KR20060107155A - 평판표시장치 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

평판표시장치 및 그의 제조방법을 제공한다. 상기 평판표시장치는 화소영역과 얼라인 마크영역들을 갖는 기판을 구비한다. 상기 얼라인 마크영역들은 상기 화소영역의 서로 대응하는 양측부에 상기 화소영역을 따라 위치한다. 상기 화소영역 상에 단위화소 어레이가 열과 행을 갖도록 배열된다. 상기 얼라인 마크영역들 상에 적어도 하나의 얼라인 마크 쌍(align mark pair)이 서로 대응하여 위치한다. 상기 얼라인 마크 쌍은 상기 단위화소 어레이의 열에 대응하여 위치한다.
평판표시장치. 얼라인 마크, 레이저 조사

Description

평판표시장치 및 그의 제조방법{Flat Panel Display and Fabrication Method of the Same }
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시장치의 소자기판 및 상기 소자기판 상에 패턴을 형성하기 위한 레이저 열 전사장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2a는 도 1의 A영역을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 2b는 도 1의 절단선 Ⅰ-Ⅰ′를 따라 취해진 영역 및 도 2a의 절단선 Ⅱ-Ⅱ′를 따라 취해진 영역을 동시에 나타낸 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 평판표시장치들의 소자기판들을 각각 나타낸 평면도들이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시장치의 제조방법을 나타낸 평면도들이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판표시장치의 제조방법을 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 평판표시장치의 소자기판 상에 패턴을 형성하기 위한 레이저 열 전사장치를 나타낸 개략도이다.
도 7a는 도 4d의 B영역 중 소자기판을 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 7b는 도 4b의 절단선 Ⅰ-Ⅰ′를 따라 취해진 영역 및 도 6a의 절단선 Ⅱ-Ⅱ′를 따라 취해진 영역을 동시에 나타낸 단면도이다.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)
20 : 척 30 : 레이저 조사장치
51, 52 : 카메라 100 : 소자기판
AM : 얼라인 마크영역 P : 화소영역
133 : 얼라인 마크 쌍 Pc : 단위화소 어레이의 열
본 발명은 평판표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 얼라인 마크영역을 구비하는 평판표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
평판표시장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인해, 최근 음극선관 표시장치(cathode-ray tube display)를 대체하는 표시장치로서 대두되고 있다. 이러한 평판표시장치에는 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD), 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display; OLED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel; PDP) 및 전계방출표시장치(Field Emission Display; FED)가 있다.
이러한 평판표시장치는 일반적으로 높은 온도에서 변형이 쉬운 유리기판을 채용하고 있는데, 이러한 변형은 후속하는 패턴 형성의 정밀도를 저하시키는 요인이 되기도 한다. 나아가, 상기 기판의 크기가 커짐에 따라 변형의 정도는 더욱 커 지고, 이로 인해 정밀한 패턴을 형성하는 것이 점차 힘들어지고 있다.
한편, 평판표시장치에 패턴을 형성하는 방법 중 하나로 레이저 열 전사방법이 있다. 이러한 레이저 열 전사방법은 적어도 레이저, 억셉터 기판 및 도너 필름을 필요로 하며, 상기 도너 필름은 기재 필름, 광열변환층 및 전사층을 구비한다. 레이저 열전사 공정에 있어서는 상기 전사층을 상기 억셉터 기판에 대향하도록 하여 상기 도너 필름을 상기 억셉터 기판 상에 라미네이션한 후, 상기 기재 필름 상에 레이저 빔을 조사한다. 상기 기재 필름 상에 조사된 빔은 상기 광열변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 상기 열에너지에 의해 상기 전사층은 상기 억셉터 기판 상으로 전사된다. 그 결과, 상기 억셉터 기판 상에 전사층 패턴이 형성되게 된다.
그러나, 상술한 바와 같이 상기 억셉터 기판이 변형된 경우, 상기 레이저 빔은 정확한 위치에 조사되지 않을 수 있어, 상기 전사층 패턴의 형성 오류가 발생할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판 변형이 발생한 경우에도 기판 상의 정확한 위치에 레이저 빔을 조사하여 기판 상의 원하는 위치에 전사층 패턴을 형성할 수 있는 평판표시장치의 제조방법을 제공함에 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판 변형이 발생한 경우에도 기판 상의 원하는 위치에 전사층 패 턴이 형성될 수 있는 평판표시장치를 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 평판표시장치를 제공한다. 상기 평판표시장치는 화소영역과 얼라인 마크영역들을 갖는 기판을 구비한다. 상기 얼라인 마크영역들은 상기 화소영역의 서로 대응하는 양측부에 상기 화소영역을 따라 위치한다. 상기 화소영역 상에 단위화소 어레이가 열과 행을 갖도록 배열된다. 상기 얼라인 마크영역들 상에 적어도 하나의 얼라인 마크 쌍(align mark pair)이 서로 대응하여 위치한다. 상기 얼라인 마크 쌍은 상기 단위화소 어레이의 열에 대응하여 위치한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 또 다른 일 측면은 평판표시장치의 제조방법을 제공한다. 상기 방법은 화소영역, 상기 화소영역의 서로 대응하는 양측부에 상기 화소영역을 따라 위치하는 얼라인 마크영역들, 상기 화소영역 상에 열과 행을 갖도록 배열된 단위화소 어레이 및 상기 얼라인 마크영역들 상에 서로 대응하여 위치하는 적어도 하나의 얼라인 마크 쌍(align mark pair)을 구비하되, 상기 얼라인 마크 쌍은 상기 단위화소 어레이의 열에 대응하여 위치하는 소자기판을 척 상에 위치시키는 것을 포함한다. 카메라를 사용하여 상기 얼라인 마크 쌍의 위치를 측정한다. 상기 측정된 얼라인 마크 쌍의 위치를 통해 상기 측정된 얼라인 마크 쌍에 대응하는 상기 단위화소 어레이의 열의 위치를 계산한다. 상기 계산된 위치를 따라 레이저 빔을 조사한다.
이하, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 도면들에 있어서, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시장치의 소자기판 및 상기 소자기판 상에 패턴을 형성하기 위한 레이저 열 전사장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 레이저 열 전사장치는 기판 스테이지(10)를 구비한다. 상기 기판 스테이지(10) 상에 척(20)이 위치한다. 상기 기판 스테이지(10)는 상기 척(20)을 X방향으로 이동시키기 위한 척 가이드 바(chuck guide bar; 15)를 구비한다. 따라서, 상기 척(20)은 상기 척 가이드 바(15)를 따라 X방향으로 이동할 수 있다. 상기 척(20)은 소자기판(100)을 상기 척(20) 상에 위치하도록 고정시킨다.
상기 소자기판(100)은 화소영역(P)과 얼라인 마크영역들(AM)을 구비한다. 상기 얼라인 마크영역들(AM)은 상기 화소영역(P)의 서로 대응하는 양측부에 상기 화소영역(P)을 따라 위치한다. 상기 화소영역(P)은 열(Pc)과 행을 갖도록 배열된 단위화소 어레이를 구비한다.
상기 얼라인 마크영역들(AM)은 서로 대응하여 위치하는 적어도 하나의 얼라인 마크 쌍(align mark pair; 133)을 구비한다. 상기 얼라인 마크 쌍(133)은 상기 단위화소 어레이의 열(Pc)에 대응하여 위치한다. 나아가, 상기 얼라인 마크영역들(AM) 상에 복수개의 얼라인 마크 쌍(133)이 위치하며, 상기 얼라인 마크 쌍(133)들은 상기 단위화소 어레이의 모든 열(Pc)들에 각각 대응하여 위치한다. 바람직하게는 상기 각 얼라인 마크 쌍(133)은 상기 단위화소 어레이의 각 열(Pc)의 연장선 상에 위치한다.
상기 소자기판(100) 상에 적어도 상기 화소영역(P)을 덮는 도너기판(200)이 위치할 수 있다.
상기 척(20) 상에 상기 척(20)을 가로지르는 방향으로 배치된 광학 스테이지(40)가 위치한다. 상기 광학 스테이지(40) 상에 레이저 조사 장치(30)가 설치된다. 상기 광학 스테이지(40)는 상기 레이저 조사 장치(30)를 Y 방향으로 이동시키기 위한 레이저 가이드 바(laser guide bar; 45)를 구비한다. 상기 레이저 조사 장치(30)는 레이저 소오스(light source; 미도시), 빔 모양 변형장치(beam shaping element; 미도시), 마스크(미도시) 및 투영렌즈(projection lens; 미도시)를 구비할 수 있다. 상기 레이저 소오스는 레이저 빔을 발생시키는 장치이다. 상기 레이저 소오스로부터 발생된 빔은 상기 빔 모양 변형장치를 통과한다. 상기 빔 모양 변형장치는 상기 레이저 소오스에서 발생된 가우시안 프로파일을 갖는 빔을 균질화된 플랫-탑 프로파일을 갖는 빔으로 변형시킬 수 있다. 상기 균질화된 빔은 상기 마스크를 통과할 수 있다. 상기 마스크는 적어도 하나의 광투과 패턴 또는 적어도 하나의 광반사 패턴을 구비한다. 상기 마스크를 통과한 빔은 상기 패턴들에 의해서 패터닝된 이미지을 가질 수 있다. 상기 패터닝된 이미지를 갖는 레이저 빔은 상기 투 영렌즈를 통과하여 상기 기판, 자세하게는 상기 도너기판(200) 상으로 조사된다.
상기 광학 스테이지(40)의 측부 상에 카메라들(51, 52)이 장착된다. 상기 카메라들(51, 52)은 상기 얼라인 마크영역들(AM)에 배열된 상기 얼라인 마크 쌍을 촬영하기 위한 것으로 개수나 위치는 이에 한정되지 않는다. 상기 카메라들(51, 52)은 CCD 카메라들일 수 있다.
도 2a는 도 1의 A영역을 확대하여 나타낸 평면도이고, 도 2b는 도 1의 절단선 Ⅰ-Ⅰ′를 따라 취해진 영역 및 도 2a의 절단선 Ⅱ-Ⅱ′를 따라 취해진 영역을 동시에 나타낸 단면도이다.
도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 소자기판(100) 상에 도너기판(200)이 위치한다.
상기 소자기판(100)은 열(Pc)과 행을 갖도록 배열된 단위화소 어레이를 구비하는 화소영역(P)과 얼라인 마크 쌍(133)들이 배열된 얼라인 마크 영역(AM)을 구비한다. 상기 단위화소 어레이는 스트라이프 형태로 배열된 단위화소들을 구비한다. 즉, 상기 단위화소 어레이의 각 열(Pc)에는 동일색 단위화소들이 위치할 수 있다. 그러나, 단위화소들의 배열은 상술한 스트라이프 형태에 한정되지 않고, 델타 배열 또는 모자이크 배열을 가질 수 있다.
상기 소자기판(100)은 소자 베이스 기판(101)을 구비한다. 상기 소자 베이스 기판(101)은 유리, 플라스틱, 석영, 실리콘 또는 금속 기판일 수 있다. 나아가, 상기 소자 베이스 기판(101)은 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다. 상기 소자 베이스 기판(101)의 화소영역(P) 상에 반도체층(110)이 위치한다. 상기 반도체층(110) 은 비정질 실리콘막 또는 비정질 실리콘막을 결정화한 다결정 실리콘막일 수 있다. 상기 반도체층(110)을 포함한 기판 전체면 상에 게이트 절연막(115)이 위치한다. 상기 게이트 절연막(115) 상에 상기 반도체층(110)과 중첩하는 게이트 전극(120)이 위치한다. 상기 게이트 전극(120)을 포함한 기판 전체면 상에 상기 반도체층(110) 및 상기 게이트 전극(120)을 덮는 제 1 층간절연막(125)이 위치한다. 상기 제 1 층간절연막(125) 상에 상기 제 1 층간절연막(125) 및 상기 게이트 절연막(115)을 관통하여 상기 반도체층(110)의 양 단부와 각각 접속하는 소오스 전극(130a) 및 드레인 전극(130b)이 위치한다. 상기 반도체층(110), 상기 게이트 전극(120) 및 상기 소오스/드레인 전극들(130a, 130b)은 박막트랜지스터를 구성한다. 한편, 얼라인 마크 영역(AM)의 상기 제 1 층간절연막(125) 상에는 얼라인 마크(133)가 위치한다. 상기 얼라인 마크(133)는 공정의 편의를 위해 상기 소오스/드레인 전극들(130a, 130b)을 형성함과 동시에 형성할 수 있다. 나아가, 상기 얼라인 마크(133)는 알루미늄 막, 몰리브덴막, 알루미늄 합금막 또는 몰리브덴 합금막일 수 있다. 그러나, 상기 얼라인 마크(133)는 이에 한정되지 않고 반사특성이 뛰어난 물질막이면 모두 적용가능하다.
상기 소오스/드레인 전극들(130a, 130b) 및 상기 얼라인 마크(133)를 포함한 기판 전체면 상에 상기 소오스/드레인 전극들(130a, 130b) 및 상기 얼라인 마크(133)를 덮는 제 2 층간절연막(137)이 위치한다. 상기 제 2 층간절연막(137)은 상기 박막트랜지스터를 보호하기 위한 패시베이션막 및/또는 상기 박막트랜지스터로 인한 단차를 완화하기 위한 평탄화막을 구비할 수 있다. 상기 제 2 층간절연막 (137) 상에 상기 제 2 층간절연막(137)을 관통하여 상기 드레인 전극(130b)과 접속하는 화소전극(150)이 위치한다. 상기 화소전극(150)은 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)막 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)막일 수 있다. 상기 화소전극(150) 상에 상기 화소전극(150)의 일부를 노출시키는 개구부(155a)를 갖는 화소정의막(pixel defining layer, 155)이 위치할 수 있다.
한편, 상기 도너기판(200)은 도너 베이스 기판(201) 및 상기 도너 베이스 기판(201)의 일면 상에 차례로 적층된 광열변환층(210)과 전사층(220)을 구비한다. 상기 도너 베이스 기판(201)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate, PET) 등의 투명성 고분자 유기재료로 형성된 기판일 수 있다. 상기 광열변환층(210)은 입사되는 광을 열로 변환시키는 막으로, 광흡수성 물질인 알루미늄 산화물, 알루미늄 황화물, 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함할 수 있다. 상기 전사층(220)은 상기 소자기판(100)이 유기전계발광소자기판인 경우, 유기전사층일 수 있다. 상기 유기전사층(220)은 정공주입성 유기막, 정공수송성 유기막, 전계발광성 유기막, 정공억제성 유기막, 전자수송성 유기막 및 전자주입성 유기막으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 막일 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 평판표시장치들의 소자기판들을 각각 나타낸 평면도들이다. 본 실시예들에 따른 평판표시장치들의 소자기판들은 후술하는 것을 제외하고는 도 1을 참조하여 설명한 평판표시장치의 소자기판과 비슷하다.
도 3a를 참조하면, 얼라인 마크영역들(AM)은 서로 대응하여 위치하는 적어도 하나의 얼라인 마크 쌍(align mark pair; 133)들을 구비하며, 상기 얼라인 마크 쌍(133)들은 상기 단위화소 어레이의 일부 열(Pc)들에 대응하여 위치한다. 상기 얼라인 마크 쌍(133)들 사이의 간격은 상기 단위화소 어레이의 열(Pc)들 사이의 간격의 정수배이다.
도 3b를 참조하면, 소자기판(100)은 다수 개의 소자 셀들을 구비한다. 각 소자 셀은 화소영역(P) 및 얼라인 마크영역들(AM)을 구비한다. 상기 얼라인 마크영역들(AM)은 도시된 바와 같이 단위화소 어레이의 모든 열들(Pc)에 대응하는 얼라인 마크 쌍(133)을 구비할 수 있다. 이와는 달리, 도 3a에 도시된 소자기판과 같이 얼라인 마크 쌍(133)들은 상기 단위화소 어레이의 일부 열(Pc)들에 대응하여 위치하고, 상기 얼라인 마크 쌍(133)들 사이의 간격은 상기 단위화소 어레이의 열(Pc)들 사이의 간격의 정수배일 수 있다. 한편, 상기 소자기판(100)은 도 1 및 도 3a를 참조하여 설명한 소자기판에 비해 대형일 수 있다.
도 4a 내지 도 4d는 도 1에 나타난 레이저 열 전사장치의 평면도들로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시장치의 제조방법, 자세하게는 소자기판 상에 패턴을 형성하는 방법을 나타낸다.
도 4a를 참조하면, 척(20) 상에 소자기판(100)을 위치시킨다. 상기 소자기판(100)은 도 1, 2a 및 2b를 참조하여 설명한 소자기판일 수 있다. 이와는 달리 상기 소자기판(100)은 도 3a 또는 3b를 참조하여 설명한 소자기판일 수 있다. 상기 소자기판(100)은 기판 상에 여러 패턴을 형성하는 과정에서 변형될 수 있다. 도면에는 상기 소자기판(100)이 그의 상부가 그의 하부에 비해 늘어난 것으로 도시되었으나, 이에 한정되지 않고 다른 어떠한 변형도 가능하다. 나아가, 상기 소자기판(100)이 플렉서블 기판이거나 대형 기판인 경우, 상기 변형은 심화될 수 있다.
상기 소자기판(100) 상에 도너기판(200)을 위치시킨다. 상기 도너기판(200)은 도 1 및 도 2b를 참조하여 설명한 도너 기판일 수 있다. 상기 도너기판(200)은 상기 소자기판(100)의 적어도 화소영역(P)을 덮도록 위치시키되, 전사층(도 2b의 220)이 상기 소자기판(100)을 마주보도록 위치시킨다.
이어서, 카메라들(도 1의 51, 52)을 사용하여 얼라인 마크 쌍(133a, 133b)의 위치를 측정한다. 자세하게는 상기 각 카메라를 통해 촬영한 화면(51a, 52a)의 중심부에 대해 상기 카메라에 의해 촬영된 얼라인 마크들(133a, 133b)이 벗어난 정도를 측정한다. 이를 통해 상기 얼라인 마크 쌍(133a, 133b)에 대응하는 단위화소 어레이의 열(Pc_a)의 위치, 자세하게는 그의 시작점, 종료점 및 상기 시작점과 종료점 사이의 직선경로를 계산한다.
도 4b를 참조하면, 광학 스테이지(40)는 고정되고, 척(20)은 척 가이드 바(15)를 따라 제 1 방향(d1)으로 소정거리 이동하고, 레이저 조사장치(30)는 레이저 가이드 바(45)를 따라 소정거리 이동한다. 따라서, 상기 레이저 조사장치(30), 자세하게는 레이저 조사장치(30)로부터 조사되는 레이저 빔의 조사영역(35)은 단위화소 어레이의 열(Pc_a)의 시작점 상에 위치할 수 있다.
도 4c 및 도 4d를 참조하면, 상기 레이저 조사장치(30)는 상기 계산된 단위화소 어레이의 열(Pc_a)의 위치를 따라 레이저 빔을 조사한다. 상기 계산된 위치를 따라 레이저 빔을 조사하는 것은 상기 레이저 조사장치(30)를 상기 레이저 가이드 바(45)를 따라 이동시키고, 상기 레이저 조사장치(30)에 연동하여 상기 척(20)을 척 가이드 바(15)를 따라 제 2 방향(d2)으로 이동시키면서, 상기 기판, 자세하게는 상기 도너기판(200) 상에 레이저 빔을 조사하는 것일 수 있다.
상기 도너기판(200) 상에 조사된 레이저 빔은 광열변환층(도 2b의 210)에 흡수된다. 상기 도너기판(200)의 상기 레이저 빔이 조사된 영역에서는 상기 광열변환층(도 2b의 210)이 상기 레이저 빔을 흡수하여 열을 발생시키고, 상기 열이 발생된 광열변환층(도 2b의 210) 하부의 전사층(도 2b의 220)은 상기 열에 의해 상기 광열변환층(도 2b의 210)과의 접착력에 변화가 생겨 상기 소자기판(100) 상으로 전사된다. 결과적으로 상기 소자기판(100), 자세하게는 상기 단위화소 어레이의 열(Pc_a) 상에 전사층 패턴(170)이 형성된다.
이어서, 상기 척(20)을 한 스텝 이동시키고, 상술한 바와 같은 과정을 통해 단위화소 어레이의 다른 열 상에 전사층 패턴을 형성한다.
상술한 바와 같이, 화소영역의 서로 대응하는 양측부에 단위화소 어레이의 열에 대응하여 위치하는 얼라인 마크 쌍을 위치시키고, 상기 얼라인 마크 쌍의 위치를 측정하고 이를 통해 상기 얼라인 마크 쌍에 대응하는 상기 단위화소 어레이의 열의 위치를 계산하고, 상기 계산된 위치를 따라 레이저 빔을 조사함으로써, 기판 변형이 발생한 경우라 하더라도 정확한 위치에 전사층 패턴을 형성할 수 있다.
이와는 달리, 상기 소자기판(100)의 변형이 없는 경우, 예를 들어 도 5에 나 타난 바와 같이 소자기판(100)이 고정된 척이 이동되는 동안 직진도 오류(straightness error)가 발생한 경우에도 상술한 과정을 거쳐 정확한 위치에 전사층 패턴을 형성할 수 있다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 소자기판 상에 전사층 패턴을 형성하기 위한 레이저 열 전사장치를 나타낸 개략도이다.
도 6을 참조하면, 레이저 열 전사장치는 척(21)을 구비한다. 상기 척(21) 상에 소자기판(101)이 고정된다. 상기 소자기판(101)은 플렉서블 기판이다. 이러한 소자기판(101)은 플라스틱 기판 또는 금속 호일 기판일 수 있다. 상기 소자기판(101)은 플렉서블 기판인 것을 제외하고는 도 1, 2a 및 2b를 참조하여 설명한 소자기판과 같다. 따라서, 상기 소자기판(101)은 화소영역(P)과 얼라인 마크영역들(AM)을 구비한다. 상기 얼라인 마크영역들(AM)은 상기 화소영역(P)의 서로 대응하는 양측부에 상기 화소영역(P)을 따라 위치한다. 상기 화소영역(P)은 열(Pc)과 행을 갖도록 배열된 단위화소 어레이를 구비한다. 상기 얼라인 마크영역들(AM)은 서로 대응하여 위치하는 적어도 하나의 얼라인 마크 쌍(align mark pair; 133)을 구비한다. 상기 얼라인 마크 쌍(133)은 상기 단위화소 어레이의 열(Pc)에 대응하여 위치한다.
상기 소자기판(101) 상에 적어도 상기 화소영역(P)을 덮는 도너기판(201)이 위치할 수 있다. 상기 도너기판(201) 또한 도 1 및 2b를 참조하여 설명한 도너기판과 같다. 상기 소자기판(101)과 상기 도너기판(201)은 상기 척(21)의 회전방향에 맞추어 공급되고, 상기 척(21) 상에서 라미네이션될 수 있다.
상기 척(21) 상에 광학 스테이지(41)가 위치한다. 상기 광학 스테이지(41) 상에 레이저 조사 장치(31)가 설치된다. 상기 광학 스테이지(41)는 상기 레이저 조사 장치(31)를 Y 방향으로 이동시키기 위한 레이저 가이드 바(미도시)를 구비할 수 있다. 상기 광학 스테이지(41)의 측부 상에 카메라들(53, 54)이 장착된다. 상기 카메라들(53, 54)은 상기 얼라인 마크영역들(AM)에 배열된 상기 얼라인 마크 쌍을 촬영하기 위한 것으로 개수나 위치는 이에 한정되지 않는다.
이러한 장치를 사용하여 상기 소자기판 상에 전사층 패턴을 형성하는 것은 도 4a 내지 도 4d를 참조하여 설명한 방법과 동일한 방법으로 수행할 수 있다. 따라서, 상기 소자기판이 플렉서블하여 변형이 발생하기 쉬운 경우라 하더라도 정확한 위치에 전사층 패턴을 형성할 수 있다.
도 7a는 도 4d의 B영역 중 소자기판을 확대하여 나타낸 평면도이고, 도 7b는 도 4d의 절단선 Ⅰ-Ⅰ′를 따라 취해진 영역 및 도 7a의 절단선 Ⅱ-Ⅱ′를 따라 취해진 영역을 동시에 나타낸 단면도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 소자기판의 개구부(155a) 내에 노출된 화소전극(150) 상에 전사층 패턴(170)이 위치한다. 상기 전사층 패턴(170)은 발광층일 수 있다. 나아가, 상기 전사층 패턴(170)은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 한층을 더욱 포함할 수 있다.
이어서, 상기 전사층 패턴(170) 상에 대향전극(180)을 형성하여 유기전계발광표시장치를 완성한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 기판 변형이 발생한 경우 또는 기판 이송오류가 발행한 경우라 하더라도 정확한 위치에 전사층 패턴을 형성할 수 있다.

Claims (15)

  1. 화소영역과 얼라인 마크영역들을 구비하고, 상기 얼라인 마크영역들은 상기 화소영역의 서로 대응하는 양측부에 상기 화소영역을 따라 위치하는 기판;
    상기 화소영역 상에 열과 행을 갖도록 배열된 단위화소 어레이; 및
    상기 얼라인 마크영역들 상에 서로 대응하여 위치하는 적어도 하나의 얼라인 마크 쌍(align mark pair)을 포함하되, 상기 얼라인 마크 쌍은 상기 단위화소 어레이의 열에 대응하여 위치하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인 마크영역들 상에 상기 단위화소 어레이의 모든 열들에 각각 대응하는 얼라인 마크 쌍들이 위치하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 각 얼라인 마크 쌍은 상기 단위화소 어레이의 각 열의 연장선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 얼라인 마크영역들 상에 상기 단위화소 어레이의 일부 열들에 각각 대응하는 얼라인 마크 쌍들이 위치하고, 상기 얼라인 마크 쌍들 사이의 간격은 상기 단위화소 어레이의 열들 사이의 간격의 정수배인 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단위화소 어레이의 각 열에는 동일 색 단위화소들이 위치하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 단위화소는 화소전극, 대향전극 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 위치하는 유기발광층을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유기발광층은 레이저 열 전사법을 사용하여 형성된 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  8. 화소영역, 상기 화소영역의 서로 대응하는 양측부에 상기 화소영역을 따라 위치하는 얼라인 마크영역들, 상기 화소영역 상에 열과 행을 갖도록 배열된 단위화소 어레이 및 상기 얼라인 마크영역들 상에 서로 대응하여 위치하는 적어도 하나의 얼라인 마크 쌍(align mark pair)을 구비하되, 상기 얼라인 마크 쌍은 상기 단위화소 어레이의 열에 대응하여 위치하는 소자기판을 척 상에 위치시키고,
    카메라를 사용하여 상기 얼라인 마크 쌍의 위치를 측정하고,
    상기 측정된 얼라인 마크 쌍의 위치를 통해 상기 측정된 얼라인 마크 쌍에 대응하는 상기 단위화소 어레이의 열의 위치를 계산하고,
    상기 계산된 위치를 따라 레이저 빔을 조사하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 계산된 위치를 따라 레이저 빔을 조사하는 것은 레이저 조사장치를 이동시키고, 상기 레이저 조사장치에 연동하여 상기 척을 이동시키면서 상기 기판 상에 레이저 빔을 조사하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 얼라인 마크 쌍의 위치를 측정하기 전에 상기 소자기판 상에 도너 베이스 기판, 상기 도너 베이스 기판 상에 위치하는 광열변환층 및 상기 광열변환층 상에 위치하는 전사층을 구비하는 도너기판을 상기 전사층이 상기 소자기판을 바라보도록 위치시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 각 단위화소는 화소전극을 구비하고,
    상기 레이저 빔의 조사에 의해 상기 화소전극 상에 전사층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 얼라인 마크영역들 상에 상기 단위화소 어레이의 모든 열들에 각각 대응하는 얼라인 마크 쌍들이 위치하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 각 얼라인 마크 쌍은 상기 단위화소 어레이의 각 열의 연장선 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  14. 제 8 항에 있어서,
    상기 얼라인 마크영역들 상에 상기 단위화소 어레이의 일부 열들에 각각 대응하는 얼라인 마크 쌍들이 위치하고, 상기 얼라인 마크 쌍들 사이의 간격은 상기 단위화소 어레이의 열들 사이의 간격의 정수배인 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 단위화소 어레이의 각 열에는 동일 색에 해당하는 단위화소들이 위치하 는 것을 특징으로 하는 평판표시장치의 제조방법.
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