KR20060082640A - 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것으로서, 이 제조 방법은, 게이트선을 형성하는 단계, 게이트선 위에 게이트 절연막, 진성 반도체층, 불순물 반도체층, 그리고 도전막을 차례로 적층하는 단계, 도전막 위에 제1 부분과 제1 부분보다 두께가 얇은 제2 부분을 포함하는 감광막을 형성하는 단계, 감광막을 마스크로 하여 도전막을 1차 식각하여 데이터선을 형성하는 단계, 감광막의 제2 부분을 제거하여 도전막을 노출시키는 단계, 노출된 도전막을 2차 식각하여 드레인 전극을 형성하는 단계, 불순물 반도체층을 식각하여 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계, 데이터선 및 드레인 전극을 덮는 보호막을 형성하는 단계, 보호막을 패터닝하여 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 형성하는 단계, 그리고 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이때 보호막은 유기 물질로 이루어지며, 두께는 1.5㎛ 이상이다. 본 발명에 의하면 4매 마스크를 이용하여 박막 트랜지스터 표시판을 제조할 수 있다.
박막 트랜지스터 표시판, 마스크, 식각, 감광막, 보호막, 유기 절연막
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이다.
도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 II-II' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 3, 도 7 및 도 9는 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 각 단계에서의 배치도이다.
도 4, 도 8 및 도 10은 각각 도 3, 도 7 및 도 9에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV' 선, VIII-VIII' 선 및 X-X' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 5 및 도 6은 도 4 다음 단계에서의 도면으로서 순서에 따라 나열한 것이다.
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로 서, 전계 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 액정층을 통과하는 빛의 투과율을 조절하는 표시 장치이다.
액정 표시 장치는 광원에 따라서 액정 셀의 배면에 위치한 조명부를 이용하여 화상을 표시하는 투과형 액정 표시 장치, 자연 외부광을 이용하여 화상을 표시하는 반사형 액정 표시 장치, 그리고 투과형 액정 표시 장치와 반사형 액정 표시 장치의 구조를 결합시킨 것으로, 실내나 외부 광원이 존재하지 않는 어두운 곳에서는 표시소자 자체의 내장 광원을 이용하여 화상을 표시하는 투과 모드로 작동하고 실외의 고조도 환경에서는 외부광을 반사시켜 화상을 표시하는 반사 모드로 작동하는 반사-투과형 액정 표시 장치로 구분된다.
또한 최근에는 액정 패널 하부에서 조명부로부터의 빛을 일부는 반사하고 일부는 투과하는 편광 필름을 포함하는 미반사형 액정 표시 장치가 개발되어 왔다. 이러한 액정 표시 장치에서는 자연 외부광이 액정 표시 장치에 입사한 후 조명부의 반사판에 반사되어 다시 나감으로써 휘도가 향상된다. 미반사형 액정 표시 장치에서는 개구율을 높이기 위하여 데이터 배선과 화소 전극 사이에 무기 절연막인 보호막과 함께 낮은 유전율을 가지는 유기 절연막을 형성한다.
미반사형 액정 표시 장치의 경우 6매 마스크를 사용하여 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는데, 게이트 배선, 반도체층, 데이터 배선, 유기 절연막의 패턴, 보호막의 패턴, 그리고 화소 전극 형성 공정 순으로 박막 트랜지스터 표시판을 제조한다. 따라서 통상의 투과형 4매 또는 5매 마스크 공정에 비하여 마스크 수효가 늘어나 비용 및 공정 시간이 늘어난다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 마스크 공정 수효를 줄인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 이루기 위한 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법은, 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 게이트 절연막, 진성 반도체층, 불순물 반도체층, 그리고 도전막을 차례로 적층하는 단계, 상기 도전막 위에 제1 부분과 상기 제1 부분보다 두께가 얇은 제2 부분을 포함하는 감광막을 형성하는 단계, 상기 감광막을 마스크로 하여 상기 도전막을 1차 식각하여 데이터선을 형성하는 단계, 상기 감광막의 제2 부분을 제거하여 상기 도전막을 노출시키는 단계, 상기 노출된 도전막을 2차 식각하여 드레인 전극을 형성하는 단계, 상기 불순물 반도체층을 식각하여 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계, 상기 데이터선 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호막을 형성하는 단계, 상기 보호막을 패터닝하여 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 형성하는 단계, 그리고 상기 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 보호막은 유기 물질로 이루어지며, 두께는 1.5㎛ 이상이다.
상기 감광막을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 도전막의 1차 및 2차 식각은 습식 식각일 수 있다.
상기 불순물 반도체층의 식각은 건식 식각일 수 있다.
상기 보호막의 두께는 2㎛ 이상일 수 있다.
상기 게이트선은 알루미늄-네오디뮴 합금으로 이루어진 상부막과 크롬으로 이루어진 하부막을 포함할 수 있다.
상기 도전막은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어지는 상부막과 하부막 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 중간막을 포함할 수 있다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
그러면 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2는 도 1에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 II-II' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터 표시판(100)에는 투명한 유리 등으로 이루어진 절연 기판(110) 위에 복수의 게이트선(gate line)(121)과 복수의 유지 전극선(131)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어 있고, 서로 분리되어 있으며 게이트 신호를 전달한다. 각 게이트선(121)의 일부는 복수의 게이트 전극(gate electrode)(124)을 이루며, 게이트선(121)의 한쪽 끝의 확장부(129)는 다른 층 또는 외부 장치와의 연결을 위하여 면적이 넓다.
유지 전극선(131)은 이웃한 두 게이트선(121) 중 아래쪽 게이트선(121)에 인접하여 가로 방향으로 뻗어 있다. 유지 전극선(131)에는 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대향하는 공통 전극 표시판(도시하지 않음)의 공통 전극에 인가되는 공통 전압(common voltage) 따위의 미리 정해진 전압을 인가받는다.
게이트선(121)과 유지 전극선(131)은 알루미늄과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 따위로 이루어지는 것이 바람직하다. 게이트선(121)과 유지 전극선(131)은 물리적 성질이 다른 두 개의 막, 즉 하부막(도시하지 않음)과 그 위의 상부막(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 상부막은 게이트선(121)과 유지 전극선(131)의 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진다. 이와는 달리, 하부막은 다른 물질, 특히 ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 합금, 크롬(Cr) 등으로 이루어진다. 하부막과 상부막의 조합의 예로는 크롬/알루미늄-네오디뮴(Nd) 합금을 들 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 단일막 구조를 가지거나 세 층 이상을 포함할 수 있다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131)의 측면은 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며, 그 경사각은 약 20-80° 범위이다.
게이트선(121) 및 유지 전극선(131) 위에는 질화 규소(SiNx) 따위로 이루어진 게이트 절연막(gate insulating layer)(140)이 형성되어 있다.
게이트 절연막(140) 상부에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)(비정질 규소는 약칭 a-Si로 씀) 등으로 이루어진 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 선형 반도체(151)는 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며 이로부터 복수의 돌출부(projection)(154)가 게이트 전극(124)을 향하여 뻗어 나와 있다.
반도체(151)의 상부에는 실리사이드(silicide) 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 복수의 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161, 165)가 형성되어 있다. 선형 저항성 접촉 부재(161)는 복수의 돌출부(163)를 가지고 있으며, 이 돌출부(163)와 섬형 저항성 접촉 부재(165)는 쌍을 이루어 반도체(151)의 돌출부(154) 위에 위치한다.
반도체(151)와 저항성 접촉 부재(161, 165)의 측면 역시 기판(110)의 표면에 대하여 경사져 있으며 경사각은 30-80°이다.
저항성 접촉 부재(161, 165) 및 게이트 절연막(140) 위에는 각각 복수의 데이터선(data line)(171) 및 복수의 드레인 전극(drain electrode)(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 교차하며 데이터 전압(data voltage)을 전달한다. 데이터선(171)은 다른 층 또는 외부 장치와의 접속을 위하여 면적이 넓은 한쪽 끝의 확장부(179)를 포함한다.
각 데이터선(171)에서 드레인 전극(175)을 향하여 뻗은 복수의 가지가 소스 전극(source electrode)(173)을 이루며, 한 쌍의 소스 전극(173)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 있으며 게이트 전극(124)에 대하여 서로 반대쪽에 위치한다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체(151)의 돌출부(154)와 함께 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)를 이루며, 박막 트랜지스터의 채널(channel)은 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 돌출부(154)에 형성된다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175)은 크롬 또는 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어지는 것이 바람직하며, 특히, IZO 또는 ITO와의 물리적, 화학적, 전기적 특성이 우수한 물질, 이를테면 티타늄, 탄탈륨, 크롬, 몰리브덴(Mo) 또는 이들의 합금 등으로 이루어진 상부막(도시하지 않음), 데 이터 신호의 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속으로 이루어진 중간막(도시하지 않음)과 알루미늄 계열의 금속이 저항성 접촉 부재로 확산되는 것을 방지하기 위한 금속, 이를테면 티타늄, 탄탈륨, 크롬, 몰리브덴 또는 이들의 합금으로 이루어지는 하부막(도시하지 않음)으로 이루어진 다층막 구조를 가질 수 있다.
데이터선(171)과 드레인 전극(175)도 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)과 마찬가지로 그 측면이 약 30-80°의 각도로 각각 경사져 있다.
선형 반도체(151)는 데이터선(171)과 드레인 전극(175) 및 그 아래의 저항성 접촉 부재(161, 165)와 거의 동일한 모양을 가진다. 그러나 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이에 가리지 않고 노출된 부분을 가지고 있다.
데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에는 평탄화 특성이 우수하며 감광성(photosensitivity)을 가지는 유기 물질 또는 플라스마 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 형성되는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등 유전율 4.0 이하의 저유전율 절연 물질 따위로 이루어진 보호막(passivation layer)(180)이 형성되어 있다. 여기서 보호막(180)은 단일막으로 이루어지나, 필요에 따라 무기 절연막과 함께 이중막으로 이루어질 수도 있다.
보호막(180)에는 데이터선(171)의 확장부(179)와 드레인 전극(175)을 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(182, 185)이 형성되어 있으며, 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 확장부(129)를 노출시키는 복수 의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다. 접촉 구멍(181, 182, 185)은 다각형 또는 원 모양 등 다양한 모양으로 만들어질 수 있으며, 측벽은 30-85°의 각도로 기울어져 있거나 계단형이다.
보호막(180) 위에는 ITO 또는 IZO로 이루어진 복수의 화소 전극(pixel electrode)(190) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.
화소 전극(190)은 접촉 구멍(185)을 통하여 드레인 전극(175)과 물리적·전기적으로 연결되어 드레인 전극(175)으로부터 데이터 전압을 인가받는다. 데이터 전압이 인가된 화소 전극(190)은 공통 전극과 함께 전기장을 생성함으로써 둘 사이의 액정층(도시하지 않음)의 액정 분자들을 재배열시킨다.
또한 화소 전극(190)과 공통 전극은 축전기[이하 “액정 축전기(liquid crystal capacitor)”라 함]를 이루어 박막 트랜지스터가 턴 오프된 후에도 인가된 전압을 유지하는데, 전압 유지 능력을 강화하기 위하여 액정 축전기와 병렬로 연결된 다른 축전기를 두며 이를 유지 축전기(storage capacitor)라 한다. 유지 축전기는 드레인 전극(175) 및 화소 전극(190)과 유지 전극선(131)이 중첩에 의하여 만들어진다. 유지 축전기는 화소 전극(190) 및 이와 이웃하는 게이트선(121)의 중첩 등으로 만들어질 수도 있으며, 이때 유지 전극선(131)은 생략할 수 있다.
화소 전극(190)과 데이터선(171) 및 게이트선(121) 사이에 저유전율의 보호막(180)이 형성되어 있어서 이들 사이의 커플링 용량을 줄일 수 있으며 이에 따라 화소 전극(190)은 이웃하는 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 중첩되어 개구율 (aperture ratio)을 높일 수 있다. 이와 달리 화소 전극(190)과 데이터선(171) 및 게이트선(121)은 중첩되지 않을 수도 있다. 여기서 커플링 용량을 줄이기 위하여 보호막(180)의 두께는 1.5㎛ 이상으로 하며, 바람직하게는 2㎛ 이상으로 한다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선의 확장부(129) 및 데이터선의 확장부(179)와 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 확장부(129, 179)와 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호하는 역할을 하는 것으로 필수적인 것은 아니며, 이들의 적용 여부는 선택적이다.
화소 전극(190)의 재료로 투명한 도전성 폴리머(polymer) 등을 사용할 수 있으며, 이때 접촉 보조 부재(81, 82)는 화소 전극(190)과 다른 물질, 특히 ITO 또는 IZO로 만들어질 수 있다.
그러면, 도 1 및 도 2에 도시한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법에 대하여 도 3 내지 도 10을 도 1 및 도 2와 함께 참고로 하여 상세히 설명한다.
도 3, 도 7 및 도 9는 도 1 및 도 2에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 각 단계에서의 배치도이고, 도 4, 도 8 및 도 10은 각각 도 3, 도 7 및 도 9에 도시한 박막 트랜지스터 표시판을 IV-IV' 선, VIII-VIII' 선 및 X-X' 선을 따라 잘라 도시한 단면도이며, 도 5 및 도 6은 도 4 다음 단계에서의 도면으로서 순서에 따라 나열한 것이다.
먼저, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 투명한 유리 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 스퍼터링(sputtering) 등의 방법으로 알루미늄과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어진 도전막을 형성한다.
이후 마스크를 이용한 사진 식각 공정으로 도전막을 식각하여 복수의 게이트 전극(124)과 확장부(129)를 포함하는 복수의 게이트선(121) 및 복수의 유지 전극선(131)을 형성한다.
이어, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(intrinsic amorphous silicon)(150), 불순물 비정질 규소층(extrinsic amorphous silicon)(160)의 삼층막을 화학 기상 증착 등으로 연속하여 적층한다.
이어 크롬 또는 몰리브덴 계열의 금속, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속으로 이루어진 도전막(170)을 스퍼터링 따위로 적층한 다음, 감광막을 도포하고 그 위에 광 마스크(도시하지 않음)를 정렬한다.
광 마스크는 투과 영역(C), 차광 영역(A) 및 반투과 영역(B)을 포함한다.
이러한 광 마스크를 통하여 감광막에 빛을 조사한 후 현상하면 도 5에 도시한 바와 같이, 두께가 두꺼운 제1 부분(52)과 얇은 제2 부분(54)이 남는다.
이어 감광막(52, 54)을 마스크로 하여 도전막(170)을 1차 습식 식각하여 도전체(174), 데이터선(171) 및 데이터선의 확장부(179)를 형성한다.
이어, 도 6에 도시한 것처럼 감광막(52, 54)을 애싱 처리하여 두께가 얇은 부분(54)을 제거하고 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이의 도전체(174) 부분 을 노출시킨다.
다음으로, 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 노출된 도전체(174)를 2차 습식 식각하여 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 완성한다.
이어, 불순물 반도체(164)를 건식 식각하여 선형 및 섬형 저항성 접촉 부재(163, 165)를 완성한다.
다음으로, 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 낮은 유전율을 가지는 유기 절연막을 적층하여 보호막(180)을 형성하고, 마스크를 이용하여 보호막(180) 및 게이트 절연막(140)을 패터닝하여 게이트선의 확장부(129), 데이터선의 확장부(179) 및 드레인 전극(175)을 드러내는 접촉 구멍(181, 182, 185)을 형성한다. 이때 보호막(180)은 그 두께를 1.5㎛ 이상으로 형성한다.
마지막으로 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, ITO 또는 IZO막을 스퍼터링 따위로 적층하고 마스크를 이용한 패터닝을 실시하여 복수의 화소 전극(190)과 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성한다.
이와 같이 게이트 배선, 반도체 층 및 데이터 배선, 보호막, 화소 전극을 각 1매의 마스크를 사용하여 형성함으로써 4매의 마스크로 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 제조할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 1매의 마스크로 반도체 층과 데이터 배선을 함께 형성하고, 유기 물질로 이루어진 단일막의 보호막을 채용함으로써 4매의 마스크로 박막 트랜지스터 표시판을 제조할 수 있으며, 이에 따라 박막 트랜지스터 표시 판의 제조 비용 및 시간을 줄일 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
Claims (7)
- 게이트선을 형성하는 단계,상기 게이트선 위에 게이트 절연막, 진성 반도체층, 불순물 반도체층, 그리고 도전막을 차례로 적층하는 단계,상기 도전막 위에 제1 부분과 상기 제1 부분보다 두께가 얇은 제2 부분을 포함하는 감광막을 형성하는 단계,상기 감광막을 마스크로 하여 상기 도전막을 1차 식각하여 데이터선을 형성하는 단계,상기 감광막의 제2 부분을 제거하여 상기 도전막을 노출시키는 단계,상기 노출된 도전막을 2차 식각하여 드레인 전극을 형성하는 단계,상기 불순물 반도체층을 식각하여 저항성 접촉 부재를 형성하는 단계,상기 데이터선 및 상기 드레인 전극을 덮는 보호막을 형성하는 단계,상기 보호막을 패터닝하여 상기 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍을 형성하는 단계, 그리고상기 접촉 구멍을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 보호막은 유기 물질로 이루어지며, 두께는 1.5㎛ 이상인박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 감광막을 제거하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 도전막의 1차 및 2차 식각은 습식 식각인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 불순물 반도체층의 식각은 건식 식각인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 보호막의 두께는 2㎛ 이상인 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 게이트선은 알루미늄-네오디뮴 합금으로 이루어진 상부막과 크롬으로 이루어진 하부막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
- 제1항에서,상기 도전막은 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금으로 이루어지는 상부막과 하부막 및 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 중간막을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
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