KR20070039732A - 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 배선기판 및 그를이용한 테이프 패키지 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 테이프 배선기판 및 그를 이용한 테이프 패키지에 관한 것으로, 테이프 배선기판의 칩 실장 영역의 모서리에 위치하는 더미 배선 패턴은 배선 패턴과 동일한 폭으로 얇게 가공되고 최외곽에 위치하기 때문에, 패키지 제조 공정 진행 중 손상되거나 변형이 쉽게 발생된다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해서, 칩 실장 영역의 모서리의 일변에 형성된 더미 배선 패턴에 모서리의 타변에 형성된 더미 배선 패턴이 연결된 테이프 배선기판 및 그를 이용한 테이프 패키지를 제공한다. 또한 연결된 더미 배선 패턴을 포함할 수 있는 크기의 더미 전극 범프가 반도체 칩의 모서리 부분에 형성되어 있기 때문에, 반도체 칩이 본딩되는 모서리 부분에서의 반도체 칩과 테이프 배선기판 사이의 접합성을 향상시켜 테이프 패키지의 기계적인 강도를 향상시킬 수 있다.
테이프 배선기판, 테이프 패키지, 씨오에프(COF), 티씨피(TCP), 더미(dummy)

Description

연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 배선기판 및 그를 이용한 테이프 패키지{Tape substrate comprising connected dummy wiring pattern and tape package using the same}
도 1은 종래기술에 따른 테이프 패키지용 테이프 배선기판을 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1의 "A" 부분의 확대도이다.
도 3은 도 2의 테이프 배선기판에 반도체 칩이 본딩된 상태를 보여주는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 패키지용 테이프 배선기판을 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 5는 도 4의 "B" 부분의 확대도이다.
도 6은 도 5의 테이프 배선기판에 반도체 칩이 본딩된 상태를 보여주는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 배선기판에 반도체 칩이 본딩된 상태를 보여주는 평면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
110 : 베이스 필름 112 : 칩 실장 영역
113 : 스프로켓 홀 114 : 배선 패턴
115 : 더미 배선 패턴 116 : 제 1 더미 배선 패턴
117 : 제 2 더미 배선 패턴 120 : 반도체 칩
121 : 전극 범프 122 : 더미 전극 범프
122a : 모서리 더미 범프 150 : 테이프 배선기판
200 : 테이프 패키지
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 모서리 부분에 배치되는 더미 패턴이 서로 연결되어 형성된 테이프 배선기판 및 그를 이용한 테이프 패키지에 관한 것이다.
최근 휴대폰용 LCD(Liquid Crystal Display), 컴퓨터용 TFT LCD(Thin Film Transistor LCD), 가정용 PDP(Plasma Display Panel) 등 평판 표시 장치 산업의 발달에 힘입어 평판 표시 장치의 구동 칩(drive IC) 부품인 테이프 패키지(tape package)의 제조 산업 또한 발전하고 있다. 이들 테이프 패키지는 평판 표시 장치의 경박화에 따라 보다 가는 선폭의 배선 패턴이 요구되고 있다.
이와 같은 테이프 패키지는 테이프 배선기판(tape substrate)을 이용한 반도체 패키지로서, 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package; TCP)와 칩 온 필름(Chip On Film; COF) 패키지로 나눌 수 있다. TCP는 테이프 배선기판의 윈도우 (window)에 노출된 인너 리드(inner lead)에 반도체 칩이 인너 리드 본딩(Inner Lead Bonding; ILB) 방식으로 실장된 구조를 갖는다. COF 패키지는 윈도우가 없는 테이프 배선기판에 반도체 칩이 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 방식으로 실장된 구조를 갖는다.
종래기술에 따른 테이프 패키지용 테이프 배선기판(50)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스 필름(10; base film) 위에 배선 패턴(14; wire pattern)이 형성된 구조를 가는 COF용 테이프 배선기판이다. 배선 패턴(14)은 반도체 칩이 실장될 칩 실장 영역(12)의 가장자리 둘레에 일단이 배치되며, 일단과 연결된 타단은 베이스 필름(10)의 길이 방향으로 양쪽으로 뻗어 있다. 베이스 필름(10)의 길이 방향으로 양쪽에 스프로켓 홀들(13; sprocket hole)이 일정 간격을 두고 형성되어 있다.
이때 칩 실장 영역(12)의 모서리에 위치하는 배선 패턴(14) 중 한 두 개는 더미 배선 패턴(15; dummy wire pattern)으로 처리된다. 최외곽 배선 패턴(14a)의 외곽에 배치된 더미 배선 패턴(15)은 패키지 공정 진행 시 최외곽 배선 패턴(14a)의 손상을 억제하는 역할을 담당한다.
이와 같은 테이프 배선기판(50)을 이용한 테이프 패키지(100)가 도 3에 도시되어 있다. 테이프 배선기판(50)의 상부면에 반도체 칩(20)이 전극 범프(21; electrode bump)를 매개로 플립 칩 본딩된다. 전극 범프(21)는 배선 패턴(14)에 본딩되고, 전극 범프(21)와 동일한 크기 및 간격으로 형성된 더미 전극 범프(22; dummy electrode bump)는 더미 배선 패턴(15)에 본딩된다. 도시되지는 않았지만 플립 칩 본딩된 부분은 언더필(underfill) 공정에 의해 충진된 성형수지에 의해 보호된다.
하지만 더미 배선 패턴(15)은 실질적으로 칩 실장 영역의 모서리 부분 즉 최외곽에 위치하고, 다른 배선 패턴(14)과 동일하게 얇게 가공되기 때문에, 패키지 공정 진행 시 손상되거나 변형이 발생될 수 있다.
이로 인해 더미 배선 패턴(15)에 본딩되는 더미 전극 범프(22)의 접합성이 떨어지기 때문에, 반도체 칩(20)이 본딩되는 모서리 부분에서의 반도체 칩(20)과 테이프 배선기판(50) 사이의 접합성이 떨어져 기계적인 강도가 떨어진다.
따라서, 본 발명의 제 1 목적은 더미 배선 패턴의 손상이나 변형을 억제할 수 있도록 하는 데 있다.
본 발명의 제 2 목적은 더미 배선 패턴과 더미 전극 범프 사이의 양호한 접합성을 확보하여 칩 실장 영역의 모서리 부분에서의 기계적인 강도를 향상시킬 수 있도록 하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 모서리에 형성된 더미 배선 패턴이 연결된 테이프 배선기판을 제공한다. 즉 베이스 필름의 중심 부분에는 칩 실장 영역이 마련되어 있다. 배선 패턴은 일단이 칩 실장 영역의 가장자리 부분을 따라서 형성되며, 일단과 연결된 타단은 베이스 필름의 길이 방향으로 뻗어 있다. 그리고 더미 배선 패턴은 칩 실장 영역의 적어도 한 곳 이상의 모서리의 양변에 형성된 적 어도 하나 이상이 형성되어 있다. 특히 모서리의 일변에 형성된 더미 배선 패턴에 모서리의 타변에 형성된 더미 배선 패턴이 연결된다.
본 발명에 따른 테이프 배선기판에 있어서, 더미 배선 패턴은 모서리의 일변에 형성된 제 1 더미 배선 패턴과, 모서리의 타변에 형성되며 일변의 최외곽에 위치하는 제 1 더미 배선 패턴에 연결된 제 2 더미 배선 패턴을 포함한다. 이때 제 2 더미 배선 패턴의 끝단이 연장되어 일변의 최외곽에 위치하는 제 1 더미 배선 패턴에 연결될 수 있다. 또는 제 1 더미 배선 패턴과 제 2 더미 배선 패턴의 연결된 부분은 판 형태를 가질 수도 있다.
본 발명은 또한 전술된 테이프 배선기판에 플립 칩 본딩된 반도체 칩을 갖는 테이프 패키지를 제공한다. 반도체 칩은 칩 실장 영역에 위치하는 배선 패턴에 접합되는 전극 범프와, 더미 배선 패턴에 접합되는 더미 전극 범프를 갖는다. 그리고 더미 전극 범프 중 칩 실장 영역의 모서리에 위치하는 모서리 더미 범프는 연결된 더미 배선 패턴 부분을 포함할 수 있는 크기를 갖는다.
본 발명에 따른 테이프 패키지에 있어서, 연결된 더미 배선 패턴 부분은 모서리 더미 범프에 대응되는 크기의 판 형태로 형성될 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
제 1 실시예
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 연결된 더미 배선 패턴(115)을 갖는 테이프 패키지용 테이프 배선기판(150)을 보여주는 개략적인 평면도이다. 도 5는 도 4의 "B" 부분의 확대도이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 제 1 실시예에 따른 테이프 배선기판(150)은 COF용 테이프 배선기판으로, 폴리이미드 소재의 베이스 필름(110)의 상부면에 동박(Cu foil)을 패터닝하여 형성된 배선 패턴(114)을 포함한다.
베이스 필름(110)은 중심 부분에 반도체 칩이 실장되는 칩 실장 영역(112)을 가지며, 베이스 필름(112)의 양측의 가장자리를 따라서 일정 간격을 두고 스프로켓 홀들(113)이 형성되어 있다. 이때 칩 실장 영역(112)은 스프로켓 홀들(113)이 배열된 방향에 수직한 방향으로 길게 직사각형 형태로 형성될 수 있다.
배선 패턴(114)은 일단이 칩 실장 영역(112)의 가장자리 부분을 따라서 형성되며, 일단과 연결된 타단은 베이스 필름(110)의 길이 방향으로 양쪽으로 뻗어 있다.
그리고 더미 배선 패턴(115)은 칩 실장 영역(112)의 적어도 한 곳 이상의 모서리의 양변에 적어도 하나 이상 배치되며, 일정 길이를 갖는다. 제 1 실시예에서는 각 변에 각기 두 개의 더미 배선 패턴(115)이 형성된 예를 개시하였다.
특히 제 1 실시예에 따른 테이프 배선기판(150)은 모서리의 일변에 형성된 더미 배선 패턴(116)에 모서리의 타변에 형성된 더미 배선 패턴(117)이 연결되어 형성된다.
구체적으로 설명하면, 더미 배선 패턴(115)은 모서리의 일변에 형성된 제 1 더미 배선 패턴(116)과, 모서리의 타변에 형성되며 일변의 최외곽에 위치하는 제 1 더미 배선 패턴(116a)에 연결된 제 2 더미 배선 패턴(117)을 포함한다. 제 1 더미 배선 패턴(116)은 모서리의 X축 방향의 일변에 수직한 Y축 방향으로 배열되고, 제 2 더미 배선 패턴(117)은 모서리의 Y축 방향의 타변에 수직한 방향에 배열된다. 그리고 제 1 더미 배선 패턴(116)은 제 2 더미 배선 패턴(117)의 일단을 가로막는 형태로 배열된다. 이로 인해 제 2 더미 배선 패턴(117)의 끝단이 X축 방향으로 연장되어 최외곽에 위치하는 제 1 더미 배선 패턴(116a)에 연결되어 형성된다.
따라서 모서리에 위치하는 제 1 더미 배선 패턴(116)에 제 2 더미 배선 패턴(117)이 연결된 구조를 갖기 때문에, 최외곽에 위치하는 더미 배선 패턴(115)이 패키지 제조 공정 중에 손상되거나 휘는 불량을 억제할 수 있다.
한편 제 1 실시예에서는 테이프 배선기판(150)으로 COF용 테이프 배선기판을 예를 들어 설명하였지만, 연결된 더미 배선 패턴은 TCP용 테이프 배선기판에도 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.
이와 같은 구조를 갖는 테이프 배선기판(150)을 이용한 테이프 패키지(200)가 도 6에 도시되어 있다. 테이프 패키지(200)는 COF 패키지로서, 활성면의 가장자리 부분에 전극 범프(121)가 형성된 반도체 칩(120)이 플립 칩 본딩 방식으로 테이프 배선기판(150)에 본딩된다. 그리고 언더필 방법으로 충진된 액상의 성형수지에 의해 반도체 칩(120)과 테이프 배선기판(150) 사이의 플립 칩 본딩된 부분이 외부 환경으로부터 보호된다.
특히 반도체 칩(120)은 테이프 배선기판의 더미 배선 패턴(115)에 접합되는 더미 전극 범프(122)를 포함한다. 더미 전극 범프(122) 중 반도체 칩(120)의 모서 리에 위치하는 더미 전극 범프(122a; 이하, 모서리 더미 범프라 한다)는 연결된 더미 배선 패턴(115) 부분을 포함할 수 있는 크기를 갖는다.
모서리 더미 범프(122a)는 다른 전극 범프(121)에 비해서 크게 형성되고, 연결된 더미 배선 패턴(115)과의 접촉 면적이 넓기 때문에, 반도체 칩(120)이 본딩되는 모서리 부분에서의 반도체 칩(120)과 테이프 배선기판(150) 사이의 접합성을 향상시켜 테이프 패키지(200)의 기계적인 강도를 향상시킬 수 있다.
제 2 실시예
본 발명의 제 1 실시예에서는 제 1 더미 배선 패턴(116)에 동일 폭의 두 개의 제 2 더미 배선 패턴(117)이 연결된 예를 개시하였지만, 도 7에 도시된 바와 같이, 반도체 칩(220)의 모서리 더미 범프(222a)와의 접촉 면적을 더욱 넓히기 위해서, 모서리 더미 범프(222a)에 대응되게 더미 배선 패턴(215)의 연결된 부분(215a)을 판 형태로 형성할 수도 있다. 그 외 제 2 실시예에 따른 테이프 패키지(300)는 제 1 실시예에 따른 테이프 패키지와 동일하게 테이프 배선기판(250)에 반도체 칩(220)이 플립 칩 본딩된 구조를 갖기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
따라서, 본 발명의 구조를 따르면 칩 실장 영역의 모서리 부분에 위치하는 더미 배선 패턴이 서로 연결되기 때문에, 패키지 제조 공정을 진행할 때 더미 배선 패턴의 손상이나 변형을 억제할 수 있다.
그리고 연결된 더미 배선 패턴 부분을 포함할 수 있는 크기의 모서리 더미 범프이 연결된 더미 배선 패턴 부분에 본딩됨으로써, 반도체 칩이 본딩되는 모서리 부분에서의 반도체 칩과 테이프 배선기판 사이의 접합성을 향상시켜 테이프 패키지의 기계적인 강도를 향상시킬 수 있다.

Claims (6)

  1. 중심 부분에 칩 실장 영역을 갖는 베이스 필름과;
    일단이 상기 칩 실장 영역의 가장자리 부분을 따라서 형성되며, 상기 일단과 연결된 타단은 베이스 필름의 길이 방향으로 뻗어 있는 배선 패턴과;
    상기 칩 실장 영역의 적어도 한 곳 이상의 모서리의 양변에 형성된 적어도 하나 이상의 더미 배선 배턴;을 포함하며,
    상기 모서리의 일변에 형성된 더미 배선 패턴에 상기 모서리의 타변에 형성된 더미 배선 패턴이 연결된 것을 특징으로 하는 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 패키지용 테이프 배선기판.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 더미 배선 패턴은,
    상기 모서리의 일변에 형성된 제 1 더미 배선 패턴과;
    상기 모서리의 타변에 형성되며, 상기 일변의 최외곽에 위치하는 상기 제 1 더미 배선 패턴에 연결된 제 2 더미 배선 패턴;을 포함하는 것을 특징으로 하는 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 패키지용 테이프 배선기판.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 제 2 더미 배선 패턴의 끝단이 연장되어 상기 일변의 최외곽에 위치하는 상기 제 1 더미 배선 패턴에 연결된 것을 특징으로 하는 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 패키지용 테이프 배선기판.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 제 1 더미 배선 패턴과 상기 제 2 더미 배선 패턴의 연결된 부분은 판 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 패키지용 테이프 배선기판.
  5. 제 1항 내지 제 4항의 어느 한 항에 따른 테이프 배선기판과;
    상기 칩 실장 영역에 위치하는 상기 배선 패턴에 접합되는 전극 범프와, 상기 더미 배선 패턴에 접합되는 더미 전극 범프를 갖는 반도체 칩;을 포함하며,
    상기 더미 전극 범프 중 상기 칩 실장 영역의 모서리에 위치하는 모서리 더미 범프는 상기 연결된 더미 배선 패턴 부분을 포함할 수 있는 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 배선기판을 이용한 테이프 패키지.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 연결된 더미 배선 패턴 부분은 상기 모서리 더미 범프에 대응되는 판 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 연결된 더미 배선 패턴을 갖는 테이프 배선기판을 이용한 테이프 패키지.
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KR101939054B1 (ko) * 2018-04-05 2019-01-16 (주)베스트룸 스마트 윈도우용 필름에 전극을 형성하는 방법 및 이를 이용한 스마트 윈도우 필름

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