KR20060059786A

KR20060059786A - 프로브 카드 및 그것을 이용한 반도체 소자의 검사 방법 및그 검사 방법에 의해 검사된 반도체 장치

Info

Publication number: KR20060059786A
Application number: KR1020050063646A
Authority: KR
Inventors: 다이스케 후지이
Original assignee: 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤
Priority date: 2004-11-29
Filing date: 2005-07-14
Publication date: 2006-06-02
Also published as: JP2006153620A; CN1782716A; US20060114008A1; JP4413130B2

Abstract

프로브 카드의 측정 프로브의 오버드라이브량을 적절히 하여 접촉압을 안정시키고, 그로써 접촉저항의 감소를 도모하는 수단을 제공한다. 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 소자의 단자에 접촉시키는 측정 프로브와, 측정 프로브를 부착한 기판을 구비한 프로브 카드에 있어서, 기판의 측정 프로브의 프로브 설치 영역의 외측의 영역에 더미프로브를 마련하고, 이 더미프로브 단부의 단면을, 반도체 웨이퍼의 단자와 측정 프로브의 선단과의 간격을 설정하는 기준이 되는 기준면으로 한다.

반도체 웨이퍼, 기판, 측정 프로브, 더미 프로브

Description

프로브 카드 및 그것을 이용한 반도체 소자의 검사 방법 및 그 검사 방법에 의해 검사된 반도체 장치{PROBE CARD, METHOD OF INSPECTING SEMICONDUCTOR DEVICE USING PROBE CARD, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS INSPECTED WITH THE METHOD}

도 1은 실시예의 프로브 카드를 도시하는 측면도,

도 2는 도 1의 A방향 화살표시도

도 3은 실시예의 반도체 웨이퍼의 검사장치를 도시하는 설명도,

도 4는 실시예의 반도체 웨이퍼에 대한 더미프로브의 설치 장소를 도시하는 설명도,

도 5는 실시예의 반도체 웨이퍼의 검사 스텝을 도시하는 설명도

도 6은 실시예의 침상(針狀) 돌기 선단의 오버드라이브량을 도시하는 설명도이다.

※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※

1: 검사장치 2: 반도체 웨이퍼

3: 반도체 소자 4: 땜납 볼

5: 외부접속단자 6: 스테이지

7: 카메라 8: 프로브 카드 장착대

9: 제어부 10: 기억부

11: 프로브 카드 12: 기판

13: 측정 프로브 14: 프로브군

15: 침상 돌기 16: 더미프로브

17: 프로브 부착 영역 18: 기준면

본 발명은, 반도체 웨이퍼에 형성한 반도체 소자의 단자에 접촉시켜서 반도체 소자의 전기적인 검사에 이용하는 프로브 카드 및 그것을 이용한 반도체 소자의 검사 방법 및 그 검사 방법에 의해 검사한 반도체 장치에 관한 것이다.

종래의 프로브 카드는, 반도체 소자의 고집적화에 따르는 프로브 카드의 다핀화, 협(挾)피치화의 요구에 따르기 위해 프로브 카드의 기판에 도금 처리로 측정 프로브를 형성하여 측정 프로브의 선단의 접촉점을 일치시키고, 적정한 오버드라이브량을 부여하여 거의 일정한 접촉압을 확보하고 있다(예를 들면 특허문헌 1참조. ) .

이러한 측정 위치의 바늘 위치를 검출하는 방법으로서는, 비스듬히 부착한 기판에 부착한 측정 프로브의 선단을 촬영한 화상의 윤곽으로부터, 측정 프로브의 선단의 바늘 위치를 검출하는 것이 행해지고 있고, 검출한 바늘 위치에 의거하여 측정 프로브의 선단과 반도체 소자의 단자를 맞추어 접촉시켜, 반도체 소자의 전기적인 검사를 행하고 있다(예를 들면 특허문헌 2참조).

［특허문헌 1］일본국 특공평 7-82027호 공보(제 2쪽 단락0003-단락0007, 제1도)

［특허문헌 2］일본국 특허공개 2000-249745호 공보(제 3쪽 단락0017-제 4쪽 단락0023, 제1도)

그러나, 상술한 특허문헌 2의 기술에 있어서는, 측정 프로브의 선단을 촬영한 화상의 윤곽으로부터, 측정 프로브의 선단의 바늘 위치를 검출하여 수평방향의 위치맞춤을 행하고 있기 때문에, 프로브 카드의 승강 장치나 반도체 웨이퍼를 부착하는 스테이지의 덜컹거림이나 경시변화 등에 의해 수직방향의 위치이탈이 생겼을 경우에는 측정 프로브를 접촉시킬 때의 오버드라이브량이 부적절하게 되어 접촉압이 과소(過少)하게 되고 접촉저항이 증가하여 전기적인 검사를 정확하게 행하는 것이 곤란해진다는 문제가 있다.

이는, 제품인 반도체 장치의 정상품의 불량율을 증가시키는 결과가 된다.

본 발명은, 상기 한 문제점을 해결하기 위해 행해진 것으로, 측정 프로브의 오버드라이브량을 적절히 하여 접촉압을 안정시키고, 그로써 접촉저항의 감소를 도모하는 수단을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서, 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 소자의 단자에 접촉시키는 측정 프로브와, 이 측정 프로브를 부착한 기판을 구비한 프로브 카드에 있어서, 상기 기판의 상기 측정 프로브의 외측 영역에 더미프로브를 부착하고, 이 더미프로브의 단부의 단면을, 상기 반도체 웨이퍼의 단자와 상기 측정 프로브의 선단과의 간격을 설정하는 기준이 되는 기준면으로 한 것을 특징으로 한다.

이하에, 도면을 참조하여 본 발명에 의한 프로브 카드의 실시예에 대하여 설명한다.

［실시예］

도 1은 실시예의 프로브 카드를 도시하는 측면도, 도 2는 도 1의 A방향 화살표시도, 도 3은 실시예의 반도체 웨이퍼의 검사장치를 도시하는 설명도, 도 4는 실시예의 반도체 웨이퍼에 대한 더미프로브의 설치 장소를 도시하는 설명도이다.

도 3에 있어서, 부호 1은 검사장치이다.

부호 2는 반도체 웨이퍼이며, LSI 등의 복수의 반도체 소자(3a)(3b)(도 4참조, 위치를 구별할 필요가 없는 경우에는 반도체 소자(3)라고 한다)가 형성되고 있다. 본 실시예의 반도체 웨이퍼(2)는 형성되어 있는 반도체 소자(3)를 분할하여 개개의 조각으로 하고, 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지형의 반도체 장치를 제조하기 위한 반도체 웨이퍼이다.

부호 4는 단자로서의 땜납 볼이며, 반도체 소자(3)의 외부 접속단자(5)에 땜 납을 부착시켜 대략 반구 형상의 돌기로서 형성된다.

부호 6은 검사장치(1)의 스테이지이며, 도시하지 않은 Ⅹ-Y이동 기구를 구비하고, 반도체 웨이퍼(2)가 설치된다.

부호 7은 거리 측정장치로서의 카메라이며, 스테이지(6)의 반도체 웨이퍼(2)의 검사 개시 시의 원(原)위치 근방에 설치된 줌 기능을 갖는 카메라로서, 촬영한 대상물의 화상에 의해 그 대상물을 인식하는 기능 및 음파의 반사 등에 의해 초점 거리를 검출하여 인식한 대상물까지의 거리를 측정하는 기능을 갖고 있다.

이 카메라(7)의 시야는 최소의 촬영 배율로 했을 때 하나의 반도체 소자(3)의 전체를 촬영할 수 있는 넓이이고, 최대의 촬영 배율로 했을 때 후술하는 더미프로브(16)의 기준면(18) 전체와 그 근방만을 촬영할 수 있는 넓이가 되도록 설정되고 있다.

부호 8은 프로브 카드 장착대이며, 반도체 웨이퍼(2)의 반도체 소자(3)의 전기적인 검사를 행하기 위한 릴레이나 저항, 전원공급 경로 등 및 이들을 접속하는 배선이 설치되고 있으며, 프로브 카드(11)가 부착된다.

프로브 카드 장착대(8)에는, 도시하지 않은 승강 기구 및 수평축 회전의 회전 기구가 부착되어 있고, 프로브 카드(11)의 상하방향의 위치 및 기울기의 보정이 가능하도록 구성되어 있다.

부호 9는 검사장치(1)의 제어장치의 제어부이며, 스테이지(6)의 Ⅹ-Y방향의 이동이나 프로브 카드 장착대(8)의 승강이나 회전 등의 이동제어를 실행하는 기능을 갖고 있다.

부호 10은 기억부이며, 제어부(9)가 실행하는 이동제어 프로그램이나 그 처리 결과 등을 저장하는 기능을 갖고 있다.

또한 기억부(10)에는 더미프로브(16)의 기준면(18)의 높이를 카메라(7)가 검출하는 초점거리에 대응하는 거리로 한 설정기준 거리나, 스테이지(6)에 설치된 반도체 웨이퍼(2)의 반도체 소자(3)의 땜납 볼(4)과 설정기준 거리에 위치한 프로브 카드(11)의 측정 프로브(13)의 선단(본 실시예에서는 침상 돌기(15)의 선단)과의 거리에 적절한 오버드라이브량δ(땜납 볼(4) 등의 단자에 측정 프로브(13)의 선단이 접촉한 후의 밀어넣는 양을 말한다)을 가한 반도체 웨이퍼(2)에 형성한 땜납 볼(4)과 측정 프로브(13)의 선단과의 적절한 간격인 간격기준값 등이 미리 설정되어 저장되고 있다.

도 1, 도 2에 있어서, 12은 프로브 카드(11)의 기판이며, 대략 사각형상으로 형성되어, 프로브 카드 장착대(8)에 위치결정해서 부착할 수 있다.

부호 13은 측정 프로브이며, 금속 등의 도전성 재료로 형성된 접촉시키는 땜납 볼(4)의 직경보다 작은 직경을 갖는 원기둥 부재로서, 검사 대상이 되는 하나의 반도체 소자(3)의 복수의 땜납 볼(4)에 대응시킨 프로브군(14)(도 2에 도시하는 2점쇄선으로 둘러싼복수의 측정 프로브(13)를 말한다)으로 나누어 기판(12)에 부착되고 있으며, 프로브 카드 장착대(8)에 부착되었을 때 그 소정의 배선에 접속 가능하도록 구성되어 있다. 본 실시예에서는 8개의 반도체 소자(3)를 동시에 검사하기 위해서 측정 프로브(13)는 8개의 프로브군(14)으로 나누어 기판(12)에 부착되어 있다.

부호 15는 침상 돌기이며, 측정 프로브(13)의 기판(12)의 반대측의 단부, 즉 선단부에 침상 부재를 관(冠) 모양으로 배치하여 형성된다.

부호 16은 더미프로브(위치를 구별할 필요가 있는 경우에만 첨자 a∼d(도 2참조)를 붙인다)이며, 금속재료 등으로 형성된 측정 프로브(13)의 직경과 대략 동등한 직경을 갖는 원기둥 부재로서, 기판(12)의 대략 중앙부에 배치된 프로브군(14)이 설치되는 프로브 설치영역(17)(도 2에 도시하는 점선으로 둘러싼 영역을 말함)의 외측에 설치되고, 그 기판(12)의 반대측의 단부의 단면을 평면에 성형하여 검사개시 시의 간격기준값의 설정의 기준면(18)으로서 기능하도록 한다.

더미프로브(16)의 길이는, 측정 프로브(13)의 길이보다 짧게 설정, 즉 검사시에 측정 프로브(13)가 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 땜납 볼(4)에 접촉했을 때 더미프로브(16)가 반도체 웨이퍼(2)에 접촉하지 않는 길이로 설정된다.

본 실시예의 측정 프로브(13)의 길이는 약 0.75㎜, 더미프로브(16)의 길이는 약0.3mm로 설정되어, 더미프로브(16)는 프로브 설치영역(17)의 4구석의 외측에 각각 1개, 모두 4개 설치되고 있다.

또, 더미프로브(16)의 개수는 한개이거나, 복수라도 좋다. 더미프로브(16)를 복수개 설치할 경우의 설치 장소는, 대략 사각형의 프로브 설치영역(17)의 적어도 2변의 외측에 적어도 3개, 즉 3개의 측정 점에 의해 평면을 구성할 수 있는 위치에 설정되고 있으면 충분하고, 도 4에 나타낸 것처럼 검사 대상이 되는 반도체 소자(3a)의 외측을 둘러싸는 반도체 소자(3b)의 대략 절반 정도의 영역(도 4에 도시하는 굵은 실선으로 둘러싼 영역)에 속하는 땜납 볼(4)의 설치 위치에 설치하는 것이 바람직하다.

이하에, 도 5를 이용하여 S로 나타내는 스텝을 따라서 본 실시예의 반도체 웨이퍼의 검사방법에 대하여 설명한다.

S1(기준면 고측정 스텝), 반도체 웨이퍼(2)의 검사를 시작하기 전에, 검사장치(1)의 제어장치의 제어부(9)는, 스테이지(6)를 이동시켜서 프로브 카드(10)를 반도체 웨이퍼(2)의 검사 개시 시의 원위치에 위치시키고, 스테이지(6)에 설치한 카메라(7)의 촬영 배율을 최소로 하여 도 2에 도시하는 더미프로브(16a)를 스테이지(6)를 Ⅹ-Y방향으로 이동시켜 찾으며, 화상인식에 의해 더미프로브(16a)를 인식하면 촬영 배율을 최대로 하여 그 기준면(18)에 핀트를 맞추어 초점거리를 검출한다.

다음에, 상기와 같은 방법으로 카메라(7)를 이동시켜서 더미프로브(16b)를 인식하고, 그 기준면(18)의 초점거리를 검출한다. 같은 방법으로 더미프로브(16c)(16d)의 기준면(18)의 초점거리를 검출하여 더미프로브(16a∼16d)의 기준면(18)의 높이를 측정한다.

S2(프로브 카드 높이 보정 스텝), 제어부(9)는 측정한 각 기준면(18)의 높이를 기초로, 프로브 카드의 위치 보정값을 구한다.

즉, 측정한 각 기준면(18)의 높이를 평균내어 현재의 기준면(18)까지의 거리를 구하고, 기억부(10)로부터 판독한 설정기준 거리와의 차이를 산출하여 도 5에 화살표B로 나타내는 승강 방향의 보정값을 구한다.

또한 측정한 각 기준면(18)의 높이 중에서 가장 낮은 위치에 있는 더미프로브(16)의 기준면(18)의 높이를 추출하고, 그 높이와 다른 더미프로브(16)의 기준면 (18)의 높이와의 차와 그 더미프로브(16)까지의 거리에 의해 다른 더미프로브(16)에 대한 경사각과 그 방향을 산출하며, 측정 프로브(13)의 선단을 반도체 웨이퍼(2)의 앞면과 평행(본 실시예에서는 수평)으로 하기 위한 면으로서의 기울기 방향과 그 기울기의 보정값을 구한다.

그리고, 구한 승강 방향의 보정값 및 면으로서의 기울기 방향과 그 기울기의 보정값에 의거하여 프로브 카드 장착대(8)의 도시하지 않은 승강 기구를 작동시키고, 프로브 카드(11)를 승강하도록 하여 미리 설정된 설정기준 거리에 맞추어 보정함과 동시에, 도시하지 않은 회전 기구를 작동시켜, 프로브 카드(11)를 도 5에 화살표θ로 도시하는 방향으로 회전시키며, 그 면의 기울기를 반도체 웨이퍼(2)의 앞면과 평행이 되도록 보정한다.

S3(반도체 웨이퍼 설치 스텝), 검사 대상이 되는 반도체 웨이퍼(2)를 스테이지(6)에 반송한 진공흡인 등에 의해 소정의 위치에 설치한다.

본 실시예에서는, 최초에 검사하는 8개의 반도체 소자(3)의 각 땜납 볼(4)이 이것에 대응하는 측정 프로브(13)의 위치가 되는 위치, 즉 검사 개시 시의 원위치에 반도체 웨이퍼(2)가 설치된다.

S4(측정 프로브 압착 스텝), 제어부(9)는 검사 대상이 되는 반도체 웨이퍼(2)를 소정의 위치에 설치하면, 기억부(10)의 프로브 카드(11)의 간격 기준값을 판독하고, 이것을 프로브 카드(11)의 강하량으로서 프로브 카드 장착대(8)의 도시하지 않은 승강 기구에 의해 강하시키며, 반도체 웨이퍼(2)의 반도체 소자(3)의 땜납 볼(4)에 측정 프로브(13)의 침상 돌기(15)의 선단을 압착시켜서 반도체 소자(3)를 전기적으로 검사한다.

이때, 도 6에 도시하는 오버드라이브량δ이 미리 간격 기준값에 가해지고 있기 때문에, 침상 돌기(15)의 선단이 땜납 볼(4)에 접촉하여 압착되었을 때, 침상 돌기(15)의 선단이 땜납 볼(4)에 오버드라이브량δ에 상당하는 길이만큼 파고들어, 접촉저항이 감소하고 전기적인 검사를 정확하게 행할 수 있게 된다.

그 후 제어부(9)는 프로브 카드(11)를 설정기준 거리까지 상승시키고, 스테이지(6)를 이동시켜서 다음에 검사하는 8개의 반도체 소자(3)의 각 땜납 볼(4)이 프로브 카드(11)의 측정 프로브(13)의 위치가 되는 위치에 반도체 웨이퍼(2)를 이동시키고, 상기 스텝S4과 같은 방법으로 땜납 볼(4)에 측정 프로브(13)의 선단을 압착하여 반도체 소자(3)를 전기적으로 검사한다. 이 작동을 순서대로 반복하여 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 반도체 소자(3)의 전기적인 검사가 종료한다.

이와 같이하여 반도체 웨이퍼(2)에 형성된 반도체 소자(3)의 전기적인 검사가 행해지고, 검사가 종료한 반도체 웨이퍼(2)는 거기에 형성되어 있는 반도체 소자(3) 마다 분할되어 개개의 단편이 되고, 본 실시예의 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지형의 반도체 장치가 제조된다.

이 경우에, 복수의 반도체 소자(3)를 반도체 웨이퍼(2)에 형성한 채로, 단책상(短冊狀)으로 분할 또는 분할하지 않고 반도체 장치로서 기능하도록 해도 좋다.

또, 상기 한 스텝S1, S2의 작동은, 한 장의 반도체 웨이퍼(2)를 설치할 때마다 작동하도록 해도 되고, 정기적(예를 들면 반도체 웨이퍼(2)의 제조 로트 마다) 또는 필요에 따라 실시하도록 해도 좋다.

또한 더미프로브(16)를 한 개로 한 경우에는, 그 한 개의 기준면(18)의 높이를 현재의 기준면(18)까지의 거리로 하고, 이와 설정기준 거리와의 차를 승강 방향의 보정값으로서 구하도록 하면 된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는, 프로브 카드의 측정 프로브의 외측의 영역에 부착한 더미프로브의 단부에, 반도체 웨이퍼의 땜납 볼과 측정 프로브의 선단과의 간격을 설정하는 기준면을 형성함으로써, 프로브 카드의 높이를 용이하게 측정할 수 있고, 프로브 카드의 승강 장치나 반도체 웨이퍼를 설치하는 스테이지의 덜컹거림이나 경시변화 등에 의해 수직방향의 위치이탈이 발생한 경우에 있어서도 오버드라이브량을 적절히 하여 측정 프로브를 땜납 볼에 압착할 수 있게 되고, 침상 돌기의 파고드는 양을 적절하게 하여 접촉저항을 감소시킬 수 있으며, 반도체 웨이퍼의 전기적인 검사를 정확하게 행할 수 있음과 동시에, 제품인 반도체 장치의 정상품의 불량율을 감소할 수 있다.

또한 측정 프로브의 선단부에 침상 돌기를 부착했을 경우에는 침상 돌기의 선단에 카메라의 핀트를 맞추는 것은 곤란하므로, 이러한 경우에 있어서도 더미프로브의 기준면을 이용하면 프로브 카드의 높이를 용이하게 측정 할 수 있다.

또한 측정 프로브를 부착하는 대략 사각형의 프로브 설치영역의 적어도 2변의 외측에 더미프로브를 적어도 3개 배치함으로써, 각각의 기준면의 높이의 측정치로부터 용이하게 프로브 카드의 면으로서의 기울기를 구할 수 있고, 측정 프로브의 선단을 반도체 웨이퍼의 앞면에 평행하게 할 수 있게 되며, 하나의 프로브군에 대응하는 반도체 소자의 각 땜납 볼이나 복수의 프로브군에 대응하는 반도체 소자의 각 땜납 볼로의 측정 프로브의 선단의 파고드는 양의 균일화를 도모할 수 있고, 반도체 소자의 전기적인 검사의 변동을 저감할 수 있다. 이는 복수의 반도체 소자를 동시에 검사하는 프로브 카드에 특히 유효하다.

또한 반도체 웨이퍼에 형성한 반도체 소자의 검사 공정에서, 반도체 웨이퍼의 검사의 개시 전에 미리 더미프로브의 기준면 높이의 측정치를 이용하여 프로브 카드의 높이를 설정된 간격 기준값이 되도록 보정하는 검사 스텝을 마련함으로써, 반도체 소자의 전기적인 검사를 항상 적절한 오버드라이브량으로 검사할 수 있고, 반도체 웨이퍼의 전기적인 검사를 늘 정확하게 행할 수 있다.

또, 본 발명은 측정 프로브의 선단이 접촉하는 단자가 전극 패드나 외부접속단자 등의 평탄한 단자인 경우에도 적용할 수 있다. 이 경우에 있어서도 상기와 같이 적절한 오버드라이브량의 설정이 용이하게 되므로, 측정 프로브의 선단이 측정 프로브 자체의 탄성(예를 들면 특허문헌 2의 경우에는 비스듬히 설치된 측정 프로브의 휘어짐에 의한 탄성)이나 측정 프로브 자체 혹은 프로브 카드 장착대에 부착된 스프링 요소에 의한 탄성에 의해 오버드라이브량δ에 상당하는 힘으로 단자를 적절한 접촉압이 되도록 압착 할 수 있고, 접촉저항을 감소시켜서 전기적인 검사를 정확하게 행할 수 있다.

상기 실시예에 있어서는, 거리 측정장치로서 줌 기능을 갖는 카메라를 이용하여 더미프로브의 위치를 인식하고, 그 기준면까지의 초점거리를 음파의 반사에 의해 검출하여 프로브 카드의 높이를 측정한다고 설명했지만, CCD(Charge Coupled Device)등에 의해 촬영한 대상물의 화상의 선명도에 의해 초점거리를 검출하여 대 상물까지의 거리를 측정하는 기능을 갖는 카메라나 현미경을 이용하도록 해도 좋으며, 초음파나 적외선, 전자파 등에 의해 거리를 측정하는 기기와 더미프로브의 위치를 인식하는 카메라 등을 조합하여 이용하도록 해도 좋다.

이에 따라 본 발명은, 프로브 카드의 높이를 용이하게 측정할 수 있고, 검사장치에 수직방향의 위치이탈이 생겼을 경우에 있어서도 오버드라이브량을 적절히 하여 측정 프로브를 단자에 압착하는 것이 가능하게 되며, 접촉저항을 감소시켜서 반도체 웨이퍼의 전기적인 검사를 정확하게 행할 수 있음과 동시에, 제품인 반도체 장치의 정상품의 불량율을 저감할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다

Claims

반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 소자의 단자에 접촉시키는 측정 프로브와, 이 측정 프로브를 부착한 기판을 구비한 프로브 카드에 있어서,

상기 기판의 상기 측정 프로브의 외측의 영역에 더미프로브를 부착하고,

이 더미프로브 단부의 단면을, 상기 반도체 웨이퍼의 단자와 상기 측정 프로브의 선단과의 간격을 설정하는 기준이 되는 기준면으로 한 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
제 1항에 있어서,

상기 기판에 상기 측정 프로브를 부착하는 대략 사각형의 프로브 부착 영역을 마련하고, 이 프로브 부착 영역의 적어도 2변의 외측에 상기 더미프로브를 적어도 3개 배치한 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
스테이지에 설치된 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 소자의 단자에 접촉시키는 측정 프로브와, 이 측정 프로브를 부착한 기판과, 상기 측정 프로브의 외측의 상기 기판 위에 상기 반도체 웨이퍼와 측정 프로브와의 간격을 설정하는 기준이 되는 기준면을 형성한 더미프로브를 구비한 프로브 카드를 이용한 반도체 소자의 검 사 방법에 있어서,

상기 더미프로브의 기준면의 높이를 측정하는 기준면 높이 측정 스텝과,

이 측정한 높이를 기초로, 상기 프로브 카드를 미리 설정된 상기 반도체 웨이퍼의 단자와 상기 측정 프로브의 선단과의 간격의 설정값에 맞추어 승강시키고, 프로브 카드의 높이를 보정하는 프로브 카드 높이 보정 스텝과,

상기 스테이지의 소정의 위치에 검사 대상의 반도체 웨이퍼를 설치하는 반도체 웨이퍼 설치 스텝과,

상기 반도체 웨이퍼의 반도체 소자의 단자에 상기 측정 프로브의 선단을 압착시키는 측정 프로브 압착 스텝을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법.
제 3항에 있어서,

상기 기판에 부착한 상기 측정 프로브를 부착하는 대략 사각형의 프로브 설치 영역의 적어도 2변의 외측에 상기 더미프로브를 적어도 3개 배치하고,

상기 기준면 높이 측정 스텝에서, 모든 상기 더미프로브의 기준면의 높이를 측정하며,

상기 프로브 카드 높이 보정 스텝에서, 상기 각각의 기준면 높이로부터 구한 기울기도 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법.
제 3항 또는 제 4항에 기재된 반도체 소자의 검사 방법을 이용하여 검사된 반도체 웨이퍼를 개개의 단편으로 분할하여 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.