KR20060109429A - 증착된 유전체막 위에 후현상 포토레지스트 프로파일을향상시키는 방법 - Google Patents

증착된 유전체막 위에 후현상 포토레지스트 프로파일을향상시키는 방법 Download PDF

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Abstract

증착된 유전체 막위에서 후현상(post-development) 포토레지스트 프로파일을 향상시키기 위한 방법과 장치. 상기 방법은 플라즈마 강화 화학 기상 증착을 사용하여 기판 위에 조절가능한 광학적, 내에칭 특성을 가지는 TERA 막을 증착하는 단계와 플라즈마 공정을 사용하여 TERA 막을 후공정하는 단계를 포함한다. 상기 장치는 제1 RF 소스에 결합하는 상위 전극과 제2 RF 소스에 결합하는 기판 홀더를 가지는 챔버와; 다중 전구체와 공정 가스를 제공하기 위한 샤워헤드를 포함한다.

Description

증착된 유전체막 위에 후현상 포토레지스트 프로파일을 향상시키는 방법{METHOD OF IMPROVING POST-DEVELOP PHOTORESIST PROFILE ON A DEPOSITED DIELECTRIC FILM}
본 발명은 조절 가능한 광학적 특성과 에칭 특성을 가진 박막 물질을 증착하기 위해 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD: plasma-enhanced chemical vapor deposition) 시스템을 사용하는 것에 관한 것이다.
집적 회로와 장치 가공은 기판 위에 전기적 물질들의 증착을 필요로 한다. 증착된 막은 기판 또는 완성된 회로의 영구적인 부분일 수 있다. 이 경우에, 막 특성은 회로의 동작을 위해 요구되는 전기적, 물리적, 또는 화학적 특성을 제공하기 위해 선택된다. 다른 경우에, 박막은 장치 또는 회로 가공을 가능하게 하거나 간단하게 하는 임시 층으로서 제공될 수 있다. 예를 들어, 증착된 박막은 이어서 일어나는 에칭 공정을 위한 마스크로서의 역할을 수행할 수 있다. 내에칭막은 에칭 공정에서 제거되지 않도록 기판의 범위를 보호하기 위해 패터닝될 수 있다. 후속 공정은 기판의 공정을 더 진행시키기 위하여 내에칭막을 제거할 수 있다.
임시 층의 다른 예에서, 막은 후속되는 리소그래피 패터닝 동작을 강화하기 위하여 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 특정한 광학적 특성을 가진 막은 기판에 증착되고, 그 후에 그 막은 주로 포토레지스트라고 불리는 감광성의 촬상막으로 피복된다. 포토레지스트는 노광되어 패터닝된다. 포토레지스트 아래에 증착된 막의 광학적 특성은 노광의 반사를 감소시키기 위해 선택되고, 그에 따라 리소그래피 공정의 해상도가 향상된다. 그런 막은 주로 반사 방지 코팅(anti-reflective coating: 앞으로 ARC라고 한다.)이라고 불린다.
임시 층의 다른 예에서, 막은 미국 특허 제 6,316,167호에 묘사된 막처럼 단단한 마스크와 ARC 양자로서 역할을 하도록 사용될 수 있다.
본 발명은 PECVD 시스템에서의 증착 공정에 관한 것으로서, 보다 더 구체적으로는 강화된 포토레지스트 양립성을 가진 조절 가능한 내에칭 ARC(Tunable Etch Resistant ARC: TERA)층의 증착에 관한 것이다. 더 구체적으로, 증착 공정의 최종 단계를 이용하여 일련의 리소그래피 과정 중 잔여 레지스트(푸팅(footing))를 감소하고 제거하도록 TERA 층 표면을 변경한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 PECVD 시스템의 개략 블록도이다;
도 2A-2C는 본 발명의 일실시예에 따른 TERA 층 위에 포토레지스트 풋의 형성을 방지하는 개략 절차를 보여준다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 위에 제1, 제2 부분을 포함하는 TERA 층을 증착하기 위한 절차의 개략 흐름도를 보여준다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 위에 제1, 제2 부분을 포함하는 TERA 층을 증착하기 위한 절차에서 사용되는 공정들의 예를 보여준다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 PECVD 시스템의 개략 블록도를 도해한다. 도해한 실시예에서 PECVD 시스템(100)은 공정 챔버(110), 용량적으로 결합된 플라즈마 소스부로서의 상위 전극(140), 샤워 플레이트 어셈블리(120), 기판(135)을 지지하기 위한 기판 홀더(130), 압력 제어 시스템(180), 그리고 조절기(190)를 포함한다.
일 실시예에서, PECVD 시스템(100)은 밸브(178)를 사용하여 공정 챔버(110)에 결합할 수 있는 원격 플라즈마 시스템(175)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 원격 플라즈마 시스템과 밸브는 필수적이지 않다. 원격 플라즈마 시스템(175)은 챔버 클리닝에 사용될 수 있다.
일 실시예에서, PECVD 시스템(100)은 공정 챔버(110)와 결합할 수 있는 압력 제어 시스템(180)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 압력 제어 시스템(180)은 조절판(도시되지 않았다)과 표준 터보 펌프(turbomolecular pump: TMP)(도시되지 않았다)를 포함하고 공정 챔버(110)에 조절된 압력을 제공할 수 있다. 대체 실시예에서 압력 조절 시스템은 드라이 펌프를 포함할 수 있다. 예를 들면, 챔버 압력은 약 0.1 mTorr 내지 약 100 Torr의 범위에 있을 수 있다. 대체 실시예에서, 챔버 압력은 약 0.1 Torr 내지 약 20 Torr의 범위에 있을 수 있다.
공정 챔버(110)는 공정 공간(102)에서 플라즈마의 형성을 용이하게 할 수 있다. PECVD 시스템(100)은 200 mm 기판, 300 mm 기판, 또는 더 큰 기판 등 어떤 사 이즈의 기판이라도 가공하도록 설정될 수 있다. 대체 실시예에서, PECVD 시스템(100)은 하나 또는 그 이상의 공정 챔버에서 플라즈마를 발생시킴으로써 동작한다.
PECVD 시스템(100)은 공정 챔버(110)와 결합한 샤워 플레이트 어셈블리(120)를 포함한다. 샤워 플레이트 어셈블리는 기판 홀더(130) 반대편에 장착된다. 샤워 플레이트 어셈블리(120)는 중앙 부분(122), 가장자리 부분(124), 그리고 하위 부분(126)을 포함한다. 차폐환(shield ring)(128)은 공정 챔버(110)에 샤워 플레이트 어셈블리(120)를 결합하기 위해 사용될 수 있다.
중앙 부분(122)은 제1 공정 가스 라인(123)에 의해 가스 공급 시스템(131)에 결합된다. 가장자리 부분(124)은 제2 공정 가스 라인(125)에 의해 가스 공급 시스템(131)에 결합한다. 하위 부분(126)은 제3 공정 가스 라인(127)에 의해 가스 공급 시스템(131)에 결합한다.
가스 공급 시스템(131)은 중앙 부분(122)에 제1 공정 가스를, 가장자리 부분(124)에 제2 공정 가스를, 그리고 하위 부분(126)에 제3 공정 가스를 제공한다. 가스 화합물들과 유속은 이 부분들에서 각각 조절될 수 있다. 대체 실시예에서, 중앙 부분과 가장자리 부분은 함께 단독의 주요 부분으로써 결합할 수 있고, 가스 공급 시스템은 제1 공정 가스 및/또는 제2 공정 가스를 주요 부분에 제공할 수 있다. 대체 실시예에서, 어떤 부분도 함께 결합할 수 있고 가스 공급 시스템은 하나 또는 그 이상의 공정 가스를 적절하게 공급할 수 있다.
가스 공급 시스템(131)은 전구체들을 제공하기 위하여 적어도 하나의 기화기(도시안됨)를 포함한다. 대체 실시예에서, 기화기는 필요하지 않다. 다른 대체 실 시예에서, 발포 시스템을 사용할 수 있다.
PECVD 시스템(100)은 샤워 플레이트 어셈블리(120)에 결합할 수 있고 공정 챔버(110)에 결합할 수 있는 상위 전극(140)을 포함한다. 상위 전극(140)은 온도 조절 요소(142)를 포함할 수 있다. 상위 전극(140)은 제1 매치 네트워크(144)를 사용하는 제1 RF 소스(146)에 결합할 수 있다. 대체 실시예에서, 분리된 매치 네트워크는 필요하지 않다.
제1 RF 소스(146)는 상위 전극에 TRF 신호를 제공하고 제1 RF 소스(146)는 약 0.1MHz 내지 약 200MHz의 주파수 범위에서 동작할 수 있다. TRF 신호는 약 1MHz 내지 약 200MHz의 주파수 범위 또는 대체 실시예에서는 약 2MHz 내지 약 60MHz의 주파수 범위에 있을 수 있다. 제1 RF 소스는 약 0 watts 내지 약 10000 watts의 전력 범위에서 동작할 수 있고 또는 대체 실시예에서는 제1 RF 소스는 약 0 watts 내지 약 5000 watts의 전력 범위에서 동작한다.
상위 전극(140)과 RF 소스(146)는 용량형 결합 플라즈마 소스부이다. 용량형 결합 플라즈마 소스는 예를 들어 유도형 결합 플라즈마(ICP) 소스, 변압기 결합 플라즈마(transformer-coupled plasma) 소스, 플라즈마 소스에 의해 공급된 마이크로파, 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마 소스, 헬리콘 파동 플라즈마 소스, 그리고 표면파 플라즈마 소스와 같은 어떤 타입의 플라즈마 소스로 교체되거나 또는 부가될 수 있다. 당업자에게 잘 알려져 있듯이, 상위 전극(140)은 다양하고 적당한 플라즈마 소스에서 제거되거나 또는 형태를 바꿀 수 있다.
기판(135)은 예를 들어 로봇 기판 전달 시스템(도시안됨)에 의해서 슬롯 밸 브(도시안됨)와 챔버 공급 관통부(chamber feed-through)(도시안됨)를 통해 공정 챔버(110)의 안팎으로 전달될 수 있고 기판 홀더(130)에 의해 받아지고 거기에 결합한 장치에 의해 기계적으로 전달된다. 일단 기판(135)이 기판 전달 시스템으로부터 도달되면, 기판(135)은 커플링 어셈블리(152)에 의해 기판 홀더(130)에 결합할 수 있는 전달 장치(150)에 의해 올려지거나 및/또는 내려질 수 있다.
기판(135)은 정전 클램핑 시스템에 의해서 기판 홀더(130)에 부착된다. 예를 들어, 정전 클램핑 시스템은 전극(117)과 ESC 공급기(156)를 포함할 수 있다. 약 -2000 V부터 약 2000 V까지의 범위에 있을 수 있는 클램핑 전압은 예를 들면 클램핑 전극에 제공될 수 있다. 대체 실시예에서, 클램핑 전압은 약 -1000V에서 1000V의 범위에 있을 수 있다. 대체 실시예에서, ESC 시스템과 공급기는 필요하지 않다.
기판 홀더(130)는 기판 홀더의 표면으로 및/또는 표면으로부터 기판을 내리거나 및/또는 올리기 위한 리프트 핀(도시안됨)을 포함할 수 있다. 대체 실시예에서, 다른 리프팅 수단들이 기판 홀더(130)에서 제공될 수 있다. 대체 실시예에서, 예를 들면 가스는 기판(135)과 기판 홀더(130) 사이에서 후방 가스 시스템에 의해서 가스 간극 열 컨덕턴스를 향상시키기 위해 기판(135)의 후면에 전달될 수 있다.
또한 온도 조절 시스템이 제공될 수 있다. 이 온도 조절 시스템은 기판의 온도가 올라가거나 내려가서 기판의 온도 조절이 필요할 때 사용될 수 있다. 예를 들어, 저항 가열 요소 또는 열전기 히터/냉각기와 같은 가열 요소(132)가 포함될 수 있고, 기판 홀더(130)는 열 교환 시스템(134)을 더 포함할 수 있다. 가열 요소(132)는 열 공급기(158)과 결합할 수 있다. 열 교환 시스템(134)은 기판 홀더(130) 로부터 열을 받고 열 교환 시스템(도시되지 않음)으로 열을 전달하거나 또는 가열할 때, 열 교환 시스템으로부터 열을 전달하는 재순환 냉각제 흐름 수단을 포함할 수 있다.
또한 전극(116)은 제2 매치 네트워크(162)를 사용하여 제2 RF 소스(160)에 결합할 수 있다. 대체 실시예에서, 매치 네트워크는 필요하지 않다.
제2 RF 소스(160)는 하위 전극(116)으로 하단 RF 신호(bottom RF signal(BRF))를 제공하고, 제2 RF 소스(160)는 약 0.1 MHz부터 약 200Mhz까지의 주파수 범위 내에서 동작한다. BRF 신호는 약 0.2 MHz부터 약 30MHz 또는 대체 실시예에서는 약 0.3MHz부터 약 15MHz까지의 주파수 범위 내에 있을 수 있다. 제2 RF 소스는 약 0 watts부터 약 1000와트까지의 전력 범위 내에서 동작하거나 또는 대체 실시예에서, 제2 RF 소스는 약 0 watts부터 약 500 watts까지의 전력 범위 내에서 동작한다. 다양한 실시예에서, 하위 전극(116)은 사용되지 않을 수 있고 또는 챔버 내에 있는 플라즈마의 단독의 소스일 수 있고 또는 어떤 부가적인 플라즈마 소스를 부가할 수 있다.
PECVD 시스템(100)은 주름상자(154)에 의해 공정 챔버(110)에 결합할 수 있는 전달 장치(150)를 더 포함할 수 있다. 또한, 커플링 어셈블리(152)는 기판 홀더(130)에 전달 장치(150)를 결합할 수 있다. 주름상자(154)는 공정 챔버(110) 외부의 대기로부터 수직 전달 장치를 봉인하도록 설정된다.
전달 장치(150)는 가변성의 간극(104)이 샤워 플레이트 어셈블리(120)와 기판(135) 사이에서 자리 잡도록 한다. 상기 간극은 약 1mm부터 약 200mm까지의 범위 일 수 있고, 대체 실시예에서 간극은 약 2mm부터 약 80mm까지의 범위일 수 있다. 상기 간극은 고정되거나 또는 증착 과정 중에 변화할 수 있다.
게다가, 기판 홀더(130)는 포커스 링(106)과 세라믹 커버(108)를 더 포함할 수 있다. 대체 실시예에서, 포커스 링(106) 및/또는 세라믹 커버(108)는 필요하지 않다.
적어도 하나의 챔버 벽(112)은 벽을 보호하기 위한 코팅(114)을 포함한다. 예를 들어, 코팅(114)은 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 대체 실시예에서, 코팅은 필요하지 않다. 게다가, 세라믹 차폐(도시안됨)는 공정 챔버(110)내에서 사용될 수 있다. 게다가, 온도 조절 시스템은 챔버 벽 온도를 조절하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 증기구는 온도를 조절하기 위하여 챔버에서 제공된다. 챔버 벽 온도는 공정 과정이 챔버에서 수행되는 동안 상대적으로 일정하게 유지될 수 있다.
또한, 온도 조절 시스템은 상위 전극의 온도를 조절하기 위해 사용될 수 있다. 온도 조절 요소(142)는 상위 전극 온도를 조절하기 위하여 사용될 수 있다. 상위 전극 온도는 공정이 챔버에서 수행되는 동안에 상대적으로 일정하게 유지될 수 있다.
게다가, PECVD 시스템(100)은 또한 오염을 조절하기 위해 사용되는 정화 시스템(195)을 포함할 수 있다.
대체 실시예에서, 공정 챔버(110)는 예를 들어, 모니터 포트(도시안됨)를 더 포함할 수 있다. 모니터 포트는 예를 들어 공정 공간(102)의 광학 모니터링을 가능하게 한다.
PECVD 시스템(100)은 또한 조절기(190)를 포함한다. 조절기(190)는 챔버(110), 샤워 플레이트 어셈블리(120), 기판 홀더(130), 전달 장치(150), ESC 공급기(156), 열 공급기(158), 제2 RF 매치(162), 제2 RF 소스(160), 정화 시스템(195), 원격 플라즈마 장치(175), 압력 조절 시스템(180)에 결합할 수 있다. 조절기는 이 요소들에 조절 데이터를 제공하도록 설정될 수 있고 이 요소들로부터 공정 데이터와 같은 데이터를 받을 수 있다. 예를 들어, 조절기(190)는 마이크로프로세서, 메모리, PECVD로부터 모니터 출력뿐만 아니라 공정 시스템(100)으로의 입력을 전달하고 활성화하기에 충분한 제어 전압을 발생시킬 수 있는 디지털 I/O 포트를 포함할 수 있다. 게다가, 조절기(190)는 시스템 구성요소와 정보를 교환할 수 있다. 또한, 메모리에 저장된 프로그램은 공정 방법에 따라 PECVD 시스템(100)의 전술한 구성 요소들을 제어하기 위해 사용될 수 있다. 게다가, 조절기(190)는 공정 데이터를 분석하고, 목적 공정 데이터와 공정 데이터를 비교하고, 공정을 바꾸고 및/또는 증착 기구를 제어하기 위하여 상기 비교를 사용하도록 설정될 수 있다. 또한, 조절기는 공정 데이터를 분석하고, 역사적 공정 데이터와 공정 데이터를 비교하고, 예상하고, 예방하고, 및/또는 장애를 선언하기 위해 상기 비교를 사용하도록 설정될 수 있다.
도 2A-2C는 본 발명의 실시예에 따른 TERA 층 위에 있는 포토레지스트 풋의 형성을 막는 간단한 절차를 보여준다. 도 2A는 TERA 층위에 포토레지스트 층(210)을 보여주고, 그것은 상위 부분(220)과 하위 부분(230)을 포함한다. 예를 들어, TERA 층의 상위 부분(220)은 약 150 Å에서 약 1000 Å의 두께를 가지는 층이고 하 위 부분(230)은 약 300 Å에서 약 5000 Å의 두께를 가지는 층이다. 이 예에서, TERA 하위 부분(230)은 산소층(240)에 결합한다. 이것은 필수적인 것은 아니고 TERA 층은 산소 외의 물질에 증착될 수 있다. 비록 두 층이 도 2A-2C에 보여지고 있으나 필수적인 것은 아니다. TERA 스택은 하나 또는 그 이상의 층을 포함할 수 있다.
도 2B에서 포토레지스트 층(210)은 적어도 하나의 리소그래피 단계와 적어도 하나의 현상 단계를 이용하여 가공하였다. 도 2B는 상위부분(220)과 하위부분(230)을 포함하는 TERA층 위에 있는 포토레지스트(212)를 도시하고 있다. 또한 포토레지스트 풋(215)은 포토레지스트(212)의 베이스에 도시되고 있다. 포토레지스트 풋은 TERA 층의 상위 부분(220)과 포토레지스트(210) 사이에서 상호작용에 의하여 유발될 수 있다. 포토레지스트 풋은 TERA 층 물질과 기판 물질 간의 반응 및/또는 기판으로부터 밖으로 나오는 가스에 의해 유발될 수 있다. 포토레지스트 풋은 기판의 공정 과정에서의 후속 단계 동안 문제를 유발할 수 있고 형성단계에서 막아야만 한다.
도 2C에서 포토레지스트 층(210)은 본 발명의 방법을 사용하여 처리될 수 있다. 도 2C는 본 발명의 방법을 사용하여 증착되는 TERA 층의 층(250) 위의 포토레지스트 안에 있는 층(250), 양호하게 정의된 포토레지스트 특징부(252), 양호하게 정의된 개구(254)를 보여준다. 도 2C에서 보는 바와 같은 특징부(252)와 개구(254)는 실질적으로 사각형 모양을 가질 수 있으나 꼭 그래야만 하는 것은 아니다. 대체 실시예에서, 사각 모양의 특징부들 및/또는 개구들은 존재할 수 있다. 도 2C에서 포토레지스트 풋은 작거나 심지어는 제거되었다.
이 실시예에서, TERA 하단 부분(230)은 산화물층(240)에 결합하였다. 이것은 필수적인 것은 아니고 TERA층은 산화물 외에 다른 물질 위에 증착될 수 있다. 비록 세개의 층(230, 220 그리고 250)이 도 2C에 보이나, 필수적인 것은 아니다. TERA 스택은 하나 또는 그 이상의 층을 포함한다. 예를 들어, 층(250)과 같은 단층이 사용될 수 있다.
발명자들은 상기 포토레지스트 풋이 기판 위에 나노 구조를 정확히 영상화하는 레지스트 재료의 능력을 제한할 수 있고 포토레지스트 풋은 또한 CD 측정에 역영향을 줄 수 있다고 믿는다. 발명자들은 포토레지스트 풋을 최소화 및/또는 제거하는 방법을 개발하였다.
발명자들은 또한 포토레지스트 풋은 주로 레지스트 중독이라고 불리는 ARC와 포토레지스트 사이의 화학적 상호작용을 유발시킬 수 있다고 믿는다. 예를 들어, ARC 층의 표면에 존재하는 아민 베이스 종들은 화학적으로 증폭된 포토레지스트와 반응하고 레지스트 기판 계면 근처에서 포토레지스트 현상율을 감소시킬 수 있다. 이것은 현상 단계 동안 완전한 레지스트 용해를 방지할 수 있고, 따라서 레지스트 풋이 생성된다. 발명자들은 TERA 층의 위 표면(즉 포토레지스트와 직접 접촉한 표면)이 레지스트 현상 특징이 불리하게 바뀌는 방법으로 저항과 반응하지 않도록 하기 위한 방법을 개발하였다.
게다가, 발명자들은 포토레지스트 풋은 만약 과도하게 강한 점착성의 결합이 레지스트와 아크 층 사이에 형성되면 또한 일어날 수 있다고 믿는다. 일반적으로 레지스트가 일련의 공정 과정 중에 기판으로부터 분리되지 않도록 하기 위해 레지스트와 아래층 사이에 잘 접착되는 것이 바람직하다. 하지만, 점착성의 결합이 너무 강하면, 노출된 레지스트는 현상 단계 동안 완전히 제거되지 않을 수 있다. 잔여 레지스트는 노출된 부분, 특히 노출되지 않은 패턴에 인접한 지역에서 나타날 것이고, 그에 기인한 레지스트 프로파일은 풋을 나타낼 것이다. 발명자들은 포토레지스트에 관하여 특유한 점착성의 특성을 보이는 상위 표면을 가지는 TERA 층을 생성하기 위한 방법을 개발하였다. 이 경우에, 접착성은 분리를 막기에는 충분히 강하여야 하고, 노출된 지역에 풋 후현상 프로파일 또는 잔여 레지스트를 생성할 정도로 강하여서는 안 된다.
풋을 줄이기 위해서는 TERA 층은 TERA 층의 적어도 한 부분을 바꾸기 위해 후공정 플라즈마를 사용하여 후공정 될 수 있다.
상기 기술들은 TERA 상위층뿐만 아니라 TERA 층의 어떤 부분에도 적용될 수 있고 심지어 단층인 경우에도 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예와 일치하여 기판 위에 상단 부분과 하단 부분을 포함하는 TERA 층을 증착하기 위한 절차의 개략 흐름도이다. 예를 들어, TERA 층의 하단 부분은 제1 공정를 사용하여 증착될 수 있고 TERA 층의 상단 부분은 다른 공정를 사용하여 증착될 수 있다. 절차(300)는 (310)에서 시작한다.
(330)에서 기판은 처리 챔버에서 기판 홀더 위에 자리한다. 예를 들어, 기판 홀더는 상위 전극 표면과 기판 홀더의 표면 사이에 간극을 설정하기 위해 사용될 수 있다. 간극은 약 1mm부터 약 200mm 또는 대체 실시예에서는 약 2mm부터 약 80mm 까지의 범위일 수 있다. 기판 홀더는 옮길 수 있다. 그러므로, 대체 실시예에서, 간극 크기는 변화할 수 있다.
(340)에서, TERA 층의 하위 부분은 기판 위에 증착될 수 있다. 대체 실시예에서, TERA 층의 하단 부분은 필요하지 않다.
하단 부분 증착 공정 동안, TRF 신호는 제1 RF 소스를 사용하여 상위 전극에 공급된다. 예를 들어, 제1 RF 소스는 약 0.1MHz부터 약 200MHz의 주파수 범위에서 동작한다. 대체 실시예에서, 제1 RF 소스는 약 1MHz부터 약 200MHz 주파수 범위내에서 동작할 수 있거나 또는 제1 RF 소스는 약 2MHz부터 약 60MHz의 주파수 범위내에서 동작한다. 제1 RF 소스는 약 10 watts부터 약 10000 watts 사이의 전력 범위 또는 대체 실시예에서는 약 10 watts부터 약 5000 watts 사이의 전력 범위에서 동작할 수 있다.
또한, 하단 부분 증착 과정 동안, BRF 신호는 제2 RF 소스를 사용하여 기판 홀더에서 하위 전극에 제공된다. 예를 들어, 제2 RF 소스는 약 0.1MHz부터 약 200MHz 사이의 주파수 범위에서 동작한다. 대체 실시예에서, 제2 RF 소스는 약 0.2MHz부터 약 30MHz의 주파수 범위에서 동작하거나 또는 약 0.3MHz부터 약 15MHz까지의 주파수 범위에서 동작한다. 제2 RF 소스는 약 0 watts부터 약 1000 watts까지의 전력범위에서 동작할 수 있고, 또는 대체 실시예에서는 제2 RF 소스는 약 0 watts부터 약 500 watts까지의 전력범위에서 동작할 수 있다. 대체 실시예에서, BRF 신호는 필요하지 않다.
게다가 샤워 플레이트 어셈블리는 공정 챔버에 제공될 수 있고 상위 전극에 결합될 수 있다. 샤워 플레이트 어셈블리는 중앙 부분, 가장자리 부분, 하위 부분을 포함하고 샤워 플레이트 어셈블리는 가스 공급 시스템에 결합할 수 있다. 하단 부분 증착 과정 동안 제1 공정 가스는 중앙 부분에 제공될 수 있고, 제2 공정 가스는 가장자리 부분에 제공될 수 있고, 제3 공정 가스는 하위 부분에 제공될 수 있다.
대체 실시예에서, 중앙 부분과 가장자리 부분은 단독의 주요 부분으로 함께결합될 수 있고 가스 공급 시스템은 제1 공정 가스 및/또는 제2 공정 가스를 주요 부분으로 제공할 수 있다. 대체 실시예에서, 어떤 부분도 함께 결합할 수 있고 가스 공급 시스템은 하나 또는 그 이상의 공정 가스를 제공할 수 있다.
제1 공정 가스와 제2 공정 가스는 실리콘 함유 전구체와 탄소 함유 전구체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 비활성 가스 또한 포함될 수 있다. 예를 들어, 실리콘 함유 전구체와 탄소 함유 전구체를 위한 유속은 약 0 sccm부터 약 5000 sccm까지의 범위일 수 있고 비활성 가스를 위한 유속은 약 0 sccm부터 약 10000 sccm까지의 범위일 수 있다. 실리콘 함유 전구체는 모노시레인(SiH4), 테트라에틸오또실리케이트(TEOS), 모노메틸시레인(4MS), 옥타메틸씨클로테트라실록세인(OMCTS), 테트라메틸씨클로테트라시레인(TMCTS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 탄소 함유 전구체는 CH4, C2H4, C2H2, C6H6, C6H5OH 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 비활성 가스는 아르곤, 헬륨, 및/또는 니트로겐일 수 있다.
게다가, 제3 공정 가스는 산소 함유 가스, 니트로겐 함유 가스, 탄소 함유 가스, 비활성 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 산소 함유 가스는 O2, CO, NO, N2O, CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다; 탄소 함유 전구체는 CH4, C2H4, C2H2, C6H6, C6H5OH 중 적어도 하나를 포함할 수 있다; 니트로겐 함유 가스는 N2, NF3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다; 비활성 기체는 아르곤, 헬륨 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제3 공정 가스의 유속은 약 0 sccm부터 약 10000 sccm까지의 범위일 수 있다.
제1 공정 가스와 제2 공정 가스의 유속은 하위 부분의 증착 동안 독립적으로 설정될 수 있다.
하단 부분은 248 nm, 193 nm, 157 nm 중에서 적어도 하나의 파장에서 측정했을 때 약 1.5에서 2.5 사이의 굴절률과 약 0.10에서 0.9 사이의 소멸 계수(k)를 가지는 물질을 포함할 수 있다. 하단 부분은 약 30 nm에서 약 500 nm의 두께를 포함하고, 증착률은 약 100 A/min에서 약 1000 A/min의 범위일 수 있다. 하단 부분 증착 시간은 약 5초에서 약 180초로 바뀔 수 있다.
(350)에서, 상단 부분은 하단 부분에 증착될 수 있다. 대체 실시예에서, 하단 부분은 필요하지 않고 상단 부분은 예를 들어 기판 위에 저절로 증착될 수 있다.
TERA 층의 상단 부분의 증착 동안에, TRF 신호는 제1 RF 소스를 사용하여 상위 전극에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 RF 소스는 약 0.1 MHz부터 약 200MHz사이의 주파수 범위에서 동작할 수 있다. 대체 실시예에서, 제1 RF 소스는 약 1MHz에 서 약 100 MHz사이의 주파수 범위 또는 약 2MHz에서 약 60MHz사이의 주파수 범위에서 동작할 수 있다. 제1 RF 소스는 약 10 watts에서 약 10000 watts사이의 전력 범위에서 동작할 수 있거나 또는 약 10 watts에서 5000 watts사이의 전력 범위에서 동작할 수 있다.
게다가, 샤워 플레이트 어셈블리는 공정 챔버에서 제공될 수 있고 상위 전극에 결합할 수 있다. 샤워 플레이트 어셈블리는 중앙 부분과 가장자리 부분을 포함할 수 있고, 샤워 플레이트 어셈블리는 가스 공급 시스템에 결합할 수 있다. 상단 부분 증착 과정 동안 제1 공정 가스는 중앙 부분에 제공될 수 있고, 제2 공정 가스는 가장자리 부분에 제공될 수 있고, 제3 공정 가스는 제3 가스 부분을 통하여 챔버에 제공될 수 있다.
대체 실시예에서, 중앙 지역과 가장자리 지역은 단독 주요 부분으로써 함께 결합할 수 있고 가스 공급 시스템은 제1 공정 가스 및/또는 제2 공정 가스를 주요 부분으로 공급할 수 있다. 대체 실시예에서, 어떤 부분도 함께 결합할 수 있고, 가스 공급 시스템은 하나 또는 그 이상의 공정 가스를 제공할 수 있다.
제1 공정 가스와 제2 공정 가스는 실리콘 함유 전구체와 탄소 함유 전구체 중 적어도 하나로 구성되어 있다. 예를 들어, 실리콘 함유 전구체와 탄소 함유 전구체를 위한 유속은 약 0 sccm에서 약 5000 sccm사이의 범위일 수 있고 비활성 가스를 위한 유속은 약 0 sccm부터 약 10000 sccm사이의 범위일 수 있다. 실리콘 함유 전구체는 모노시레인(SiH4), 테트라에틸로또실리케이트(TEOS), 모노 메틸시레인 (1MS), 디메틸시레인(2MS), 트리메틸시레인(3MS), 테트라메틸시레인(4MS), 옥타메틸씨클로테트라실록세인(OMCTS), 테트라메틸씨클로테트라시레인(TMCTS), 디메틸디메톡시시레인(DMDMOS) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 탄소 함유 전구체는 CH4, C2H4, C2H2, C6H6, C6H5OH 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 비활성 가스는 아르곤, 헬륨, 니트로겐 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제3 공정 가스는 산소 함유 가스, 니트로겐 함유 가스, 비활성 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 산소 함유 가스는 O2, CO, NO, N2O, CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 니트로겐 함유 가스는 N2, NF3 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 비활성 가스는 아르곤, 헬륨 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제3 공정 가스의 유속은 약 0 sccm부터 약 10000 sccm사이의 범위일 수 있다.
제1 공정 가스, 제2 공정 가스, 제3 공정 가스의 유속은 상단 부분의 증착 동안 독립적으로 설정될 수 있다.
상단 부분은 248 nm, 193nm, 157 nm 중 적어도 하나의 파장에서 측정했을 때 약 1.5에서 약 2.5사이의 굴절률(n)과 약 0.10에서 약 0.9 사이의 소멸 계수(k)를 갖는 물질을 포함할 수 있다.
상단 부분은 약 5.0 nm에서 약 400 nm 사이의 두께를 가질 수 있고, 증착률은 약 50 A/min에서 약 5000 A/min의 범위일 수 있다. 상단 부분 증착 시간은 5초로부터 약 180초까지 다양할 수 있다.
대체 실시예에서, BRF 신호는 상단 부분 증착 과정 동안 제2 RF 소스를 사용하여 하위 전극에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 RF 소스는 약 0.1MHz에서 약 200MHz의 주파수 범위에서 동작할 수 있다. 대체 실시예에서, 제2 RF 소스는 약 0.2MHz에서 약 30MHz사이 또는 약 0.3MHz에서 약 15MHz사이의 주파수 범위에서 동작할 수 있다. 제2 RF 소스는 약 0 watts에서 약 1000 watts 사이의 전력 범위에서 동작할 수 있다. 대체 실시예에서, 제2 RF 소스는 약 0 watts에서 약 500 watts사이의 전력 범위에서 동작할 수 있다.
압력 조절 시스템은 챔버에 결합될 수 있고 챔버 압력은 압력 조절 시스템을 사용하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 챔버 압력은 약 0.1 mTorr부터 약 100 Torr사이의 범위를 가질 수 있다.
온도 조절 시스템은 기판 홀더에 결합할 수 있고 기판 온도는 온도 조절 시스템을 사용하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 기판 온도는 약 섭씨 0도에서 약 섭씨 500도 사이의 범위를 가질 수 있다. 온도 조절 시스템은 또한 챔버 벽에 결합될 수 있고 챔버 벽의 온도는 온도 제어 시스템을 사용하여 제어될 수 있다. 예를 들어 챔버의 온도는 약 섭씨 0도에서 약 섭씨 500도의 범위를 가질 수 있다. 게다가, 온도 조절 시스템은 샤워 플레이트 어셈블리에 결합될 수 있고, 샤워 플레이트 어셈블리의 온도는 온도 조절 시스템을 사용하여 조절될 수 있다. 예를 들어, 샤워 플레이트 어셈블리의 온도는 약 섭씨 0도에서 약 섭씨 500도의 범위를 가질 수 있다.
(360)에서, 후공정 플라즈마 공정은 TERA 층의 표면을 변경하기 위한 TERA 증착 후에 수행될 수 있다. 산소 함유 가스를 사용하여 후공정 플라즈마 처리를 수행함에 의해, TERA 표면 위의 레지스트 프로파일은 향상될 수 있고, 포토레지스트 풋은 감소하거나 제거될 수 있다. 대체 실시예에서, 수소 함유 가스가 사용될 수 있다. 또한 비활성 가스도 포함된다.
후공정 플라즈마 공정 동안, TRF 신호는 제1 RF 소스를 사용하여 상위 전극에 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 RF 소스는 약 0.1 MHz에서 약 200MHz 사이의 주파수 범위에서 동작할 수 있다. 대체 실시예에서, 제1 RF 소스는 약 1MHz에서 약 100MHz사이의 주파수 범위, 또는 약 2MHz에서 약 60MHz사이의 주파수 범위에서 동작할 수 있다. 제1 RF 소스는 약 0.1 watts에서 약 10000 watts사이의 전력 범위 또는 약 1 watts에서 약 5000 watts 사이의 전력 범위에서 동작할 수 있다.
게다가, 공정 가스는 공정 챔버 속으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 공정 가스의 유속은 약 0 sccm에서 약 10000 sccm사이의 범위를 가질 수 있다. 공정 가스는 산소 함유 가스와 수소 함유 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 비활성 가스도 또한 포함될 수 있다. 산소 함유 가스는 NO, N2O, O2, CO, CO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있고, 수소 함유 가스는 H2O, H2 중 적어도 하나를 포함할 수 있고 비활성 가스는 아르곤, 헬륨, N2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 공정 가스와 비활성 가스의 유속은 후공정 순서 동안 독립적으로 설정될 수 있다.
후공정 플라즈마 공정 동안, ESC 전압은 필요하지 않다. 대체 실시예에서, ESC 전압는 클램핑 전위로부터 하위 전위로 내려올 수 있다. 예를 들어, 하위 전위 는 약 0 V일 수 있다.
후공정 플라즈마 공정은 디-처킹(de-chucking) 순서를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상단 부분 증착 공정 동안 리프트 핀은 활성화될 수 있다. 대체 실시예에서, 디-처킹은 후공정 플라즈마 전 또는 후에 응용되어 일어날 수 있다. 대체 실시예에서, 디-처킹 순서는 필요하지 않다. 후공정 플라즈마 공정은 약 2초에서 약 180초로 확장할 수 있다.
플라즈마 공정 동안 챔버 압력은 일정하게 유지될 수 있다. 게다가, 챔버 압력은 후공정 순서 동안 변화될 수 있다. 예를 들어, 챔버 압력은 약 0.1 mTorr에서 약 100 Torr로 변화할 수 있다.
단계 (300)은 (370)에서 끝난다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 기판 위에 TERA 층을 증착하기 위한 절차를 보여주는 공정의 전형적인 형태를 보여준다. 제1 단계에서, 공정 가스는 챔버에 도달하고 동작 압력이 설정된다. 예를 들어, 챔버 압력은 약 8 Torr에서 설정될 수 있고, 첫 단계의 지속 기간은 60초가 될 수 있다. 공정 가스는 실리콘 함유 전구체, 탄소 함유 전구체, 비활성 가스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 3MS와 헬륨은 각각 약 100 sccm과 약 600 sccm의 유속에서 사용될 수 있다. 대체 실시예에서, 다른 압력이 사용될 수 있고 다른 지속 시간이 사용될 수 있다.
제2 단계에서 안정화 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 하나 또는 그 이상의 공정 가스의 유속이 변화할 수 있고 클램핑 전압이 ESC에 적용될 수 있다. 예를 들어, 헬륨의 유속은 약 300 sccm으로 감소할 수 있다.
제3 단계에서, TERA 층의 하단 층 부분이 증착될 수 있다. 제1 RF 소스는 RF 신호(TRF)를 상위 전극에 제공할 수 있고, 제2 RF 소스는 RF 신호(BRF)를 하단 전극에 제공할 수 있는 데 이것은 기판 홀더의 부분이 될 수 있다. 예를 들어, TRF 주파수는 약 0.1MHz에서 약 200MHz사이의 범위에 있을 수 있고 TRF 전력은 약 10 watts에서 10000 watts 사이의 범위에 있을 수 있다. 또한, BRF 주파수는 약 0.1 MHz에서 약 200MHz의 범위에 있을 수 있고 BRF 전력은 약 0.1 watts에서 약 1000 watts의 범위에 있을 수 있다. 도해한 실시예(도 4)에서, TRF 주파수는 약 13.56 MHz; TRF 전력은 약 700 watts; BRF 주파수는 약 2MHz; BRF 전력은 약 50 watts; ESC 전압은 약 -200V. 대체 실시예에서, 다른 주파수, 전력 수준, 클램핑 전압이 사용될 수 있다.
제4 단계에서, 준비 공정이 수행될 수 있다. TRF와 BRF 신호 수준은 바뀔 수 있고, 공정 가스는 변화할 수 있고, 유속은 변경될 수 있다. 도해한 실시예(도 4)에서, TRF 신호는 꺼졌고; BRF 신호는 꺼졌고; ESC 전압은 바뀌지 않았다. 또한, 실리콘 함유 전구체의 유속은 변하고 산소 함유 가스는 공정 챔버에 공급되었다. 대체 실시예에서, 플라즈마는 꺼질 수 있고 챔버 안의 압력은 약 1 mTorr부터 약 20 Torr의 범위에 있을 수 있고 공정 가스는 실리콘 함유 전구체, 탄소 함유 전구체, 산소 함유 가스, 비활성 가스 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또는 플라즈마는 챔버에 제공되고 있는 비활성 가스로 유지될 수 있다. 대체 실시예에서, 하단 층의 증착과 상단 층의 증착 사이에서 제4 단계는 상단 층의 증착이 하단 층의 증착 후에 바로 일어날 수 있도록 제거될 수 있다. 도 4의 실시예에서, 3MS의 유속은 약 75 sccm으로 감소하고 CO2는 약 50 sccm의 유속으로 도입된다.
제5 단계에서, TERA 층의 상단 층 부분이 증착될 수 있다. 제1 RF 소스는 상위 전극에 RF 신호(TRF)를 제공할 수 있고 공정 가스의 다른 조합이 공정 챔버에 제공될 수 있다. 예를 들면, TRF 주파수는 약 0.1 MHz에서 약 200 MHz의 범위 내에 있을 수 있고 TRF 전력은 약 10 watts에서 약 10000 watts사이의 범위 내에 있을 수 있다. 게다가, 공정 가스의 조합은 실리콘 함유 전구체, 탄소 함유 전구체, 산소 함유 가스, 비활성 가스를 포함할 수 있다. 도해한 실시예(도 4)에서, TRF 주파수는 약 13.56 MHz; TRF 전력은 약 400 watts; ESC 전압은 약 -200V; 실리콘 함유 전구체는 약 75 sccm의 유속에서 3MS를 포함하였고, 약 50 sccm의 유속에서 산소 함유 가스는 CO2를 포함하였고, 약 300 sccm의 유속에서 비활성 가스는 헬륨을 포함하였다. 대체 실시예에서, 다른 주파수, 전력 수준, 가스들이 사용될 수 있다.
제6, 7단계에서, 정화 공정를 수행할 수 있다. 예를 들어, 하나 또는 그 이상의 공정 가스들의 유속이 변화할 수 있다; TRF 신호가 바뀔 수 있다; ESC 전압은 변할 수 있다; 압력은 변경될 수 있다. 도해한 실시예(도 4)에서, TRF 신호는 꺼졌고; 실리콘 함유 전구체, 3MS의 유속은 0으로 설정되었고; 산소 함유 가스, CO2의 유속은 0으로 설정되었고; 비활성 가스, 헬륨의 유속은 일정하게 유지되었고; ESC 전압은 0으로 설정되었다.
제8 단계에서, 챔버는 비워지고 압력은 낮아진다. 예를 들어, 공정 가스는 이 단계에서 챔버에 제공되지 않는다.
제9 단계에서, 챔버 압력은 증가할 수 있다. 예를 들어, 하나 또는 그 이상의 공정 가스들은 공정 챔버에 제공될 수 있고 챔버 압력은 예정된 수준에서 유지될 수 있다. 도해한 실시예(도 4)에서, RF 신호는 공급되지 않고; 실리콘 함유 전구체, 3MS의 유속은 0으로 설정되었고; 산소 함유 가스, CO2의 유속은 약 36 sccm으로 설정되었고; 비활성 가스, 헬륨의 유속은 약 600 sccm으로 설정되었고; 챔버 압력은 약 2 Torr로 유지되었다.
제10 단계에서, 후 플라즈마 처리 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, TRF 신호는 플라즈마를 설정하기 위해 사용될 수 있다. 도해한 실시예(도 4)에서, TRF 신호는 공급되고; 실리콘 함유 전구체, 3MS의 유속은 0으로 설정되었고; 산소 함유 가스, CO2의 유속은 약 36 sccm으로 설정되었고; 비활성 가스, 헬륨의 유속은 약 600 sccm으로 설정되었고; 챔버 압력은 약 2 Torr로 유지되었다.
제11 단계에서, 핀 업 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어 리프트 핀은 기판 홀더에서 기판을 들어올리기 위해 확장될 수 있다.
제12 단계에서, 정화 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, TRF 신호가 바뀌고, 챔버 압력이 변할 수 있다. 도해한 실시예(도 4)에서, TRF 신호는 꺼지고; 실리콘 함유 전구체, 3MS의 유속은 0으로 설정되고; 산소 함유 가스, CO2의 유속은 약 36 sccm으로 설정되었고; 비활성 가스, 헬륨의 유속은 약 600 sccm으로 설정되었고; 챔버 압력은 약 2 Torr로 감소하였다.
제13 단계에서, 챔버는 비워지고 압력은 낮아진다. 예를 들어, 공정 가스는 이 단계 동안 챔버에 제공되지 않는다.
상기 예는 TERA 층을 하단 층과 상단 층에 증착하기 위해 PECVD 절차를 사용하여 증착할 수 있다는 것을 도해한다. 대체 실시예에서, 단독 TERA 층을 증착할 수 있다.
이 실시예에서, TERA 하단 층과 상단 층을 하나의 챔버에서 순서대로 증착한다. 하단과 상단 층을 증착하는 사이 기간 동안, 플라즈마는 꺼진다. 대체 실시예에서, TERA 하단 층과 상단 층을 플라즈마를 끄지 않고 같은 챔버 내에 순서대로 증착할 수 있다. 대체 실시예에서, TERA 하단 층과 상단 층을 각각 다른 챔버에 증착할 수 있다.
이 실시예에서, 챔버는 하단 층과 상단 층을 증착하는 사이에 특정한 압력을 유지한다. 대체 실시예에서는 챔버를 층들의 증착 사이에 비울 수 있다.
상기 예는 TERA 층의 상단 부분이 증착될 수 있고 포토레지스트 양립성의 표면이 포토레지스트 풋의 형성을 막기 위해 TERA 층의 상단에 형성될 수 있다는 것을 도해한다.
비록 오직 본 발명의 특정한 전형적인 실시예들이 상기에 상세하게 묘사되었으나, 당업자는 본 발명의 상기 교시와 이점을 실질적으로 떠나지 않고 전형적인 실시예들에서 많은 변경이 가능하다는 것을 이의 없이 인식할 것이다. 따라서, 모든 그런 변경들은 본 발명의 범위 내에 포함될 것이다.

Claims (43)

  1. 기판 위에 물질을 증착하는 방법으로서,
    플라즈마 소스를 가지는 챔버안과 기판 홀더 위에 기판을 놓는 단계와;
    상기 기판 위에 조절가능한 내에칭 ARC(Tunable Etch Resistant ARC(TERA)) 층을 증착하는 단계에서, 전구체를 포함하는 공정 가스가 상기 챔버로 제공되는 상기 증착 단계와;
    TERA 층을 후공정 플라즈마에 노출시키는 단계를 포함하며, 포토레지스트 양립 표면이 상기 TERA 층 위에 생성되는 것인 물질 증착 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 TERA 층의 포토레지스트 양립 표면에 복수개의 포토레지스트를 형성하는 단계를 포함하는 것으로서, 상기 포토레지스트 중 적어도 하나는 실질적으로 작은 풋을 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  3. 제1항에 있어서, 그 방법은:
    TERA 층의 포토레지스트 양립 표면에 복수개의 포토레지스트를 형성하는 단계를 포함하는 것으로서, 상기 포토레지스트 중 적어도 하나는 양호하게 정의된 직각의 프로파일을 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 노출 단계는:
    산소 함유 가스와 수소 함유 가스 중 적어도 하나를 사용하는 후공정 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 산소 함유 가스는 상기 생성중에 사용되고, 약 0 sccm내지 약 10000 sccm 사이의 유속으로 흐르며, 상기 산소 함유 가스는 H2O, NO, N2O, O2, CO, CO2 중 적어도 하나를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 수소 함유 가스가 상기 생성중에 사용되고, 약 0 sccm내지 약 10000 sccm 사이의 유속으로 흐르며, 상기 수소 함유 가스는 H2O, H2 중 적어도 하나를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 비활성 가스가 또한 상기 생성중에 사용되고, 약 0 sccm 내지 약 10000 sccm 사이의 유속으로 흐르며, 상기 비활성 가스는 Ar, He, N2 중 적어도 하나를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 소스는 RF 소스를 가지고 상기 노출 단계는:
    약 0.1 MHz 내지 200 MHz사이의 주파수 범위 내에서 상기 RF 소스를 동작하는 단계와;
    약 0.1 watts 내지 약 200 watts사이의 전력 범위 내에서 상기 RF 소스를 동 작하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 후공정 플라즈마는 약 2초에서 약 180초로 변하는 수명을 가지는 것인 물질 증착 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 TERA 층의 증착단계는:
    증착 시간 동안 TERA 층의 하단 부분을 증착하는 단계를 포함하는 것으로서, 하단 부분은 248 nm, 193 nm, 157 nm 중 적어도 하나의 파장에서 측정할 때 약 1.5내지 약 2.5 사이의 범위의 굴절률(n)을 가지고, 약 0.10 내지 약 0.9사이의 소멸 계수(k)를가지는 물질을 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 하단 부분의 증착 단계는 약 100 A/min 내지 약 10000 A/min사이의 속도에서 일어나는 것인 물질 증착 방법.
  12. 제10항에 있어서, 증착 시간은 약 5초에서 약 180초 사이의 범위에 있는 것인 물질 증착 방법.
  13. 제10항에 있어서, 플라즈마 소스는 RF 소스를 가지고 상기 하단 부분의 증착 단계는:
    약 0.1 MHz 내지 200 MHz사이의 주파수 범위 내에서 상기 RF 소스를 동작하 는 단계와;
    약 10.0 watts 내지 약 10000 watts사이의 전력 범위 내에서 상기 RF 소스를 동작하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  14. 제13항에 있어서, 제2 RF 소스는 기판 홀더에 결합되고 상기 하단 부분의 증착 단계는:
    약 0.1 MHz 내지 200 MHz사이의 주파수 범위 내에서 상기 제2 RF 소스를 동작하는 단계와;
    약 0.0 watts 내지 약 500 watts사이의 전력 범위 내에서 상기 제2 RF 소스를 동작하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 하단 부분의 증착 단계는:
    공정 가스를 제공하는 단계를 더 포함하는 것으로서, 상기 공정 가스는 실리콘 함유 전구체와 탄소 함유 전구체 중 적어도 하나를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 공정 가스의 제공 단계는 약 0 sccm 내지 약 5000 sccm사이의 제1 속도로 실리콘 함유 전구체 및/또는 탄소 함유 전구체를 흐르게 하는 단계를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 공정 가스는 모노시레인(SiH4), 테트라에틸로또실리케이트(TEOS), 모노메틸시레인(1MS), 디메틸시레인(2MS), 트리메틸시레인(3MS), 테트라메틸시레인(4MS), 옥타메틸씨클로테트라실록세인(OMCTS), 테트라메틸씨클로테트라시레인(TMCTS) 중 적어도 하나를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 공정 가스는 CH4, C2H2, C2H4, C6H6, C6H5OH 중 적어도 하나를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 공정 가스는 아르곤, 헬륨, 니트로겐 중 적어도 하나를 포함하는 것인 비활성 가스를 포함하는 물질 증착 방법.
  20. 제10항에 있어서, 상기 하단 부분의 증착 단계는:
    압력 조절 시스템을 사용하여 챔버 압력을 조정하는 단계를 더 포함하는 것으로서, 챔버 압력은 약 0.1 mTorr 내지 약 100 Torr사이의 범위를 가지는 것인 물질 증착 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 챔버 압력은 약 0.1 Torr 내지 약 20 Torr사이의 범위를 가지는 것인 물질 증착 방법.
  22. 제10항에 있어서, 상기 하단 부분의 증착 단계는:
    기판 홀더에 기판을 쌓기 위하여 기판 홀더에 결합하는 정전 척(electrostatic chuck(ESC))에 DC 전압을 제공하는 단계를 포함하는 것으로서, 상기 DC 전압은 약 -2000 V 내지 약 +2000V사이의 범위를 갖는 물질 증착 방법.
  23. 제1항에 있어서, 상기 TERA 층의 증착 단계는:
    증착 시간 동안 TERA 층의 상단 부분을 증착하는 단계를 더 포함하는 것으로서, 상단 부분은 248 nm, 193 nm, 157 nm 중 적어도 하나의 파장에서 측정할 때 약 1.5 내지 약 2.5 사이의 범위의 굴절률(n)을 가지고, 약 0.10 내지 약 0.9사이의 소멸 계수(k)를가지는 물질을 포함하는 물질 증착 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 플라즈마 소스는 RF 소스를 가지고, 상기 상단 부분의 증착 단계는:
    약 1 MHz 내지 100 MHz사이의 주파수 범위 내에서 상기 RF 소스를 동작하는 단계와;
    약 10.0 watts 내지 약 2000 watts사이의 전력 범위 내에서 상기 RF 소스를 동작하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  25. 제23항에 있어서, 상기 상단 부분의 증착 단계는 약 10 A/min 내지 약 5000 A/min사이의 속도에서 일어나는 것인 물질 증착 방법.
  26. 제23항에 있어서, 상기 증착 시간은 약 5초에서 약 180초 사이의 범위에 있는 것인 물질 증착 방법.
  27. 제23항에 있어서, 상기 상단 부분의 공정 가스는 비활성 가스와 실리콘, 탄소, 산소를 포함하는 전구체를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  28. 제23항에 있어서, 상기 상단 부분의 공정 가스는 실리콘 함유 전구체, 탄소 함유 가스, 산소 함유 가스, 비활성 가스를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  29. 제27항에 있어서, 상기 전구체는 약 0.0 sccm 내지 약 5000 sccm 사이의 제1 속도에서 흐르고, 상기 비활성 가스는 약 0.0 sccm 내지 약 10000 sccm 사이의 제2 속도에서 흐르는 것인 물질 증착 방법.
  30. 제27항에 있어서, 상기 전구체는 테트라메틸씨클로테트라시레인(TMCTS), 테트라에틸로또실리케이트(TEOS), 디메틸디메토옥시레인(DMDMOS), 옥타메틸씨클로테트라실록세인(OMCTS) 중 적어도 하나를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  31. 제27항에 있어서, 상기 비활성 가스는 아르곤, 헬륨, 니트로겐 중 적어도 하나를 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  32. 제1항에 있어서, 상기 기판의 온도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  33. 제32항에 있어서, 상기 기판 온도는 약 섭씨 0도 내지 약 섭씨 500도 사이의 범위를 갖는 것인 물질 증착 방법.
  34. 제1항에 있어서, 챔버의 적어도 하나의 챔버 벽의 온도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 적어도 하나의 챔버 벽의 온도는 약 섭씨 0도 내지 약 섭씨 500도의 범위를 가지는 것인 물질 증착 방법.
  36. 제1항에 있어서, 샤워 플레이트 어셈블리는 상기 챔버에 결합되고,
    상기 샤워 플레이트 어셈블리의 온도를 조절하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  37. 제38항에 있어서, 상기 샤워 플레이트 어셈블리는 약 섭씨 0도 내지 약 섭씨 500도의 온도 범위를 갖는 것인 물질 증착 방법.
  38. 제1항에 있어서, 상기 후공정 플라즈마가 생성되고 있는 동안 기판을 디-처킹(de-chucking)하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  39. 제1항에 있어서, 상기 후공정 플라즈마가 생성되기 전에 기판을 디-처킹(de-chucking)하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  40. 제1항에 있어서, 상기 후공정 플라즈마가 소멸된 후에 기판을 디-처킹(de-chucking)하는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  41. 제1항에 있어서, 상기 후공정 플라즈마가 생성되고 있는 동안 기판을 들어올리는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  42. 제1항에 있어서, 상기 후공정 플라즈마가 생성되기 전에 기판을 들어올리는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
  43. 제1항에 있어서, 상기 후공정 플라즈마가 꺼진 후에 기판을 들어올리는 단계를 더 포함하는 것인 물질 증착 방법.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050100682A1 (en) * 2003-11-06 2005-05-12 Tokyo Electron Limited Method for depositing materials on a substrate
US7077903B2 (en) * 2003-11-10 2006-07-18 International Business Machines Corporation Etch selectivity enhancement for tunable etch resistant anti-reflective layer
US7199046B2 (en) * 2003-11-14 2007-04-03 Tokyo Electron Ltd. Structure comprising tunable anti-reflective coating and method of forming thereof
US20050118541A1 (en) 2003-11-28 2005-06-02 Applied Materials, Inc. Maintenance of photoresist adhesion and activity on the surface of dielectric ARCS for 90 nm feature sizes
US7497959B2 (en) 2004-05-11 2009-03-03 International Business Machines Corporation Methods and structures for protecting one area while processing another area on a chip
US20070031609A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-08 Ajay Kumar Chemical vapor deposition chamber with dual frequency bias and method for manufacturing a photomask using the same
EP2088123A1 (en) 2006-11-10 2009-08-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Si-O CONTAINING HYDROGENATED CARBON FILM, OPTICAL DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE Si-O CONTAINING HYDROGENATED FILM AND THE OPTICAL DEVICE
KR101387711B1 (ko) * 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
US20090104541A1 (en) * 2007-10-23 2009-04-23 Eui Kyoon Kim Plasma surface treatment to prevent pattern collapse in immersion lithography
US7947561B2 (en) * 2008-03-14 2011-05-24 Applied Materials, Inc. Methods for oxidation of a semiconductor device
DE102008044987B4 (de) 2008-08-29 2019-08-14 Globalfoundries Dresden Module One Limited Liability Company & Co. Kg Verfahren zur Verringerung von Partikeln in PECVD-Prozessen zum Abscheiden eines Materials mit kleiner Dielektrizitätskonstante unter Anwendung eines plasmaunterstützten Schritts nach der Abscheidung
US8741394B2 (en) * 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US8304262B2 (en) * 2011-02-17 2012-11-06 Lam Research Corporation Wiggling control for pseudo-hardmask
US8709706B2 (en) * 2011-06-15 2014-04-29 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for performing multiple photoresist layer development and etching processes
CN102446753A (zh) * 2011-09-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 控制光阻所需介电抗反射薄膜反射率及消光系数的方法
CN103811311B (zh) * 2012-11-15 2016-10-26 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用以改善线宽稳定性的SiON表面处理方法
JP7039865B2 (ja) * 2017-05-26 2022-03-23 大日本印刷株式会社 パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム
TWI830751B (zh) * 2018-07-19 2024-02-01 美商應用材料股份有限公司 低溫高品質的介電膜及其形成方法
CN109256330A (zh) * 2018-09-06 2019-01-22 德淮半导体有限公司 一种光刻方法
JP7208873B2 (ja) * 2019-08-08 2023-01-19 東京エレクトロン株式会社 シャワープレート、下部誘電体、及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
DE69435294D1 (de) * 1994-11-07 2010-07-01 Macronix Int Co Ltd Passivierungsverfahren für eine integrierte schaltung
US5776834A (en) * 1995-06-07 1998-07-07 Advanced Micro Devices, Inc. Bias plasma deposition for selective low dielectric insulation
WO1997035176A1 (en) * 1996-03-19 1997-09-25 University Of Utah Research Foundation Lens and associatable flow cell
US6074488A (en) * 1997-09-16 2000-06-13 Applied Materials, Inc Plasma chamber support having an electrically coupled collar ring
JPH11174684A (ja) * 1997-12-16 1999-07-02 Toshiba Corp パターン形成方法
US6287959B1 (en) 1998-04-23 2001-09-11 Advanced Micro Devices, Inc. Deep submicron metallization using deep UV photoresist
US6316167B1 (en) * 2000-01-10 2001-11-13 International Business Machines Corporation Tunabale vapor deposited materials as antireflective coatings, hardmasks and as combined antireflective coating/hardmasks and methods of fabrication thereof and application thereof
US6380611B1 (en) 1998-09-03 2002-04-30 Micron Technology, Inc. Treatment for film surface to reduce photo footing
US6238160B1 (en) * 1998-12-02 2001-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd' Method for transporting and electrostatically chucking a semiconductor wafer or the like
US6869750B2 (en) * 1999-10-28 2005-03-22 Fujitsu Limited Structure and method for forming a multilayered structure
US6251560B1 (en) * 2000-05-05 2001-06-26 International Business Machines Corporation Photoresist compositions with cyclic olefin polymers having lactone moiety
TW574622B (en) * 2000-05-05 2004-02-01 Ibm Copolymer photoresist with improved etch resistance
US6410462B1 (en) * 2000-05-12 2002-06-25 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method of making low-K carbon doped silicon oxide
US6936533B2 (en) 2000-12-08 2005-08-30 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor devices having low dielectric interlayer insulation layer
DE10062660B4 (de) 2000-12-15 2010-05-06 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zur Herstellung einer Siliciumoxynitrid-ARC-Schicht über einer Halbleiterstruktur
US6624091B2 (en) * 2001-05-07 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Methods of forming gap fill and layers formed thereby
US6486082B1 (en) * 2001-06-18 2002-11-26 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted lower dielectric constant sicoh film
US7183201B2 (en) * 2001-07-23 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers
US6962732B2 (en) * 2001-08-23 2005-11-08 Applied Materials, Inc. Process for controlling thin film uniformity and products produced thereby
JP2003209046A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Mitsubishi Electric Corp レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法
US6812043B2 (en) 2002-04-25 2004-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming a carbon doped oxide low-k insulating layer
DE10240176A1 (de) * 2002-08-30 2004-04-29 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Ein dielektrischer Schichtstapel mit kleiner Dielektrizitätskonstante einschliesslich einer Ätzindikatorschicht zur Anwendung in der dualen Damaszenertechnik
EP1408140A1 (en) * 2002-10-11 2004-04-14 STMicroelectronics S.r.l. A high-density plasma process for depositing a layer of Silicon Nitride
JP2004153037A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法

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Publication number Publication date
WO2005047564A3 (en) 2005-09-15
US7611758B2 (en) 2009-11-03
TW200526808A (en) 2005-08-16
JP2007515056A (ja) 2007-06-07
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