016-1019cm- 3 의 농도에서 마그네슘(Mg)으로 도프된 p-GaN으로 만들어진다.
p-GaN홀 발광층에서 메탈릭 오믹 컨택트(metalic ohmic contact)(5)가 증착 되었다.
n-타입 메탈릭 컨택트(6)는 n-타입 컨택트층(2)에서 증착되었고, 염소(CHLORINE)계 반응가스를 사용하는 건식 에칭에 의해 에칭되었다.
<11-00> 또는 <112-0> 방향을 따라서 상기 활성층(3)의 길이는 변하지 않았지만 도 3(여기서 8은 삼각형의 정점의 각도(θ)를 가리킨다)은 <11-00> 또는 <112-0> 방향에 수직인 활성층(3)의 길이가 1/sin(θ/2)율(率)로 증가해왔다.
일반적으로 삼각형 정점의 각도는 60°에 가깝고, 그 결과 활성층 영역에서 2배 증가될 수 있다.
30% 영역이 상기 n-타입 컨택트에 사용되므로, 상기 활성층에 있어서 필팩터가 1.4로 얻어질 수 있다.
<실시예2>
도 4는 프리스탠딩 n-GaN, 4H-SiC 또는 6H-SiC와 같은 도전물질로 만들어진 기판을 제외한 도 2와 유사한 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 LED 구조를 나타낸다.
n-타입 메탈릭 컨택트(6)는 직접적으로 상기 n-타입 컨택트층(2)에 증착된다.
상기 n-타입 컨택트에서 손실이 없기 때문에 상기 활성층에서 필팩터가 2로 얻어질 수 있다.
<실시예3>
도 5는 6각형의 윈도우 오프닝(9)을 가지는 SiO2가 마스크된 영역(7)을 나타 낸다.
6각형의 오프닝에서 Ⅲ-Ⅴ족 질화물층의 에피택시 측방 과성장은 3차원 발광다이오드(LED) 구조의 6각형 피라미드 타입을 형성한다.
n-타입 메탈릭 컨택트(6)는 절연기판을 갖는 에칭된 n-타입 컨택트층에 증착된다.
상기 n-타입 컨택트에 있어서 30%의 손실이 있기 때문에, 상기 활성층에 있어서 필팩터가 1.9이상 얻어질 수 있다.
<실시예4>
Fig.6은 애노딕 다공성 알루미나로 만들어진 잘 정렬되고, 밀착되어 팩된 6각형의 오프닝을 가지는 마스크를 나타낸다.
GaN계 장치의 경우, 6각형 오프닝의 맞은편 모서리는 상기 (0001) GaN의 <11-00> 또는 <112-0> 방향으로 정렬된다.
GaAs계 장치의 경우, 6각형 오프닝의 맞은편 모서리는 상기 (001) n-GaAs의 <110> 방향의 10°의 범위 내에서 정렬되고, GaAs에서 AlInGaP계 장치에 있어서도 마찬가지이다.
ZnSe계 장치의 경우, 6각형 오프닝의 맞은편 모서리는 상기 (111) n-GaAs의 <112> 방향의 15°의 범위 내에서 정렬된다.
6각형 오프닝의 디멘션(DIMENSION)은 양극산화공정에서 양극산화전압에 의해 정확히 통제될 수 있다.
이러한 마스크는 실시예3에서 에피택시 측방 과성장을 위해 사용될 수 있으 며, 6각형으로 텍스쳐화된 발광다이오드(LED)구조를 만드는데 사용될 수 있다.
<실시예5>
도 7은 GaN, AlN, 사파이어 SiC 또는 다른 비질화물질의 상부에 에피택시 측방 과성장에 의해 성장한 GaN의 잘 정렬되고, 밀착된 6각형의 피라미드 모양을 나타낸다.
6각형 오프닝을 가지는 상기 마스크는 전형적인 포토리쏘그라피 또는 애노딕 다공성 알루미나를 사용하여 만들어질 수 있다.
<실시예6>
도 8은 절연기판을 가지는 도 2와 유사한 잘 정렬되고, 밀착되어 팩된 6각형의 피라미드 모양인 GaN 발광다이오드(LED) 구조를 나타낸다.
<실시예7>
도 9는 도전기판을 가지는 도 4와 유사한 잘 정렬되고, 밀착되어 팩된 6각형의 피라미드 모양인 GaN 발광다이오드(LED) 구조를 나타낸다.
<실시예8>
도 4와 유사한 높은 필팩터를 가지는 텍스쳐화된 발광다이오드(LED) 구조는 0.5≤x≤1인 0.3에서 1㎛ 두께의 n-타입 (AlXGa1 -X)0.5In0 .5P와 5x1017-1019cm-3의 도핑수준, 0.5≤x≤1, 0.4≤y≤0.6, 0≤x1≤0.4, 0≤y1≤0.4인 1㎛ 이하 두께의 (AlXGa1-X)1-yInyP/(AlX1Ga1-X1)1-y1Iny1P의 복수 양자웰 활성층과 0.5≤x≤1인 p-타입 (AlXGa1-X)0.5In0.5P의 홀발광층 및 컨택트층과 5x1016 에서 5x1018cm- 3 의 도핑수준으로 만들어진다.
패터닝과 에피택셜 측방 성장을 위해 사용되는 상기 기판은 n-타입(001) GaAs이다.
<실시예9>
도 4와 유사한 높은 필팩터를 가지는 텍스쳐화된 발광다이오드(LED)구조는 0.3에서 1㎛ 두께의 n-타입 ZnSe 또는 도핑수준이 5x1017-1019cm-3인 ZnMgSSe, 1㎛ 이하 두께의 ZnCdSe/ZnSe의 복수 양자웰 활성층, 홀발광층 및 p-타입 ZnSe, ZnMgSSe, ZnTe/ZnSe 복수 양자웰의 컨택트층으로 만들어질 수 있다.
패터닝과 에피택셜 측방 성장을 위해 사용되는 상기 기판은 n-타입(111) GaAs 또는 n-타입(100) ZnSe이다.
본 발명은 광추출효율을 개선하기 위한 발광다이오드에 이용할 수 있다.
Claims (9)
- 패턴된 기판 위에 에피택셜 측방 과성장(EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)에 의해 증착된 도프된 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 제1 텍스쳐화된 클래딩 및 컨택트층과;Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체합금 및 전자와 홀의 방사성 재조합이 일어나는 장소 또는 인터서브밴드 전이가 발생하는 장소를 포함하는 텍스쳐화된 언도프 또는 도프된 활성층과; 그리고도프된 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 제2 텍스쳐화된 클래딩 및 컨택트층을 포함하는 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
- 패턴된 기판 위에 에피택셜 측방 과성장(EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH)에 의해 증착된 n-타입 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 텍스쳐화된 n-클래딩 및 컨택트층과;Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체 합금 및 전자와 홀의 방사성 재조합이 일어나는 장소를 포함하는 텍스쳐화된 활성층과; 그리고p-타입 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 반도체 또는 그러한 반도체 합금을 포함하는 텍스쳐화된 홀발광층 및 p-타입 컨택트층을 포함하는 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,도전 또는 절연기판과;HVPE, MOCVD, MBE, LPE, 승화(SUBLIMATION), 스퍼터링(SPUTTERING) 또는 다른 적절한 증착법에 의해 상기 기판 위에 증착된 Ⅲ-Ⅴ족 또는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 또는 그러한 반도체 합금과;사진석판술(PHOTOLITHOGRAPHY), 전자빔 또는 초점을 맞춘 이온빔을 사용하는 직접 라이팅, 스캐닝터널링마이크로스코피(SCANNING TUNNELING MICROSCOPY), 홀로그라피(HOLOGRAPHY), 나노임프린트(NANOIMPRINT), 애노딕 다공성 알루미나(ANODIC POROUS ALUMINA), 습식에칭(WET ETCHING) 또는 다른 패터닝방식 또는 결합방식을 포함하는 마스크 또는 마스크레스법에 의해 제조된 기판 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
- 제 1항에 있어서,상기 각각의 텍스쳐화된 클래딩 및 컨택트층이 단일층 또는 복수층 또는 초격자 형태인 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
- 제 2항에 있어서,상기 텍스쳐화된 홀발광층 및 p-타입 컨택트층이 단일층, 복수층 또는 초격자 형태인 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
- 제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,상기 텍스쳐화된 활성층이 도프 또는 언도프된 더블 헤테로구조, 단일양자웰 또는 복수양자웰의 형태인 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
- 제 2항에 있어서,상기 텍스쳐화된 n-클래딩 및 컨택트층이 단일층, 복수층 또는 초격자의 형태인 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
- 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전기판이 GaN, AIN, SiC, Si, GaAs, InP, ZnSe 또는 다른 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
- 제 1항 내지 8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 절연기판이 사파이어, AIN, GaN, ZnO 또는 다른 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 높은 필팩터의 텍스쳐화된 발광다이오드.
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