KR20060114347A - 레지스트 박리 동안 다공성 로우-ｋ 재료의 손상을방지하는 방법 - Google Patents

레지스트 박리 동안 다공성 로우-ｋ 재료의 손상을방지하는 방법 Download PDF

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Abstract

다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법이 제공된다. 다공성 로우-K 유전체층은 기판상에 배치된다. 패터닝된 포토레지스트 마스크는 다공성 로우-K 유전체층 상에 배치된다. 피쳐는 다공성 로우-K 유전체층으로 에칭된다. 보호층은 피쳐를 에칭한 후에 피쳐 상에 성막된다. 패터닝된 포토레지스트 마스크는 박리되어, 보호층으로부터 형성된 보호벽이 피쳐내에 잔류하는 곳에서 보호층의 일부가 제거된다.
다공성 로우-K 유전체층, 패터닝된 포토레지스트 마스크, 피쳐

Description

레지스트 박리 동안 다공성 로우-Ｋ 재료의 손상을 방지하는 방법{METHOD OF PREVENTING DAMAGE TO POROUS LOW-K MATERIALS DURING RESIST STRIPPING}
발명의 배경
본 발명은 반도체-기반 장치의 제조에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 다공성 로우-K 유전체층 (porous low-K dielectric layer) 을 가지는 반도체-기반 장치를 제조하도록 개선된 기술에 관한 것이다.
반도체-기반 장치 (예를 들어, 집적 회로 또는 평판 디스플레이) 제조에서, 듀얼 다마신 (damascene) 구조체는 이전 세대 기술에 이용된 알루미늄 기반 재료에서의 신호 전달과 관련된 RC 지연을 감소시키기 위해 구리 도전체 재료와 함께 이용될 수도 있다. 듀얼 다마신 공정에서는, 도전체 재료를 에칭하는 대신, 바이어스, 및 트렌치가 유전체 재료로 에칭될 수도 있고 구리로 채워질 수도 있다. 신호 송신을 위해 비어와 접속된 구리선을 남기고, 여분의 구리가 CMP (chemical mechanical polishing) 에 의해 제거될 수도 있다. RC 지연을 보다 감소시키기 위해, 다공성 저유전율 재료 (porous low dielectric constant material) 가 이용될 수도 있다. 이러한 다공성 저유전율 재료는 다공성 OSG (organo-silicate-glass) 재료를 포함할 수도 있다. OSG 재료는 메틸기와 같은 유기적인 성분으로 도핑된 실리콘 다이옥사이드일 수도 있다. OSG 재료는 실리콘 다이옥사이드 격자에 포함되는 탄소 및 수소 원자를 가짐으로써, 재료의 유전율을 낮춘다. 그러나, OSG 재료는 포토 레지스트를 박리 (stripping) 하기 위해 이용된 O2, H2 및 NH3 가스에 노출되면, 손상을 입을 수도 있다. 다공성 재료는 기공 (pore) 을 가짐으로써, 박리 플라즈마가 층에 더 깊게 도달하도록 함으로써, 더 큰 손상이 유발된다.
다공성 OSG 재료는 레지스트 및 측벽을 박리하기 위해 이용된 플라즈마에 노출되어 유기 함유물이 제거됨으로써 쉽게 손상될 수도 있다. 플라즈마는 다공성 OSG 층의 기공 내부로 확산할 수도 있고, 개구 (opening) 에 인접하는 OSG 층으로 300 nm 까지의 손상을 유발할 수도 있다. 플라즈마에 의한 손상 부분은 손상 영역으로부터 탄소와 수소가 제거됨으로써, OSG 가 보다 실리콘 다이옥사이드와 유사하게 되어, 보다 높은 유전율을 갖게 된다. 손상은 FTIR 분석으로부터 OSG 층의 SiC/SiO 비율에서의 변화를 측정함으로써 정량화될 수도 있다. 트렌치 측벽에 대해 바꾸어 본다면, 2000Å 트렌치 벽의 각각의 단부 상에 수백 옹스트롬 (angstrom) 의 손상을 가짐을 의미한다.
박리 프로세스 중에 다공성 로우-K 유전체층의 손상을 감소시키는 것이 바람직하다.
발명의 요약
본 발명의 취지에 따른 전술한 목적 및 다른 목적을 달성하게 위해, 다공성 로우-K 유전체층에서 피쳐 (feature) 를 형성하는 방법이 제공된다. 다공성 로우-K 유전체층은 기판상에 배치된다. 패터닝된 포토레지스트 마스크는 다공성 로우-K 유전체층 상에 배치된다. 피쳐는 다공성 로우-K 유전체층으로 에칭된다. 피쳐가 에칭된 후에, 보호층은 피쳐 상에 성막된다. 패터닝된 포토레지스트 마스크가 박리되면, 보호층으로부터 형성된 보호벽의 작은 부분이 피쳐 내에 잔류하는 곳에서 보호층의 부분이 제거된다.
본 발명의 다른 태양에서, 기판상의 마스크를 통해 다공성 로우-K 유전체층에서 피쳐를 에칭하기 위한 장치가 제공된다. 플라즈마 프로세싱 챔버는, 플라즈마 프로세싱 챔버 용기 (plasma processing chamber enclosure) 를 형성하는 챔버 벽, 플라즈마 프로세싱 챔버 용기 내에 있는 기판을 지지하기 위한 기판 지지물, 플라즈마 프로세싱 챔버 용기내에서 압력을 조절하기 위한 압력 조절기, 플라즈마를 지속하기 위한 플라즈마 프로세싱 챔버 용기에 전력을 제공하기 위한 하나 이상의 전극, 플라즈마 프로세싱 챔버 용기 내부로 가스를 주입하기 위한 가스 주입구, 및 플라즈마 프로세싱 챔버 용기로부터 가스를 배기하기 위한 가스 배기구를 포함한다. 가스 소오스는 가스 주입구에 유체 연결된다. 제어기는 하나 이상의 가스 소오스, 하나 이상의 전극, 압력 조절기, 가스 주입구, 및 가스 배기구에 제어 가능하게 접속된다. 제어기는 하나 이상의 프로세서 및 컴퓨터 판독가능 매체를 포함한다. 컴퓨터 판독가능 매체는, 다공성 로우-K 유전체층에 피쳐를 에칭하기 위해 에칭 플라즈마를 제공하는 컴퓨터 판독가능 코드, 피쳐가 에칭된 후에 피쳐 상으로 보호층을 형성하기위해 성막 플라즈마를 제공하는 컴퓨터 판독가능 코드, 및 박리가 보호층의 부분을 제거하고 보호층으로부터 형성된 작은 면적의 보호벽이 잔류하는 다공성 로우-K 유전체층 상으로부터 포토레지스트 마스크를 박 리하는 컴퓨터 판독가능 코드를 포함한다.
본 발명의 다른 태양에서, 패터닝된 포토레지스트 마스크 아래에 배치된 기판상에서 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법이 제공된다. 피쳐는 포토레지스트 마스크를 통해서 다공성 로우-K 유전체층 내부로 에칭된다. 보호층은 피쳐를 에칭한 후에 피쳐 위로 성막된다. 패터닝된 포토레지스트 마스크가 박리되면, 보호층으로부터 형성된 보호벽이 피쳐 내에 잔류하는 곳에서 보호층의 부분이 제거된다.
본 발명의 이러한 특징과 다른 특징은 본 발명의 상세한 설명과 이하 도면과 관련하여 더욱 자세하게 설명된다.
도면의 상세한 설명
본 발명은 예시를 통해 설명하지만, 첨부된 도면에서의 도로써 제한하려는 것이 아니며, 도면에서의 동일한 참조 부호도 동일한 엘리먼트를 나타낸다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 이용된 프로세스의 플로우차트이다.
도 2a 내지 도 2f 는 도 1 의 프로세스에 따른 에칭된 다공성 로우-K 유전체층의 개략적인 측면도이다.
도 3 은 본 발명의 실시형태에서 이용될 수도 있는 프로세스 챔버의 개략적인 도면이다.
도 4a 및 도 4b 는 제어기로서 이용될 수도 있는 컴퓨터 시스템의 개략적인 도면이다.
발명의 구성
본 발명은 첨부된 도면에서 도시된 바와 같이, 수 개의 바람직한 실시형태를 참조하여 상세하게 설명된다. 이하의 설명에서, 본 발명의 완전한 이해를 제공하기 위해 많은 구체적인 세부사항이 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 이러한 상세한 설명의 일부 또는 전부 없이도 실시될 수도 있다는 것은 당업자에게는 명백하다. 또한, 본 발명을 불필요하게 불명료하게 하지 않기 위해 공지된 프로세스 단계 및/또는 구조는 상세하게 설명되지 않는다.
설명을 용이하게 하기 위해, 도 1 은 본 발명의 바람직한 실시형태에서 이용된 다공성 로우-K 유전체층의 에칭 프로세스의 플로우차트이다. 여기서 기공은 나노미터 사이즈의 기공이다. 기공은 약 1 nm 에서 약 10 nm 사이에 있는 것이 더욱 바람직하다. 정의 및 특허청구범위에서, 2.3 보다 작은 유전율 (dielectric constant) 을 가진 유전체 재료가 항상 다공성이기 때문에, 용어 다공성 로우-K 유전체는 2.3 보다 작은 유전율을 가진 유전체이다. 다공성 저유전율 재료의 몇몇 예시로서, 일본의 JSR Corporation of Tokyo 에서 제조된 JSR LKD-5109 로우-K 유전체, Rohm and Haas of Philadelphia, PA 의 자회사인 Shipley Microelectronics 에서 제조된 ZirkonTM LK 가 있다. 몇몇 다공성 로우-K 유전체 재료는 OSG (organosilicate glass) 에 기초한다. 다른 다공성 로우-K 유전체 재료는 규소가 없는 순수 유기 재료인, 다공성 SILK 이다. 도 2a 내지 도 2d 는 도 1 의 프로세스에 따라 다공성 로우-K 유전체층을 개략적으로 나타내는 측면도이다. 도 2a 에 도시된 바와 같이, 다공성 유전체층 (204) 은 기판 (208; 단계 (104)) 상에 성막될 수도 있다. 기판 (208) 은 실리콘 웨이퍼 또는 다른 타입의 재료일 수도 있고, 웨이퍼 상의 층의 부분일 수도 있다. 캡층 (212) 은 다공성 유전체층 (204; 단계 (108)) 상에 형성된다. 캡층 (212) 은 실리콘 옥사이드일 수도 있다. 일반적으로, 캡층은 유전체 재료의 보호층이다. 캡층 (212) 은 CMP (chemical mechanical polishing) 및 다른 프로세스 중에 다공성 유전체층 (204) 을 보호한다. 캡층이 최종 생산물의 부분이기 때문에, 캡층 (212) 은 로우-K 유전체일 수도 있다. 캡층은 실리콘 옥사이드계 재료인 것이 바람직하다. 캡층은 약 200Å 에서 약 1000Å 사이의 두께를 가진다. ARC (214 ; antireflective coating) 는 캡층 (212) 상으로 성막된다 (단계 (112)). ARC (214) 는 유기 BARC (organic bottom antireflective coating) 또는 무기 DARC (inorganic dielectric antireflective coating) 일 수도 있다. ARC 는 약 100Å 에서 약 1000Å 사이의 두께를 가진다. 패터닝된 레지스트 마스크 (216) 는 ARC (214) 상으로 제공된다 (단계 (116)). 패터닝된 레지스트 마스크 (216) 는 틈 (220; aperture) 을 가진다. 패터닝된 레지스트 마스크는 광 패턴으로 노출되고 에칭된 포토레지스트의 층을 배치함으로써 형성될 수도 있다. 패터닝된 레지스트 마스크를 형성하는 다른 방법이 이용될 수도 있다. 기판 (208) 은 콘택트 (209) 및 장벽층 (210) 을 가질 수도 있다.
기판 (208) 은 다공성 유전체층 (204) 이 에칭되는 에칭 챔버 내에 배치될 수도 있다 (단계 120). 도 2b 에 도시된 바와 같이, 플라즈마 건식 에칭이 이용되어, 다공성 유전체층 (204) 을 에칭함으로써, 패터닝된 레지스트 마스크 (216) 의 틈 (220) 하부의 개구 (224) 를 형성한다. 패터닝된 레지스트 마스크 (216) 의 일부는 다공성 유전체층 에칭 중에 제거된다. 이러한 다공성 유전체 에칭은 플루오르계 에천트를 이용하는 것과 같은 화학 에칭을 이용할 수도 있다. 예를 들어, 에칭 화학은 저압에서 C4F8 및 N2 를 이용할 수도 있다. 그 결과, 피쳐의 측벽이 에칭될 수도 있다. 또한, 이러한 에칭은 에칭 중에 폴리머 (polymer) 를 성막할 수도 있다. 이러한 에칭은 약간의 O2 를 이용할 수도 있지만, O2 의 양은 박리 프로세스에서 이용된 O2 의 양보다 일반적으로 작다. O2 의 양이 작고 압력이 낮게 유지되기 때문에, 에칭 화학은 박리 프로세스에서의 손상만큼 다공성 유전체에 손상을 가하지 않는다.
다음으로, 도 2c 에 도시된 바와 같이, 보호층 (228) 이 에칭된 피쳐 위로 성막된다 (단계 (124)). 바람직한 실시형태에서, 보호층은 폴리머 성막에 의해 형성된다. 이러한 폴리머 성막 화학은 C2H4 및 N2 또는 CH4 및 O2 의 성막 화학을 이용할 수도 있다. 노출된 다공성 유전체의 손상을 회피하기 위해, 플로우르 프리 화학이 폴리머 형성에 이용되는 것이 바람직하다. 폴리머 성막의 두께는 약 100 내지 1500Å 사이인 것이 바람직하다. 폴리머 성막의 두께는 약 200 내지 약 800Å 사이인 것이 더욱 바람직하다. 폴리머 성막의 두께는 약 200 내지 500Å 사이인 것이 더욱 바람직하다.
또한, 도 2d 에 도시된 바와 같이, 패터닝된 레지스트 마스크 (216) 는 다공성 유전체를 보호하기 위해 피쳐 (224) 내의 보호층의 보호벽 (230) 을 남기고 보 호층의 부분을 제거한다 (단계 (128)). 전형적인 포토레지스트 박리 화학은 O2, NH3, 또는 N2H2 계 박리 화학을 이용한다. 이러한 박리 화학은 노출된 표면의 하부로 깊게 다공성 로우-K 유전체의 유기적 성분을 손상시킴으로써 로우-K 유전체의 상당한 부분에 손상을 유발한다. 그러나, 보호벽 (230) 은 다공성 유전체층 (204) 의 보호를 제공하여, 박리 프로세스 중에 다공성 유전체층의 노출된 표면이 없게 한다. 보호벽 (230) 은 접착 (adhesion) 실패를 회피하도록 충분히 얇다. 보호벽이 너무 두꺼운 경우, 보호벽은 접착 문제를 유발하여 들뜰 수 있게 된다. 반면에, 본래의 보호층이 너무 얇으면, 다공성 유전체층이 충분하게 보호될 수 없다. 일반적으로, 에칭 단계의 결과로서 형성될 수도 있는 측벽은 다공성 유전체층의 충분한 보호를 제공하기에는 너무 얇은데, 이는 에칭이 완성된 후에 폴리머 성막 단계가 필요하기 때문이다. 보호벽을 제거하지 않고 보호층의 상부 표면을 우선적으로 제거하기 위해, 박리 중에 이온 충돌 (ion bombardment) 이 이용되는 것이 바람직하다.
본 발명의 몇몇 실시형태에서, 장벽층 (210) 은 포토레지스트 (216) 가 박리된 후에 개방될 수도 있다. 보호벽 (230) 은 장벽층 (210) 의 개방 중에 다공성 유전체층을 더 보호할 수도 있다. 다음으로, 다음 층이 보호벽 (230) 상에 형성된다 (단계 (132)). 도 2e 에 도시된 바와 같이, 일 실시예에서, 장벽층 (240) 은 보호벽 (230) 상에 형성되고, 구리 콘택트 층 (244) 은 피쳐 내부 및 위에 형성된다. 도 2f 에 도시된 바와 같이, CMP 는 장벽층 (240) 및 구리 (246) 를 형성되는 구리 콘택트 층 (244) 의 초과 부분을 제거하기 위해 이용된다.
도 3 은 피쳐를 에칭하고, 다음으로 보호층을 성막하고, 다음으로 제위치에서 포토레지스트를 박리하기 위해 이용될 수도 있는 플라즈마 프로세싱 챔버 (300) 의 개략적인 도면이다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (300) 는 제한 링 (302), 상부 전극 (304), 하부 전극 (308), 가스 소오스 (310), 및 배기 펌프 (320) 를 포함한다. 가스 소오스 (310) 는 에천트 가스 소오스 (312), 보호층 가스 소오스 (316), 및 박리 가스 소오스 (318) 를 포함한다. 가스 소오스 (310) 는 추가적인 가스 소오스를 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (300) 내에서는, 기판 (208) 은 하부 전극 (308) 상에 배치된다. 하부 전극 (308) 은 기판 (208) 을 유지하기에 적절한 기판 척 기구 (chucking mechanism; 예를 들어, 정전기적, 기계적 클램핑등) 을 포함한다. 반응기 상부 (328) 는 하부 전극 (308) 의 반대에 바로 배치된 상부 전극 (304) 을 포함한다. 상부 전극 (304), 하부 전극 (308) 및 제한 링 (302) 은 제한된 플라즈마 부피를 정의한다. 가스는 가스 소오스 (310) 에 의해 제한된 플라즈마 부피에 공급되고, 배기 펌프에 의해 제한 링 (302) 및 배기 포트를 통과한 제한된 플라즈마 부피로부터 배기된다. 제 1 RF 소오스 (344) 는 상부 전극 (304) 에 전기적으로 접속된다. 제 2 RF 소오스 (348) 는 하부 전극 (308) 에 전기적으로 접속된다. 챔버 벽 (352) 은 제한 링 (302), 상부 전극 (304), 및 하부 전극 (308) 을 둘러싼다. 제 1 RF 소오스 (344) 및 제 2 RF 소오스 (348) 는 27 MHz 전원 및 2 MHz 전원를 포함할 수도 있다. 전극에 RF 전력을 접속하는 상이한 결합도 가능하다. 즉, California Fremont 소재의 LAM Research CorporationTM 에 의해 제조된 Exelan 2300TM 은 본 발명의 바람직한 실시형태에서 이용될 수도 있다.
도 4a 및 도 4b 는 본 발명의 실시형태에서 이용된 제어기 (335) 를 구현하기 위해 적절한 컴퓨터 시스템 (1300) 을 도시한다. 도 4a 는 컴퓨터 시스템의 하나의 가능한 물리적 형태를 나타낸다. 물론, 컴퓨터 시스템은 집적 회로, 인쇄 회로 기판 및 소형 포켓용 장치에서 거대한 수퍼 컴퓨터까지에 달하는 많은 물리적 형태를 가질 수도 있다. 컴퓨터 시스템 (1300) 은 모니터 (1302), 디스플레이 (1304), 하우징 (1306), 디스크 장치 (1308), 키보드 (1310) 및 마우스 (1312) 를 포함한다. 디스크 (1314) 는 컴퓨터 시스템 (1300) 으로 또는 컴퓨터 시스템 (1300) 으로부터 데이터를 전송하기 위해 이용된 컴퓨터-판독가능 매체이다.
도 4b 는 컴퓨터 시스템 (1300) 에 대한 블록도의 예시이다. 시스템 버스 (1320) 에 부착된 것은 광범위하게 다양한 하위조직들이다. 프로세서 (1322; 또한, 중앙처리장치, 또는 CPU 로서 참조되는) 는 메모리 (1324) 를 포함하는 장치를 저장하기 위해 연결된다. 메모리 (1324) 는 RAM (random access memory) 및 ROM (read-only memory) 을 포함한다. 종래 기술에서 공지된 바와 같이, ROM 은 CPU 에 단방향으로 데이터 및 명령 (instruction) 의 전송을 행하고, RAM 은 전형적으로 양방향으로 데이터 및 명령의 전송에 이용된다. 이러한 타입의 메모리는 후술되는 임의의 적절한 컴퓨터-판독가능 매체를 포함할 수도 있다. 또한, 고정 디스크 (1326) 는 CPU (1322) 에 양방향으로 연결된다; 이것은 추가적인 데이터 저장 커패시티를 제공하고, 또한, 후술되는 임의의 컴퓨터-판독가능 매체를 포함할 수도 있다. 고정 디스크 (1326) 는 프로그램, 데이터등을 저장하기 위해 이용될 수도 있고, 통상적으로, 1 차 저장 매체보다 느린 2 차 저장 매체 (하드디스크와 같은) 일 수도 있다. 적절한 경우에, 고정 디스크 (1326) 내에서 획득된 정보는 메모리 (1324) 에 가상 메모리 (virtual memory) 로써 표준 방식에 통합될 수도 있다. 판독가능 디스크 (1314) 는 후술되는 컴퓨터-판독가능 매체의 임의의 형태를 취할 수도 있다.
또한, CPU (1322) 는 디스플레이 (1304), 키보드 (1310), 마우스 (1312) 및 스피커 (1330) 와 같은 다양한 입력/출력 장치에 연결된다. 일반적으로, 입력/출력 장치는: 비디오 디스플레이, 트랙볼, 마우스, 키보드, 마이크로폰, 터치-감지 디스플레이, 변환기 카드 판독기 (transducer card reader), 전자기 또는 종이 테이프 판독기, 타블렛 (tablet), 자동 기록계, 음성 또는 필체 인식기, 생체인식 판독기, 또는 다른 컴퓨터 등일 수도 있다. CPU (1322) 는 네트워크 인터페이스 (1340) 를 이용하는 다른 컴퓨터 또는 통신 네트워크에 선택적으로 연결될 수도 있다. 이러한 네트워크 인터페이스와 함께, CPU 는 네트워크로부터 정보를 수신할 수도 있고, 전술한 방법의 단계를 수행하는 코스에서 네트워크에 정보를 출력할 수도 있다. 또한, 본 발명의 방법의 실시형태는 CPU (1322) 상에서 단독으로 수행할 수도 있고, 프로세싱의 부분과 공유하는 원격 CPU 와 관련된 인터넷과 같은 네트워크상으로 수행할 수도 있다.
또한, 본 발명의 실시형태는 다양한 컴퓨터-구현 동작을 수행하는 컴퓨터 코드를 가지는 컴퓨터-판독가능 매체를 가진 컴퓨터 저장 장치에 더욱 관련한다. 매체 및 컴퓨터 코드는 본 발명의 목적에 따라 특별히 설계되고 구성될 수도 있고, 또한 컴퓨터 소프트웨어 분야에서의 당업자에게 공지되고 이용 가능한 종류일 수도 있다. 컴퓨터-판독가능 매체의 예시는: 하드 디스크, 플로피 디스크, 및 전자기 테이프와 같은 전자기적 매체; CD-ROM 및 홀로그래픽 장치와 같은 광학 매체; 폴롭티컬 디스크와 같은 광자기 매체; 및 ASIC (application-specific integrated circuit), PLD (programmable logic device) 및 ROM 과 RAM 장치와 같은 프로그램 코드를 저장하고 실행하도록 특별히 설정된 하드 디스크를 포함하지만, 여기에 제한하지 않는다. 컴퓨터 코드의 예시에는 컴파일러에 의해 생산된 것과 같은 기계 코드와, 인터프리터를 이용하는 컴퓨터에 의해 실행되는 높은 레벨 코드를 포함하는 파일을 포함한다. 또한, 컴퓨터 판독가능 매체는 반송파에서 구현된 컴퓨터 데이터 신호에 의해 송신되고, 프로세서에 의해 실행가능한 설명의 순서를 나타내는 컴퓨터 코드일 수도 있다.
다른 예시는 다른 성막 장치를 이용할 수도 있다. 다른 실시형태에서, 특정 에칭은 다공성 유전체층 (204) 의 손상 없이 보호벽 (230) 을 제거하기 위해 이용될 수도 있다. 또한, 다른 실시형태는 에칭, 보호층의 성막, 및 분리 챔버 (제위치에 있지 않은) 에서 박리를 수행할 수도 있다.
비록 트렌치의 에칭이 앞서 도시되었지만, 비아 (via) 가 에칭된 후에 비아 또는 트렌치를 에칭하고 또는 트렌치가 먼저 에칭된 후에 비아를 에칭하는데 이용 될 수도 있다. 각각의 피쳐가 에칭된 후에, 보호층은 포토레지스트가 박리 되기 전에 피쳐 상에 형성될 수도 있다. 어떤 경우에는, 보호벽 상에 성막된 다음층은 포토레지스트 마스크일 수도 있다.
실시예
본 발명의 실시예에서, JSR LKD-5109 의 다공성 유전체층은 기판상으로 스핀된다. 실리콘 옥사이드 캡층은 다공성 유전체층 상에 성막된다. 캡층은 약 500Å 의 두께이다. 유기적 ARC 층은 캡층 상에 형성된다. 패터닝된 포토레지스트 마스크는 ARC 상에 형성된다. 이러한 예시에서, 포토레지스트는 Shipley 로부터의 193 nm PR 이다.
다음으로, 기판은 Exelan 2300 유전체 에처 (etcher) 에 배치된다. 피쳐는 ARC 층 및 다공성 유전체층을 통해서 에칭된다. C4F8 의 10sccm 및 O2 의 12sccm 의 에칭 화학은 다공성 유전체층을 통해 에칭하도록 이용된다. 챔버 압력은 약 120 mTorr 로 설정된다. 1000W 는 27 MHz RF 소오스에 의해 제공된다. 1000W 는 2 MHz RF 소오스에 의해 제공된다.
피쳐가 완전히 에칭된 후, 보호층은 피쳐 상에 성막된다. 이는 제위치에서 행해진다. C2H4 의 50sccm 및 O2 의 5sccm 의 성막 가스 화학은 피쳐 상에 폴리머 성막을 형성하기 위해 이용된다. 챔버 압력은 약 120 mTorr 로 설정된다. 500W 는 27 MHz RF 소오스에 의해 제공된다. 500W 는 2 MHz RF 소오스에 의해 제공된다. 성막은 15 초 동안 지속되어, 약 300Å 두께의 성막층을 제 공한다.
보호층이 성막된 후, 포토레지스트 마스크는 박리된다. 이는 제위치에서 행해진다. H2 의 600sccm 및 N2 의 200sccm 의 박리 가스 화학은 포토레지스트 마스크를 박리하기 위해 이용된다. 챔버 압력은 약 300 mTorr 로 설정된다. 27 MHz RF 소오스에 의해 400W 가 제공된다. 2 MHz RF 소오스에 의해 400W 가 제공된다.
본 발명이 여러가지 바람직한 실시형태에 의해 설명되었지만, 여기에 본 발명의 범위 내에서 변경, 치환, 및 등가물의 치환이 있을 수도 있다. 또한, 본 발명의 방법 빛 장치를 구현하는 많은 다른 방법이 있다. 그러므로, 이하 첨부된 특허청구범위는 본 발명의 실질적인 정신 및 범위 내에 포함되는 변경, 치환, 변형 및 다양한 등가물의 치환을 모두 포함하는 것으로 해석되도록 의도된다.

Claims (18)

  1. 기판상에 다공성 로우-K 유전체층 (porous low-K dielectric layer) 을 배치하는 단계;
    상기 다공성 로우-K 유전체층 상에 패터닝된 포토레지스트 마스크를 배치하는 단계;
    상기 다공성 로우-K 유전체층에 피쳐 (feature) 를 에칭하는 단계;
    상기 피쳐를 에칭한 후에, 상기 피쳐 상에 보호층을 성막하는 단계; 및
    상기 보호층으로부터 형성된 보호벽이 상기 피쳐 내에 잔류하는 곳에서 상기 보호층의 일부가 제거되도록, 상기 패터닝된 포토레지스트 마스크를 박리 (stripping) 하는 단계를 포함하는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 마스크를 배치하는 단계 전에, 상기 다공성 로우-K 유전체층 상에 캡층을 배치하는 단계를 더 포함하고,
    상기 포토레지스트 마스크는 상기 캡층 상에 배치되는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 보호벽 상에 성막층을 성막하는 단계를 더 포함하는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 포토레지스트 마스크를 배치하는 단계 전에, 상기 캡층 상에 반사방지 코팅 (antireflective coating) 을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 포토레지스트 마스크는 상기 반사방지 코팅 상에 배치되는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호층을 성막하는 단계는 플루오르 프리 층 (fluorine free layer) 을 성막하는 단계를 포함하는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호층을 성막하는 단계는 폴리머층을 성막하는 단계를 더 포함하는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호층은 100Å 내지 1500Å 의 두께를 갖는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리머층을 성막하는 단계는 C2H4 및 O2 의 성막 가스를 제공하는 단계를 포함하는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 박리하는 단계는 수소, 질소, 암모니아, 및 산소 중 하나 이상으로부터 선택된 박리 가스를 제공하는 단계를 포함하는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 다공성 로우-K 유전체층은 나노미터 사이즈의 기공 (pore) 을 포함하는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 박리하는 단계는 이온 충돌 (ion bombardment) 을 이용하는 것을 포함하는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 이온 충돌은 상기 보호층의 상부 (top layer) 를 제거하지만, 상기 보호층에 의해 형성된 보호 측벽을 남기는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호벽 상에 성막된 상기 성막층은 장벽층 (barrier layer) 인, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    에칭 챔버 내에 상기 기판을 배치하는 단계를 더 포함하고,
    에칭 단계, 상기 보호층을 성막하는 단계, 및 상기 패터닝된 포토레지스트 마스크를 박리하는 단계는 상기 에칭 챔버 내의 제위치 (in situ) 에서 행해지는, 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 다공성 로우-K 유전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법에 의해 형성된, 반도체 디바이스.
  16. 기판상에 마스크를 통하여 다공성 로우-K 유전체층에서 피쳐를 에칭하기 위한 장치로서,
    플라즈마 프로세싱 챔버, 가스 소오스 및 제어기를 포함하고,
    상기 플라즈마 프로세싱 챔버는, 플라즈마 프로세싱 챔버 용기를 형성하는 챔버벽; 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 용기 내에 기판을 지지하기 위한 기판 지지대; 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 용기 내에 압력을 조절하기 위한 압력 조절기; 플라즈마를 유지하기 위해 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 용기에 전력을 제공하기 위한 하나 이상의 전극; 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 용기에 가스를 제공하기 위한 가스 주입구; 및 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 용기로부터 가스를 배기하기 위한 가스 배기구를 포함하고,
    상기 가스 소오스는 상기 가스 주입구와 유체 연결되며,
    상기 제어기는, 상기 가스 소오스, 상기 하나 이상의 전극, 상기 압력 조절기, 상기 가스 주입구 및 상기 가스 배기구 중 하나 이상에 제어가능하게 연결되고, 하나 이상의 프로세서 및 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하며,
    상기 컴퓨터 판독가능 매체는, 다공성 로우-K 유전체층에 피쳐를 에칭하기 위한 에칭 플라즈마를 제공하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 상기 피쳐가 에칭된 후 상기 피쳐상에 보호층을 형성하기 위한 성막 플라즈마를 제공하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드; 및 상기 다공성 로우-K 유전체층 상부로부터 포토레지스트 마스크를 박리하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드로서, 상기 박리는 상기 보호층의 일부를 제거하고 상기 보호층으로부터 형성된 보호벽을 잔존시키는, 상기 포토레지스트 마스크를 박리하기 위한 컴퓨터 판독가능 코드를 포함하는, 에칭 장치.
  17. 패터닝된 포토레지스트 마스크 하부에 배치되고 기판상에 다공성 로우-K 유 전체층 내에 피쳐를 형성하는 방법으로서,
    상기 포토레지스트 마스크를 통해 상기 다공성 로우-K 유전체층에 피쳐를 에칭하는 단계;
    상기 피쳐를 에칭하는 단계 후에, 상기 피쳐 상에 보호층을 성막하는 단계; 및
    상기 보호층으로부터 형성된 보호벽이 상기 피쳐 내에 잔류하는 곳에서 상기 보호층의 일부가 제거되도록 상기 패터닝된 포토레지스트 마스크를 박리하는 단계를 포함하는, 피쳐 형성 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 보호층을 성막하는 단계는 폴리머층을 성막하는 단계를 더 포함하는, 피쳐 형성 방법.
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