KR20060078487A - 반도체 소자 제조 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 LIGBT 구조의 P+ 애노드에 정전 전압을 걸어주면 홀 전류가 N 드리프트 영역으로 주입되는 단계, 상기 홀 전류의 대부분이 P+ Buried layer를 통해 이동하여 P+ 캐소드으로 빠져 나가는 단계로 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 반도체 소자 제조 방법은 LIGBT의 새로운 구조에서 N+ 캐소드 영역 밑으로 지나가는 홀 전류 통로를 제거함으로써 래치 업 전류 밀도를 확보할 수 있는 효과가 있다.
LIGBT
Description
도 1는 종래 기술에 의한 반도체 소자 제조 단면도.
도 2는 본 발명에 의한 반도체 소자 제조 단면도.
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 LIGBT(Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor: 이하 LIGBT 칭함)구조의 N+ 캐소드 영역 밑으로 지나가는 홀 전류 통로를 제거하여 레치업 전류 밀도를 확보하는 것을 제공에 관한 것이다.
바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터(Bipolar-Mode Field Effect Transistor:BMFET)는 전류용량이 높고 온-저항(on-resistance)이 매우 낮으며 빠른 스위칭 속도로 각광을 받고 있는 전력용 반도체 소자이다. 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터는 수직형 접합형 전계 효과 트랜지스터(Vertical Junction Field Effect Transistor:JFET) 구조로서 비저항이 높은 에피층(Epitaxial Layer:Epi-layer)에서 전도도 변조 효과(Conductivity Modulation Effect)로 인해 바이폴라 접합 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor:BJT)에 비해서 전류 이득이 높고 포화전압이 매우 낮다.
또한, 소자 구조상 전류 경로에 접합이 형성되어 있지 않기 때문에 스위칭 속도(Switch speed) 역시 모오스(MOS:Metal Oxide Semiconductor) 게이트(Gate)로 구동되는 모오스 게이트 전력 소자 보다 우수하다. 바이폴라 모드 전계 효과 트랜지스터의 가장 중요한 소자 설계 파라미터(parameter)는 게이트 사이의 거리 및 채널(Channel)길이와 같은 게이트 구조와 에피층 영역의 불순물 농도로서 이들은 정상 오프 특성과 전류이득 및 스위칭 능력을 결정짓는다.
한편, SOI(Semiconductor On Insulator:절연체 상 반도체) 기판(substrate)위에 소자(Device)를 구현하여 전력 IC(Integration Circuit)의 응용에 적합한 수평형 전력 소자(Lateral Power Device)는 접합 격리(Junction isolation) 소자에 비하여 낮은 누설전류, 고집적화 및 기생성분의 제거 등의 매우 우수한 특성으로 최근에 활발한 연구가 집중되고 있다.
그러나, SOI 기판을 이용한 수평형 소자 중 LDMOS(Lateral Double diffusion Metal Oxide Semiconductor: 이하 LDMOS라 칭함)는 온-저항이 매우 높고, LIGBT와 LMCT(Lateral MOS Controlled Thyristor)와 같은 모오스 게이트 바이폴라 소자의 경우는 소수 캐리어(minor carrier)의 재결합(recombination)으로 인한 턴-오프(Turn-off)시간이 길어지는 문제점이 있다.
도 1는 종래 기술에 의한 반도체 소자 제조 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, P형 반도체 실리콘 기판(101) 상에 게이트(106), 캐쏘드(107), 애노드(105)로 이루어진 LIGBT 단면도이다.
온-상태에서 P+ 애노드(104)에서 홀(hole)이 주입되고 P+ 애노드(104) / N 드리프트(102) / P+ 캐쏘드(103)로 이루어진 PNP 바이폴라 트랜지스터를 통해 홀 전류가 P+ 캐쏘드(103)으로 빠져나가게 된다. 그런데 홀 전류(Ih)는 N+ 캐쏘드(108) 영역 밑 P-base를 지나 P+ 캐쏘드(103)로 빠져 나가므로 P-base 저항(RB)와 홀 전류(Ih)로 기인된 전압강하(RB×Ih)가 0.7V 이상이 되면 N+캐쏘드(108) / P-base / N 드리프트(102) 로 이루어진 기생 NPN 바이폴라 트랜지스터가 동작하게 된다. 이러한 현상을 래치 업(latch up)이라 하고 더 이상 게이트(106) 전압으로 조절할 수 없는 상태가 된다.
따라서, 분 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, LIGBT구조의 N+ 캐소드 영역 밑으로 지나가는 홀 전류 통로를 제거하여 레치업 전류 밀도 증가를 확보하는 것을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 LIGBT 구조의 P+ 애노드에 정전 전압을 걸어주면 홀 전류가 N 드리프트 영역으로 주입되는 단계, 상기 홀 전류의 대부분이 P+ Buried layer를 통해 이동하여 P+ 캐소드으로 빠져 나가는 단계으로 이루어진 반도체 소자 제조 방법에 의해 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
바이폴라형 전계 효과 트랜지스터(Bipolar Mode Field Effect Transistor, 이하 BMFET)는 숏 채널-접합 전계 효과 트랜지스터(JFET)의 일종으로, 게이트의 접합에 순방향 전압을 인가하여 드리프트 영역의 전도도 변조 (conductivity modulation)에 의해 전류 구동력을 향상시키며, 낮은 순방향 전압 강하 및 빠른 스위칭 속도 등으로 인해 다른 바이폴라 파워 소자에 비해 고주파, 고전압용 스위칭 소자로 유망하다.
그러나, 반도체 기판 상에 형성된 종래의 BMFET의 수직 p/n 접합으로 인한 기생 캐패시턴스로 인해 파워 IC 소자에 적합한 수평형 구조로 구현하기 어려운 문제점이 있다.
최근 파워 IC 소자에 많이 사용되고 있는, (Silicon-On-Insulator, 이하 SOI)는 절연 영역에 의해 소자를 고집적화할 수 있고, 기생 캐퍼시턴스가 작아 소자의 고속 동작이 가능하며, 누설 전류가 낮아서 고온에서도 사용할 수 있는 장점이 있다.
따라서, 근래 파워 IC용 소자를 제조하기 위하여 SOI 기판을 이용한 많은 수의 수평 파워 소자가 개발되고 있고 , 일례로 LIGBT, LMCT(Lateral MOS- Controlled Thyristor) 및 LDMOS(Lateral DMOS)와 같은 모스 게이트 수평 전력 소자가 있다.
도 2는 본 발명에 의한 반도체 소자 제조 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 캐쏘드(207), 게이트(206), 애노드(205)로 이루어진 LIGBT의 단면도이다. p-base(209)영역의 저항 RB와 홀 전류(hole current) Ih로 기인한 전압강하(RB×Ih)를 제거하는 새로운 구조의 LIGBT를 제안한다. 종래의 LIGBT와 차이점은 N+ 캐소드(208) 밑으로 전류 통로(current path)가 존재하지 않는다는 점이다. 따라서 대전류를 흘리더라도 p-base 영역의 저항 RB가 없기 때문에 기생 NPN 바이폴라의 동작을 방지할 수 있다. P+ 애노드(204)에 정전압을 걸어주면 홀 전류가 N 드리프트 영역(202)으로 주입되고 이 홀 전류의 대부분은 P+ Buried layer(201)를 통해 이동하여 P+ cathode(203)으로 빠져 나가게 된다. N+ 캐소드(208) 영역 밑으로는 전류 통로가 존재하지 않는다. 따라서 RB도 없고 RB×Ih의 전압강하(210)도 없다. 이렇게 함으로써 래치 업을 방지할 수 있다.
상술한 본 발명 실시예는 새로운 구조의 LIGBT에서는 N+ 캐소드 영역 밑으로 지나가는 홀 전류 통로를 제거함으로써 3배이상의 래치 업 전류 밀도(latch up current density)를 확보할 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양 한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 반도체 소자 제조 방법은 LIGBT의 새로운 구조에서 N+ 캐소드 영역 밑으로 지나가는 홀 전류 통로를 제거함으로써 래치 업 전류 밀도를 확보할 수 있는 효과가 있다.
Claims (1)
- 반도체 소자 제조 방법에 있어서LIGBT 구조의 P+ 애노드에 정전 전압을 걸어주면 홀 전류가 N 드리프트 영역으로 주입되는 단계; 및상기 홀 전류의 대부분이 P+ Buried layer를 통해 이동하여 P+ 캐소드으로 빠져 나가는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040118451A KR100618775B1 (ko) | 2004-12-31 | 2004-12-31 | 반도체 소자 |
| US11/320,903 US7482238B2 (en) | 2004-12-31 | 2005-12-30 | Method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040118451A KR100618775B1 (ko) | 2004-12-31 | 2004-12-31 | 반도체 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060078487A true KR20060078487A (ko) | 2006-07-05 |
| KR100618775B1 KR100618775B1 (ko) | 2006-08-31 |
Family
ID=36639443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040118451A KR100618775B1 (ko) | 2004-12-31 | 2004-12-31 | 반도체 소자 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7482238B2 (ko) |
| KR (1) | KR100618775B1 (ko) |
Families Citing this family (53)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE602004023497D1 (de) | 2003-05-06 | 2009-11-19 | Enecsys Ltd | Stromversorgungsschaltungen |
| US8067855B2 (en) * | 2003-05-06 | 2011-11-29 | Enecsys Limited | Power supply circuits |
| WO2006048689A2 (en) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Encesys Limited | Integrated circuits and power supplies |
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| US11728768B2 (en) | 2006-12-06 | 2023-08-15 | Solaredge Technologies Ltd. | Pairing of components in a direct current distributed power generation system |
| US11687112B2 (en) | 2006-12-06 | 2023-06-27 | Solaredge Technologies Ltd. | Distributed power harvesting systems using DC power sources |
| US9088178B2 (en) | 2006-12-06 | 2015-07-21 | Solaredge Technologies Ltd | Distributed power harvesting systems using DC power sources |
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-
2004
- 2004-12-31 KR KR1020040118451A patent/KR100618775B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-12-30 US US11/320,903 patent/US7482238B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7482238B2 (en) | 2009-01-27 |
| US20060145284A1 (en) | 2006-07-06 |
| KR100618775B1 (ko) | 2006-08-31 |
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| FPAY | Annual fee payment |
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