KR20060071008A - 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 - Google Patents

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Abstract

포토커플러 등의 광반도체 디바이스의 봉지용으로 유용하며, 반사성, 상온안정성, 요변성, 접착 신뢰성 등이 우수한 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물이 개시된다. 상기 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물은 에폭시 수지(a), 반응성 희석제(b), 디시안디아미드계 경화제 또는 산무수물 경화제(c), 잠재성 경화촉진제(d), 고무(e), 무기물 충진제(f) 및 커플링제(g)를 포함한다. 여기서 상기 반응성 희석제(b)의 함량은 상기 에폭시수지(a) 100중량부에 대하여 50 내지 150중량부이고, 상기 (a) 및 (b)의 혼합물 100중량부에 대하여 상기 디시안디아미드계 경화제의 함량은 3 내지 20중량부이고, 산무수물 경화제의 함량은 50 내지 200중량부이며, 상기 잠재성 경화촉진제(d)의 함량은 상기 경화제(c) 100중량부에 대하여 10 내지 80중량부이고, 상기 고무(e)의 함량은 상기 (a) 내지 (b)의 혼합물 100중량부에 대하여 5 내지 30중량부이고, 상기 무기물 충진제(f)의 함량은 상기 (a) 내지 (e)의 혼합물 100중량부에 대하여, 70 내지 300중량부이며, 상기 커플링제(g)의 함량은 상기 무기물 충진제(f) 100중량부에 대하여, 1 내지 20중량부이다.
포토커플러, 에폭시, 봉지재, 디시안디아미드계 경화제, 잠재성 경화촉진제

Description

광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물{Epoxy resin encapsulant composition for preventing optical leakage}
도 1은 본 발명에 따른 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물이 사용되는 포토커플러의 구성을 설명하기 위한 도면.
본 발명은 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 포토커플러 등의 광반도체 디바이스의 봉지용으로 유용하며, 반사성, 상온안정성, 요변성, 접착 신뢰성 등이 우수한 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물에 관한 것이다.
포토커플러(photo coupler)는 전기적으로 절연된 두 전기회로를 빛으로 결합하는 소자로서, 발광소자는 전기신호를 광신호로 변환하여 송신하고, 수광소자(포토 트랜지스터, 포토다이오드, 트라이악, 포토 IC 등)는 광신호를 수신받은 후, 다시 전기신호로 복원시키는 원리로 작동된다. 포토커플러는 신호전달의 방향성, 발 광소자 및 수광소자의 일체화, 광신호에 의한 빠른 응답속도, 높은 실장밀도 등의 특징을 지니고 있어, 복사기, 팩시밀리 등의 사무용 기기, 전화기, 텔레비젼, 비디오, 오디오, 에어컨 등의 가전제품 및 엘리베이터, 자동문 등의 산업용 부문에서 광범위하게 이용되고 있다.
도 1에 도시한 바와 같이, 포토커플러는 회로기판(10)위에 발광소자(12)와 수광소자(14)가 상호 대응하여 형성되어 있으며, 상기 소자들(12, 14)의 전극은 회로기판(10)에 형성된 단자(16)에 접합되어 있다. 일반적으로 포토커플러의 발광소자(12)로는 발광다이오드, 텅스텐 램프, 네온 램프, 갈륨아세니드 적외발광(赤外發光) 다이오드가 사용되고, 수광소자(14)로는 핀다이오드, 트랜지스터 등이 사용된다. 도 1에서, 미설명 도면부호 18은 단자(16)을 기판에 결합시키기 위한 솔더범프를 나타낸다. 이와 같은 포토커플러에 있어서 상기 발광소자(12)와 수광소자(14)는 1차 봉지재(20) 및 2차 봉지재(22)에 의하여 봉지된다. 여기서, 상기 1차 봉지재(20)는 상기 소자(12, 14)들을 광학적으로 결합시키는 역할을 하며, 2차 봉지재(22)는 광손실을 줄이고 기계적인 강도를 향상시키는 역할을 한다.
상기 포토커플러의 2차 봉지재(22)는 발광소자(12)로부터 발생된 광신호가 손실 없이 수광소자(14)에 조사될 수 있도록 반사성이 우수해야 하고, 1차 봉지재(20)로 적용되는 실리콘 수지와의 접착력이 우수하여, 포토커플러가 고온고압, 온도변화 및 저온보관의 조건에서도 우수한 접착신뢰성을 갖도록 해야 한다. 또한 2 차 봉지재(22)는 상온보관성 및 요변성(틱소트로피)이 우수해야 한다. 상기 2차 봉지재(22)의 상온보관성이 불안정하면 미세한 광반도체 회로에 수지를 도포하는 봉지 과정시 작업시간의 제한을 가져와 작업성 및 양산성이 감소하고, 요변성이 부족하면 봉지재의 흐름성이 너무 지나쳐 주변의 다른 부품에까지 도포되어, 제품손상을 일으키게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 접착 신뢰성 및 보관 안정성이 우수한 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 우수한 형상유지능력을 지닌 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 에폭시 수지(a), 반응성 희석제(b), 디시안디아미드계 경화제 또는 산무수물 경화제(c), 잠재성 경화촉진제(d), 고무(e), 무기물 충진제(f) 및 커플링제(g)를 포함하는 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제공한다. 여기서, 상기 반응성 희석제(b)의 함량은 상기 에폭시수지(a) 100중량부에 대하여, 50 내지 150중량부이고 상기 디시안디아미드계 또는 산무수물 경화제(c)에 있어 디시안디아미드계 경화제의 함량은 상기 (a) 및 (b)의 혼합물 100중량부에 대하여, 3 내지 20중량부이고, 산무수물 경화제의 함량은 상기 (a) 및 (b)의 혼합물 100중량부에 대하여, 50 내지 200중량부이고 상기 잠재성 경화촉진제(d)의 함량은 경화제(c) 100중량부에 대하여, 10 내지 80중량부이고 상기 고무(e)의 함량은 상기 (a) 내지 (b)의 혼합물 100중량부에 대하여, 5 내지 30중량부이고 상기 무기물 충진제(f)의 함량은 상기 (a) 내지 (e)의 혼합물 100중량부에 대하여, 70 내지 300중량부이며, 상기 커플링제(g)의 함량은 상기 무기물 충진제(f) 100중량부에 대하여, 1 내지 20중량부인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
에폭시는 화학구조상 에폭시기를 함유한 모든 물질을 통칭하며, 이와 같은 에폭시기는 에폭사이드(epoxide), 에폭시 링(epoxy ring), 옥시란(oxirane), 글리시딜(glycidyl) 등으로 불린다. 에폭시는 열경화성 수지의 중간체(prepolymer)로 경화제와의 반응에 의하여 불용의 3차원 망목 구조를 형성하여 에폭시 고유의 물성인 접착성, 내열성, 절연성, 성형성 등을 나타낸다. 본 발명에 따른 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물에 포함되는 에폭시 수지는 상온에서 액상이며 1 분자중에 2개 이상의 글리시딜기를 가진 경화반응이 가능한 에폭시 수지로서, 글리시딜 에테르형 수지, 글리시딜 에스테르형 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 비페닐 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀 에폭시 수지 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 이들중 본 발명에 유용한 글리시딜 에스테르형 에폭시 수지로는 에피코트 YL-980(자판에폭시 주식회사제), RE-310(일본화약제), DER-332(다우케미칼제) 등의 비스페놀 A형 에폭시 수지와 에피코 트 YL-983U(자판에폭시 주식회사제), RE-304, RE-404(이상 일본화약제) 등의 비스페놀 F형 에폭시 수지를 예시할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 반응성 희석제는 상기 에폭시 수지 조성물의 점도를 저하시키기 위한 것으로서, 상온에서 액상이며 1 분자중에 1 개 이상의 글리시딜기를 가진 알킬모노글리시딜에테르, 페놀모노글리시딜에테르, 알킬페놀모노글리시딜에테르, 폴리글리콜디글리시딜에테르, 알킬디글리시딜에테르 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 반응성 희석제의 구체적인 예로는 YED-111E, YED122(이상 자판에폭시 주식회사제), ED-501, ED-502, ED-509S, ED-529, ED-518(이상 아사히덴카 주식회사제) 등의 에폭시기가 하나인 일관능형 반응성 희석제, YED-216(자판에폭시 주식회사제), ED-503, ED-506, ED-523T, ED-515(이상 아사히덴카 주식회사제) 등의 에폭시기가 두개인 이관능형 반응성 희석제, YED-205(자판에폭시 주식회사제), ED-505R(아사히덴카 주식회사제) 등의 에폭시기가 3개 이상인 다관능형 반응성 희석제를 예시할 수 있다. 상기 반응성 희석제의 함량은 에폭시수지 100중량부에 대하여 50 내지 150중량부 인 것이 바람직하다. 상기 반응성 희석제의 함량이 50중량부 미만이면 조성물의 점도저하 효과가 미미하고, 150중량부를 초과하면 경화물의 유리전이온도(Tg) 및 기계적 물성의 저하가 발생한다.
상기 경화제는 에폭시 수지를 경화시키기 위한 것으로서, 본 발명에서는 상온에서 한달 정도의 보관안정성을 갖는 디시안디아미드계(dicyandiamide)경화제 및 산무수물 경화제를 사용한다. 상기 디시안디아미드계 경화제는 입자형 이므로 분산성 향상을 위해 액상수지에 균일하게 혼합하여 사용하는 것이 바람직하며, 구체적으로는 DICY-7(자판에폭시레진 주식회사제), CG1400(에어프로덕트사제) 등을 사용할 수 있다. 상기 경화제의 함량은 상기 에폭시 수지 및 반응성 희석제의 혼합물 100중량부에 대하여 3 내지 20중량부인 것이 바람직하다. 상기 디시안디아미드계 경화제의 함량이 3중량부 미만이면 에폭시 수지의 경화가 쉽게 일어나지 않으며, 20중량부를 초과하면 미반응의 디시안디아미드계 경화제가 잔류하여 경화물의 기계적인 물성이 저하되는 문제가 있다.
상기 액상 산무수물 경화제는 경화 과정중 탄산가스의 발생이 적은 탄소원자의 수가 10개인 트리엔이나 디엔과 무수말레인산을 원료로 한 산무수물이 바람직하며, 구체적으로는 YH-306, YH-307(이상 자판에폭시레진 주식회사제) 등을 사용할 수 있다. 이러한 산무수물 경화제의 함량은 상기 에폭시수지 및 반응성 희석제의 혼합물 100중량부에 대하여 50 내지 200중량부인 것이 바람직하고, 70 내지 150중량부가 더욱 바람직하다. 상기 산무수물 경화제의 함량이 50중량부 미만일 경우 미반응 에폭시수지가 잔류하여 유리전이온도(Tg)와 기계적 물성이 저하되고, 200중량부 초과할 경우에는 미반응의 산무수물 경화제가 잔류하여 유리전이온도(Tg) 및 기계적인 물성이 저하된다.
본 발명에서 사용되는 경화촉진제는 상기 에폭시수지와 경화제와의 반응을 촉진시키기 위한 잠재성 경화촉진제로서, 아민 화합물, 이미다졸 화합물, 변성 아 민 화합물 및 변성 이미다졸 화합물을 마이크로 캡슐화하여 사용할 수 있다. 상기 마이크로 캡슐화된 화합물은 상온(10~40℃)에서 저장 안정성이 우수하지만, 고온(140℃ 이상)에서는 마이크로 캡슐이 용해되어 신속히 촉진반응을 개시할 수 있는 것이 바람직하다. 상기 경화촉진제로는 아사히카세이케미칼 주식회사의 노바큐어 제품군(HX-3088, HX3722, HX-3748, HX-3921 및 HX-3941HP)과 아지노모토케미칼 주식회사의 아지큐어 제품군(PN-23, MY-23) 등을 예시할 수 있으며, 상기 경화촉진제의 함량은 상기 경화제 100중량부에 대하여 10 내지 80중량부인 것이 바람직하다. 상기 경화촉진제의 함량이 10중량부 미만이면 반응속도가 늦어지고, 80중량부를 초과하면 조성물의 점도가 상승하고, 경화물의 기계적 물성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명에서 사용되는 고무는 실리콘 수지 등으로 이루어진 1차 봉지재와의 접착력을 향상 시키기 위한 것으로서, α-메틸스티렌 유니트 및 아크릴로니트릴 유니트를 주성분으로 하는 랜덤 공중합체, 상기 랜덤 공중합체를 주성분으로 하는 분자량 200 내지 500의 올리고머, 디엔고무-방향족 비닐모노머-비닐시안화물 그래프트 공중합체, 실리콘계, 부타디엔과 아크릴로나이크릴을 주성분으로 하는 랜덤 공중합체 및 이들과 여러종류의 수지를 반응시킨 고무변성 에폭시를 사용할 수 있으며, 상업적으로 시판되는 제품으로는 메타블렌(일본제혼제), 니폴(일본제혼제), 알비두(한스케미칼제) 등을 예시할 수 있으며, 바람직하게는 분산성이 뛰어나고, 고온에서 용융되어 수지와의 접착력을 향상시킬 수 있는, 입경 5㎛ 이하의 코어쉘타입 입자형 고무를 사용할 수 있다. 상기 고무의 함량은 기계적 물성 및 수지의 요 변성에 따라 차이가 있지만, 상기 에폭시 수지 및 반응성 희석제 혼합물 100중량부에 대하여 5 내지 30중량부인 것이 바람직하다. 상기 고무의 함량이 5중량부 미만이면 접착력 향상 효과가 미미하고, 30중량부를 초과하면 수지 흐름성이 나빠져 도포성을 저하시키는 문제가 있다.
본 발명에서 사용되는 무기물 충진제는 봉지재의 광반사성을 향상시키며, 열팽창계수를 낮추어 봉지재의 열적 안정성을 높여준다. 상기 무기물 충진제는 특별한 제한 없이 단독 또는 두가지 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 예를 들면 질화붕소산화규소산화알루미늄, 산화 티탄산화 마그네슘, 질화 알루미늄탄화규소활석탄산칼슘, 이산화티타늄 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 바람직하게는 광반사성이 우수하고, 분산성이 뛰어난 산화규소 및 이산화티타늄을 사용할 수 있는데, 상기 산화규소 및 이산화티타늄은 얇은조각, 구및 부정형의 형태를 가질 수 있다. 상기 무기물 충진제의 평균 입경은 50㎛ 이하가 바람직하며, 1㎛ 이상 10㎛ 이하이면 더욱 바람직하다. 또한 상기 무기물 충진제의 함량은 기계적 물성 및 수지의 요변성에 따라 달라지지만, 상기 에폭시 수지, 반응성 희석제, 경화제, 경화촉진제 및 고무의 혼합물 100중량부에 대하여 70내지 300중량부가 바람직하다. 상기 무기물 충진제의 함량이 70중량부 미만이면 내열성 및 광반사성이 떨어지는 문제가 있고, 300중량부를 초과하면 수지요변성이 낮아져 작업성이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명에서 사용되는 커플링제는 유기물인 접착제 수지와 무기물간의 접착 력을 증진시키기 위한 것으로서, 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란(3-glycidoxy propyl trimethoxysilane), 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸 트리메톡시실란(2-(3,4- epoxycyclohexyl)ethyl trimethoxysilane), 3-글리시딜옥시프로필 메틸디에톡시실란(3-glycidyloxypropyl methyldiethoxysilane) 등의 실란계 커플링제 및 디(디옥틸포스페이토)에틸렌 티타네이트(di(dioctylphosphato) ethylene titanate), 디(쿠밀)페닐 옥소에틸렌티타네이트(di(cumyl)phenyl oxoethylene titanate), 이소프로필트리(디옥틸피로포스페이트)티타네이트(isopropyl tri(dioctyl)phosphate titana te) 등의 티타네이트계 커플링제를 사용할 수 있다. 상기 커플링제의 함량은 무기물 충진제 100중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 것이 바람직하다. 상기 커플링제의 함량이 1중량부 미만이면 유기물 수지와 무기물 충진제간의 접착력 향상 효과가 미미하고, 20중량부를 초과하면 유리전이온도(Tg)를 저하시키는 문제가 있다.
본 발명의 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물은, 상기 필수 성분 이외에도 필요에 따라, 소포제, 분산제, 안료, 염료 및 그 밖의 성분을 더욱 포함할 수 있으며, 3단 롤밀, 만능 혼합기 등을 이용하여 각각의 성분 및 첨가제를 분산혼합 및 진공혼합 하여 제조할 수 있고, 조성물의 점도는 통상 10,000cps 이하이고, 겔타임은 150℃에서 10분 이하이다. 상기 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 포토커플러의 1차 봉지재 상부에 도포하고, 140℃ 내지 160℃에서 1시간 이상 경화시키면, 완성된 포토커플러 성형품을 얻을 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 단, 본 발명은 아래에 기술한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1] 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 제조
액상 비스페놀-A 에폭시 수지(DER-332, 다우케미칼제) 85중량부, 일관능형 반응성희석제(ED-509E, 아사히덴카 주식회사제) 45중량부, 디시안디아미드계 경화제 (DICY-7, 자판에폭시레진 주식회사제) 20중량부, 경화촉진제(노바큐어 HX-3088, 아사히카세이케미칼 주식회사제) 10중량부, 고무(EP-2240, 한스케미칼 주식회사제) 10중량부, 무기물 충진제(티타늄 산화물:용융 실리카 질량비 = 100:1) 150중량부 및 실란 커플링제(A-187, 일본유니카사제) 3중량부를 만능 혼합기에 투입하고, 진공혼합 시켰다. 단 무기물 충진제의 경우 액상수지와 혼합한 뒤 3단 롤밀로 분산혼합 하였다.
[실시예 2] 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 제조
고무(EP-2240, 한스케미칼 주식회사제)의 사용량을 20중량부로 한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제조하였다.
[실시예 3] 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 제조
디시안디아미드계 경화제(DICY-7, 자판에폭시레진 주식회사제) 20중량부 대 신에 산무수물 경화제 YH-306(자판에폭시레진 주식회사제) 100중량부, 무기물 충진제(티타늄 산화물:용융 실리카 질량비= 100:1) 200중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제조하였다.
[비교예 1] 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 제조
디시안디아미드계 경화제(DICY-7, 자판에폭시레진 주식회사제) 20중량부 대신에 이미다졸계 경화제(2-메틸 4메틸 이미다졸) 4중량부, 경화촉진제(노바큐어 HX-3088, 아사히카세이케미칼 주식회사제) 0.5중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제조하였다.
[비교예 2] 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 제조
잠재성 경화촉진제(노바큐어 HX-3088, 아사히카세이케미칼 주식회사제) 10중량부 대신에 비잠재성 경화촉진제인 트리페닐 포스핀 10중량부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제조하였다.
[비교예 3] 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 제조
고무(EP-2240, 한스케미칼 주식회사제)를 40중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제조하였다.
[비교예 4] 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물 제조
고무(EP-2240, 한스케미칼 주식회사제)를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 제조하였다.
가. 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물의 물성 평가
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4에서 제조된 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물의 점도(Haake 콘앤드플레이트형 점도계를 사용하여 25℃에서 측정), 점도배수(조성물을 25℃에서 15일간 방치 후 측정한 점도로 초기점도를 나눈값) 및 겔화시간(피셔사이언티픽사제 융점측정기를 이용하여 150℃에서 측정)을 평가하여 그 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 1 실시예 3 비교예 1 비교예 2
점도배수 (25℃에서 15일간 방치) 1.1 1.1 측정불가 10.3
겔타임 초 기 230~235 초 230~235 초 230~235 초 230~235 초
25℃에서 15일간 방치 후 230~235 초 230~235 초 측정불가 100~110 초
표 1로부터, 디시안디아미드계의 경화제 및 잠재성 경화촉진제를 사용한 실시예 1 및 산무수물 경화제 및 잠재성 경화촉진제를 사용한 실시예 3은 이미다졸계 경화제를 사용한 비교예 1 및 비잠재성 경화촉진제를 사용한 비교예 2에 비해 상온 안정성이 우수함을 알 수 있다. 비교예 1의 경우, 수지배합물이 빠르게 경화되어 점도배수 및 겔타임을 측정하지 못하였다. 따라서, 본 발명의 에폭시 수지 봉지재 조성물은 상온에서의 보관 안정성이 우수하여 작업성 및 생산성의 향상을 가져올 수 있다.
나. 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물의 도포성 및 접착 신뢰성 평가
실시예 1 내지 3 및 비교예 3, 4에서 제조된 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 플라스틱 시린지로 옮긴 후, 원심 분리하여 탈포 시켰다. 실리콘 수지로 1차 봉지된 포토커플러를 완전히 덮도록 상기 탈포된 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물을 도포한 후, 현미경으로 도포성을 평가하여, 그 결과를 표 2에 나타내었다.
도포한 상기 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물이 경화되면, 하기의 방법으로 접착력을 측정하고, 고온고압, 온도변화, 저온저장 환경에서 보관한 후, 다시 접착력를 측정하여, 감소된 접착력의 백분율을 표 2에 나타내었다.
[접착력 및 신뢰성 평가방법]
1) 접착력: 봉지재가 도포된 상부를 직경 5mm의 스텐인리스스틸 원판을 이용하여 일정 하중으로 누르면서, 봉지재가 깨지거나 변형되는 하중의 값을 측정.
2) 고온고압 환경: Pressure Cooker Tester를 이용하여 121℃, 2기압에서 96시간 저장.
3) 온도변화 환경: Thermo Cycle을 이용하여 -40℃에서 125℃의 온도범위를 1 사이클당 30분간 100 회 반복.
4) 저온저장 환경: -55℃에서 168시간 저장.
Figure 112004060401470-PAT00001
표 2로부터, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3에서 제조된 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물의 초기 접착력은 비교예 3 내지 4에서 제조된 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물보다 높고, 고온고압, 온도변화, 저온저장 환경을 거친 후의 접착력 감소 백분율 또한 작아 접착 신뢰성이 우수함을 알 수 있다. 또한 고무의 함량이 과다한 비교예 3의 경우, 흐름성이 떨어져 도포가 양호하지 못함을 알 수 있고, 고무가 함유되지 않은 비교예 4의 경우 초기 접착력 및 접착 신뢰성이 우수하지 못함을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물은 고온에서 용융되며, 에폭시 수지와의 접착이 우수한 입자상의 고무를 사용함으로써, 1차 봉지재인 실리콘 수지와의 접착력을 향상시켜 고온고압, 온도변화 및 저온보관 하에서 우수한 접착신뢰성을 가지고 있음을 알 수 있다.
이상 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재는 접착 신뢰성, 보관안정성 및 형상유지능력이 우수하여 제품의 생산성 및 작업성을 향상시킬 수 있다.













Claims (7)

  1. 에폭시 수지(a), 반응성 희석제(b), 디시안디아미드계 경화제 또는 산무수물 경화제(c), 잠재성 경화촉진제(d), 고무(e), 무기물 충진제(f) 및 커플링제(g)를 포함하는 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응성 희석제(b)의 함량은 상기 에폭시수지(a) 100중량부에 대하여, 50 내지 150중량부이고 상기 디시안디아미드계 또는 산무수물 경화제(c)에 있어 디시안디아미드계 경화제의 함량은 상기 (a) 및 (b)의 혼합물 100중량부에 대하여, 3 내지 20중량부이고, 산무수물 경화제의 함량은 상기 (a) 및 (b)의 혼합물 100중량부에 대하여, 50 내지 200중량부이고 상기 잠재성 경화촉진제(d)의 함량은 상기 경화제(c) 100중량부에 대하여, 10 내지 80중량부이고 상기 고무(e)의 함량은 상기 (a) 내지 (b)의 혼합물 100중량부에 대하여, 5 내지 30중량부이고 상기 무기물 충진제(f)의 함량은 상기 (a) 내지 (e)의 혼합물 100중량부에 대하여, 70 내지 300중량부이며, 상기 커플링제(g)의 함량은 상기 무기물 충진제(f) 100중량부에 대하여, 1 내지 20중량부인 것인 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지는 1분자당 2개 이상의 글리시딜기를 포함하고, 경화반응이 가능한 에폭시 수지로서, 글리시딜 에테르형 수지, 글리시딜 에 스테르형 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 비페닐 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 비스페놀 에폭시 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물인 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반응성 희석제는 1분자당 1개 이상의 글리시딜기를 포함하는 알킬모노글리시딜에테르, 페놀모노글리시딜에테르, 알킬페놀모노글리시딜에테르, 폴리글리콜디글리시딜에테르, 알킬디글리시딜에테르 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물인 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 잠재성 경화촉진제는 아민 화합물, 이미다졸 화합물, 변성 아민 화합물 및 변성 이미다졸 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 화합물을 마이크로 캡슐화한 것인 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 고무는 α-메틸스티렌 유니트 및 아크릴로니트릴 유니트를 주성분으로 하는 랜덤 공중합체, 상기 랜덤 공중합체를 주성분으로 하는 분자량 200 내지 500의 올리고머, 디엔고무-방향족 비닐모노머-비닐시안화물 그래프트 공중합체, 실리콘계, 부타디엔과 아크릴로나이크릴을 주성분으로 하는 랜덤 공중합체 및 고무변성 에폭시로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물인 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 무기물 충진제는 질화붕소산화규소산화알루미늄, 산화 티탄산화 마그네슘, 질화 알루미늄탄화규소활석탄산칼슘, 이산화티타늄 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 화합물인 광누설 방지용 에폭시 수지 봉지재 조성물.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100826210B1 (ko) * 2006-12-20 2008-04-30 (주)디피아이 홀딩스 투명 고분자 수지 조성물 및 투명 고분자막 형성 방법
CN104332309A (zh) * 2014-11-17 2015-02-04 苏州科茂电子材料科技有限公司 金属化膜电容器灌封料
WO2023166973A1 (ja) * 2022-03-02 2023-09-07 ナミックス株式会社 硬化性樹脂組成物、接着剤、硬化物、カメラモジュール、及び電子機器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60203627A (ja) 1984-03-28 1985-10-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JPS61148227A (ja) 1984-12-21 1986-07-05 Nippon Zeon Co Ltd 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS6320319A (ja) * 1986-07-15 1988-01-28 Matsushita Electric Works Ltd エポキシ樹脂組成物
JP2002060716A (ja) 2000-08-24 2002-02-26 Hitachi Chem Co Ltd 低弾性接着剤、低弾性接着部材、低弾性接着部材を備えた半導体搭載用基板及びこれを用いた半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100826210B1 (ko) * 2006-12-20 2008-04-30 (주)디피아이 홀딩스 투명 고분자 수지 조성물 및 투명 고분자막 형성 방법
CN104332309A (zh) * 2014-11-17 2015-02-04 苏州科茂电子材料科技有限公司 金属化膜电容器灌封料
WO2023166973A1 (ja) * 2022-03-02 2023-09-07 ナミックス株式会社 硬化性樹脂組成物、接着剤、硬化物、カメラモジュール、及び電子機器

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