KR20070030842A - 열전 변환 소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 반도체 특성의 불균일에 기인하는 변환 효율의 저하를 해소하고, 또한 각 열전 변환 소자 사이의 열팽창 계수에 기인하는 각 소자와 전극 사이의 접착 강도의 저하가 방지된 열전 변환 소자를 제공하는 것이다. 또한, 단일 소자의 구조에 연구를 가하는 것에 의해 열전 변환 효율의 향상을 도모한다. 열전 변환 소자(10)의 기판(5, 12) 상에, 금속 원소의 산화물과 희토류 원소의 산화물과 망간을 포함하는 소결체 셀로 구성된 동일 형의 반도체로 이루어지는 단일 소자(13)가 배치되고, 냉각면과 가열면에는 막 형상의 박막 전극이 소결체 셀과 일체가 되도록 설치되고, 또한 이들의 면 상에 리드선(16)을 직렬로 접속시켰다.
열전 변환 소자, 기판, 단일 소자, 리드선, 소결체 셀

Description

열전 변환 소자{THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT}
본 발명은 열전 변환 소자 모듈에 관한 것이고, 특히 단일의 열전 반도체로 이루어지는 단일 소자에 관한 것이다.
열전 변환이라 함은, 제베크 효과나 펠티에 효과를 이용하여, 열 에너지와 전기 에너지를 서로 변환하는 것을 말한다. 열전 변환을 이용하면, 제베크 효과를 이용하여 열 흐름으로부터 전력을 취출하거나, 펠티에 효과를 이용하여 재료에 전류를 흐르게 함으로써 흡열하고, 냉각 현상을 일으키는 것이 가능하다. 또한, 열전 변환은, 직접 변환이지만 그로 인해 에너지 변환시에 여분의 노폐물을 배출하지 않는 것, 배출 열의 유효 이용이 가능한 것, 모터나 터빈과 같은 가동 장치가 불필요하기 때문에 유지 보수의 필요가 없는 것 등의 특징을 갖고 있어, 에너지의 고효율 이용 기술로서 주목받고 있다.
열전 변환에는 통상, 열전 변환 소자라 불리는 금속이나 반도체의 소자가 이용되고 있고, 도4에 도시하는 바와 같이 기판(5) 상에 n형 반도체(6)와 p형 반도체(7)가 설치되고, 인접하는 반도체끼리가 전극(8)으로 서로 접속되어 있다. 이 열전 변환 소자의 성능은, 이들의 반도체의 형상이나 재질에 의존하기 때문에, 성능을 향상시키기 위해 다양한 검토가 행해지고 있다. 그러한 검토로서는, 예를 들 어 열전 변환 소자의 열전 특성을 향상시키는 것을 들 수 있다(특허 문헌 1 참조).
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 평7-211944호 공보
여기서, 특허 문헌 1에 개시되어 있는 열전 변환 소자는, Sn 및/또는 Pb을 포함하는 β-FeSi2계 열전 변환 재료로 이루어지는 β-FeSi2계 열전 변환 소자를 이용하고 있다. 이로 인해, 낮은 열전도율을 갖는 것에 의해 높은 열전 변환 효율을 얻는 것이 가능해지고 있다. 또한, β-FeSi2계 열전 변환 재료는, 소정량의 Fe, Si 및 Mn이나 Co 등의 도전형을 결정하는 불순물을 용해 및 응고시켜 얻어지는 금속상(α상과 ε상의 공정합금)에 장시간의 열처리를 실시하고, 반도체인 β상으로 상전이함으로써 제조된다. 이 β상 전이시에는, 제XI족, 혹은 제X족 원소 중 Cu 등의 일부의 원소의 첨가에 의해 β상의 상전이를 촉진시키는 것이 알려져 있다. 그러나, 이들의 상전이 촉진재는, β-FeSi2계 재료의 열전 변환 효율의 향상에는 전혀 기여하지 않는다. 이것은, Cu 등의 촉진재가 β-FeSi2 결정에 고용(固溶)하는 것은 아니고, β상 결정의 입계(grain boundary)에 금속 Cu로서 존재하기 때문에, β-FeSi2의 반도체 특성에 기여하지 않게 되기 때문이라 판단되고 있다.
이러한 종래의 열전 변환 소자는, 일반적으로는 p형과 n형의 단일 소자로 이루어지고, 각각의 단일 소자의 반도체 특성이 다르다. 이에 의해, 전체적으로 불균일한 열전 특성을 갖는 열전 변환 소자로 되기 때문에 출력이 안정하지 않고, 이들의 열전 변환 소자와 부하와의 사이의 임피던스 정합이 얻기 어려워지고, 전체의 변환 효율이 각각의 단일 소자의 변환 효율보다도 대폭 하회할 우려가 있다. 또한, p형과 n형 소자 사이의 열팽창 계수의 불균일에 의해 각 소자가 왜곡되고, 단일 소자와 전극간의 접착이 박리될 우려도 있다.
본 발명은 이상과 같은 과제에 비추어 이루어진 것이고, 그 목적은, 상술한 p형과 n형의 열전 변환 소자의 반도체 특성의 불균일에 기인하는 변환 효율의 저하를 해소하고, 또한 각 열전 변환 소자 사이의 열팽창 계수에 기인하는 각 소자와 전극 사이의 접착 강도의 저하가 방지된 열전 변환 소자를 제공하는 데 있다. 또한, 본 발명의 별도의 목적은, 단일 소자의 구조에 연구를 가하는 것에 의해 열전 변환 효율의 향상을 도모하고, 조립이 용이한 열전 변환 소자 모듈을 제공하는 데 있다.
본 발명은 이하와 같은 것을 제공한다.
(1) 동일 소재의 단일 소자가 복수개, 기판 상에서 서로 접속된 것으로 이루어지고, 그 한쪽의 면으로서 규정되는 가열면과 이 가열면의 반대측의 면으로서 규정되는 냉각면과의 온도차에 의해 발전하는 열전 변환 소자 모듈이며, 상기 단일 소자는, 복합 금속 산화물로 이루어지는 소결체 셀과, 이 소결체 셀의 상기 가열면측의 면과 상기 냉각면측의 면에 설치된 한 쌍의 전극으로 구성된 동일 사이즈이며 동일 형상인 반도체로 이루어지고, 상기 한 쌍의 전극의 크기는, 상기 소결체 셀의 면의 크기와 동일하거나 약간 큰 것이고, 서로 인접하는 상기 단일 소자에 있어서의 상기 냉각면측의 전극과 상기 가열면측의 전극이 이들의 전극의 한 변의 폭보다도 폭이 좁은 리드선으로 서로 접속된 것인 열전 변환 소자.
(1)의 발명에 따르면, 열전 변환 소자를 동일 사이즈이며 동일 형상인 반도체로 구성한 것에 의해, 각각의 단일 소자의 반도체 특성을 통일할 수 있다. 그 결과, 종래형의 열전 변환 소자에 비해 변환 효율을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 단일 소자를 복합 금속 산화물의 소결체 셀로 구성한 것에 의해 내열성이나 역학적 강도를 향상시키는 것이 가능해졌다.
여기서「열전 변환 소자 모듈」이라 함은, 단일 소자가 기판 상에서 전극에 의해 서로 접속된 열전 변환 소자 및 그 밖의 부재(예를 들어, 절연체)를 포함하는 것을 말한다. 또한「단일 소자」라 함은, 소정의 형상으로 형성된 소결체 셀과, 이 소결체 셀의 가열면으로서 규정된 면과, 이 가열면의 반대측의 면에 위치하는 냉각면으로서 규정된 면에 각각 전극을 접속한 것을 말한다. 「소결체 셀」의 형상은 특별히 상관없지만, 높은 열전 변환 효율로 하기 위해서는 단순 육면체 형상, 예를 들어 직육면체 또는 정육면체인 것이 바람직하다.
또한 이 소결체 셀에 접속된「전극」의 크기는, 열전 변환 효율을 향상시키기 위해 가열면 및 냉각면과 대략 동일하고, 각각의 면을 덮는 형상인 것이 바람직하다. 여기서, 대략 동일하다고 함은, 전극의 크기가 가열면 및 냉각면의 면적보다 크지만, 가열면 및 냉각면의 면적과 소결체 셀의 4개의 측면의 면적을 더한 총 면적보다는 작은 것을 말한다. 또한, 이 전극에 접속된「리드선」은, 전극과 일체로 형성되어 있어도 좋다. 리드선은 가열면 및 냉각면측의 전극의 한 변의 폭보다도 짧은(폭이 좁은) 것이고, 전극의 면적과 리드선의 단면적과의 비가 1000 : 2 내지 1000 : 35인 것이 바람직하고, 1000 : 5 내지 1000 : 25인 것이 더 바람직하다. 리드선이 지나치게 굵어도 온도차가 생기지 않기 때문에 바람직하지 않고, 또한 리드선이 지나치게 가늘어도 전류를 흐르게 할 수는 없기 때문이다. 또한, 전극 및 리드선의 재질은 금, 은, 동, 알루미늄 등의 전도성이 양호한 금속을 이용할 수 있다. 이들은 동일한 것이 바람직하다.
여기서, 전극의 면적을 SE로 하고, 리드선의 단면적을 SL로 하면(도2C 참조), 바람직하게는 SE/SL이 1000/2 이상, 보다 바람직하게는 1000/5 이상이다. 또한, 바람직하게는 SE/SL이 1000/35 이하, 보다 바람직하게는 1000/25 이하, 더 바람직하게는 1000/20 이하이다. 또한, 단일 소자의 평균 열전도율을 KI로 하고, 전극과 동일한 면적(SE)을 갖고, 리드선의 평균 열전도율을 KL로 하고, 그 단면적을 SL로 하고, 또한 고온면과 저온면(혹은, 가열면과 냉각면) 사이의 거리를 D로 하고, 리드선도 이들의 면 사이를 거의 수직으로 고온면으로부터 저온면으로 연장하게 하면, 양자의 면 사이의 열 저항(RI 및 RL)은 각각 이하와 같이 기재할 수 있다(A는 상수).
RI ＝ A*D*SE/KI
RL ＝ A*D*SL/KL
따라서, 양면 사이에서 동일한 온도차가 있다고 판단되기 때문에, 단일 소자가 운반하는 열량과, 리드선이 운반하는 열량의 비(Rtherm)는, 이하와 같이 된다.
Rtherm ＝ (KI*SL)/(KL*SE)
따라서, 두 면 사이의 열전도율이 그다지 변하지 않고, SL ＜＜ SE이면, 리드선이 운반하는 열량은 무시할 수 있을 수 있는 것을 알 수 있다. 열전도율에 있어서, KI ＜＜ KL로 되는 경우에는 재검토가 바람직하다. 결국, 면적비 및 열전도율비의 상대적인 관계에 의해 결정되게 된다.
(2) 상기 단일 소자는 서로 직렬로 접속되어 있는 것인 (1)에 기재된 열전 변환 소자.
(2)의 발명에 따르면, 단일 소자를 각각 직렬로 접속한 것에 의해 구조가 단순해져, 보다 간단하게 제조하는 것이 가능해진다. 또한, 제조 공정도 단순한 것으로 되기 때문에 제조 가격의 삭감에도 연결된다.
(3) 상기 복합 금속 산화물의 구성 원소는 알칼리토류 금속과 희토류와 망간인 산화물인 (1) 또는 (2)에 기재된 열전 변환 소자.
(3)의 발명에 따르면, 복합 금속 원소의 산화물을 알칼리토류 금속과 희토류와 망간을 구성 원소로 하는 산화물로 한 것에 의해 고온에서의 내열성을 보다 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 알칼리토류 금속 원소로서는 칼슘을 이용하는 것이 바람직하고, 희토류 원소에 이트륨 또는 란탄을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 페로브스카이트형 CaMn03계 복합 산화물 등을 예로 들 수 있다. 페로브스카이트형 CaMn03계 복합 산화물은, 일반식 Ca(1-x)MxMn03(M은 이트륨 또는 란탄이고, 0.001 ≤ x ≤ 0.05인)으로 표시되는 것이 더 바람직하다.
본 발명에 관한 열전 변환 소자에 따르면, 동일 형의 반도체로 이루어지는 단일 소자를 이용한 것에 의해 변환 효율을 향상시키는 것이 가능해진다. 또한, 종래의 열전 변환 소자에 비해 구조가 단순하기 때문에 용이하게 제조할 수 있어서 제조 가격의 삭감에 연결된다. 또한, 단일 소자를 복합 금속 산화물의 소결체 셀로 구성한 것에 의해 역학적 강도를 향상시킬 수 있다.
도1A는 본 발명의 적절한 실시예에 관한 열전 변환 소자 모듈을 도시하는 상면도이다.
도1B는 본 발명의 적절한 실시예에 관한 열전 변환 소자 모듈을 도시하는 상세도이다.
도1C는 본 발명의 적절한 실시예에 관한 열전 변환 소자 모듈을 도시하는 사시도이다.
도2A는 본 발명의 적절한 실시예에 관한 열전 변환 소자의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도2B는 본 발명의 적절한 실시예에 관한 열전 변환 소자의 제조 공정을 설명하기 위한 상세도이다.
도2C는 본 발명의 적절한 실시예에 관한 열전 변환 소자의 전극 및 리드의 일부를 도시하는 사시도이다.
도3은 본 발명의 적절한 실시예에 관한 별도의 열전 변환 소자 변형예의 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도4는 종래형의 열전 변환 소자를 도시하는 평면도이다.
[부호의 설명]
10 : 열전 변환 소자 모듈
12, 5 : 기판
13 : 단일 소자
14 : 가열면
15 : 냉각면
16 : 리드선
17 : 집전체
18 : 소결체 셀
19, 8 : 전극
6 : n형 반도체
7 : p형 반도체
도1A는, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관한 열전 변환 소자 모듈(10)을 도시하는 상면도이다. 도1B는, X의 부분을 떼어내서, 그것을 이면측으로부터 본 것(바닥면도)이지만, 기판(12)을 투과시키고 있다. 이 도1A 및 도1B에 도시되는 바 와 같이, 기판(12) 상에는 소결체 셀로 구성된 동일 형의 반도체로 이루어지는 단일 소자(13)가 배치되어 있다. 또한, 기판(12)에 접촉하고 있는 소자(13)의 면이 냉각면(15)이고, 이 냉각면과 반대측의 면이 가열면(14)이다. 본 실시 형태에 있어서, 가열면(14)에는, 이 가열면(14)의 면적과 동일 크기의 막 형상의 전극이 소결체 셀과 일체가 되도록 설치되어 있다. 또한, 본 실시 형태에서는 n형 반도체를 이용하고 있지만 이것으로 한정되지 않는다.
도1C는, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관한 열전 변환 소자 모듈(10)의 외관을 도시하는 사시도이다. 각 단일 소자(13)는 기판(5) 및 기판(12) 사이에 끼워지고, 리드선(16)에 의해 직렬로 접속되어 있다.
또한, 도2A에 도시하는 바와 같이, 리드선(16)은 이들 소자의 면 상에 설치되어 있고, 임의의 단일 소자(13)의 가열면측의 전극(19a)과 이 단일 소자에 인접하고 있는 단일 소자의 냉각면측의 전극(19b)이 접속되는 것에 의해 직렬로 접속되어 있다. 이러한 직렬 접속은 전극(19a, 19b)보다도 폭이 좁은 도전 리본을 가열면측의 전극(19a)의 단부에 설치하고, 이것을 신장시킨 것을 하방으로 절곡하고, 기판(12) 상에 도달한 부분에서 또한 크랭크형으로 절곡하여, 인접하는 단일 소자의 하측으로 인입하도록 하는 것에 의해 행해지고 있다.
본 발명에 관한 열전 변환 소자 모듈(10)은 기판(12)을 가열하고, 단일 소자(13)의 냉각면을 냉각하면 기판(12)으로부터 흡수된 열 에너지가 전기 에너지로 변환된다. 이렇게 얻어진 전기 에너지는 집전체(17)에서 집전되고, 여기서부터 외부 전극에 전력이 공급된다. 그런데, 한편으로, 기판(12)을 가열할 때, 그 열이 리드선(16)을 통해 단일 소자(13)의 상면(냉각면)에 전달되어, 그 온도가 상승하여 변환 효율이 저하할 우려가 있다. 이러한 열 전달을 적게 하기 위해 리드선(16)에는 박막을 이용하고 있다. 리드선(16)에 이용하는 박막의 두께는 50 ㎛인 것이 바람직하고, 그 재질은 특별히 한정되는 것은 아니고, 통상 이용되고 있는 단일 소자의 전기 저항보다도 작은 금속을 이용하는 것이 바람직하다.
도2A는, 본 발명의 적절한 실시 형태에 관한 열전 변환 소자 모듈(10)의 제조 공정을 나타내는 사시도이다. 단일 소자(13)의 냉각면의 전극과, 인접하는 단일 소자의 가열면의 전극을 연결하도록 리드선(16)이 접속되어 있다. 이 도면에 도시되는 바와 같이, 조립은 전극과 일체 형성된 소결체 셀(18)의 가열면에 리드선(16)을 설치하고, 단일 소자(13)를 서로 직렬 접속이 되도록 기판(12)에 설치한다. 또한, 이 열전 변환 소자 모듈(10)의 변환 효율은, 각 단일 소자 사이의 피치나 크기에 의존한다. 단일 소자의 크기는, 면적이 5 ㎜ × 5 ㎜ 내지 20 ㎜ × 20 ㎜, 높이가 1 ㎜ 내지 5 ㎜인 것이 바람직하고, 단일 소자끼리의 피치(P)는 0.1 ㎜ 내지 5 ㎜인 것이 바람직하고, 0.5 ㎜ 내지 2 ㎜인 것이 더 바람직하다. 예를 들어, 피치(P)가 0.1 ㎜보다도 좁으면 집적도는 높아지지만, 열의 문제가 발생하게 된다.
또한 도2B는, Y의 부분에 대해, 전극(19')과 리드선을 일체로 한 별도의 실시 형태를 나타내고 있다. 이 도2B에 도시되는 바와 같이, 가열면측의 전극(19a')의 일부는 하방으로 절곡되고, 기판(12) 상에 도달한 부분에서 또한 크랭크형으로 절곡하여, 인접하는 단일 소자(13')의 하측으로 인입하도록 하고 있다. 냉각면측 의 전극(19b)은 상기 실시 형태와 동일한 크기라도 좋다.
도2C는, 전형적인 전극(19a') 및 리드선(16)의 일부를 도시하는 사시도이다. 도면에서 전극(19a')의 면적(SE)이 리드선(16)의 단면적(SL)보다도 충분하게 큰 것을 알 수 있다.
도3은, 본 발명의 적절한 별도의 실시 형태에 관한 별도의 열전 변환 소자 모듈(10')의 제조 공정을 나타내는 사시도이다. 본 실시 형태에 있어서, 단일 소자의 가열면측의 전극(19a'')의 크기가, 소결체 셀(18)보다도 크다는 점이 상기 실시 형태와 다르다. 또한, 냉각면측의 전극(19b)은 상기 실시 형태와 동일한 크기라도 좋고, 또한 가열면측의 전극(19a'')과 동일한 크기라도 좋다. 이 별도의 실시 형태에 관한 열전 변환 소자 모듈(10')에서는, 전극(19'')이 소결체 셀(18)로부터 돌출하여 처마와 같은 역할을 하므로, 하방으로의 열의 차폐 효과가 크고, 소결체 셀(18)의 상하의 온도차를 크게 할 수 있어, 발전 효율을 향상시킬 수 있다는 이점이 있다.
(실시예)
<단일 소자의 작성>
탄산칼슘, 탄산망간 및 산화이트륨을 Ca/Mn/Y ＝ 0.95/1.0/0.05로 되도록 계량하고, 볼 밀에 의해 습식 혼합을 18시간 행했다. 그 후, 여과 및 건조시키고, 1000 ℃에서 10시간, 대기 중에서 하소(calcine)를 행했다. 이렇게 얻어진 하소분은 분쇄 후, 1 t/㎠의 압력으로 1축 프레스에 의해 성형했다. 이것을 1150 ℃에서 5시간, 대기 중에서 소성시켜 Ca0 .95Y0 .05MnO3 소결체를 얻었다. 이 소결체의 치수는 약 9 ㎜ × 9 ㎜ × 2.5 ㎜였다.
이 소결체 셀(18)의 양면에 은 페이스트를 도포하고, 700 ℃에서 소부하여 전극을 형성했다. 이 소자의 제베크 계수 및 저항을 측정한 바, 제베크 계수는 145 μV/K, 저항은 7.5 Ω이었다. 또한, 제베크 계수는 열전 변환 소자의 상하면에 온도차를 부여하고, 그것에 의해 구한 전위차를 S ＝ dV/dT(S ＝ 제베크 계수, dV ＝ 2점 사이의 전위차, T ＝ 2점 사이의 온도차) 외삽(extrapolation)으로 산출했다. 또한, 저항은 2단자법으로 측정했다. 2단자법이라 함은, 측정 시료의 양단부에 전극 단자를 2개 부착하고, 동일 전극에서 시료에 흐르는 전류와 그때 생기는 전위차를 측정하는 방법을 말한다. 이 소결체 셀(18)에 리드선으로서 은 리본(폭 3 ㎜, 두께 50 ㎛)을 은 페이스트로 고정하여 단일 소자라고 했다.
<열전 변환 소자의 조립>
단일 소자 100개를 100 ㎜ × 100 ㎜ × 2 ㎜의 크기의 알루미나(Al2O3) 기판 상에 직렬로 배치하고, 그 위에 한 장 더 동일 사이즈의 알루미나 기판을 중첩하여 고정했다. 그 후 상하로부터 가볍게 압력을 가하면서 700 ℃에서 30분간 가열하는 것에 의해 열전 변환 소자를 얻었다(도1A).
이 열전 변환 소자의 하면을 히터로 가열하고, 상면을 냉각함으로써 상하면에 약 160 K의 온도차를 부여한 결과, 개방 전압 2.32 V, 최대 출력 1.02 W를 얻을 수 있었다.

Claims (4)

  1. 동일 소재의 단일 소자가 복수개, 기판 상에서 서로 접속된 것으로 이루어지고, 그 한쪽의 면으로서 규정되는 가열면과 이 가열면의 반대측의 면으로서 규정되는 냉각면과의 온도차에 의해 발전하는 열전 변환 소자 모듈이며,
    상기 단일 소자는, 복합 금속 산화물로 이루어지는 소결체 셀과, 이 소결체 셀의 상기 가열면측의 면과 상기 냉각면측의 면에 설치된 한 쌍의 전극으로 구성된 동일 사이즈이며 동일 형상의 반도체로 이루어지고,
    상기 한 쌍의 전극의 크기는 상기 소결체 셀의 면의 크기와 동일하거나 약간 큰 것이고,
    서로 인접하는 상기 단일 소자에 있어서의 상기 냉각면측의 전극과 상기 가열면측의 전극이 이들의 전극의 한 변의 폭보다도 폭이 좁은 리드선으로 서로 접속된 것인 열전 변환 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단일 소자는 각각 직렬로 접속되어 있는 것인 열전 변환 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복합 금속 산화물의 구성 원소는 알칼리토류 금속과 희토류와 망간인 산화물인 열전 변환 소자.
  4. 고온측면과 저온측면의 2개의 대향하는 면을 각각 갖는 복수의 단일 소자와,
    상기 복수의 단일 소자의 각각의 고온측면이 기판의 접촉면에 접촉되도록, 상기 복수의 단일 소자가 나란히 배치되는 기판과,
    상기 복수의 단일 소자에 있어서, 인접하는 단일 소자 사이의 전기적인 접속을, 한쪽의 단일 소자의 고온측면으로부터 다른 쪽의 단일 소자의 저온측면으로 행하고, 상기 복수의 단일 소자를 직렬로 접속하도록 상기 복수의 단일 소자 사이에 각각 배치된 리드선을 포함하는 열전 변환 소자 모듈이며,
    상기 복수의 단일 소자의 각각은, 상기 고온측면 및 상기 저온측면에 각각 배치되는 고온측 전극 및 저온측 전극과, 이들의 전극 사이에 개재된 복합 금속 산화물로 이루어지는 소결체 셀을 포함하고,
    상기 복수의 단일 소자의 상기 고온측면 및 상기 저온측면 사이의 거리가 각각 실질적으로 같고,
    상기 고온측 전극은, 상기 저온측 전극에 개재된 상기 소결체 셀의 고온 전극측면과 동일하거나 혹은 보다 큰 셀 측면을 갖고, 상기 셀 측면에서 상기 고온 전극측면과 접촉하고,
    상기 리드선은 각각에 대응하는 상기 고온측 전극 및 상기 저온측 전극에 전기적으로 접속되고, 상기 리드선의 폭은 상기 고온측 전극의 폭보다 좁은 열전 변환 소자.
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