KR20060046251A - 반도체 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 가스 중금속의 제거 방법 - Google Patents
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 89
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 89
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 113
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 25
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3342—Resist stripping
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
본 발명의 과제는 무성 방전에 의해 생성시킨 오존으로부터 전극 유래의 금속을 제거하는 것이다.
오존 발생 유닛(30)에서 전극간의 무성 방전에 의해 발생시킨 오존을, 필터(33)를 구성하는 분자 투과막(33a)의 전후의 압력차를 기초로 하여 분자 투과막(33a)을 투과시킨다. 투과시킨 오존을 별도 생성시킨 수증기와 더불어 반도체 웨이퍼(W) 상의 레지스트 표면에 공급하여 레지스트 제거를 행한다. 이러한 레지스트 제거에서는, 전극 유래의 금속에 의한 고농도 오염을 회피할 수 있다.
오존 발생 유닛, 분사 투과막, 웨이퍼, 필터, 챔버
Description
도1은 본 발명의 일실시 형태에 있어서의 반도체 제조 장치의 구성의 일예를 개략적으로 도시한 설명도.
도2는 본 발명의 일실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법의 순서를 나타낸 흐름도.
도3은 본 발명에 관한 반도체 제조 장치를 CVD 장치로 구성한 경우의 일예를 개략적으로 도시한 설명도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 반도체 제조 장치
10a : 레지스트 제거 장치
10b : CVD 장치
11 : 챔버
12, 13 : 노즐
14 : 웨이퍼 테이블
15, 16 : 가스 공급 라인
15a, 16a, 32 : 제어 밸브
15b, 16b, 33 : 필터
17 : 샤워 헤드
20 : 수증기 발생 유닛
21, 31 : 배관
30 : 오존 발생 유닛
33a : 분자 투과막
S100, S200, S300, S400 : 스텝
[문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-176833호 공보
[문헌 2] 일본 특허 공개 제2002-57136호 공보
본 발명은 기체 중에 포함되는 미량의 금속 제거 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 제조 분야에서 사용되는 오존 등의 기체에 포함되고, 반도체 웨이퍼의 오염원인이 되는 금속을 제거하는 데 적용하기 유효한 기술이다.
이하에 설명하는 기술은, 본 발명을 완성할 때 본 발명자에 의해 검토된 것이며 그 개요는 다음과 같다.
반도체 장치의 제조에 있어서는, 높은 산화 능력에 착안하여 오존(O3)이 이용되고 있다. 오존은 기체 상태로 사용하는 경우도 있지만, 물에 녹여 오존수로서 사용하는 경우도 볼 수 있다.
기체 상태인 오존을 이용하는 경우로서는, 예를 들어 일련의 포토리소 그래피 공정에 있어서 에칭 처리 후의 레지스트 제거에 사용된다. 레지스트 제거에는, 산소 플라즈마를 이용하는 처리 수단이 지금까지 이용되어 왔지만, 산소 플라즈마를 사용하는 경우에는 예를 들어 반도체 웨이퍼의 게이트 산화막의 내성을 열화시키는 등의 다양한 장해가 발생되는 것을 알았다.
그래서, 이러한 손상을 발생시키지 않는 무손상의 레지스트 제거 방법으로서, 오존을 레지스트 표면에 내뿜어 레지스트를 산화 분해하는 방법이 제안되어 있다. 또한, 분해 효율을 향상시키기 위해 수분의 존재하에 오존을 내뿜는 방법이 제안되어 있다.
예를 들어, 특허 문헌 1에는 포토리소 그래피 공정에 있어서의 레지스트 제거 처리로부터 세정 및 건조까지의 일련의 처리를 단일 장치로 행할 때에, 수증기 공급 수단에 의해 공급된 수증기에 의해 레지스트 표면에 얇은 순수(純水)의 액막을 형성하고, 이러한 액막에 오존 공급 수단에 의해 공급된 오존을 용해시킴으로써 레지스트를 카르복실산, 이산화탄소, 물 등으로 분해하는 기술이 제안되어 있다.
또한, 특허 문헌 2에는 오존수를 이용하여 기반을 세정하는 구성이 개시되어 있다. 이러한 구성에서는, 오존 발생기로부터 발생시킨 오존과 오존을 용해시키는 물을, 기체를 통해서만 액체의 투과를 저지하는 비다공성 오존 가스 투과 고분자막을 사이에 두고 인접시킴으로써 오존을 직접 물에 접촉시키는 경우와는 달리, 오존을 가압 상태에서 비다공성 오존 가스 투과 고분자막을 투과시켜 오존 발생에 유래하는 금속 가루 등이 물에 용해되지 않는 깨끗하고 고농도인 오존수의 생성을 행하는 것이 제안되어 있다.
[특허 문헌 1]
일본 특허 공개 제2001-176833호 공보
[특허 문헌 2]
일본 특허 공개 제2002-57136호 공보
본 발명자는 반도체 장치의 제조에 있어서, 포토리소 그래피 공정 등에서 반도체 웨이퍼에 형성한 레지스트 제거시에 기체의 오존과 수증기를 레지스트면에 더불어 공급하여 레지스트 제거 처리를 행하면, 반도체 웨이퍼에 고농도의 금속 오염이 발생되는 것을 알았다. 제품 불량으로 연결되는, 이러한 중대한 금속 오염은 전극 유래의 금속인 것이 판명되었다. 이러한 금속 오염은, 전극간에 무성 방전을 행하게 함으로써 오존을 생성할 때에 발생되는 전극 유래의 금속이다.
그러나, 동일한 무성 방전을 기초로 하는 오존을 사용하는 경우라도 기체인 오존만을 내뿜는 레지스트 제거 방법에서는, 이러한 고농도 금속 오염의 문제는 발생되지 않는다. 또한, 미리 제작된 오존수를 레지스트 표면에 공급함으로써 레지스트 제거를 행하는 경우에도 이러한 고농도의 금속 오염은 발생되지 않는다.
그래서 본 발명자는, 상기 고농도의 금속 오염은 레지스트면에 오존과 더불어 공급되는 수증기에, 전극 유래의 금속에 의해 오염된 오존이 접촉하면, 오존에 혼입되어 있던 금속이 수증기에 용해되는 것이 원인이라고 생각하였다. 이러한 금속의 수증기로의 용해는, 수증기가 소량이므로 매우 높은 금속 농도가 된다. 오존을 기체로 사용하는 정도라면, 오존에 있어서의 금속 농도는 대용량의 기체에 희석되어 낮을 것이다. 또한, 마찬가지로 오존을 물에 용해하여 생성하는 오존수에서는, 대량의 물에 오존을 용해하여 오존수를 생성하므로, 역시 오존수에 있어서의 금속 농도는 낮을 것이라 생각된다.
그러나, 상기한 바와 같이 레지스트면에 수증기와 오존을 더불어 공급하는 경우에는, 상기 오존수 등의 경우와는 달리 금속이 용해되는 수증기량은 매우 소량이며, 그 만큼 금속 농도는 매우 고농도가 될 것이라 추측된다.
그래서, 상기 수증기와 오존을 레지스트면에 더불어 공급하는 처리 방법에서, 이러한 고농도 금속 오염을 방지하는 수단 중 하나는 물의 전기 분해에 의한 오존 발생 수단을 채용하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 이러한 방법은 전극간의 무성 방전에 의한 오존 발생 방법과 비교하여 충분한 오존 농도를 얻는 것이 어렵고, 비용적으로도 높은 것이 되어 쉽게 채용하기는 어렵다.
그래서, 반드시 무성 방전에 의한 오존 생성 방법을 사용하는 것이 요망된다. 본 발명자는, 상기 구성의 수증기와 오존을 더불어 레지스트면에 공급하는 구성으로, 무성 방전에 의해 생성한 오존을 사용할 때에 금속 오염 문제의 해소를 도모하는 것이 필요하다고 생각하였다. 이러한 구성은, 오존을 대량의 물에 용해하 는 오존수의 생성 방법과는 다르기 때문에, 예를 들어 특허 문헌 2에 기재한 바와 같이 오존과 물을 비다공성 오존 투과 고분자막을 사이에 두고 인접시키는 용해 모듈의 구성은 채용할 수 없다.
본 발명자는, 레지스트면에서 수증기와 오존을 접촉시켜 레지스트 제거를 행할 때에, 수증기에 접촉하기 전에 공급되는 오존으로부터 오염 금속을 제거하는 필터 기술의 개발이 필요하다고 생각하였다.
본 발명의 목적은, 무성 방전에 의해 생성시킨 오존으로부터 전극 유래의 금속 오염을 제거하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 프로세스 가스 등의 가스의 금속 오염을 제거하는 데 있다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은, 본 명세서의 기술 및 첨부 도면으로부터 명백해질 것이다.
본원에 있어서 개시되는 발명 중, 대표적인 것의 개요를 간단히 설명하면 다음과 같다.
즉, 압력차를 기초로 하여 분자 투과막에 오존을 투과시킴으로써 오존 중의 전극 유래의 금속을 제거한다.
이하, 본 발명의 실시 형태를 도면을 기초로 하여 상세하게 설명한다. 또한, 실시 형태를 설명하기 위한 전체 도면에 있어서 동일한 부재에는 원칙적으로 동일한 부호를 붙이고 그 반복 설명은 생략하는 경우가 있다.
본 발명은, 오존 등의 기체(이하, 가스라 하는 경우도 있음)에 포함되는 금속을 제거하는 기술에 관한 것으로, 예를 들어 무성 방전에 의해 발생시키는 오존에는 필연적으로 포함되는 오염 원인이 되는 전극 유래의 금속을 오존으로부터 제거하는 데 유효하게 적용할 수 있다.
그로 인해, 무성 방전에 의해 생성한 오존을 사용하여 행하는 처리, 예를 들어 레지스트면에 수증기와 더불어 공급함으로써 오존에 의한 레지스트 제거 처리를 행하는 경우에는 레지스트 제거 처리 후에 가해지는 전극 금속 유래의 고농도 금속 오염을 발생시키는 일이 없다.
또한, 이러한 오존 중의 금속 제거에 관해서는 오존 이외의 기체에도 적용할 수 있고, 예를 들어 CVD(chemical vapor deposition) 장치 등에 공급하는 원료 가스 중의 오염 금속의 제거에도 유효하게 적용할 수 있다. 또한, 현재는 금속 오염의 문제가 현재화(顯在化)되어 있지 않지만, 무성 방전에 의해 생성한 오존을, 수증기를 더불어 사용하는 일 없이 기체 상태에서 작용시켜 처리하는 레지스트 제거 처리 수단에도 당연히 적용할 수 있다.
(제1 실시 형태)
본 실시 형태에서는, 무성 방전에 의해 발생한 오존으로부터 전극 유래의 금속을 제거하는 본 발명에 관한 구성에 대해 레지스트 제거를 예로 들어 설명한다.
도1은 본 발명에 관한 반도체 제조 장치를, 레지스트 제거 장치로 구성한 경우를 개략적으로 도시한 전체 구성의 설명도이다. 도2는 본 발명의 일실시 형태의 반도체 장치의 제조 방법의 순서를 나타낸 흐름도이다.
본 실시 형태에서 설명하는 반도체 제조 장치(10)는, 도1에 도시한 바와 같이 오존에 의해 레지스트 제거 처리를 행하는 가스 처리 기능을 갖는 레지스트 제거 장치(10a)로 구성되어 있다. 레지스트 제거 장치(10a)는 챔버(11)를 갖고, 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 보유 지지부에 보유 지지할 수 있도록 되어 있다.
챔버(11)의 상방 개구부측에는 복수의 노즐(12, 13)이 설치되어 있다. 노즐(12)은 수증기 발생 유닛(20)에 배관(21)에 의해 접속되어, 수증기가 챔버(11) 내에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(W) 상에 공급되도록 되어 있다.
한편 노즐(13)은, 오존 발생 유닛(30)에 배관(31)에 의해 접속되어, 오존이 챔버(11) 내에 보유 지지된 반도체 웨이퍼(W) 상에 상기 수증기와 더불어 공급되도록 되어 있다. 오존 발생 유닛(30)에서는, 전극 사이에 무성 방전을 행함으로써 오존을 생성시키도록 구성되어 있다.
오존 발생 유닛(30)과 노즐(13)을 접속하는 배관(31)에는, 도1에 도시한 바와 같이 제어 밸브(32)와 필터(33)가 설치되어 있다. 이러한 필터(33)는, 오존은 투과시키지만 오존 내에 포함되어 있는 금속은 투과시키지 않는 분자 투과막(33a)으로 구성되어 있다.
분자 투과막(33a)은, 예를 들어 불소 수지 등의 수지로 형성된 투과막이고, 오존 등의 기체는 투과시키지만 오존에 미량으로 포함되는 금속 입자는 투과시키지 않는 성질을 갖는 막이다. 통상, 기체 중의 부유 먼지 등의 이물질을 제거하는 필터에서는, 수지막 등에 이물질은 통과하지 않지만 기체는 통과하는 0.1 ㎛ 정도의 구멍을 인위적으로 마련하여 사용하지만, 본 발명에서 사용하는 분자 투과막에는 이러한 인위적인 구멍은 마련되어 있지 않다. 이러한 분자 투과막은, 시판되어 있으며 비개공(非開孔) 분자 투과막 등이라 불리워지는 경우도 있다.
이러한 분자 투과막(33a)으로 구성되는 필터(33)는, 오존 등의 기체 중의 금속을 제거하는 금속 제거 수단으로서 기능하게 된다.
이러한 구성의 분자 투과막을 금속 제거 수단으로서 구성하는 레지스트 제거 장치(10a)를 이용하여, 전극간의 무성 방전에 의해 생성된 오존에 의해 처리하는 가스 처리 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 대해 설명한다.
상기 구성의 레지스트 제거 장치(10a)로 구성한 반도체 제조 장치(10)를 이용하여, 이온 주입 공정에서 사용한 레지스트의 제거를 행하는 경우를 예로 들어 설명한다.
앞의 공정에서, 반도체 웨이퍼 표면에 미리 형성된 소자간 분리용 소자 내로의 매립 가능한 막 두께로 실리콘 산화막이 퇴적되고, 그 후에 화학적 기계적 연마에 의해 실리콘 산화막 표면이 평평해진 상태에서, 도2에 나타낸 바와 같이 스텝 S100에서 실리콘 산화막 상에 레지스트막(포토 레지스트막)을 형성한다. 그 후, 스텝 S200에서 이러한 레지스트막을 이온 주입 패턴에 맞춘 마스크로 노광하고, 또한 현상을 행하여 이온 주입용 레지스트 패턴을 형성한다.
이와 같이 하여 형성된 레지스트 패턴을 마스크로 하고, 스텝 S300에서 이온 주입기로부터 예를 들어 인(P) 이온 등을 주입하여, N 웰을 형성한다. 그 후, 스텝 S400에서 마스크로서 사용한 레지스트막을 제거한다. 이러한 레지스트막의 제거시에 본 발명에 관한 상기 설명의 레지스트 제거 장치(10a)를 적용하게 된다.
즉, 상기한 바와 같이 이온 주입 종료 후의 불필요한 레지스트막이 남아 있는 반도체 웨이퍼(W)를, 도1에 도시한 바와 같이 레지스트 제거 장치(10a)의 챔버(11) 내에 보유 지지시킨다. 그 상태에서, 수증기 발생 유닛(20)으로부터 수증기를 배관(21)을 통해 반도체 웨이퍼(W)의 레지스트막면 상에 공급한다. 이러한 수증기의 공급과 더불어, 오존 발생 유닛(30)에서 무성 방전에 의해 생성시킨 오존도 레지스트막면 상에 공급한다.
이러한 오존의 공급시에는, 도1에 도시한 바와 같이 제어 밸브(32)에 의해 공급하는 오존의 압력 및 유량 등을, 필터(33)를 구성하는 분자 투과막(33a)의 전후에서 압력차가 발생되도록 하여, 즉 오존의 유입측의 압력(P0)이 오존의 유출측의 압력(P1)보다 커지도록 제어하여, 오존을 분자 투과막(33a)에 투과시킨다.
오존 발생 유닛(30)에서 생성된 오존에는, 무성 방전시에 전극 표면으로부터 박리된 미세한 전극 유래의 금속이 미량으로 혼입되어 금속 오염된 상태로 되어 있다. 이러한 금속이라 함은, 예를 들어 Al 전극을 기초로 하는 Al, 방전 효율을 향상시키기 위해 전극면에 도포한 Cr 등을 예시할 수 있다. 본 발명의 상기 구성의 레지스트 제거 장치(10a)를 이용하면, 이러한 오염 금속이 필터(33)를 구성하는 분자 투과막(33a)에 의해 제거되게 된다.
이와 같이 하여 금속 오염이 충분히 억제된 상태의 오존을, 수증기와 더불어 레지스트면에 공급함으로써 이러한 오존이 수증기의 존재에 의해 레지스트막면에 충분히 부착되어 레지스트의 오존 분해가 효과적으로 일어난다. 이러한 오존 분해 에 의한 레지스트 제거 처리에서는, 오존 중의 미량 금속이 제거되어 있으므로 레지스트 제거 처리시에 오존 중의 금속을 기초로 하는 고농도 금속 오염의 발생이 없다.
지금까지의 레지스트 제거 장치는, 도1에 도시한 레지스트 제거 장치(10a)와는 달리 분자 투과막(33a)으로 구성된 필터(33) 등의 금속 제거 수단을 마련하지 않는 구성이다. 그로 인해, 오존 발생 유닛에서 생성된 오존은 오존 중의 금속이 제거되는 일 없이 레지스트 표면에 공급되고, 더불어 공급되는 수증기와 함께 레지스트를 오존에 의해 분해하여 제거할 때에 오존 중의 금속이 소량의 수증기에 용해되어, 결과적으로 레지스트 처리 후의 반도체 웨이퍼에 고농도 금속 오염을 발생시키게 되었다. 그러나, 본 발명에서는 전술한 바와 같이 금속 제거 수단을 마련하고 있으므로, 이러한 레지스트 제거 후의 고농도 금속 오염을 발생시킬 우려가 없다.
상기 설명에서는, 이온 주입 공정에서 행해지는 레지스트 처리를 예로 들어 설명하였지만, 이러한 레지스트 처리에 한정할 필요는 없으며, MOSIC(metal oxide semiconductor integrated circuit) 등의 반도체 장치의 프로세스에서 사용되는 다양한 포토리소 그래피 공정에서의 레지스트 처리에 적용할 수 있는 것은 물론이다.
(제2 실시 형태)
본 실시 형태에서는, 본 발명에 관한 구성을 산소 등의 프로세스 가스 중의 금속을 제거함으로써 금속 오염이 없는, 즉 무금속 프로세스 가스를 이용한 성막 형성에 적용한 경우에 대해 설명한다.
상기 제1 실시 형태에서 설명한 바와 같이, 기체는 투과시키지만 그 기체 중에 포함되는 금속 등의 이물질은 투과시키지 않는 분자 투과막을 필터로서 구성함으로써, 전극 유래의 금속으로 오염된 오존 중의 금속을 충분히 제거할 수 있는 것이 확인되었지만, 본 실시 형태에서는 이러한 구성을 오존 이외의 다른 기체에 적용한 경우에 대해 설명한다.
챔버 내에 가스를 도입하고, 도입한 가스에 의해 반도체 웨이퍼를 가스 처리하는 장치로서는 상기 제1 실시 형태에서 설명한 레지스트 제거 장치 외에도, 예를 들어 도입하는 프로세스 가스로 챔버 내에 보유 지지한 반도체 웨이퍼 상에 소정층 두께로 막 형성을 행하는 성막 장치가 알려져 있다.
이러한 성막 장치에서는, 예를 들어 상압 CVD 장치, 감압 CVD 장치, 준감압 CVD 장치 등으로 본 발명을 적용할 수 있다. 이하, 본 발명에 관한 반도체 제조 장치(10)를 가스 처리 기능으로서 성막 처리 기능을 갖는 CVD 장치(10b)로 구성한 경우를 예로 들어 설명한다.
CVD 장치(10b)는, 도3에 도시한 바와 같이 챔버(11) 내에 웨이퍼 테이블(14)이 설치되어, 웨이퍼 테이블(14)에 반도체 웨이퍼(W)를 보유 지지시킬 수 있도록 되어 있다. 웨이퍼 테이블(14)의 상방에는, 박막 형성용 원료 가스 등의 프로세스 가스를 챔버(11) 밖에 설치한 가스 발생 유닛, 가스 봄베 등의 가스 발생 수단에 접속된 가스 공급 라인(15, 16) 등의 가스 공급 수단으로부터 유도하여, 반도체 웨이퍼(W)면에 샤워 형상으로 내뿜는 샤워 헤드(17)가 설치되어 있다.
가스 공급 라인(15, 16)으로부터의 가스 공급은, 제어 밸브(15a, 16a)에서 압력이나 유량 제어를 행하고 필터(15b, 16b)를 경유하여 샤워 헤드(17)에 공급되도록 되어 있다. 필터(15b, 16b)는 각각 목적으로 하는 기체는 투과시키지만, 기체 중에 존재하는 미량 금속 등의 이물질은 투과시키지 않도록 구성되어 있다. 이러한 분자 투과막으로서는, 예를 들어 상기 제1 실시 형태에서 서술한 바와 같이 시판된 불소 수지로 형성된 비개공 투과막 등을 사용하면 좋다.
또한 챔버(11)는, 도시하지는 않았지만 드라이 펌프 등에 접속된 배기계에 접속되어, 챔버(11) 내에 도입된 프로세스의 배기 혹은 챔버(11) 내의 감압 등을 행할 수 있도록 되어 있다.
이러한 구성의 CVD 장치(10b)를 사용함으로써, MOSIC 등의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, CVD에 의한 성막에 있어서 프로세스 가스 유래의 금속 오염을 억제할 수 있다.
예를 들어, 가스 공급 라인(15)으로부터 산소를, 가스 공급 라인(16)으로부터 질소를 프로세스 가스로서 공급함으로써 게이트 산화막을 형성할 때에, 산소, 질소에 포함되는 미량 금속을 필터(15b, 16b)로 제거하여, 프로세스 가스 중에 포함되는 금속을 기초로 한 반도체 웨이퍼의 성막 처리에 있어서의 금속 오염을 회피할 수 있다.
또한, 가스 공급 라인(15)으로부터 실란 가스를, 가스 공급 라인(16)으로부터 암모니아 가스를 공급하여, 용량 절연막으로서의 질화 실리콘막을 형성할 때에, 필터(15b, 16b)로 실란 가스 및 암모니아 가스에 극미량으로 혼재하는 금속을 제거하여 성막 처리에 있어서의 반도체 웨이퍼의 금속 오염을 효과적으로 방지할 수 있 다.
또는, 가스 공급 라인(15)으로부터 오존을, 가스 공급 라인(16)으로부터 TEOS(tetra ethyl ortho silicate) 가스를 공급하여, 층간 절연막으로서의 실리콘 산화막을 형성할 때에, 오존 및 TEOS 가스에 포함되는 미량 금속을 필터(15b, 16b)로 제거하여, 프로세스 가스 중에 포함되는 금속을 기초로 한 반도체 웨이퍼의 성막 처리에 있어서의 금속 오염을 회피할 수 있다.
오존과 TEOS 가스로 상기 성막을 행하는 경우에는, 무성 방전과는 다른 방법으로 생성된 오존을 지금까지는 사용하고 있었지만, 분자 투과막으로 구성되는 필터(15b)를 이용함으로써 무성 방전에 의해 발생된 전극 유래의 금속을 오존으로부터 효과적으로 제거할 수 있으므로, CVD 성막에 있어서도 무성 방전에 의해 생성된 오존을 충분히 사용할 수 있다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 실시 형태를 기초로 하여 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니며 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능한 것은 물론이다.
예를 들어, 상기 실시 형태에서는 레지스트 제거 장치 및 성막 장치로 구성한 경우를 예로 들어 설명하였지만, 분자 투과막에 의해 공급하는 가스 중의 금속을 제거하는 금속 제거 수단을 포함하는 것이면, 본 발명에 관한 반도체 제조 장치의 범주에 들어가는 것이다.
또한, 레지스트 제거 장치 및 성막 장치의 예시 설명에서는, 레지스트 제거 기능 및 성막 기능에 착안하여 설명을 행하고 있지만, 이러한 레지스트 제거 기능 및 성막 기능 이외의 기능을 동시에 갖는 장치 구성이라도 물론 상관없다.
상기 실시 형태에서는, 반도체 장치의 제조에 적용한 경우를 예로 들어 설명하였지만, 그러나 본 발명은 반도체 장치의 제조 분야에만 적용되는 것은 아니며, 어떠한 분야에서도 기체 중의 금속을 제거할 때에는 분자 투과막을 사용하여 금속을 제거하는 본 발명에 관한 구성은 유효하게 적용할 수 있다.
본 발명은 기체로부터 오염 금속을 제거하는 분야에서, 예를 들어 반도체 장치의 제조 분야에서 사용하는 무성 방전에 의해 생성된 오존에 있어서의 전극 유래의 금속 오염 제거로 유효하게 이용할 수 있다.
본원에 있어서 개시되는 발명 중, 대표적인 것에 의해 얻어지는 효과를 간단히 설명하면 이하와 같다.
분자 투과막을 사용함으로써, 오존 중의 오존 발생 등을 기초로 하는 금속을 제거할 수 있고, 이러한 오존과 수증기를 유스 포인트에서 접촉시켜 레지스트 제거를 행하는 처리시에 고농도 금속 오염의 해소를 도모할 수 있다.
Claims (7)
- 반도체 웨이퍼를 가스로 처리하는 가스 처리 기능을 갖는 반도체 제조 장치이며,상기 가스로 상기 반도체 웨이퍼를 처리하기 전에 상기 가스에 포함되는 금속을, 상기 가스는 투과시키지만 상기 금속은 투과시키지 않는 분자 투과막으로 제거하는 금속 제거 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 처리 기능이라 함은 수증기와 상기 가스로서의 오존으로 상기 반도체 웨이퍼에 설치된 레지스트의 제거를 행하는 레지스트 제거 처리 기능인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가스 처리 기능이라 함은 상기 가스를 원료 가스로서 사용하고, 상기 반도체 웨이퍼 상에 막 형성을 행하는 성막 처리 기능인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 반도체 웨이퍼의 처리에 사용하는 가스를, 상기 가스는 투과시키지만 상기 가스에 포함되는 금속은 투과시키지 않는 분자 투과막을 압력차에 의해 투과시켜 상기 금속을 제거하는 금속 제거 공정과,상기 금속이 제거된 상기 가스를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼를 처리하는 가스 처리 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 가스 처리 공정은 수증기와 상기 가스로서의 오존으로 상기 반도체 웨이퍼에 설치된 레지스트의 제거를 행하는 레지스트 제거 처리 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 가스 처리 공정이라 함은 상기 가스를 원료 가스로서 사용하고, 상기 반도체 웨이퍼 상에 막 형성을 행하는 성막 처리 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 금속에 의해 오염된 가스를, 상기 가스는 투과시키지만 금속은 투과시키지 않는 분자 투과막에 상기 분자 투과막의 가스 유입측과 가스 유출측의 압력차를 바탕으로 투과시킴으로써 상기 금속을 가스 중으로부터 제거하는 것을 특징으로 하는 가스 중 금속의 제거 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004176487A JP2006004968A (ja) | 2004-06-15 | 2004-06-15 | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびガス中金属の除去方法 |
| JPJP-P-2004-00176487 | 2004-06-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060046251A true KR20060046251A (ko) | 2006-05-17 |
Family
ID=35459409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050045343A KR20060046251A (ko) | 2004-06-15 | 2005-05-30 | 반도체 제조 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 가스 중금속의 제거 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050274694A1 (ko) |
| JP (1) | JP2006004968A (ko) |
| KR (1) | KR20060046251A (ko) |
| CN (1) | CN1713355A (ko) |
| TW (1) | TW200605208A (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107359136B (zh) * | 2017-08-09 | 2018-10-02 | 睿力集成电路有限公司 | 隔离沟槽的填充方法、设备及隔离沟槽的填充结构 |
| JP7353314B2 (ja) * | 2021-02-15 | 2023-09-29 | 株式会社島津製作所 | 化学発光式ＮＯｘ濃度測定装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5645727A (en) * | 1994-05-06 | 1997-07-08 | Illinois Water Treatment, Inc. | On-line ozonation in ultra pure water membrane filtration |
| US5807785A (en) * | 1996-08-02 | 1998-09-15 | Applied Materials, Inc. | Low dielectric constant silicon dioxide sandwich layer |
| US6080531A (en) * | 1998-03-30 | 2000-06-27 | Fsi International, Inc. | Organic removal process |
| JP2001176833A (ja) * | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
| US20040154641A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-08-12 | P.C.T. Systems, Inc. | Substrate processing apparatus and method |
-
2004
- 2004-06-15 JP JP2004176487A patent/JP2006004968A/ja active Pending
-
2005
- 2005-04-19 TW TW094112460A patent/TW200605208A/zh unknown
- 2005-05-30 KR KR1020050045343A patent/KR20060046251A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-06-09 US US11/148,403 patent/US20050274694A1/en not_active Abandoned
- 2005-06-14 CN CNA2005100771170A patent/CN1713355A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2006004968A (ja) | 2006-01-05 |
| US20050274694A1 (en) | 2005-12-15 |
| CN1713355A (zh) | 2005-12-28 |
| TW200605208A (en) | 2006-02-01 |
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