KR20070017180A - 반도체 장치 및 전자 장치 - Google Patents

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KR20070017180A
KR20070017180A KR1020067024591A KR20067024591A KR20070017180A KR 20070017180 A KR20070017180 A KR 20070017180A KR 1020067024591 A KR1020067024591 A KR 1020067024591A KR 20067024591 A KR20067024591 A KR 20067024591A KR 20070017180 A KR20070017180 A KR 20070017180A
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히로타카 다키하라
요유이치 가지와라
마사노리 츠치하시
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로무 가부시키가이샤
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Abstract

반도체 장치에 있어서, 발열이나 전력 손실의 문제를 경감하고, 과전류에 의한 고장으로부터 반도체 장치를 보호한다. 반도체 장치(10)는, 대(大)전류 출력을 가지는 IC 칩(20)을 가지며, IC 칩(20)내의 제1 패드(Pi1)에 측정용 단자(Pw1)를 금 배선에 의해 전기적으로 접속하고, 금 배선의 임피던스(Rp1)에 의해 발생하는 전위차를 소정의 임계값과 비교하여, 전위차가 소정의 임계값을 초과한 경우에 PMOS형 트랜지스터(Q1)를 오프하도록 동작한다.

Description

반도체 장치 및 전자 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 반도체 장치와 전자 장치에 관한 것으로, 특히 IC 칩을 내장하고, IC 칩측의 패드와 IC의 외부 단자를 본딩와이어(이하, 간단히「와이어」라고 한다)등으로 전기적으로 접속한 반도체 장치와 그것을 탑재한 전자 장치에 관한 것이다.
현재, 여러가지 전자 기기의 내부에는 반도체 부품이 많이 삽입되고 있다. 반도체 부품은, 실로 많은 용도가 있고, 용도에 따라서는 가혹한 환경에서 이용되거나, 외부로부터 접촉되기 쉬운 조건에서 이용되거나 한다. 그러한 경우, 예를 들어, 단락 등과 같은 문제가 발생함으로써, 통상 예정되어 있는 전류보다 과대한 전류가 반도체 부품 중에 흐르는 경우가 있다. 그와 같은 경우에 반도체 부품 중의 일부에, 오픈, 쇼트 등의 문제가 발생하거나, 나아가 그 고장에 의해 외부의 회로나 장치에 악영향을 미치거나 할 가능성이 있다. 이 문제를 해소하기 위해, 출력 단자 등과 부하, 전원 및 접지와의 단락 등이 일어날 때의 과전류에 대해, 그 전류를 검출하기 위한 저항 소자를 형성하여 회로를 보호하는 기술이 알려져 있다 (특허문헌 1, 2).
특허문헌 1 : 일본공개특허 평5-268724호 공보
특허문헌 2 : 일본특허 평6-54865호 공보
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
특허문헌 1 및 특허문헌 2에 따르면, 반도체 부품 내의 소자 및 회로를 보호하기 위해, 전류를 검출하는 저항 소자를 이용하지만, 당연히 그 저항 소자에 의한 발열이나 전력 손실이라는 문제가 있다.
본 발명자는 이상의 인식에 의거하여 본 발명을 이룬 것으로, 그 목적은 발열이나 전력 손실의 문제를 경감하는 반도체 장치 및 전자 장치의 제공에 있다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명의 한 형태는 반도체 장치에 관한 것이다. 이 장치는, IC 칩을 가지며, 그 IC 칩은 과전류 보호 회로를 구비하고, 그 과전류 보호 회로는, 입력용 외부 단자와 접속되는 제1 패드와, 그 제1 패드와 소정의 저항 성분을 갖는 배선에 의해 전기적으로 접속되고, 어떤 외부 단자와도 접속되지 않는 측정용 단자와, 출력용 외부 단자에 접속되는 제2 패드와, 측정용 단자와 상기 제2 패드의 전기적인 접속을 온/오프하는 스위치 회로와, 제1 패드와 측정용 단자의 전위차가 소정 값을 초과했을 때 그 스위치 회로를 오프하는 비교기를 구비한다. 또한, 본 발명의 반도체 장치는, 비교기와는 별도로, 소정의 논리 제어에 따라서 스위치 회로를 온/오프하는 제어부를 더 구비해도 된다.
이 형태에 따르면, 소정의 배선이 갖는 저항 성분에서 발생한 전위차가 예정한 값보다 큰 경우 스위치 회로를 오프함으로써, 과전류에 의한 고장으로부터 반도체 장치를 보호할 수 있다. 또한, 그 결과, 반도체 장치에 접속되어 있는 외부 기기의 고장의 유발을 억제하기 쉬워진다. 또한, 접속 저항이나 와이어 저항 등의 편차가 영향을 미치기 쉬운 외부 장착 저항이나, 저항값의 편차가 큰 확산 저항 대신, 소정의 배선이 갖는 저항 성분을 이용함으로써, 발열이나 전력 손실의 문제를 경감하도록 하고 있다.
본 발명의 반도체 장치의 측정용 단자는 패드이어도 된다. 또한, IC 칩의 형성 후, 상기 IC 칩의 외부에 배선을 형성해도 된다. 이와 같이 제1 패드와 측정용 단자 사이의 배선을 외부에 형성함으로써, IC 칩의 현상(現狀)의 특성을 유지할 수 있고, 배선 형성 후라 하더라도 특성이 안정된다. 그 외부 배선은 금으로 형성되어도 된다. 즉, 알루미늄 배선 대신 금 배선을 사용함으로써, 장기간의 사용에 의한 부식이나 마이그레이션의 문제를 경감할 수 있어, 높은 신뢰성을 실현할 수 있다. 본 발명의 반도체 장치는, 제2 패드를 공유하는 과전류 보호 회로를 복수개 가져도 된다.
본 발명의 또 다른 형태는 전자 장치에 관한 것이다. 이 장치는, 상기 기술한 반도체 장치와 그 반도체 장치에 의해 형성되는 H 브릿지 회로 등의 모터 드라이브 회로에 의해 구동되는 소정의 부하 장치를 구비한다. 여기서, 부하 장치는 모터 등, 예를 들어 전력 공급용으로서 반도체 장치를 이용함으로써 동작하는 장치를 가리킨다.
본 발명의 전자 장치는, 차량 탑재용으로 하는 동시에, 차량에서의 부하 장치에 상정되는 고장을 기초로 상기 기술한 소정 값을 정해도 된다. 그 경우, 상기 기술한 전자 장치나 반도체 장치의 이점을 차량 탑재용의 전자 기기로서도 누릴 수 있다. 차량은 일반적으로, 사용 환경이 가혹하거나 또는 요구 사양이 엄격하기 때문에, 본 발명의 전자 장치의 차량 탑재용으로서의 적용은 효과적이다.
도 1은 실시형태 1에 관한 제1 전자 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 제1 패드와 제2 패드가 금 배선에 의해 전기적으로 접속되어 있는 상태의 외관을 나타내는 도면이다.
도 3은 실시형태 2에 관한 제2 전자 장치의 구성을 나타낸 도면이다.
(부호의 설명)
10 반도체 장치 20 IC 칩
22 제어 회로 30 과전류 보호 회로
31 부하 장치 40 제1 전자 장치
50 제2 전자 장치 Pi1, Po3 제1 패드
Pw1, Pw2 측정용 단자 Po1 제2 패드
Pi2 입력용 외부 단자 Po2, Po4 출력용 외부 단자
Wi1, Wo1, Wo2 본딩와이어 Lg 금 배선
C1, C2, C3, C4 비교기 Q1, Q3 PMOS형 트랜지스터
Q2, Q4 NMOS형 트랜지스터
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
(실시형태 1)
도 1은, 실시형태 1에 관한 제1 전자 장치(40)의 구성을 나타낸 도면이다. 제1 전자 장치(40)는, 반도체 장치(10) 및 부하 장치(31)를 구비한다. 이 구성은 코일이나 모터 등의 부하 장치(31)를 구동하는 회로지만, 그것을 위한 통상 동작을 실현하기 위해 제어 회로(22)를 갖고 있다. 그러나, 반도체 장치(10)는, 그 통상 동작에 더하여, 과전류 대책으로서 별도 전류를 셧오프하는 기능을 갖고 있다. 반도체 장치(10)가, 예를 들어 차량 탑재용으로서, 혹서나 혹한 등의 가혹한 환경하에서 이용되거나, 비나 눈 등에 노출되거나 하는 경우가 많은 경우, 부하 장치(31)가 단락 고장나는 경우가 있다. 또한, 후술하는 출력용 외부 단자(Po2)가, 타출력용 단자, 전원 및 접지 등과의 단락을 일으키거나 하는 경우, 저항이 극단적으로 저하되어 부하 장치(31)에 과전류가 계속 흐르고, 그 결과 부하 장치(31) 등이 발열하여 그 신뢰성에 영향을 미치게 되어 버리는 경우가 있기 때문에, 이와 같이 발생하는 과전류로부터 반도체 장치(10)를 보호하는 것에는 의의가 있다.
반도체 장치(10)는, 외부의 부하 장치(31)에 전력을 공급한다. 반도체 장치(10)는, 리드 단자인 입력용 외부 단자(Pi2)와 출력용 외부 단자(Po2)를 가지며, 입력용 외부 단자(Pi2)에는 전원으로서의 전지(BAT)가 접속되고, 예를 들어 4.5V의 입력 전압(Vi)이 공급된다. 출력용 외부 단자(Po2)로부터는, 예를 들어 3.0V의 출력 전압(Vo)이 부하 장치(31)에 공급된다.
반도체 장치(10)는, 예를 들어 시리즈 레귤레이터를 구성하고 있는 IC 칩(20)을 가지며, 그 IC 칩(20)은, 상세한 것은 후술하지만, 과전류 보호 회 로(30), 오어(OR) 게이트(S1) 및 제어 회로(22)를 포함한다. 과전류 보호 회로(30)는, 제1 패드(Pi1), 측정용 단자(Pw1), 제2 패드(Po1), 임피던스(Rp1), 비교기(C1), PMOS형 트랜지스터(Q1)를 포함한다. 반도체 장치(10)는, 내부의 IC 칩(20)에 입력 와이어(Wi1)를 통해 입력 전압(Vi)을 부여하고, 출력 와이어(Wo1)를 통해 IC 칩(20)으로부터 출력 전압(Vo)을 얻는다.
이하, IC 칩(20)의 구성을 설명한다. IC 칩(20)은, 전원으로부터 입력 전압(Vi)을 입력하는 제1 패드(Pi1)와, 제어의 목적인 출력 전압(Vo)을 출력하는 제2 패드(Po1)와, 제1 패드(Pi1)와 금 배선에 의해 전기적으로 접속되고, 어떤 외부 단자와도 와이어 접속되지 않은 측정용 단자(Pw1)를 갖는다. 금 배선을 이용함으로써 발생하는 저항 성분을 모식적으로 임피던스(Rp1)로서 도시한다. 한편, 측정용 단자(Pw1)와 제2 패드(Po1) 사이에는, PMOS형 트랜지스터(Q1)가 접속되어 있다. 여기서, 측정용 단자(Pw1)는, 웨이퍼 상태로 임피던스(Rp1)의 값이나 후술하는 비교기(C1)의 동작을 확인하기 위해 패드를 형성하고 있다. 또한, 측정용 단자(Pw1)는 반드시 패드가 아니어도 된다.
제어 회로(22)는, 통상의 동작으로서, 반도체 장치(10)나 부하 장치(31)에 전류를 흘리는 경우는 로우레벨에 상당하는 「0」을 출력하고, 흘리지 않는 경우는 하이 레벨에 상당하는 「1」을 출력한다. 그와 같은 통상의 동작에 더하여, 과전류 대책을 행하기 위해, IC 칩(20) 내부에 비교기(C1) 및 오어 게이트(S1)를 형성하고, 제어 회로(22)와 조합하여 사용된다.
비교기(C1)는, 제1 패드(Pi1)와 측정용 단자(Pw1) 사이에 형성한 금 배선의 임피던스(Rp1)에 의해 발생하는 전위차를 소정의 임계값과 비교하여, 그것을 초과한 경우에 PMOS형 트랜지스터(Q1)를 오프하도록 동작한다. 구체적으로는 비교기(C1)가, PMOS형 트랜지스터(Q1)를 오프하는 경우는「1」을 출력하고, 온하는 경우는「0」을 출력한다. 또, 사용 환경이나 요구 사양 등에 따라 임계값을 사용자가 결정할 수 있는 구성으로 해도 된다.
또한, 임계값은 여러가지 고장을 상정하여 정해진 값이어도 된다. 예를 들어, 차량에 탑재되어 있는 코일 등의 부하 장치(31)가 단락 고장나는 경우, 부하 장치(31)의 어느 정도의 부분이 단락되는지에 따라 상기 기술한 값이 정해진다. 전체 부분의 단락 고장을 상정하는 경우, 부하 장치(31)의 저항값이 극단적으로 저하되고, 그 결과 반도체 장치(10)에 흐르는 전류의 값이 매우 커지기 때문에, 예를 들어 통상 흐른다고 생각되는 전류의 최대값이 1A(암페어)이면 그 3배인 3A(암페어)의 값에서 산출되는 전위차가 임계값으로서 정해져 있어도 된다. 그렇지 않고, 일부분의 단락 고장을 상정하는 경우, 부하 장치(31)의 저항값이 다소 저하되고, 그 결과 반도체 장치(10)에 흐르는 전류의 값이 다소 커지기 때문에, 예를 들어 통상 흐른다고 생각되는 전류의 최대값이 1A(암페어)이면, 그 1.5배인 1.5A(암페어)의 값에서 산출되는 전위차를 임계값으로 하도록, 이전의 예와 비교하여 엄격하게 정해져 있어도 된다.
오어 게이트(S1)는, 비교기(C1)로부터 출력되는 신호와 제어 회로(22)로부터 출력되는 신호를 논리합(OR)하여 PMOS형 트랜지스터(Q1)에 출력한다. 비교기(C1)의 출력은 통상은「0」이기 때문에, 과전류를 검출하지 않는 한 제어 회로(22)의 통상 동작에 영향을 미치지 않는다. 그러나, 과전류가 발생한 경우, 금 배선의 임피던스(Rp1)에 의해 발생하는 전위차는 소정의 임계값보다 커져 비교기(C1)의 출력은「1」이 되기 때문에, 제어 회로(22)의 출력은 무시되고, 강제적으로 PMOS형 트랜지스터(Q1)가 오프된다.
이상의 구성에 따르면, 과전류에 의한 고장으로부터 반도체 장치(10)를 보호할 수 있다. 또한, 반도체 장치(10)의 고장에 의해 발생하는 외부의 부하 장치(31)의 고장의 유발을 억제할 수 있다. 특히, 차량 탑재용의 제1 전자 장치(40)의 경우, 차량은 일반적으로 사용 환경이 가혹하거나 또는 요구 사양이 엄격하기 때문에 보다 효과적이다.
도 2는, 제1 패드(Pi1)와 측정용 단자(Pw1)가 금 배선(Lg)에 의해 전기적으로 접속되어 있는 상태의 외관을 나타낸 도면이다. IC 칩(20)의 형성 후, 상기 IC 칩(20)의 외부에 금 배선(Lg)이 형성된다. 이하, 도 1과 동등한 구성에는 동일한 부호를 붙여 적절히 설명을 생략하다.
금 배선(Lg)에 관해, 그 길이나 폭을 조정함으로써, 임피던스(Rp1)의 값을 원하는 값으로 조정할 수 있다. 또한, 저항 소자나 알루미늄 배선의 임피던스를 이용하는 대신, 금 배선(Lg)의 임피던스(Rp1)를 이용함으로써, 발열이나 전력 손실의 문제를 경감할 수 있고, 알루미늄 배선 대신 금 배선(Lg)을 사용함으로써 장기간의 사용에 의한 부식이나 마이그레이션의 문제를 경감할 수 있어, 높은 신뢰성을 실현할 수 있다.
또한, 동 도면에 나타내는 바와 같이, 제1 패드(Pi1)와 측정용 단자(Pw1) 사 이의 금 배선(Lg)을 IC 칩(20)의 외부에 형성함으로써, IC 칩(20)의 현상의 특성을 유지하면서 형성할 수 있으므로, 종래부터의 특성을 이용하여 설계할 수 있다.
(실시형태 2)
도 3은, 실시형태 2에 관한 제2 전자 장치(50)의 구성을 나타낸다. 이 제2 전자 장치(50)는, 모터 드라이버의 출력단이다. 이하, 실시형태 1과 동등한 구성에는 동일한 부호를 붙여 적절히 설명을 생략한다. 본 실시형태가 실시형태 1과 다른 것은, 트랜지스터가 4개 존재하는 것이며, 이들을 이용하여 H 브릿지 회로를 구성한다. 제1 PMOS형 트랜지스터(Q1)의 배치는 실시형태 1과 동일하다. IC 칩(20) 내에서, PMOS형 트랜지스터(Q1)를 갖는 제1 과전류 보호 회로(30a)와 NMOS형 트랜지스터(Q2)를 갖는 제2 과전류 보호 회로(30b)를, PMOS형 트랜지스터(Q1)의 드레인과 NMOS형 트랜지스터(Q2)의 드레인을 공통으로 하도록 전기적으로 접속한다. 그 결과, 제2 과전류 보호 회로(30b)는, 제1 과전류 보호 회로(30a) 내의 제2 패드(Po1)를 공유할 수 있고, 제2 패드(Po1)에 와이어 접속된 출력용 외부 단자(Po2)를 통해 부하 장치(31), 여기서는 코일의 일단에 인가하는 전압을 제어한다. 상기한 바와 같이 제1 과전류 보호 회로(30a)와 제2 과전류 보호 회로(30b)를 조합하여 구성된 2조의 회로를, 동 도면에 나타내는 바와 같이 더 조합함으로써 H 브릿지 회로를 구성할 수 있다. 여기서, 상기 기술한 2조의 회로 중, 일방의 회로는 제3 과전류 보호 회로(30c) 및 제4 과전류 보호 회로(30d)를 포함한다. 이러한 제3 과전류 보호 회로(30c), 제4 과전류 보호 회로(30d)의 구성은 각각 제1 과전류 보호 회로(30a), 제2 과전류 보호 회로(30b)의 구성과 동일하다.
제1 과전류 보호 회로(30a)의 비교기(C1)로부터의 신호는 오어 게이트(S1)에 입력되고, 제2 과전류 보호 회로(30b)의 비교기(C2)로부터의 신호는, 도중에 반전 회로(24)에 의해 반전되어 앤드(AND) 게이트(S2)에 입력된다. 마찬가지로, 제3 과전류 보호 회로(30c)의 비교기(C3)로부터의 신호는 오어 게이트(S3)에 입력되고, 제4 과전류 보호 회로(30d)의 비교기(C4)로부터의 신호는, 도중에 반전 회로(24)에 의해 반전되어 앤드 게이트(S4)에 입력된다. 제어 회로(22)로부터의 신호는, 오어 게이트(S1), 앤드 게이트(S2), 오어 게이트(S3) 및 앤드 게이트(S4)에 입력된다.
제2 과전류 보호 회로(30b)의 제1 패드(Po3), 측정용 단자(Pw2), 금 배선의 임피던스(Rp2), 출력 와이어(Wo2) 및 출력용 외부 단자(Po4)는, 각각 제1 과전류 보호 회로(30a)에서의 제1 패드(Pi1), 측정용 단자(Pw1), 금 배선의 임피던스(Rp1), 입력 와이어(Wi1) 및 입력용 외부 단자(Pi2)에 상당한다. 단, 제1 과전류 보호 회로(30a)에서는, 입력용 외부 단자(Pi2)로부터 입력 와이어(Wi1)를 통해 제1 패드(Pi1)에 전류가 흐르는 데 비해, 제2 과전류 보호 회로(30b)에서는, 출력용 외부 단자(Po2), 제2 패드(Po1), 제1 패드(Po3), 출력용 외부 단자(Po4)의 순으로, 도중에 출력 와이어(Wo2)를 통해 전류가 흐른다.
이하, 도 3에서의 제2 전자 장치(50)내의 제2 과전류 보호 회로(30b)의 동작을 설명한다. 앤드 게이트(S2)는, 비교기(C2)로부터 출력되는 신호와 제어 회로(22)로부터 출력되는 신호를 논리곱(AND)하여 NMOS형 트랜지스터(Q2)에 출력한다. 비교기(C2)의 출력은 통상은「0」이며, 도중에 반전 회로(24)에 의해「1」로 반전되어 앤드 게이트(S2)에 입력된다. 이에 의해, 과전류를 검출하지 않는 한, 제어 회로(22)의 통상 동작에 영향을 미치지 않는다. 그러나, 과전류가 발생한 경우, 금 배선의 임피던스(Rp2)에 의해 발생하는 전위차는 소정의 임계값보다 커지고, 비교기(C2)의 출력은「1」, 즉 앤드 게이트(S2)에 입력되는 신호는「0」이 되기 때문에, 제어 회로(22)의 출력은 무시되고, 강제적으로 NMOS형 트랜지스터(Q2)가 오프된다. 제4 과전류 보호 회로(30d)도 제2 과전류 보호 회로(30b)와 동일한 동작을 한다.
과전류가 발생한 경우, 비교기(C1)는 제1 과전류 보호 회로(30a)에서의 PMOS형 트랜지스터(Q1)를 오프하고, 비교기(C2)는 제2 과전류 보호 회로(30b)에서의 NMOS형 트랜지스터(Q2)를 오프하는 것이 가능하고, 이들 회로로 구성되는 H 브릿지 회로에서, 어떤 패스에 있어서도 과전류를 셧오프할 수 있다.
이에 의해 과전류가 반도체 장치(10)나 부하 장치(31), 여기서는 코일로 계속 흘러 소자가 고장나는 문제를 회피할 수 있다. 특히, H 브릿지 회로를 갖는 차량 탑재용의 제2 전자 장치(50)는, 부하 장치(31)에 대해 어느 정도의 전류를 흘리는 경우가 많아, 과전류를 셧오프하는 발상이 필요해진다. 따라서, 실시형태 1에서의 과전류를 셧오프하는 과전류 보호 회로(30)를 4개 조합하여 H 브릿지 회로에 적용하는 것은 보다 효과적이고, 그 제2 전자 장치(50)는 실시형태 1에서의 이점을 그대로 누릴 수 있다.
이상, 본 발명을 실시형태를 기초로 설명했다. 이 실시형태는 예시이며, 여러가지 변형예가 가능한 것, 또한 그러한 변형예도 본 발명의 범위에 있는 것은 당업자가 이해하는 부분이다.
그와 같은 변형예를 설명한다. 예를 들어, 실시형태 1에서는, PMOS형 트랜지스터를 사용했지만, NMOS형 트랜지스터이어도 된다. 실시형태 2에서는, 제1 과전류 보호 회로(30a)에 PMOS형 트랜지스터, 제2 과전류 보호 회로(30b)에 NMOS형 트랜지스터를 사용했지만, 제1 과전류 보호 회로(30a)에 NMOS형 트랜지스터, 제2 과전류 보호 회로(30b)에 PMOS형 트랜지스터를 사용해도 되고, 양쪽 모두 PMOS형 트랜지스터를 사용해도 되고, 혹은 양쪽 모두 NMOS형 트랜지스터를 사용해도 된다. 실시형태에서는, MOS 트랜지스터를 사용했지만 트랜지스터는 당연히 바이폴라 타입이어도 된다.
실시형태로서 시리즈 레귤레이터 및 H 브릿지 회로를 설명했다. 별도의 변형예로서, 전자 장치는 스위칭 레귤레이터, 차지 펌프형 레귤레이터 등 다른 레귤레이터를 구비해도 된다. 또한, 3상 모터를 구동하는 모터 드라이버 회로이어도 된다.
또한, 실시형태 1 및 실시형태 2에서는, IC 칩측의 패드와 IC의 외부 단자를 와이어로 접속한 반도체 장치를 설명했다. 그러나, 반도체 장치는 고밀도화를 실현하는 플립 칩을 실장한 것이어도 된다. 이에 의해, 보다 소형화, 고기능화가 요구되는 카메라나 휴대전화 등의 전자 기기가, 상기 기술한 플립플롭을 실장한 반도체 장치를 탑재함으로써 실시형태 1 및 실시형태 2에서 서술한 동일한 효과를 누릴 수 있다.
본 발명에 따르면, 장기적 신뢰성을 향상시켜, 발열이나 전력 손실의 문제를 경감하는 반도체 장치 및 전자 장치를 제공할 수 있다.

Claims (8)

  1. IC 칩을 가지는 반도체 장치에 있어서,
    상기 IC 칩은 과전류 보호 회로를 구비하고,
    상기 과전류 보호 회로는,
    입력용 외부 단자와 접속되는 제1 패드와,
    상기 제1 패드와 소정의 저항 성분을 갖는 배선에 의해 전기적으로 접속되고, 어느 외부 단자와도 접속되지 않는 측정용 단자와,
    출력용 외부 단자에 접속되는 제2 패드와,
    상기 측정용 단자와 상기 제2 패드의 전기적인 접속을 온/오프하는 스위치 회로와,
    상기 제1 패드와 측정용 단자의 전위차가 소정 값을 초과했을 때 상기 스위치 회로를 오프하는 비교기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 비교기와는 별도로, 소정의 논리 제어에 따라 상기 스위치 회로를 온/오프하는 제어부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 측정용 단자가 패드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 IC 칩의 형성 후, 상기 IC 칩의 외부에 상기 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 배선은 금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 패드를 공유하는 상기 과전류 보호 회로를 복수개 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 청구항 2 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 반도체 장치와,
    상기 반도체 장치에 의해 형성되는 H 브릿지 회로에 의해 구동되는 소정의 부하 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 청구항 7에 있어서, 본 전자 장치를 차량 탑재용으로 하는 동시에, 상기 차량에서의 상기 부하 장치에 상정되는 고장을 기초로 상기 소정 값을 정한 것을 특징으로 하는 전자 장치.
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