KR20060063036A - 폭발용접이 적용된 반도체 제조장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 히터 및 서셉터의 평탄성이 휘어지는 현상을 최소화하여 공정상의 불량 발생을 방지토록 히터 및 서셉터에 폭발용접을 적용한 것이다. 본 발명은 폭발용접되도록 배치된 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등의 금속모재상에서 폭발되도록 뇌관이 갖추어진 폭약과, 상기 뇌관을 통한 폭약의 폭발에 의해 금속모재의 상면에 용접되도록 폭약의 바닥면에 부착된 프레임판을 배치하여 상기 금속모재를 경사법 및 펑형법을 통해 다른 판과 용접한다.
폭발용접, 반도체 제조용 히터, 서셉터

Description

폭발용접이 적용된 반도체 제조장치{SEMICONDUCTOR MANAFACTURING APPARATUS PERFORMED EXPLOSIVE WELDING}
도 1은 본 발명의 반도체 제조장치에 적용되는 폭발용접 원리도.
도 2는 본 발명의 반도체 제조장치와 이에 적용되는 폭발용접장치의 주요 구성부분을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 폭발용접의 경사법을 이용하여 용접되는 금속모재를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 폭발용점의 평형법을 이용하여 용접되는 금속모재를 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 금속모재 20 : 뇌관
30 : 폭약 40 : 프레임판
본 발명은 폭발용접이 적용된 반도체 제조장치에 관한 것으로써, 특히 반도 체 제조용 히터 및 서셉터에 폭발용접을 적용하여 평탄성을 해치는 현상을 최소화함으로써 공정상의 불량 발생을 방지토록 한 기술에 관한 것이다.
현재 반도체 제조용 서셉터 및 히터로는 고가의 AIN(Aluminum Nitride) 히터를 사용하고 있는 바 고가의 제품이라는 사실을 차치하고라도 금속히터의 사용으로 인해 고온으로 갈수록 히터의 평탄성을 해칠뿐만 아니라, LCD 서셉터의 경우 사용중 변형현상이 가중되어 공정상에 불량을 야기시키는 등의 심각한 문제점이 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 반도체 제조용 금속히터 및 서셉터의 평탄성을 해치는 문제점을 개선하기 위하여 이루어진 것으로써, 본 발명의 목적은 상기 금속히터 및 서셉터에 대해 폭발용접을 실시하여 평탄성을 유지시킴으로써 반도체 제조공정상의 불량불생을 최소화할 수 있도록 한 폭발용접이 적용된 반도체 제조장치를 제공하기 위한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 폭발용접이 적용된 반도체 제조장치는 폭발용접되는 금속모재와, 상기 금속모재 위에서 폭발되도록 뇌관이 갖추어진 폭약과, 상기 뇌관을 통한 폭약의 폭발에 의해 금속모재의 상면에 용접되도록 폭약의 바닥면에 부착된 프레임판으로 구성된 장치에 의해 제조되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 금속모재는 반도체 제조용 히터 및 서셉터인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 폭발용접이 적용된 반도체 제조장치는 뇌관을 점화시킴에 따라 폭약이 일정온도에서 폭발하면 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등 금속모재의 상면이 액체로 변형되어 밀려나오면서 폭약의 바닥면에 부착되어 있던 프레임판이 일정두께의 용접면을 가지면서 금속모재의 상면에 용접부착되는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 폭발용접이 적용된 반도체 제조장치는 프레임판을 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등 금속모재 위에 3~30°경사지게 위치시키고 뇌관을 통해 폭약을 점화시켜 폭발압력에 의한 충격에 의해 금속모재가 소성변형을 일으키면서 프레임판이 금속모재 상면에 압접되는 방법으로 제조되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 상기 폭발용접방법은 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등 금속모재와 프레임판을 적당한 간격을 두고 평행하게 위치시킨 상태에서 뇌관을 통해 폭약을 점화시켜 폭발압력에 의한 충격에 의해 금속모재가 소성변형을 일으키면서 프레임판이 금속모재 상면에 압접되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 반도체 제조장치에 적용되는 폭발용접 원리도, 도 2는 본 발명의 반도체 제조장치와 이에 적용되는 폭발용접장치의 주요 구성부분을 나타낸 도면, 도 3은 본 발명의 폭발용접의 경사법을 이용하여 용접되는 반도체 제조용 금 속모재를 나타낸 도면,도 4는 본 발명의 폭발용점의 평형법을 이용하여 용접되는 반도체 제조용 금속모재를 나타낸 도면이다.
본 발명의 반도체 제조용 히터에 대한 용접은 도 1에 도시한 바와 같이 화약의 폭발압력에 의해 2개의 금속판(1)(2)을 접합하는 방법이며 다른 고상용접에서와 같이 성질이 다른 이종재(異種材)간에도 용접 가능하다.
본 발명의 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등의 금속모재에 적용되는 폭발용접은 일반적으로 부식저항이 큰 판(2)을 베이스 금속판(1)에 접합하거나 큰 면적의 접합을 요할 때 적용되며, 접합부(3)에 있던 표면막이 액체가 되어 밀려 나오면서 용접이 되는 것이다.
도 2에 도시한 바와 같이 본 발명의 반도체 제조용 금속모재에 적용되는 폭발용접장치는 폭발용접되는 금속모재(10)와, 상기 금속모재(10) 위에서 폭발되도록 뇌관(20)이 갖추어진 폭약(30)과, 상기 뇌관(20)을 통한 폭약(30)의 폭발에 의해 금속모재(10)의 상면에 용접되도록 폭약(30)의 바닥면에 부착된 프레임판(40)으로 구성된다.
상기 금속모재(10)는 본 발명의 반도체 제조용 히터 및 서셉터이다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 폭발용접장치는 뇌관(20)을 점화시킴에 따라 폭약(30)이 일정온도에서 폭발하면 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등의 금속모재(10)의 상면이 액체로 변형되어 밀려나오면서 폭약(30)의 바닥면에 부착되어 있던 프레임판(40)이 일정두께의 용접면을 매개로 금속모재(10)의 상면에 용접부착되는 것이다.
이와 같은 폭발용접에는 구체적으로 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 경사 법과 평행법이 있다.
경사법은 도 3에 도시한 바와 같이 프레임판(40)을 금속모재(10) 위에 3~30°경사지게 위치시키고 뇌관(20)을 통해 폭약(30)을 점화시키면 폭발압력에 의한 충격에 의해 금속모재(10)가 소성변형을 일으키면서 프레임판(40)이 금속모재(10) 상면에 압접된다.
평형법은 도 4에 도시한 바와 같이 금속모재(10)와 프레임판(40)을 적당한 간격을 두고 평행하게 위치시킨 상태에서 뇌관(20)을 통해 폭약(30)을 점화시키면 폭발압력에 의한 충격에 의해 금속모재(10)가 소성변형을 일으키면서 프레임판(40)이 금속모재(10) 상면에 압접된다.
본 발명의 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등의 금속모재에 적용되는 폭발용접은 이종금속을 포함한 다른 방법으로 용접이 어려운 재료의 용접이 가능하고 접합강도가 클 뿐만 아니라, 6m x 2m 정도의 큰 면적의 판에 대해서도 용접이 가능하다.
상술한 본 발명은 특정한 실시예를 들어 설명하였으나 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며 본 발명의 기술적사상의 범주내에서는 수정 및 변형실시가 가능하다. 본 발명의 권리범위는 특허청구범위에 기재된 바에 따른다.
상술한 바와 같이 본 발명의 폭발용접이 적용된 반도체 제조장치에 따르면 이종금속간에도 접합강도가 큰 폭발용접을 반도체 제조용 히터 및 서셉터에 적용하 므로 평탄성을 유지시켜 공정상 불량을 방지할 수 있다는 뛰어난 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 폭발용접되는 금속모재(10);
    상기 금속모재(10) 위에서 폭발되도록 뇌관(20)이 갖추어진 폭약(30);
    상기 뇌관(20)을 통한 폭약(30)의 폭발에 의해 금속모재(10)의 상면에 용접되도록 폭약(30)의 바닥면에 부착된 프레임판(40)으로 구성된 장치를 이용하여 제조된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속모재(10)는 반도체 제조용 히터 및 서셉터인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  3. 뇌관(20)을 점화시킴에 따라 폭약(30)이 일정온도에서 폭발하면 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등 금속모재(10)의 상면이 액체로 변형되어 밀려나오면서 폭약(30)의 바닥면에 부착되어 있던 프레임판(40)이 일정두께의 용접면을 매개로 금속모재(10)의 상면에 용접부착되는 방법을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  4. 프레임판(40)을 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등 금속모재(10) 위에 3~30° 경사지게 위치시키고 뇌관(20)을 통해 폭약(30)을 점화시켜 폭발압력에 의한 충격에 의해 금속모재(10)가 소성변형을 일으키면서 프레임판(40)이 금속모재(10) 상면에 압접되는 방법을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
  5. 반도체 제조용 히터 및 서셉터 등 금속모재(10)와 프레임판(40)을 적당한 간격을 두고 평행하게 위치시킨 상태에서 뇌관(20)을 통해 폭약(30)을 점화시켜 폭발압력에 의한 충격에 의해 금속모재(10)가 소성변형을 일으키면서 프레임판(40)이 금속모재(10) 상면에 압접되는 방법을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
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