KR20070028586A

KR20070028586A - 고순도 액화 염소의 제조방법

Info

Publication number: KR20070028586A
Application number: KR1020077001846A
Authority: KR
Inventors: 미나코 호리바; 쇼죠 야고
Original assignee: 쇼와 덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2004-09-29
Filing date: 2005-08-29
Publication date: 2007-03-12
Also published as: TW200621636A; WO2006035571A1; KR100849656B1; JPWO2006035571A1; TWI391326B; JP5219372B2

Abstract

염소산화물을 불순물로서 함유하는 원료염소에 광을 조사해서 염소산화물을 염소 및 산소로 분해하고, 그 후 증류에 의한 정제를 행하는 고순도 액화 염소의 제조방법. 염소로부터 염소산화물 불순물이 효율적으로 제거된다.

Description

고순도 액화 염소의 제조방법{METHOD FOR PRODUCING HIGH-PURITY LIQUID CHLORINE}

본 발명은, 고순도 액화 염소의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은, 특히, 염소산화물 불순물을 함유하는 원료염소를 정제함으로써 순도 99.999%이상의 고순도 액화 염소를 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다.

일산화 2염소, 이산화염소, 육산화 2염소(삼산화염소) 등의 염소산화물은 매우 분해되기 쉬워, 열이나 광에 의해 하기 식과 같이 염소와 산소로 분해된다.

Cl₂O → Cl₂+1/2O₂…(1)

ClO₂ → 1/2Cl₂+O₂…(2)

Cl₂O₆ → Cl₂+3O₂…(3)

염소산화물, 특히 이산화염소의 액화 염소중에서의 기상과 액상에서의 농도의 비는 액상 1에 대해서 기상은 0.7정도로 큰 농도차는 없다. 염소산화물의 분해 생성물인 산소의 액화 염소중에서의 기상과 액상에서의 농도의 비는 액상 1에 대해서 기상은 100이상으로 압도적으로 기상측에 다량 존재하게 된다. 충전된 시점에서는 전체 불순물량이 10ppm이하이며, 염소의 순도가 99.999%이상이어도, 이 미량의 이산화염소가 용기내에서 서서히 분해되면 염소와 산소가 생성되고, 이산화염소의 분해에 의해 생성된 산소는 그 대부분이 기상측에 농축되어, 기상의 산소농도가 충전시의 100배이상으로 되어서 순도가 저하되어 버려, 예를 들면 광섬유나 반도체, 액정용도 등의 고순도에서의 용도에 적합하지 않는 것으로 되어 버린다. 따라서, 순도 99.999%이상을 확보해 두기 위해서는, 염소산화물, 특히 이산화염소 농도를 적어도 0.01ppm이하까지 저감시킬 필요가 있다.

염소산화물은 식염의 전해에 의해 염소를 제조할 때에 염소중에 혼입되어 버리는 것이 알려져 있다. 식염의 전해에 의해 염소 및 수산화나트륨을 제조하는 프로세스는 여러가지 알려져 있지만, 그러한 프로세스에 있어서 전해조의 양극실에는 일정 농도의 식염수가 공급되고, 전해에 의해 농도가 저하된 식염수는 복귀 염수로서 조 외부로 배출되고, 다시 농도를 조정해서 전해조에 공급된다. 이 때, 전해에 의해 염소산나트륨이 부생되므로, 그대로 순환시키면, 염소산나트륨의 농도가 점차 높게 된다. 염소산염은 양극 표면이 산성화된 확산조내에서 염소 또는 이산화염소로 분해되고, 이것에 의해 염소가스중에 염소산화물, 특히 이산화염소가 혼입되어 버린다.

종래, 전해조에서의 염소산염 생성을 억제하는 방법으로서는, 예를 들면 염산에 의해 환원하는 방법이나 황산에 의해 분해하는 방법 등이 이용된다. 그러나, 염수의 pH를 낮추는 데에는 한도가 있어, 염소산염의 생성을 완전히 억제하는 것은 곤란하며, 염소중에 염소산화물이 혼입되어 버리는 것은 피할 수 없다.

한편, 염소중의 염소산화물, 특히 이산화염소를 제거하는 방법으로서는, 일 반적으로 이용되는 방법으로서 증류, 흡착제거 등을 들 수 있고, 또 이산화염소가 분해되기 쉬운 성질을 이용해서 염소와 산소로 분해하는 방법이 알려져 있다. 증류방법을 사용한 경우, 염소의 비점은 -35℃이며, 이산화염소의 비점은 11℃로 비점차는 있지만, 상온에서는 기액 평형이 1에 가깝기 때문인지, 증류에 의한 제거는 곤란했다. 또한 흡착방법에서는, 염소에 대해서 내성이 있는 흡착제가 적지만, 그 중에서 이산화염소를 흡착하는 흡착제라도 그 능력은 작기 때문에, 큰 장치가 필요하게 되어 버리고, 또한 염소에 의한 열화에 의해 재생이 곤란하며, 흡착제의 교환빈도가 많아져 비용이 든다.

또한 분해제거하는 방법으로서는, 열분해, 촉매분해, 광분해가 알려져 있다. 열분해에서는, 이산화염소는 100℃이상의 가스온도로 하면 분해되는 것이 알려져 있으며, 예를 들면 쉘 앤드 튜브형의 반응용기를 사용해서 쉘측을 증기에 의해 가열하고, 튜브측에 이산화염소를 흘려보내는 방법 등이 있다. 그러나, 단지 온도를 100℃이상으로 상승시키는 방법에서는, 분해효율이 낮고, 가스 전체를 균일한 온도로 상승시킬 필요가 있으므로 에너지가 증대되어 버린다. 또한 고온의 염소에 대해서 내성이 있는 장치의 재질이 필요하게 되어 비용이 높아져 버린다. 일본 특허공개 평3-40903호 공보에는, 이산화염소를 열분해함에 있어서, 국부적으로 이산화염소의 분해온도보다 높은 온도로 가열함으로써 일단 라디칼을 발생시켜, 연쇄반응적으로 최종적으로 염소와 산소로 분해하는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 이 방법에서는, 염소에 대한 이산화염소 농도가 0.5%미만에서는 이산화염소를 효율좋게 분해시킬 수는 없고, 예를 들면, ppm오더의 이산화염소 불순물을 효율적으로 제거할 수는 없다. 또한 이산화염소는 100℃이하에서도 서서히 분해되지만, 분해에는 장시간을 요하여 실용적이지는 않다. 촉매분해로서는, 예를 들면 일본 특허공개 소50-139077호 공보에는, 가스중의 이산화염소를 함유하는 염소산화물을 활성탄에 접촉시켜서 활성탄에 의해 환원분해하는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 염소가스중의 이산화염소의 제거에 관해서는, 염소가 활성탄에 흡착되어 버리므로, 활성탄의 환원제로서의 작용은 얻어지지 않아 이산화염소의 제거는 곤란하다. 또한 일본 특허공개 소53-99069호 공보에는, 이산화염소를 철과 반응시켜서 산화철 및 염화철로서 제거하는 방법이 예시되어 있지만, 염소중에서는 철은 염소와 반응해 버리므로, 이산화염소를 선택적으로 제거하는 것은 곤란하다. 광분해로서는, 일본 특허공개 평3-38218호 공보에 이산화염소에 1∼290nm의 자외선을 조사해서 이산화염소를 분해하는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 염소도 이산화염소와 거의 같은 광흡수를 나타내는 점에서, 자외선만을 조사해도 광에너지의 대부분이 염소에 흡수되어 버리므로, 염소에 의해 흡수되는 에너지 이상의 에너지가 필요하게 되고, 그 때문에 효율적으로 이산화염소를 분해할 수 없다.

본 발명은, 염소로부터 염소산화물 불순물을 효율적으로 제거해서, 예를 들면 순도 99.999%이상의 고순도 액화 염소를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 염소중의 염소산화물 불순물, 특히 이산화염소 불순물을 광분해함으로써 제거하는 방법에 있어서, 광분해를 효율적으로 행할 수 있는 방법을 찾아냈다. 즉, 본 발명은, 염소산화물을 불순물로서 함유하는 원료염소에 광을 조사해서 염소산화물을 염소 및 산소로 분해하고, 그 후 증류에 의한 정제를 행하는 것을 포함하는 고순도 액화 염소의 제조방법을 제공한다.

따라서, 본 발명은, 예를 들면 다음의 (1)∼(10)의 고순도 액화 염소의 제조방법으로 이루어진다.

(1)염소산화물을 불순물로서 함유하는 원료염소를 정제함으로써 고순도 액화 염소를 제조하는 방법에 있어서, 원료염소에 광을 조사해서 염소산화물 불순물을 광분해에 의해 염소와 산소로 분해하는 광분해공정과, 광분해 생성물 및 그 외의 불순물을 증류에 의해 제거하는 증류공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.

(2)염소산화물 불순물의 농도가 0.1∼50ppm인 상기 (1)에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

(3)염소산화물 불순물이 이산화염소인 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

(4)광분해공정의 광원이 300∼500nm의 범위의 파장을 포함하는 광원인 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

(5)원료염소를 광분해공정 전에 기화기에 의해 기화시켜, 광분해공정에 있어서 기상에서 광분해반응을 행하는 상기 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

(6)광분해공정에 있어서의 광분해반응이 유통식에서의 광분해반응인 상기 (1)∼(5) 중 어느 하나에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

(7)광분해공정에 있어서의 광분해반응의 온도가 20∼60℃인 상기 (1)∼(6) 중 어느 하나에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

(8)광분해공정에 있어서의 광분해반응의 압력이 0.01∼1.5MPa인 상기 (1)∼(7) 중 어느 하나에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

(9)증류공정이 광분해공정에서 생성된 산소를 함유하는 저비점 불순물을 제거하는 저비 증류공정을 포함하는 상기 (1)에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

(10)고순도 액화 염소의 순도가 99.999%이상인 상기 (1)∼(9) 중 어느 하나에 기재된 고순도 액화 염소의 제조방법.

본 발명에 의하면, 간편하게 또한 경제적, 효율적으로 염소중의 염소산화물을 제거하여, 고순도의 액화 염소, 특히 순도 99.999%이상의 고순도 액화 염소를 얻을 수 있다.

도1은, 본 발명의 방법의 공정을 나타내는 모식도이다.

도2는, 실시예에서 사용한 광분해장치의 모식도이다.

도3은, 실시예에서 사용한 광분해장치의 모식도이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다.

본 발명의 고순도 액화 염소의 제조방법은, 염소산화물 불순물을 함유하는 액화 염소를 원료로서 사용해서 고순도 액화 염소를 제조함에 있어서, 원료염소에 광을 조사해서 염소산화물 불순물을 광분해하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 즉, 본 발명의 제조방법은, 염소산화물 불순물을 함유하는 원료염소중의 염소산화물을 광분해하는 광분해공정과, 염소산화물의 분해에 의해 생성된 산소 및 그 외의 불순물을 증류에 의해 제거하는 증류공정으로 이루어진다.

염소산화물 불순물 중에서도 그 주된 물질은 이산화염소이다. 일본 특허공개 평3-38218호 공보에도 기재되어 있듯이, 이산화염소는 광에 의해 분해되는 성질이 있고, 염소와 산소로 되는 것이 알려져 있다. 이산화염소의 광에 의한 분해의 기구로서는, 명확하지는 않지만, 다음과 같이 추측된다.

이산화염소의 광흡수에서는, 극대 흡수파장을 370nm부근에, 그리고 흡수밴드를 250∼450nm부근의 범위에 갖고 있는 것이 알려져 있다. 이들 파장의 광을 흡수함으로써 여기되어서 라디칼이 생기는 반응, 예를 들면 하기 식(4)로 나타내어지는 반응이 개시반응으로 되고, 계속해서 하기 식(5)∼(7)로 나타내어지는 연쇄반응이 진행되어, 최종적으로 염소와 산소가 생성된다는 것이 생각된다. 또한 염소 자체도 극대 흡수파장이 330nm부근이며, 흡수밴드가 200∼450nm부근의 범위의 광을 흡수하는 것이 알려져 있다. 이 때, 이산화염소와 마찬가지로 하기 식(8)로 나타내어지듯이 분해되어 라디칼을 발생시키지만, 용기벽 등에 의해 다시 염소로 된다라고 추측된다.

ClO₂+hν → ClO*+O*…(4)

ClO*+ClO* → Cl₂+O₂…(5)

ClO₂+O* → ClO₃*…(6)

2ClO₃* → Cl₂O₆→ Cl₂+3O₂…(7)

Cl₂+hν → Cl*+ Cl*…(8)

염소산화물의 광분해에 이용되는 광분해장치로서는, 염소가 유통되는 광조사기 및 방폭구조의 광원을 갖고, 장치전체는 주위가 밀폐되어 공기나 불활성가스 등으로 퍼지되고, 염소 누설시에 대비해서 제해 라인으로 배기되어 있는 것이 좋다. 광의 조사방법으로서는, 광조사기내에 내삽관을 설치해서 내삽관내에 광원을 설치하고, 광조사기의 내측으로부터 광을 조사하도록 해도 좋고, 또는 광조사기의 외부에 광원을 설치하여, 광을 외측에서 조사하도록 해도 좋다. 광조사기는 어떠한 형태이어도 좋고, 예를 들면 직관형상 또는 나선형상이어도 좋고, 또는 광조사기 내부에 방해판 등을 구비하는 것이어도 좋다. 또한 필요에 따라, 복수개의 광조사기를 직렬 또는 병렬로 연결해도 좋다. 또한 주위 등에 반사경을 사용하는 등에 의해 광의 반사효율을 향상시켜도 좋다. 광조사에 사용하는 광조사기의 재질은 투명하며, 염소 및 각 광원에 내성이 있는 것이면 좋고, 예를 들면 유리나 플라스틱 등을 사용할 수 있다.

광분해반응은, 기상에서 행해도, 액상에서 행해도 좋지만, 안전상, 기상에서 광을 조사해서 행하는 것이 좋고, 광분해공정 전에 원료염소를 기화기로 기화시키는 것이 바람직하다. 광분해반응은, 회분식으로도, 유통식으로도 행할 수 있지만, 연속의 정제도 가능해지는 점에서 유통식이 바람직하다.

염소산화물의 광분해에 이용되는 광원으로서는, 적어도 이산화염소의 흡수파장의 범위내의 파장을 갖는 광이면 좋지만, 330nm부근 이하의 파장은 염소에 의한 흡수의 영향을 강하게 받으므로, 이산화염소를 분해시키기 위해서는 염소에 의해 흡수되는 에너지이상의 에너지가 필요하게 되어 버리고, 또 염소의 압력의 영향도 받아 버리므로 효율적이지 않고, 실용적이지 않다. 따라서, 광원으로서는, 염소의 흡수가 비교적 작고, 이산화염소의 흡수파장 범위내에 있는 파장, 예를 들면 300∼500nm의 범위의 파장을 갖는 광원을 사용하는 것이 좋다. 따라서, 그것을 위한 램프로서는, 예를 들면 각종 형광램프, 저압 수은램프, LED램프, 각종 HID램프(고압 수은램프, 고압 나트륨램프, 메탈할라이드램프 등) 등이며, 300∼500nm의 파장을 갖는 램프를 사용할 수 있다.

상기의 파장범위를 갖는 광원으로 동종류의 광원을 사용한 같은 광조사기에서는, 광분해에 필요한 시간은 염소산화물 농도 및 광의 강도에 단순히 비례하므로, 광분해장치의 구성은 광원의 종류, 광조사기의 직경, 광강도, 염소산화물 농도 및 염소유량에 의해 결정할 수 있다.

광분해공정에 있어서의 온도는 상용의 온도이면 좋고, 바람직하게는 20∼60℃이다. 압력은 상용의 압력이면 좋고, 바람직하게는 0.01∼1.5MPa이다.

본 발명에 있어서의 증류공정은 통상의 증류조작으로 행할 수 있지만, 적어도 광분해공정에서 생성된 산소를 제거하기 위해서, 최적의 환류비로 저비점성분을 커트하는 증류를 행하는 것이 바람직하다. 이것에 의해 산소를 제거 할 수 있는 외 에, 질소, 수소 등의 저비점성분의 불순물이 함유되는 경우에는 이들을 제거할 수도 있다. 계속해서, 전체 환류에서의 고비점성분을 커트하는 증류를 행함으로써, 중금속, 물, 유기물이라는 고비점성분의 불순물을 제거할 수도 있다.

본 발명의 방법을 사용함으로써, 연속의 정제도 가능하며, 설비 비용도 낮게 억제할 수 있다.

본 발명을 이하의 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 하등 한정되는 것은 아니다.

도1은, 본 발명의 방법의 공정을 나타내는 모식도이다. 염소산화물 불순물을 함유하는 원료염소는 기화기(1)에 의해 기화되어, 광분해장치(2)를 갖는 광분해공정에 보내지고, 여기에서 염소산화물 불순물이 광분해에 의해 제거된다. 계속해서, 증류탑(3)을 갖는 증류공정에 보내지고, 여기에서 염소산화물의 분해에 의해 생성된 산소 및 기타의 불순물이 증류제거된다.

도2에, 실시예에 사용한 광분해장치로서, 광조사기의 내측으로부터 광을 조사하는 장치를 나타낸다. 광분해장치(4)에는 스텐레스제의 관(7)이 설치되어 있고, 그 중앙부에는 유리관(8)이 플랜지(9), 패킹(10), 나사(11)에 의해 고정되어 있으며, 유리관(8)에는 램프(12)가 삽입되어 있고, 가스는 입구(13)로부터 도입되어, 출구(14)로 유통된다. 광조사기 전체는 밀폐되고, 공기나 불활성 가스가 입구(5)로부터 도입되고, 출구(6)는 제해에 접속되어 있다.

도3에, 실시예에 사용한 광분해장치로서, 광조사기의 외측으로부터 광을 조사하는 장치를 나타낸다. 광분해장치(15)에는 유리관(18)이 플랜지(19), 패킹(20), 나사(21)에 의해 고정되고 있고, 램프(22)가 유리관 주위에 설치되고, 가스는 입구(23)로부터 도입되어, 출구(24)로 유통된다. 광조사기 전체는 밀폐되고, 공기나 불활성 가스가 입구(16)로부터 도입되고, 출구(17)는 제해에 접속되어 있다.

또, 이산화염소의 분석은 퓨리에 변환 적외분광에 의해 행하고, 그 밖의 불순물 가스의 분석은 TCD 검출기가 부착된 가스 크로마토그래피에 의해 행했다.

실시예1

도1에 나타내는 공정에 의해, 광분해공정(2)에 있어서는 도2에 나타내는 광분해장치(4)에 램프로서 형광램프(내셔널제 FL6W D 6W) 3개를 이용하여, 광분해관에 이산화염소를 함유하는 염소가스를 0.1MPa 및 1MPa의 압력으로 100NL/분의 유량으로 유통시켰다. 이 때의 이산화염소의 입구농도는 20ppm이었지만, 광분해후의 출구에서는 0.01ppm이하였다. 그 후, 증류에 의해 저비점성분 및 고비점성분을 제거하고, 이 염소가스를 액화시켜 용기에 충전한 후 분석한 결과, 순도는 99.999%이상이었다. 이 용기를 30일 방치한 후 분석해도 마찬가지로 순도는 99.999%이상이었다.

실시예2

도1에 나타내는 공정에 의해, 광분해공정에 있어서는 도3에 나타내는 광분해장치(15)에 램프로서 고압 수은램프(센 토쿠슈코우겐(주)제 HL-100CH-5, 100W)를 사용하여, 유리관(18)을 향해서 일방향으로만 광을 조사하고, 광분해관에 이산화염소를 함유하는 염소가스를 0.1MPa 및 1MPa의 압력으로 30NL/분의 유량으로 유통시켰다. 이 때의 이산화염소의 입구농도는 10ppm이었지만, 광분해후의 출구에서는 0.01ppm이하였다. 그 후에 증류에 의해 저비점성분 및 고비점성분을 제거하고, 이 염소가스를 액화시켜 용기에 충전한 후 분석한 결과, 순도는 99.999%이상이었다. 이 용기를 30일 방치한 후 분석해도 마찬가지로 순도는 99.999%이상이었다.

실시예3

램프로서 형광램프(내셔널제 FL6W D 6W) 6개를 사용하여, 유리관의 주위 6방향으로부터 광을 조사한 이외는 실시예2와 동일한 조건으로 염소가스를 유통시킨 결과, 동일한 결과가 얻어졌다.

실시예4

램프로서 메탈할라이드램프(이와사키 덴키(주)제 MCK150W-07H 150W)를 사용한 이외는 실시예2와 같은 조건으로 염소가스를 유통시킨 결과, 같은 결과가 얻어졌다.

실시예5

램프로서 저압 수은램프(센 토쿠슈코우겐(주)제 HF-100G 20W)를 사용하고, 유량을 20NL/분으로 한 이외는 실시예2와 같은 조건으로 염소가스를 유통시킨 결과, 같은 결과가 얻어졌다.

실시예6

램프로서 백라이트(NEC제 FL15 BL-B 15W)를 사용하고, 유량을 20NL/분으로 한 이외는 실시예2와 같은 조건으로 염소가스 유통시킨 결과, 같은 결과가 얻어졌다.

실시예7

램프로서 백열전구(이와사키덴키(주)제 RF100V270W H 270W)를 사용하고, 유량을 20NL/분으로 한 이외는 실시예2와 같은 조건으로 염소가스를 유통시킨 결과, 같은 결과가 얻어졌다.

비교예1

광반응공정을 사용하지 않고, 증류공정만으로 염소가스를 정제했다. 이 때의 이산화염소의 입구농도는 10ppm이었지만, 증류공정 출구에서는 7ppm이며, 제거량은 적었다. 이 염소를 용기에 충전한 후 분석을 한 결과, 이산화염소는 7ppm이었지만, 산소를 포함해서 그 밖의 불순물은 1ppm이하이며, 불순물 농도의 합계는 10ppm이하이며, 순도는 99.999%이상이었다. 그러나, 이 용기를 30일 방치한 후 그 기상을 분석한 결과, 이산화염소가 4ppm으로 감소하고, 산소가 700ppm까지 증가하여, 염소의 순도가 저하되어 버렸다. 이것은 이산화염소가 용기내에서 서서히 분해되어, 이산화염소의 분해에 의해 생성된 산소가 기상측에 농축되어 버렸기 때문에 산소불순물 농도가 상승되고, 염소가스의 순도가 저하되어 고순도의 용도에 적합하지 않은 것으로 되어 버린 것이다.

이상의 결과를 표1에 정리해서 나타낸다.

(표1)

본 발명은, 간편하게 또한 경제적, 효율적으로 염소중의 염소산화물을 제거하여, 고순도 액화 염소를 제조할 수 있으므로, 산업상 유리하게 사용할 수 있다.

Claims

염소산화물을 불순물로서 함유하는 원료염소를 정제함으로써 고순도 액화 염소를 제조하는 방법에 있어서, 원료염소에 광을 조사해서 염소산화물 불순물을 광분해에 의해 염소와 산소로 분해하는 광분해공정과, 광분해 생성물 및 그 외의 불순물을 증류에 의해 제거하는 증류공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항에 있어서, 염소산화물 불순물의 농도가 0.1∼50ppm인 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항 또는 제2항에 있어서, 염소산화물 불순물이 이산화염소인 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 광분해공정의 광원이 300∼500nm의 범위의 파장을 포함하는 광원인 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 원료염소를 광분해공정 전에 기화기에 의해 기화시켜, 광분해공정에 있어서 기상에서 광분해반응을 행하는 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 광분해공정에 있어서의 광분해반응이 유통식에 의한 광분해반응인 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 광분해공정에 있어서의 광분해반응의 온도가 20∼60℃인 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 광분해공정에 있어서의 광분해반응의 압력이 0.01∼1.5MPa인 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항에 있어서, 증류공정이 광분해공정에서 생성된 산소를 함유하는 저비점 불순물을 제거하는 저비 증류공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 고순도 액화 염소의 순도가 99.999%이상인 것을 특징으로 하는 고순도 액화 염소의 제조방법.