KR20070046398A

KR20070046398A - 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물 및 이를 이용한이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자 제조방법

Info

Publication number: KR20070046398A
Application number: KR1020050103080A
Authority: KR
Inventors: 정재창; 이성구
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 2005-10-31
Filing date: 2005-10-31
Publication date: 2007-05-03
Also published as: TWI338821B; KR100764374B1; US20100173249A1; TW200717199A; CN1959542A; US20070099124A1; CN1959542B

Abstract

본 발명은 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물 및 이를 이용한 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 이머젼 리소그라피 공정을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성함에 있어서, 피식각층 상부에 형성된 포토레지스트막에 대해 이머젼 리소그라피 장비를 이용한 노광 공정을 수행한 후, 유기 용매 및 산 화합물을 포함하는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 적하하여 이머젼 리소그라피 용액을 제거함으로써, 이머젼 리소그라피 용액에 의해 발생하는 워터 마크 디펙트 (water mark defect) 현상을 효과적으로 해결할 수 있는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.

Description

이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물 및 이를 이용한 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자 제조방법{Composition for Removing Immersion Lithography solution and Manufacturing Method of Semiconductor Device Comprising Immersion Lithography Process Using the Same}

도 1은 종래 이머젼 리소그라피 용액 제거 후, 패턴 상에 발생하는 워터 마크 디펙트를 보여주는 SEM 사진이다.

도 2는 n-펜탄올을 적하하여 이머젼 리소그라피 용액을 제거하는 경우, 패턴 상에 발생한 브리지 디펙트를 보여주는 SEM 사진이다.

도 3은 본원 발명의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 적하하여 이머젼 리소그라피 용액을 제거하는 경우, 워터 마크 디펙트 현상이 발생하지 않은 패턴을 보여주는 SEM 사진이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명 >

a: 패턴 상부의 브리지 디펙트

본 발명은 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물 및 이를 이용한 이머젼 리 소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 50㎚ 이하의 디바이스 개발을 위한 리소그라피 공정에 필수적으로 사용되는 이머젼 리소그라피 공정 수행 시에 이머젼 리소그라피 용액을 효과적으로 제거할 수 있는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물, 이를 이용한 이머젼 리소그라피 공정 및 반도체 소자의 제조방법에 관한 것이다.

점차 미세화되는 반도체 소자를 제조하기 위하여 패턴의 크기 또한 점차 작아지는 추세이다. 그동안 미세한 패턴을 얻기 위해서 노광 장비와 그에 대응하는 레지스트를 개발하는 방향으로 연구가 진행되어 왔다.

노광 장비에 있어서, 노광 광원은 주로 248㎚ 파장의 KrF 또는 193㎚ 파장의 ArF 광원이 생산 공정에 적용되었으나, 점차 F₂ (157㎚) 또는 EUV (13nm) 등과 같이 단파장화 광원과 렌즈 개구수 (numerical aperture)를 증대시키기 위한 노력이 시도되고 있다.

하지만, F₂등 새로운 광원을 채용하는 경우에는 새로운 노광 장치가 필요하게 되므로 제조 비용 면에서 효율적이지 못하고, 개구수를 증대시키는 방안 또한 초점 심도 폭이 저하되는 문제가 있다.

최근, 이러한 문제를 해결하기 위하여 이머젼 리소그라피 공정이 개발되었다. 기존 노광 공정의 경우 노광 장비에서 노광 렌즈와 포토레지스트 막이 형성된 웨이퍼 중간의 노광 빔의 매체로서 굴절률 1.0의 값을 갖는 공기를 사용하는 반면, 상기 이머젼 리소그라피 공정은 중간 매체로서 1.0 이상의 굴절률을 갖는 물(H₂O) 또는 유기 용매 등의 유체들을 사용함으로써, 같은 노광 파장의 광원을 사용해도 보다 단파장의 광원을 사용하거나 높은 개구수의 렌즈를 이용한 것과 같은 효과를 달성할 수 있으며, 초점 심도의 저하도 없다.

상기 이머젼 리소그라피 공정은 초점 심도를 현저히 개선할 수 있고, 기존 노광원을 사용하더라도 더 작은 60nm 이하의 미세 패턴을 형성할 수 있다는 장점이 있다.

반면, 상기 이머젼 리소그라피 공정은 유체를 매개로 하는 노광 공정을 수행한 후, 웨이퍼를 회전시켜 이머젼 리소그라피 용액을 제거하고, 베이크 한 다음 현상하여 패턴을 형성하는 단계로 수행하는데, 이때, 이머젼 리소그라피 용액으로 대부분 비열(specific heat)이 높은 용액을 사용하기 때문에, 리소그라피 용액 제거 후에도 일부 잔류하여, 도 1 에 도시한 바와 같은 원형 브리지(bridge) 형태의 워터 마크 디펙트 (water mark defect) 현상이 발생한다.

이에 본 발명자들은 활발한 연구 결과 고가의 장비 개발 없이도 상기한 종래의 문제점들을 극복할 수 있는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물 및 이를 이용하는 이머젼 리소그라피 공정에 의해 워터 마크 디펙트를 해결할 수 있는 반도체 소자 제조방법을 개발하여 본 발명을 완성하였다.

본 발명은 상기와 같이 이머젼 리소그라피 공정 시에 워터 마크 디펙트 현상이 발생하는 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 이머젼 리소그라피 용액을 효과적으로 제거할 수 있는 조성물과 이를 이용하여 이머젼 리소그라피 공정 시에 발생하는 워터 마크 디펙트 효과를 해결할 수 이머젼 리소그라피 공정 및 반도체 소자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

구체적으로, 본 발명의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물은 다음과 같은 성질을 갖추어야 한다.

즉, a) 취급이 용이하고,

b) 일반적인 포토레지스트막에 대해서는 매우 낮은 용해도를 가져야 하는 반면,

c) 상부 반사방지막 (top anti-reflectivity coating film,; 이하 "TARC막"이라 칭함)이 채용되는 경우에는, 상기 반사방지막에 대해 어느 정도 이상의 용해도를 가져야 하고,

d) 이머젼 리소그라피 용액의 비열을 낮출 수 있도록 끓는점(bp)이 150℃ 이하인 것이 바람직하며,

e) 웨이퍼 회전 시 쉽게 증발할 수 있도록 휘발성이 높아야 한다.

본 발명에서는 유기 용매와 산 화합물 (acid compound)을 포함하는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 제공한다.

본 발명자들은 상기의 조건을 만족시키는 물질을 찾기 위해 노력한 결과, C₅∼C₇의 직쇄 또는 측쇄 알칸 또는 C₃∼C₇의 직쇄 또는 측쇄 알코올, 바람직하게는 n-펜탄, n-헥산, iso-펜탄, n-펜탄올, iso-펜탄올 또는 iso-헥산올 등의 유기 용매 가 이러한 조건에 부합됨을 발견하였다.

또한, 상기 산 화합물은 노광 공정 시 광산발생제로부터 발생한 산이 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물에 일부 용해되는 것을 방지하기 위하여 포함되는 물질로써, 예를 들면 pH 3 이하의 강산성 화합물이 바람직하고, 특히 파라톨루엔설포닉 애씨드 모노하이드레이트 (p-toluenesulfonic acid monohydrate) 또는 메탄설포닉 애씨드 (methane sulfonic acid)를 사용한다.

상기 산 화합물은 유기 용매 100중량부에 대해 0.005∼10중량부, 바람직하게 0.05∼1중량부인 것이 바람직하다. 상기 산 화합물의 함량이 0.005중량부 미만으로 포함되는 경우, 노광 시 포토레지스트 층에서 발생된 산이 리소그라피 용액 제거 시에 함께 용해되어 T-top 형태의 포토레지스트 패턴이 형성되거나, 패턴 브리지 현상(a)이 발생한다(도 2 참조). 반면, 상기 산 화합물의 함량이 10중량부 이상으로 포함되는 경우, 후속의 현상 공정에서 포토레지스트막의 비노광 부분까지 현상액에 용해되는 문제점이 발생한다.

상기 본 발명의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 이용한 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법은 구체적으로 하기와 같은 단계를 포함한다:

(a) 웨이퍼 상의 피식각층 상부에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;

(b) 이머젼 리소그라피 용액을 이용하는 이머젼 리소그라피 노광 장비로 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광하는 단계;

(c) 본 발명의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 이용하여 상기 이머 젼 리소그라피 용액을 제거하는 단계; 및

(d) 상기 결과물을 현상하여 소정 패턴을 얻는 단계.

이때, 상기 포토레지스트 막을 형성하는 포토레지스트 물질은 특별히 제한하지 않으나, 광산발생제를 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물로서, 노볼락 수지를 베이스로 하는 포토레지스트 조성물(대한민국 등록특허공보 제2005-521421호 등) 또는 사이클로올레핀계 단량체와 말레익 안하이드라이드의 공중합체를 베이스로 하는 포토레지스트 조성물(대한민국 등록특허공보 제2002-362935호, 제2005-520167호 및 제2005-403326호 등)인 것이 바람직하다.

또한, 상기 방법은 상기 (a) 단계의 포토레지스트 막을 형성하기 전에, 피식각층 상부에 티타늄, 이산화티타늄, 질화티타늄, 실리콘 등의 무기막이나, 페닐아민계 수지, 멜라민 유도체계 수지, 알칼리 가용성 수지, 아크릴레이트계 수지 또는 에폭시계 수지 등의 유기막을 이용한 하부 반사방지막 (bottom ARC)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 방법은 상기 (a) 단계의 포토레지스트막을 형성한 후에, 그 상부에 n-펜탄올이나, iso-펜탄올과 같은 유기 용매에 대해 용해도가 높은 아크릴계 수지, 예를 들면 주쇄 또는 측쇄가 불소로 치환된 아크릴레이트계 수지를 이용하여 TARC막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 노광 공정에서 노광원으로는 KrF (248 nm), ArF (193 nm), VUV (157 nm), EUV (13 nm), E-빔(beam), X-선 또는 이온빔 등을 사용할 수 있으나, 본원 발명의 조성물은 특히 KrF 또는 ArF를 이용한 노광 공정에 보다 적합하다. 이때, 노 광 공정은 0.1∼100mJ/㎠의 노광 에너지로 수행되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 (C) 단계는

i) 웨이퍼를 200∼300rpm으로 회전시키면서 상기 회전하는 웨이퍼에 5∼15초에 걸쳐 본 발명의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 천천히 적하한 후,

ii) 상기 웨이퍼를 다시 1∼3분간 3000~15000rpm으로 급가속 회전시켜, 이머젼 리소그라피 용액을 제거하는 단계로 수행되는 것이 바람직하다.

상기 i) 단계에서 본원 발명의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물은 웨이퍼당 50∼400ml의 양으로 사용하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 디펙트 제거용 조성물의 양이 50ml 미만인 경우는 워터 마크 디펙트가 거의 제거되지 않고, 400ml 이상인 경우는 효과 면에서 차이가 없으므로, 비용 절감 차원에서 바람직하지 않다.

또한, 상기 ii) 단계에서 웨이퍼의 회전 속도가 3000rpm 미만인 경우 워터 마크 디펙트가 거의 제거되지 않고, 15000rpm 이상인 경우는 회전 모터에 무리를 줄 수 있다.

상기 본 발명의 방법은 라인 패턴 또는 홀 패턴을 구비한 모든 웨이퍼에 대해 실시하는 것이 가능하다.

이하 본 발명을 실시예에 의하여 상세히 설명한다. 단 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.

한편, 하기 비교예 및 실시예에서 사용된 이머젼 리소그라피용 노광 장비는 물을 매질로 하는 ASML사의 1400i를 사용하였고, 워터 마크 디펙트의 관찰은 KLA사 의 디펙트 측정 장치를 사용하였으며, 관찰된 결과는 8인치 웨이퍼 전체에서 관찰된 워터 마크 디펙트의 총 갯수이다.

I. 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물 제조 방법

제조예 1~5 및 비교 제조예 1~3. 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물

하기 표 1에 나타낸 조성으로 유기 용매와 산 화합물을 실온에서 혼합한 후, 0.02 미크론 필터로 여과하여 제조예 1 내지 5의 본 발명의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 제조하였다. 또한, 하기 표 1의 조성물의 비교 제조예 1 내지 3의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 제조하였다.

[표 1]

II. 이머젼 리소그라피 공정에 의한 반도체 소자의 패턴 형성 방법

실시예 1. 본 발명의 조성물을 이용한 이머젼 리소그라피 공정 (1)

피식각층으로 산화막이 형성된 웨이퍼 상에 스핀 코팅 법으로 하부 반사방지막 (A25 BARC, 동진쎄미켐)과 0.17㎛ 두께의 ArF 감광제 (X121, Shinetsu사)를 순차적으로 형성하였다. 상기 웨이퍼를 130℃에서 90초간 베이크 한 후, 상기 감광제 위에 이머젼용 상부 반사방지막 (ARC 20, 닛산 화학사)을 코팅하고 90℃에서 60초간 베이크 하였다. ArF 광원을 이용하는 이머젼 리소그라피 노광 장비로 노광한 후, 웨이퍼 속도를 200rpm으로 유지하면서 약 10초에 걸쳐 상기 제조예 1의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물 200ml를 적하하였다. 적하 완료 후, 웨이퍼를 1분간 5000rpm으로 급가속 회전시켜 이머젼 리소그라피 공정용 용액을 제거한 다음, 130℃에서 90초간 베이크 하였다. 베이크 완료 후, 2.38wt% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 수용액에 30초간 침지시켜 현상한 결과, 워터 마크 디펙트 및 브리지가 전혀 형성되지 않는 패턴을 얻을 수 있었다(표 2 및 도 3 참조).

실시예 2. 본 발명의 조성물을 이용한 이머젼 리소그라피 공정 (2)

제조예 1의 용액 제거용 조성물 대신 제조예 2의 용액 제거용 조성물을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 패턴을 형성한 결과, 워터 마크 디펙트 및 브리지가 전혀 형성되지 않는 패턴을 얻을 수 있었다(표 2 참조).

실시예 3. 본 발명의 조성물을 이용한 이머젼 리소그라피 공정 (3)

제조예 1의 용액 제거용 조성물 대신 제조예 3의 용액 제거용 조성물을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 패턴을 형성한 결과, 워터 마크 디펙트 및 브리지가 전혀 형성되지 않는 패턴을 얻을 수 있었다(표 2 참조).

실시예 4. 본 발명의 조성물을 이용한 이머젼 리소그라피 공정 (4)

제조예 1의 용액 대신 제조예 4의 용액을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 패턴을 형성한 결과, 워터 마크 디펙트 및 브리지가 전혀 형성되지 않는 패턴을 얻을 수 있었다(표 2 참조).

실시예 5. 본 발명의 조성물을 이용한 이머젼 리소그라피 공정 (5)

제조예 1의 용액 대신 제조예 5의 용액을 사용하는 것을 제외하고, 상기 실시예 1의 방법과 동일한 방법으로 패턴을 형성한 결과, 워터 마크 디펙트 및 브리지가 전혀 형성되지 않는 패턴을 얻을 수 있었다(표 2 참조).

비교예 4.

피식각층으로 산화막이 형성된 웨이퍼 상에 스핀 코팅 법으로 하부 반사방지막 (A25 BARC, 동진쎄미켐)과 0.17㎛ 두께의 ArF 감광제 (X121, Shinetsu사)를 순차적으로 형성하였다. 상기 웨이퍼를 130℃에서 90초간 베이크 한 후, ArF 광원을 이용하는 이머젼 리소그라피 노광 장비로 노광하였다. 노광 후, 웨이퍼를 5000rpm의 속도로 약 2분간 회전시켜 이머젼 리소그라피 용액인 물을 제거한 다음, 130℃에서 90초간 베이크 하였다. 베이크 완료 후, 2.38wt% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 수용액에 30초간 침지시켜 현상한 결과, 포토레지스트 패턴 상에는 도 1과 같은 워터 마크 디펙트가 약 2000개 정도 관찰되었다(표 2 참조).

비교예 5.

피식각층으로 산화막이 형성된 웨이퍼 상에 스핀 코팅 법으로 하부 반사방지 막 (A25 BARC, 동진쎄미켐)과 0.17㎛ 두께의 ArF 감광제 (X121, Shinetsu사)를 순차적으로 형성하였다. 상기 웨이퍼를 130℃에서 90초간 베이크 한 후, 상기 감광제 위에 이머젼용 상부 반사방지막 (ARC 20, 닛산 화학사)을 코팅하고 90℃에서 60초간 베이크 하였다. ArF 광원을 이용하는 이머젼 리소그라피 노광 장비로 노광한 후, 웨이퍼를 5000rpm의 속도로 약 2분간 회전시켜 이머젼 리소그라피 용액인 물을 제거한 다음, 130℃에서 90초간 베이크 하였다. 베이크 완료 후, 2.38wt% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 수용액에 30초간 침지시켜 현상한 결과, 포토레지스트 패턴 상에는 도 1과 같은 워터 마크 디펙트가 약 140개 정도 관찰되었다(표 2 참조).

비교예 6.

피식각층으로 산화막이 형성된 웨이퍼 상에 스핀 코팅 법으로 하부 반사방지막 (A25 BARC, 동진쎄미켐)과 0.17㎛ 두께의 ArF 감광제 (X121, Shinetsu사)를 순차적으로 형성하였다. 상기 웨이퍼를 130℃에서 90초간 베이크 한 후, 상기 감광제 위에 이머젼용 상부 반사방지막 (ARC 20, 닛산 화학사)을 코팅하고 90℃에서 60초간 베이크 하였다. ArF 광원을 이용하는 이머젼 리소그라피 노광 장비로 노광한 후, 웨이퍼 속도를 200rpm으로 유지하면서 약 10초에 걸쳐 비교 제조예 1의 용액 제거용 조성물 200ml를 적하하였다. 적하 완료 후, 웨이퍼를 1분간 5000rpm으로 급가속 회전시켜 이머젼 리소그라피 공정용 용액을 제거한 다음, 130℃에서 90초간 베이크 하였다. 베이크 완료 후, 2.38wt% 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 수용액에 30초간 침지시켜 현상한 결과, 도 2와 같은 브리지(a)가 형성된 포토레지스 트 패턴을 얻었다(표 2 참조).

비교예 7.

비교 제조예 1의 용액 대신 비교 제조예 2의 용액을 사용하는 것을 제외하고, 상기 비교예 6의 방법과 동일한 방법으로 패턴을 형성한 결과, 브리지가 형성된 포토레지스트 패턴을 얻었다(표 2 참조).

비교예 8.

비교 제조예 1의 용액 대신 비교 제조예 3의 용액을 사용하는 것을 제외하고, 상기 비교예 6의 방법과 동일한 방법으로 패턴을 형성한 결과, 대부분의 포토레지스트층이 용해되어 패턴이 형성되지 않았다(표 2 참조).

[표 2]

본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 및 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 이머젼 리소그라피 공정을 이용하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법 시에 본원 발명의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 사용하는 경우, 종래 이머젼 리소그라피 공정의 문제점인 워터 마크 디펙트를 효과적으로 개선할 수 있다.

Claims

끓는점이 150℃ 이하의 유기 용매 및

상기 유기 용매 100중량부에 대하여 0.005∼10중량부의 산 화합물(acid compound)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물.
제1항에 있어서,

상기 유기 용매는 C₅∼C₇의 직쇄 또는 측쇄 알칸 또는 C₃∼C₇의 직쇄 또는 측쇄 알코올인 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물.
제2항에 있어서,

상기 유기 용매는 n-펜탄, n-헥산, iso-펜탄, n-펜탄올, iso-펜탄올 및 iso-헥산올로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물.
제1항에 있어서,

상기 산 화합물은 pH 3 이하의 화합물인 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물.
제1항에 있어서,

상기 산 화합물은 파라톨루엔설포닉 애씨드 모노하이드레이트 또는 메탄설포닉 애씨드인 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물.
제1항에 있어서,

상기 산 화합물은 유기 용매 100 중량부에 대해 0.05∼1중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물.
(a) 웨이퍼 상의 피식각층 상부에 포토레지스트 막을 형성하는 단계;

(b) 이머젼 리소그라피 용액을 이용하는 이머젼 리소그라피 노광 장비로 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광하는 단계;

(c) 제 1 항 기재의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 이용하여 상기 이머젼 리소그라피 용액을 제거하는 단계; 및

(d) 상기 결과물을 현상하여 소정 패턴을 얻는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 포토레지스트 막은 광산발생제와,

노볼락 수지 또는 사이클로올레핀계 단량체와 말레익 안하이드라이드의 공중합체를 베이스로 포함하는 화학증폭형 포토레지스트 조성물로 형성되는 것을 특징 으로 하는 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 (a) 단계는 포토레지스트 막을 형성하기 전에 하부 반사방지막을 형성하는 단계, 또는 포토레지스트 막을 형성한 후에 그 상부에 상부 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 하부 반사방지막은 티타늄, 이산화티타늄, 질화티타늄 및 실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택된 무기막 또는 페닐아민계 수지, 멜라민 유도체계 수지, 알칼리 가용성계 수지, 아크릴레이트계 수지 및 에폭시계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 유기막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 상부 반사방지막은 아크릴레이트계 수지로 형성되는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
제7항에 있어서,

상기 (c) 단계는

i) 웨이퍼를 200∼300rpm으로 회전시키면서 상기 회전하는 웨이퍼에 5∼15초에 걸쳐 제 1 항 기재의 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물을 천천히 적하한 후,

ii) 상기 웨이퍼를 다시 1∼3분간 3000~15000rpm으로 급가속 회전시켜, 이머젼 리소그라피 용액을 제거하는 단계로 수행되는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
제12항에 있어서,

상기 i) 단계에서 이머젼 리소그라피 용액 제거용 조성물은 웨이퍼당 50∼400ml의 양으로 사용되는 것을 특징으로 하는 이머젼 리소그라피 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.