KR20070003854A - Ｃｍｐ 후 세정을 위한 개선된 산성 화학 - Google Patents

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레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조 중에서 웨이퍼의 화학-기계적 평탄화(CMP) 후, 반도체 웨이퍼를 세정하는 것에 관한 것이다. 본 발명에는 금속 상호접속부, 특히 구리 상호접속부를 함유하는 웨이퍼의 CMP 후 세정을 위한 산성 화학이 개시되어 있다. 잔류 슬러리 입자, 특히 구리 또는 다른 금속 입자는, 산화 및 부식으로부터 금속을 보호하는 동시에 금속을 현저히 에칭 처리하지 않거나, 표면 상에 침착물을 남기지 않거나, 또는 웨이퍼에 유기(예컨대 탄소) 오염을 현저히 부과하지 않으면서 웨이퍼 표면으로부터 제거한다. 추가로, 적어도 강한 하나의 킬레이트화제가 존재하여 용액 중에서 금속 이온을 착화하고, 유전체로부터 금속의 제거를 촉진하며, 웨이퍼 상의 재침착을 방지한다. 산성 화학을 이용할 경우, CMP 후에 사용된 세정액의 pH와 웨이퍼 표면 상에 사용된 최종 슬러리의 pH를 일치시키는 것이 가능하다.

Description

ＣＭＰ 후 세정을 위한 개선된 산성 화학{IMPROVED ACIDIC CHEMISTRY FOR POST-CMP CLEANING}
전자 웨이퍼 칩의 제조는 화학-기계적 평탄화(CMP: Chemical Mechanical Planarization) 중에 또는 후에 액체 용액으로 반도체 소재(semiconductor work-piece)를 세정하는 단계를 포함한다. "반도체 소재"는 제조 공정을 완료하지 않는 마이크로전자 장치, 통상적으로 실리콘 웨이퍼 표면 안에 또는 위에 형성된 활성 영역을 보유한 실리콘 웨이퍼이다. 활성 영역에 대한 접속부(connection)는 실리콘 기판 상에 침착되어 있는 금속, 통상적으로 구리 또는 텅스텐의 다층을 사용하여 이루어진다. 구리를 상호접속 재료로서 사용하는 경우, 다마신 공정(damascene process)을 이용하여 구리를 내부층 유전체 내로 식각된 라인으로 침착시키고, 이어서 과량의 구리를 제거하며 CMP 공정을 이용하여 표면을 평탄화시킨 후 세정 단계를 수행한다. 세정 공정("CMP 후 세정")의 목적은, 금속을 현저히 에칭 처리하거나, 표면 상의 침착물을 남기거나, 또는 반도체 소재에 상당한 유기(예컨대 탄소) 오염을 부과하는 일 없이 반도체 소재 표면으로부터 CMP 단계에 의해 남아있는 잔류물을 제거하는 것이다. 추가로, 다양한 메카니즘, 예컨대 화학적 에칭, 갈바니 부식 또는 광유도 부식에 의한 부식으로부터 금속 표면을 보호하는 것이 바람직하다. 금속 표면의 부식은 결과로 금속 리세스(recess) 및 금속 라인의 세선 화(thining)를 야기시킨다. 산성 세정액은 웨이퍼 표면으로부터 유기 오염을 제거하고 잔류 구리를 착화시키는 데 종종 매우 효과적이다. 그러므로, 중간 pH 내지 낮은 pH 구성에 효과적인 세정액을 갖는 것이 바람직하다. 산성 화학은 통상적으로 CMP 후 세정을 위한 브러쉬 스크러버(brush scrubber) 또는 메가소닉(megasonic) 세정 유닛에서 이용한다.
세정액은 세정 공정 중에 다른 기능을 수행하는 다양한 화학물질을 함유할 수 있다. 세정액은 "세정제"를 함유해야 한다. "세정제"는 반도체 소재 표면으로부터 잔류 CMP 슬러리 입자, 통상적으로 금속 입자를 제거하는 용액의 성분이다. 또한, 세정액은 "킬레이트화제", "부식-억제 화합물" 및/또는 "계면활성제"를 함유할 수 있다. "킬레이트화제"는 세정액 중의 금속을 착화시킴으로써 제거된 금속이 반도체 소재로 재침착되는 것을 방지하도록 돕는다. "부식-억제 화합물"은 세정액의 공격적 성질과 같은 메카니즘에 의한 어택(attack), 산화, 세정후 부식, 갈바니 어택 또는 광유도된 어택으로부터 금속 표면을 보호하는 세정액의 성분이다. "계면활성제"는 습윤 특성을 변환시키고 워터마크 형성을 방지하는 세정액의 성분이다.
미국 특허 06,194,366, 06,200,947, 06,436,302, 06,492,308, 06,546,939, 06,673,757 및 미국 특허 공개 2001/0004633에는 CMP 후 세정용 세정액과 관련된 정보가 개시되어 있다. 그러나, 이들 참조문헌은 하기 논의되는 하나 이상의 단점을 지니고 있다.
최적의 세정액은 표면 상에 보호 필름을 형성함으로써 반도체 장치의 금속 표면이 높은 정적 식각율(static etch rate)을 보유하는 것과 금속 표면이 산화되 는 것으로부터 보호해야 한다. 반도체 소재의 금속 표면은 통상적으로 구리이고, 반도체 웨이퍼의 도전 경로를 형성한다. 반도체 웨이퍼 상에서 피처(feature)의 매우 작은 크기 때문에, 금속 라인은 소정의 전기 전류를 여전히 운반하면서 가능한 만큼 얇아야 한다. 표면 상에서의 임의의 산화 또는 부식, 또는 금속의 리세스는 라인의 세선화(분해)를 유발시키고 결과적으로 반도체 장치의 결함 성능 또는 고장을 야기시킨다. 그러므로, 금속 표면 상에 적절한 내식성 필름을 형성시킴으로써 부식으로부터 금속 표면을 보호하는 것이 중요하다. 당업계에 사용가능한 일부 세정액은 필름 형성제를 제공하지 않으므로, 높은 정적 식각율 및/또는 높은 RMS 수치를 겪는다.
세정액의 부식 방지 능력은 주 용액에 의해 세정되어 있는 금속 표면의 정적 식각율 또는 표면 조도(RMS(평균 제곱 근: root mean square) 수치에 의해 정량화됨)를 측정함으로써 정량화한다. 높은 정적 식각율은 금속 표면의 분해가 일어남을 나타낸다. 높은 RMS 수치는 금속의 어택에 의해 야기된 거친 표면을 나타낸다. 효과적인 보호 필름은 세정 후 정적 식각율 및 RMS 수치에 의해 나타낸 바와 같이 금속의 부식을 감소시킨다. 또한, 세정액의 내식성은 당업자에게 알려진 전기화학적 수단을 사용하여 직접 측정할 수 있다.
산화 부식으로부터 금속 표면을 보호하는 한가지 바람직한 방법은 세정 후에 또는 중에 금속 표면을 부동태화시킴으로써 이루어진 것이다. 일부 현행 산성 세정 화학은 금속을 부동태화시키지 않음으로, 결과적으로 금속 표면 산화에 의해 세정 단계 중에 또는 후에 부식을 야기시킨다.
또한, 단일 단계로 반도체 표면을 세정하고 보호하는 것이 바람직하다. 웨이퍼 표면을 평탄화시키기 위한 일부 화학은 세정 단계 후에, 물 또는 억제제 용액으로 헹구는 추가 단계를 포함한다. 일부 헹굼제는 소재 표면 상에 침착물을 남겨서 웨이퍼를 오염시킬 수 있다. 또한, 제2 단계를 추가하는 것은, 제조 공정을 연장시키고, 보다 많은 화학물질 및 보다 많은 단계를 취급함으로써 공정을 복잡하게 하며, 하나 이상의 가능한 오염원 또는 기타 품질 관리 문제점을 제공한다는 사실 때문에 결점이 된다. 그러므로, 명백히 반도체 소재 표면을 세정하고 보호하는 공정이 바람직하다.
또한 잔류 금속을 제거하여 세정액 중에 그 잔류 금속을 보유하게 하는 세정 화학의 능력은 CMP 후 세정용 세정액의 중요한 특성이다. 세정액 중의 잔류 금속을 착화시킬 수 있는 화학물질은, 잔류 금속이 제거된 후에 반도체 소재 상에 재침착되지 않기 때문에 효과적인 세정액이다. 이러한 착화를 위한 화학물질은 "킬레이트화제"를 의미한다. 잔류 금속을 착화시킬 수 없는 화학을 이용하는 세정액은 통상적으로 소정의 세정 작업에서 불량하게 수행한다. 그러므로, 금속을 제거하여 세정액 중에 용해된 금속을 착화시킬 수 있는 세정액을 갖는 것이 바람직하다.
반도체 표면 세정과 관련한 또다른 일반적인 문제는 반도체 장치 표면 상의 오염물의 침착이다. 원하지 않는 조성의 몇가지 분자, 예컨대 탄소조차 침착시키는 임의의 세정액은 반도체 장치의 성능에 불리하게 영향을 미친다. 또한 헹굼 단계를 필요로 하는 세정액은 결과적으로 표면 상의 오염물 침착을 야기시킬 수 있다. 그러므로, 반도체 표면 상에 어떠한 잔류물도 남지기 않는 세정 화학을 이용하는 것 이 바람직하다.
또한 세정액 중에 표면 습윤제를 보유하는 것이 바람직할 수 있다. 표면 습윤제는 표면에 밀착되어 있는 액적에 의해 유발된 표면 얼룩형성(spotting)을 방지하는 데 도움을 줌으로써 반도체 소재의 오염을 방지한다. 표면 상의 얼룩형성(또한 워터마크라고 칭하기도 함)은 광 포인트 결함(light point defect)을 측정하는 계측기를 포화시킴으로써 반도체 소재 중의 결함을 숨길 수 있다.
상기 설명한 바와 같이, 이용가능한 세정액은 CMP 후 세정의 모든 요건을 적절히 만족시키지 않는다. 본 발명의 화학은 복수 첨가제를 사용하여 산소에 민감하지 않고 입자를 효과적으로 제거하며, 유전체 표면으로부터 금속을 제거하고, 중성 내지 저 pH 범위에 있으며, 부식 및 분해로부터 금속을 보호하고, 반도체 표면을 오염시키지 않는 용액을 제공한다.
발명의 개요
본 발명은 산소에 민감하지 않고, 잔류 입자를 효과적으로 제거하며, 유전체 표면으로부터 금속, 특히 구리를 제거하고, 중성 내지 저 pH 범위에 있으며, 산화, 부식 및 분해로부터 금속을 보호하고, 반도체 표면을 오염시키지 않는, 반도체 소재를 세정하기 위한 용액을 제공한다. 추가로, 금속 표면을 세정하고 보호하는 단계는 단일 용액을 사용하여 단일 단계로 달성한다.
본 발명의 세정액은 세정제 및 부식-억제 화합물을 포함한다. 세정제는 암모늄 시트레이트, 암모늄 옥살레이트, 아스파르트산, 벤조산, 시트르산, 시스테인, 글리신, 글루콘산, 글루탐산, 히스티딘, 말레산, 옥살산, 프로피온산, 살리실산 또는 타르타르산, 또는 이들 세정제 중 하나 이상의 조합물이다. 부식-억제 화합물은 아스코르브산, 벤조트리아졸, 카페인산, 신남산, 시스테인, 글루코스, 이미다졸, 메르캅토티아졸린, 메르캅토에탄올, 메르캅토프로피온산, 메르캅토벤조티아졸, 메르캅토메틸이미다졸, 탄닌산, 티오글리세롤, 티오살리실산, 트리아졸, 바닐린 또는 바닐릭 산, 또는 이들 부식-억제 화합물 중의 하나 이상의 조합물이다.
또한, 본 발명의 세정제는 킬레이트화제이다. 본 발명의 세정 작용은 반도체 소재의 표면으로부터 잔류 입자를 효과적으로 제거하고, 또한 용액 중에 제거되어 있는 금속을 착화시킨다. 그러므로, 세정 효율은 금속이 반도체 소재 표면 상에 재침착하는 것을 방지함으로써 개선된다.
본 발명의 부식-억제 화합물은 산화 및 부식으로부터 반도체 소재의 금속을 보호한다. 부식 억제 화합물은 세정 단계 중에 또는 후에 화학적 어택, 갈바니 어택 및 광유도 어택으로부터 금속 표면을 보호하는 필름을 반도체 소재의 금속 상에 형성시키는 데 효과적이다. 하나의 바람직한 실시양태는 금속 표면을 환원시킴으로써 보호 필름을 형성한다. 어택으로부터 금속 표면을 보호함으로써, 금속은 소정의 두께 및 전기 운반 용량을 유지한다.
본 발명의 세정액은 이것이 임의의 산소 민감성 화합물을 함유하지 않기 때문에 산소에 높게 민감하지 않는다. 세정액은 산소에 높게 반응하지 않기 때문에 세정액의 성능은 세정 장치 내 공기의 존재에 의해 영향을 받지 않는다. 그러므로, 본 발명의 세정액은 기본적으로 모든 공기를 지닌 저장, 이동 및 세정 장비를 퍼지 처리하는 추가 예비조치를 이용하는 일 없이 사용할 수 있다.
본 발명의 세정액은 동일 단계에서 반도체 소재를 세정하고 금속 표면 상에 부식-억제 필름을 형성시킨다. 세정 및 부식-억제 단계는 단일 단계에서 이루어지기 때문에, 완전히 별도의 용액을 취급함으로써 우발적인 오염의 가능성이 보다 적다. 추가로, 추가 억제 단계를 추가할 필요가 없이 유용한 공정 시간이 절약된다.
세정액의 일부 바람직한 실시양태는 계면활성제(또한 표면 습윤제라고 칭하기도 함)를 포함한다. 계면활성제는 오염 공급원이 될 수 있거나 반도체 소재 중의 결함을 숨길 수 있는 표면 상의 얼룩형성(워터마크)을 방지하도록 돕는다.
발명에 관한 상세한 설명
본 발명은 반도체 소재를 세정하는 세정액에 관한 것이다. 세정액의 조성물은 세정제 및 부식-억제 화합물을 포함한다. 바람직한 세정제는 암모늄 시트레이트, 암모늄 옥살레이트, 아스파르트산, 벤조산, 시트르산, 시스테인, 글리신, 글루콘산, 글루탐산, 히스티딘, 말레산, 옥살산, 프로피온산, 살리실산, 타르타르산, 또는 이들의 혼합물이다. 바람직한 부식-억제 화합물은 아스코르브산, 벤조트리아졸, 카페인산, 신남산, 시스테인, 글루코스, 이미다졸, 메르캅토티아졸린, 메르캅토에탄올, 메르캅토프로피온산, 메르캅토벤조티아졸, 메르캅토메틸이미다졸, 탄닌산, 티오글리세롤, 티오살리실산, 트리아졸, 바닐린, 바닐릭 산, 또는 이들의 혼합물이다.
바람직한 세정액은 하나 이상의 세정제의 혼합물을 함유한다. 더욱이, 바람직한 세정액은 하나 이상의 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 하나의 바람직한 세정제, 시스테인은 용액 중의 잔류 금속을 착화시키고, 그 금속 표면을 부동태화시킨다.
바람직한 실시양태는 하나 이상의 부식-억제 화합물의 혼합물을 함유할 수 있다. 예를 들면, 하나의 바람직한 세정액은 세정제인 암모늄 시트레이트 및 부식-억제제인 아스코르브산과 시스테인의 혼합물을 포함한다. 이 실시양태에서, 바람직한 혼합물은 암모늄 시트레이트 5 중량%, 아스코르브산 0.5중량% 및 시스테인 0.5 중량%의 농도를 갖는다. 바람직한 실시양태는 사용전에 탈이온(DI)수로 5X 내지 20X로 희석할 수 있다. 또다른 바람직한 세정액은 암모늄 시트레이트 및 아스코르브산과 메르캅토프로피온산의 혼합물을 포함한다.
본 발명의 세정액의 바람직한 실시양태는 중성 내지 산성 pH를 갖는다. 약 2 내지 약 6의 pH가 더욱 바람직하다.
세정액은 농축 형태로 공급하거나, 또는 물 또는 당업계에 알려진 다른 적합한 희석제로 희석시킬 수 있다.
하나의 바람직한 세정액은 심지어 반도체 표면의 습윤을 촉진시키는 계면활성제를 포함한다. 바람직한 실시양태는 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 쯔비터이온성 계면활성제 또는 양쪽성 계면활성제, 또는 이들의 혼합물이지만, 이에 국한되는 것은 아니다.
당업자는 불필요한 실험 없이 통상의 화학 혼합 기법을 이용하여 본 발명의 세정액을 제조할 수 있다.
본 발명은 하기 실시예를 참조하여 보다 상세히 예시하지만, 실시예는 예시적 목적을 위한 것으로 본 발명의 범위를 한정하는 것으로 이해해서는 안된다.
실시예 1
본 발명의 화학물질을 테스트하여 상업적으로 이용가능한 산성 CMP 후 클리너와 비교하여 입자 제거 효율을 측정하였다. 블랭킷 구리 웨이퍼를 실리카 입자로 구성된 상업적으로 이용가능한 배리어 CMP 슬러리로 오염시켰다. 이어서, 그 웨이퍼를 메가소닉 탱크 중의 본 발명의 화학물질 샘플로 세정한 후 헹구고 스핀 린스 건조 처리하였다. DI수로만 세정되는 오염된 웨이퍼뿐만 아니라 임의의 슬러리 입자에 노출되지 않은 대조 웨이퍼를 비교 연구에 포함시켰다. 표에 제시된 결과는 상업적으로 이용가능한 대체품과 비교하여 구리 표면으로부터의 잔류 슬러리 입자의 제거에서 본 발명의 한 실시양태 효과성을 입증해 보여준다. 표준 KLA-텐코(Tencor) SP1 레시피(recipe)에 의해 측정된, 본 발명의 화학에 의해 세정된 웨이퍼 상의 입자계수는 미오염된 웨이퍼의 계수에 근접하고 상업적 산성 CMP 후 세정으로 세정된 웨이퍼의 계수보다 더 낮았다.
결함 총계
세정 화학 All Lpd
[#] [#]
대조 웨이퍼 742 706
DI수에 세정된 웨이퍼 65431 65402
상업적 화학에 세정된 웨이퍼 1852 1368
시트르산+아스코르브산+시스테인에 세정된 웨이퍼 1457 1451
표 1: 실리카 입자 슬러리에 노출되고 DI수, 상업적으로 이용가능한 제품 및 본 발명의 바람직한 실시양태에 의해 세정된 Cu 웨이퍼의 SP1 입자 제거 데이타. "All"은 모든 결함의 총계를 의미한다. "Lpd"는 광 포인트 결함을 의미한다. "[#]"는 갯수를 의미한다.
실시예 2
제2 연구에서는, 부식 및 분해로부터 구리 및 배리어 물질을 보호하는데 화학물질의 효율을 측정하기 위해서, 패턴화된 Cu/저 k 및 블랭킷 구리 웨이퍼를 상업적으로 이용가능한 대체품 뿐만아니라 본 발명의 화학물질에 노출시켰다. 표 2는 이들 실험으로부터 하나의 데이타 세트를 나타내고 있는 것으로, 본 발명의 바람직한 실시양태가 상업적으로 이용가능한 산성 CMP 후 클리너보다 배리어 분해를 방지(갈바니 부식 방지의 예)하는데 더욱 효과적이다는 점을 예시하여 보여주고 있다. 또한, 상기 데이타는 이러한 화학물질이 부식에 대해 구리를 더욱 보호하고 실시예 1에 의해 증명된 바와 같이 더욱 효과적으로 표면으로부터 입자를 세정할 수 있다는 것을 제시하여 보여주고 있다.
Cu 배리어
세정 화학 (ppb) (ppb)
시트르산+아스코르브산+시스테인에 세정된 웨이퍼 20.2 <0.5
상업적 화학 41 34
표 2: 상업적으로 이용가능한 제품 및 본 발명의 바람직한 실시양태에 노출된 패턴화된 웨이퍼에 대한 구리 및 배리어 분해의 수. 바람직한 실시양태는 갈바니 부식으로부터 배리어 물질을 보호할 수 있다.
본 발명은 본 발명의 임의의 바람직한 변형예를 참조하여 상당히 자세하게 기술하였지만, 다른 변형예도 가능하다. 예를 들면, 조성물은 CMP 후 세정 이외의 공정에서 실현할 수 있다. 추가로, 반도체 소재의 세정은 세정액의 다양한 농도, 온도 및 조건에서 달성할 수 있다. 더욱이, 본 발명은, 구리, 규소 및 유전체 필름을 함유하는 표면(이에 한정되지 않음)을 비롯한 다양한 표면을 세정하는데 사용할 수 있다. 그러므로, 첨부되는 청구의 범위의 사상 및 영역은 본 명세서에 함유된 하나의 바람직한 변형예에 관한 설명에 한정되어서는 안된다. 출원인은 부가되는 청구의 범위에 의해 정의되는 바와 같이 본 발명의 사상 및 영역 내에 속하는 모든 변형예, 등가예 및 대체예를 포함한다.

Claims (24)

  1. 반도체 소재를 세정하는 조성물로서,
    암모늄 시트레이트, 암모늄 옥살레이트, 아스파르트산, 벤조산, 시트르산, 시스테인, 글리신, 글루콘산, 글루탐산, 히스티딘, 말레산, 옥살산, 프로피온산, 살리실산, 타르타르산 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 세정제, 및
    아스코르브산, 벤조트리아졸, 카페인산, 신남산, 시스테인, 글루코스, 이미다졸, 메르캅토티아졸린, 메르캅토에탄올, 메르캅토프로피온산, 메르캅토벤조티아졸, 메르캅토메틸이미다졸, 탄닌산, 티오글리세롤, 티오살리실산, 트리아졸, 바닐린, 바닐릭 산 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 부식-억제 화합물
    을 포함하는 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 쯔비터이온성 계면활성제 및 양쪽성 계면활성제, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 희석제를 추가로 포함하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, pH가 약 2 내지 약 6인 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 세정제는 암모늄 시트레이트를 포함하는 것인 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 부식-억제 화합물은 아스코르브산을 포함하는 것인 조성물.
  8. 제7항에 있어서, 시스테인을 추가로 포함하는 조성물.
  9. 제8항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 쯔비터이온성 계면활성제 및 양쪽성 계면활성제, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  11. 제10항에 있어서, 희석제를 추가로 포함하는 조성물.
  12. 제7항에 있어서, 메르캅토프로피온산을 추가로 포함하는 조성물.
  13. 제12항에 있어서, 계면활성제를 추가로 포함하는 조성물.
  14. 제13항에 있어서, 상기 계면활성제는 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 쯔비터이온성 계면활성제 및 양쪽성 계면활성제, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 조성물.
  15. 제14항에 있어서, 희석제를 추가로 포함하는 조성물.
  16. 반도체 소재를 세정하는 방법으로서,
    반도체 소재를 제공하는 단계,
    상기 반도체 소재를 세정액과 접촉시키는 단계로서, 상기 세정액은
    암모늄 시트레이트, 암모늄 옥살레이트, 아스파르트산, 벤조산, 시트르산, 시스테인, 글리신, 글루콘산, 글루탐산, 히스티딘, 말레산, 옥살산, 프로피온산, 살리실산, 타르타르산 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 세정제, 및
    아스코르브산, 벤조트리아졸, 카페인산, 신남산, 시스테인, 글루코스, 이미다졸, 메르캅토티아졸린, 메르캅토에탄올, 메르캅토프로피온산, 메르캅토벤조티아졸, 메르캅토메틸이미다졸, 탄닌산, 티오글리세롤, 티오살리실산, 트리아졸, 바닐린, 바닐릭 산 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 부식-억제 화합물
    을 포함하는 것인 단계
    를 포함하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 세정액은 비이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 양이온성 계면활성제, 쯔비터이온성 계면활성제 및 양쪽성 계면활성제, 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택된 계면활성제를 추가로 포함하는 것인 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 세정액은 희석제를 추가로 포함하는 것인 방법.
  19. 제16항에 있어서, 상기 반도체 소재는 금속 라인, 배리어 물질 및 유전체를 포함하는 것인 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 금속 라인은 구리를 포함하는 것인 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 배리어 물질은 Ta, TaN, Ti, TiN, W 및 WN으로 구성된 군으로부터 선택된 물질을 포함하는 것인 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 세정제는 암모늄 시트레이트를 포함하는 것인 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 부식-억제 화합물은 아스코르브산을 포함하는 것인 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 부식-억제 화합물은 시스테인을 추가로 포함하는 것인 방법.
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