CN1713355A - 半导体器件的制造方法 - Google Patents

半导体器件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1713355A
CN1713355A CNA2005100771170A CN200510077117A CN1713355A CN 1713355 A CN1713355 A CN 1713355A CN A2005100771170 A CNA2005100771170 A CN A2005100771170A CN 200510077117 A CN200510077117 A CN 200510077117A CN 1713355 A CN1713355 A CN 1713355A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ozone
gas
resist
metal
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005100771170A
Other languages
English (en)
Inventor
舟桥伦正
小俣茂
当麻信明
福岛政俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp filed Critical Renesas Technology Corp
Publication of CN1713355A publication Critical patent/CN1713355A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4402—Reduction of impurities in the source gas
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3342—Resist stripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

本发明提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的半导体制造装置能从由无声放电产生的臭氧中去除源自电极的金属。在臭氧产生单元中由电极之间的无声放电所产生的臭氧，基于构成过滤器的分子渗透膜前后之间的压力差，透过分子渗透膜。透过的臭氧与分开产生的水蒸气一起被提供到半导体晶片上的抗蚀剂表面来去除抗蚀剂。在上述的抗蚀剂去除中，能防止由源自电极的金属所造成的高浓度金属污染。

Description

半导体器件的制造方法
技术领域
本发明涉及去除包含在气体中的微量金属的技术。特别涉及对去除包含在用于半导体制造领域的例如臭氧等气体中的金属以及包含在气体中的造成半导体晶片污染的微量金属用之有效的技术。
背景技术
在本发明的开发过程中，本发明人考察了以下技术，下面进行简要说明。
在半导体器件的制造中，臭氧(O3)因其高的氧化能力而被采用。臭氧有时以气态使用，有时以臭氧水的形式使用，该臭氧水是通过将臭氧溶解于水而得到的。
在臭氧以气态使用的情况下，例如，在一系列光刻工序中的刻蚀处理之后，用臭氧来去除抗蚀剂。在该抗蚀剂的去除中，迄今为止使用了采用氧等离子体的处理。但氧等离子体的使用造成了各种问题，例如，半导体晶片栅氧化膜的耐性降低。
在这种情况下，作为不引起任何损伤的去除方法，提出了将臭氧喷射到抗蚀剂表面来氧化和分解抗蚀剂的方法。而且，还提出了在存在水分的情况下喷射臭氧，改善分解效率的方法。
例如，日本专利申请公开No.2001-176833提出了以下技术。即，当在单个装置中进行从抗蚀剂去除处理到清洗和烘干处理的光刻工序中的一系列处理时，利用来自水蒸气供给装置的水蒸气，在抗蚀剂表面形成薄的纯水液体膜，然后，将来自臭氧供给装置的臭氧溶解到液体膜中。由此，抗蚀剂被分解成羧酸、二氧化碳、水等。
日本专利申请公开No.2002-57136还公开了用臭氧水来清洗衬底的结构，在该结构中，从臭氧产生器产生的臭氧和溶解臭氧的水，用无孔的臭氧气体渗透高分子膜彼此隔离，该膜仅允许气体透过而阻止液体透过。因此，不同于使臭氧与水直接接触的情况，臭氧在加压状态下透过无孔的臭氧气体渗透高分子膜，结果，能够产生清洁且高浓度的臭氧水，在该臭氧水中，由臭氧产生器所产生的金属颗粒等不溶解。
发明内容
本发明的发明人发现，在半导体器件制造的光刻工序中，在半导体晶片上形成的抗蚀剂的去除处理中，当通过将气态臭氧与水蒸气一起提供给抗蚀剂表面来去除抗蚀剂时，在半导体晶片上会出现高浓度金属污染。导致上述产品失效的严重的金属污染是由源自电极的金属所引起的，这已经清楚了。在利用电极之间的无声放电产生臭氧时，源自电极的金属就引起上述金属污染。
但是，即使是在使用由无声放电产生的同样的臭氧的情况下，在仅仅喷射气态臭氧的抗蚀剂去除方法中，也不会出现高浓度金属污染的问题。而且，在通过将已经产生的臭氧水提供给抗蚀剂表面来去除抗蚀剂的情况下，也不会出现高浓度金属污染的问题。
因此，本发明人认为，当使源自电极的金属所污染的臭氧与同臭氧一起提供给抗蚀剂表面的水蒸气接触，且包含在臭氧中的金属溶解于水蒸气中时，引起了高浓度金属污染。由于水蒸气的量少，故金属在水蒸气中的溶解导致非常高的金属浓度。当使用气态臭氧时，臭氧中的金属浓度由于被大量的气体稀释而很低。在使用将臭氧溶解于水而产生的臭氧水的情况下，由于臭氧水是通过将臭氧溶解于大量的水中而产生的，故臭氧中的金属浓度低。
但是，如上上述，在将水蒸气与臭氧一起提供给抗蚀剂表面的情况下，不同于使用臭氧水等的情况，溶解金属的水蒸气的量相当少，因此，金属的浓度变得极高。
因此，在将水蒸气与臭氧一起提供给抗蚀剂表面的处理中，采用使用电解水的臭氧产生装置的方法，可以作为防止上述高浓度金属污染的一种方法。但是，由于在这种方法中难以获得足够的臭氧浓度，且其成本比使用电极间无声放电的臭氧产生方法高，故难以实际使用该方法。
因此，希望使用无声放电的臭氧产生方法。本发明人认为，当在将水蒸气与臭氧一起提供到抗蚀剂表面的上述结构中使用由无声放电产生的臭氧时，需要解决金属污染的问题。由于该结构不同于将臭氧溶解于大量的水而产生臭氧水的方法，故无法使用像日本专利申请公开No.2002-57136那样的用无孔的臭氧气体渗透高分子膜隔离臭氧与水的溶解模块的结构。
本发明人认为，在通过使水蒸气与臭氧在抗蚀剂表面上接触而去除抗蚀剂的处理中，需要开发这样的过滤技术：在使臭氧与水蒸气接触之前，从所提供的臭氧中去除污染金属。
本发明的目的是从由无声放电产生的臭氧中去除源自电极的金属污染。
本发明的另一目的是去除例如处理气体等气体中的金属污染。
根据本说明书的说明和附图将会明白本发明的上述和其它的目的以及新的特征。
以下，简要地说明本申请中有代表性的发明。
更具体地说，通过使臭氧根据压力差透过分子渗透膜来去除臭氧中源自电极的金属。
1.本发明的半导体制造装置，具有用气体来处理半导体晶片的气体处理功能，包括金属去除装置，在用气体处理半导体晶片之前，用允许气体透过而不允许金属透过的分子渗透膜去除包含在气体中的金属。
2.在1所述的半导体制造装置中，气体处理功能是抗蚀剂去除处理功能，利用水蒸气和作为上述气体的臭氧来去除在半导体晶片上形成的抗蚀剂。
3.在1所述的半导体制造装置中，气体处理功能是成膜处理功能，使用上述气体作为原料气体，在半导体晶片上成膜。
4.一种气体中金属的去除方法，利用分子渗透膜的气体流入侧与气体流出侧之间的压力差，使被金属污染了的气体透过允许气体透过而不允许金属透过的上述分子渗透膜，由此从气体中去除金属。
以下，简要地说明本申请所公开的发明中有代表性的发明所得到的效果。
利用分子渗透膜，能够去除臭氧产生所造成的臭氧中的金属，并能够在通过使臭氧与水蒸汽在使用处相接触来去除抗蚀剂的处理中解决高浓度金属污染的问题。
附图说明
图1是一说明图，示意地示出了本发明一个实施方式的半导体制造装置的结构的例子。
图2是一流程图，示出了本发明一个实施方式的半导体器件制造方法的工艺流程。
图3是一流程图，示意地示出了本发明的半导体制造装置被用作CVD装置的情况的例子。
具体实施方式
以下参照附图来详细说明本发明的实施方式。在用来说明实施方式的所有附图中，用相同的参考符号来表示功能相同的组成部分，且其重复的说明从略。
本发明涉及用来去除包含在例如臭氧等气体(以下可以称为气体)中的金属的技术。例如，本发明可以被有效地用于从臭氧中去除源自电极的金属，该金属不可避免地包含在利用无声放电而产生的臭氧中，从而引起污染。
因此，在使用由无声放电产生的臭氧的处理中，例如在将臭氧与水蒸气一起提供到抗蚀剂表面来去除抗蚀剂的处理中，在抗蚀剂去除处理之后，不会出现源自电极的高浓度金属污染。
此外，该臭氧中的金属的去除，也能够应用于臭氧之外的其它气体。例如，可以被有效地用于提供给CVD(化学气相淀积)装置等的原料气体中的污染金属的去除。还可以被有效地应用于由无声放电产生的臭氧在气态下发生反应而不与水蒸气一起使用的抗蚀剂去除处理的方法，虽然其中金属污染的问题目前还不明显。
(第一实施方式)
在本实施方式中以抗蚀剂去除作为例子，说明从由无声放电产生的臭氧中去除源自电极的金属的本发明的结构。
图1是整个结构的说明图，示意地示出了将本发明的半导体制造装置用作抗蚀剂去除装置的情况。图2是流程图，示出了本发明一个实施方式的半导体器件制造方法的工艺流程。
本实施方式的半导体制造装置10构成为抗蚀剂去除装置10a，具有图1所示的用臭氧来去除抗蚀剂的气体处理功能。抗蚀剂去除装置10a包括处理室11，半导体晶片W保持在晶片保持部上。
多个喷嘴12和13设置在处理室11的开口的上侧。喷嘴12通过管道21连接在水蒸气产生单元20上，将水蒸气提供给保持在处理室11中的半导体晶片W。
同时，喷嘴13通过管道31连接在臭氧产生单元30上，将臭氧与水蒸气一起提供给保持在处理室11中的半导体晶片W。在该臭氧产生单元30中，利用电极之间的无声放电来产生臭氧。
如图1所示，在连接臭氧产生单元30和喷嘴13的管道31上设置有控制阀门32和过滤器33。过滤器33由允许臭氧透过而不允许臭氧中包含的金属透过的分子渗透膜33a构成。
分子渗透膜33a是由例如碳氟树脂等树脂构成的渗透膜，允许例如臭氧等气体透过而不允许包含在臭氧中的少量的金属透过。通常，在用来去除气体中例如浮尘等外来物质的过滤器中，在树脂膜等上人为地形成有不允许外来物质透过而允许气体透过的大约0.1微米的孔。但是，本发明所用的分子渗透膜不设置这样的人造孔。分子渗透膜可以在市场上购得，有时被称为无孔分子渗透膜等。
将由这种分子渗透膜33a构成的过滤器33用作金属去除装置，去除例如臭氧等气体中的金属。
使用具有上述分子渗透膜的作为金属去除装置的抗蚀剂去除装置10a，说明半导体器件的制造方法，该方法包括利用由电极之间无声放电产生的臭氧进行处理的气体处理步骤。
在下面的说明中，以利用作为具有上述结构的抗蚀剂去除装置10a的半导体制造装置10来去除离子注入工序中所用的抗蚀剂的情况为例。
在前面的工序中，在半导体晶片上淀积了预先形成的厚度能埋入用于器件隔离的浅沟槽的氧化硅膜，然后，用化学机械研磨法平整氧化硅膜的表面。在该状态下，如图2所示，在步骤S100中，在氧化硅膜上形成抗蚀剂膜(光致抗蚀剂膜)。然后，在步骤S200中，利用具有离子注入图形的掩模对抗蚀剂膜进行曝光，并进行显影，形成用于离子注入的抗蚀剂图形。
在步骤S300中，以上述抗蚀剂图形为掩膜，从离子注入装置注入磷(P)离子，形成N阱。然后，在步骤S400中，去除用作掩膜的抗蚀剂膜。本发明的上述抗蚀剂去除装置10a被应用于抗蚀剂膜的去除。
更具体地说，如图1所示，在离子注入之后，其上留有不需要的抗蚀剂膜的半导体晶片W被保持在抗蚀剂去除装置10a的处理室11中。在该状态下，水蒸气通过管道21从水蒸气发生单元20被提供到半导体晶片W上的抗蚀剂膜的表面上。在臭氧产生单元30中由无声放电产生的臭氧，与水蒸气一起被提供到抗蚀剂膜的表面上。
如图1所示，在提供臭氧时，用控制阀门32控制所提供的臭氧的压力和流速等，使得在构成过滤器33的分子渗透膜33a的前后之间产生压力差，即，使臭氧流入侧的压力P0高于臭氧流出侧的压力P1，从而使臭氧透过分子渗透膜33a。
在臭氧产生单元30中产生的臭氧包含微量的源自电极的金属，该金属是在无声放电时从电极表面剥落的，即，臭氧被金属污染了。例如，该金属包括来自A1电极的A1和为了改善放电效率而涂敷在电极表面上的Cr。利用上述结构的本发明的抗蚀剂去除装置10a，金属污染被构成过滤器33的分子渗透膜33a去除。
当以上述方式充分抑制了金属污染的臭氧与水蒸气一起提供到抗蚀剂表面时，臭氧因水蒸气的存在而充分地粘附到抗蚀剂膜表面，抗蚀剂被臭氧有效地分解。由于在基于上述臭氧分解的抗蚀剂去除处理中臭氧中的微量金属已被去除了，故能防止由臭氧中的金属造成的高浓度金属污染的出现。
与图1所示的抗蚀剂去除装置10a不同，在现有的抗蚀剂去除装置中未设置例如由分子渗透膜33a构成的过滤器33等用来去除金属的装置。因此，臭氧产生单元中产生的臭氧未去除其中的金属就被提供到抗蚀剂表面，当抗蚀剂被与水蒸气一起提供的臭氧分解并去除时，臭氧中的金属溶解于水蒸气中，结果，在抗蚀剂处理之后，在半导体晶片上产生高浓度金属污染。但是，由于在本发明中提供了金属去除装置，故在去除抗蚀剂之后，不会产生高浓度金属污染。
在上面的说明中，以离子注入工序中的抗蚀剂处理为例进行了说明。但本发明并不限于此，也能够被应用于例如MOSIC(金属氧化物半导体集成电路)等半导体器件制造工艺中所用的光刻工序的抗蚀剂处理。
(第二实施方式)
在第二实施方式中，说明将本发明的结构应用于成膜处理的情况。在该成膜处理中例如氧等处理气体中的金属已被去除，从而使用没有金属污染的处理气体，即，无金属的处理气体。
如第一实施方式所述，已证实了利用作为过滤器的允许气体透过而不允许例如包含在气体中的金属等外来物质透过的分子渗透膜，能够充分去除被源自电极的金属污染了的臭氧中的金属。在第二实施方式中，将说明该结构被应用于臭氧之外的其它气体的情况。
作为将气体导入到处理室中并用导入的气体对半导体晶片进行气体处理的装置，除了第一实施方式所述的抗蚀剂去除装置之外，还知道利用导入的处理气体在保持在处理室中的半导体晶片上形成预定厚度的膜的成膜装置。
在该成膜装置中，本发明能被应用于例如常压CVD装置、低压CVD装置、以及半低压CVD装置。以下，说明本发明的半导体制造装置10被用作具有作为气体处理功能的成膜功能的CVD装置10b的情况。
如图3所示，在CVD装置10b中，晶片台14被置于处理室11中，半导体晶片W可以保持在晶片台14上。并且，喷头17设置在晶片台14的上方。喷头17从例如供应管道15和16等气体供应装置导入用于形成薄膜的例如原料气体等处理气体，并将气体像阵雨似地喷射到半导体晶片W的表面。该气体供应装置连接到设置在处理室11外面的例如气体产生单元或气罐等气体产生装置。
通过气体供应管道15和16提供的气体的压力和流速，由控制阀门15a和16a控制，气体通过过滤器15b和16b提供给喷头17。各个过滤器15b和16b允许目标气体透过，但不允许例如气体中的微量金属等外来物质透过。如第一实施方式所述，由碳氟树脂构成的市售无孔分子渗透膜可以用作此分子渗透膜。
虽然在图3中未示出，但是，处理室11连接到连接在干泵等上的排气系统，导入到处理室11的处理气体通过干泵被排出，从而处理室11等中的压力降低。
利用具有上述结构的CVD装置10b，在例如MOSIC等半导体器件的制造方法中，能够防止用CVD成膜时源自处理气体的金属污染。
例如，当通过气体供应管道15提供氧气、通过气体供应管道16提供氮气作为处理气体来形成栅氧化膜时，包含在氧气和氮气中的微量金属被过滤器15b和16b去除。这样，能在半导体晶片上成膜的处理中防止由包含在处理气体中的金属造成的金属污染。
另外，当通过气体供应管道15提供硅烷气体、通过气体供应管道16提供氨气来形成氮化硅膜作为电容器绝缘膜时，包含在硅烷气体和氨气中的非常少量的金属被过滤器15b和16b去除。这样，能在成膜处理中有效地防止半导体晶片的金属污染。
另外，当通过气体供应管道15提供臭氧、通过气体供应管道16提供TEOS(原硅酸四乙酯)气体来形成氧化硅膜作为层间绝缘膜时，包含在臭氧和TEOS气体中的微量金属被过滤器15b和16b去除。这样，能在半导体晶片上的成膜处理中防止由包含在处理气体中的金属造成的金属污染。
当用臭氧和TEOS气体成膜时，目前使用利用无声放电之外的方法产生的臭氧。但是，由于由无声放电产生的源自电极的金属能够用由分子渗透膜构成的过滤器15b从臭氧中有效地去除，故由无声放电所产生的臭氧能够被充分地用于CVD的成膜处理。
前面根据实施方式具体地说明了本发明人提出的本发明。但是，不言而喻，本发明并不限于上述各实施方式，在本发明的范围内可以进行各种修改和变更。
例如，在对实施方式的上述说明中，以抗蚀剂去除装置和成膜装置作为例子进行了说明。但是，只要是半导体制造装置配置有用分子渗透膜来去除所提供的气体中的金属的金属去除装置，就落入本发明的半导体制造装置的范畴内。
而且，在抗蚀剂去除装置和成膜装置的上述举例说明中，着眼于抗蚀剂去除功能和成膜功能进行了说明。但是，配置有抗蚀剂去除功能和成膜功能之外的其它功能的装置结构当然也是可以使用的。
在上述各个实施方式中，以将本发明应用于半导体器件制造的情况为例进行了说明。但是，本发明不仅能够应用于半导体器件的制造领域，而且能够应用于其它领域，只要是涉及到利用分子渗透膜来去除包含在气体中的金属的结构即可。
本发明能有效地用于从气体中去除污染金属的领域，例如，用于半导体器件制造领域中的在由无声放电产生的臭氧中去除源自电极的金属污染。

Claims (3)

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
用来去除金属的金属去除步骤，利用压力差使处理半导体晶片的气体透过允许上述气体透过而不允许包含在上述气体中的金属透过的分子渗透膜；以及
气体处理步骤，使用去除了上述金属的上述气体来处理上述半导体晶片。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述气体处理步骤是抗蚀剂去除处理步骤，利用水蒸气和作为上述气体的臭氧来去除在上述半导体晶片上形成的抗蚀剂。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：
上述气体处理步骤是成膜处理步骤，使用上述气体作为原料气体，在上述半导体晶片上成膜。
CNA2005100771170A 2004-06-15 2005-06-14 半导体器件的制造方法 Pending CN1713355A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP176487/2004 2004-06-15
JP2004176487A JP2006004968A (ja) 2004-06-15 2004-06-15 半導体製造装置、半導体装置の製造方法およびガス中金属の除去方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1713355A true CN1713355A (zh) 2005-12-28

Family

ID=35459409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005100771170A Pending CN1713355A (zh) 2004-06-15 2005-06-14 半导体器件的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20050274694A1 (zh)
JP (1) JP2006004968A (zh)
KR (1) KR20060046251A (zh)
CN (1) CN1713355A (zh)
TW (1) TW200605208A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108831856A (zh) * 2017-08-09 2018-11-16 长鑫存储技术有限公司 隔离沟槽的填充设备以及填充方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7353314B2 (ja) * 2021-02-15 2023-09-29 株式会社島津製作所 化学発光式ＮＯｘ濃度測定装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5645727A (en) * 1994-05-06 1997-07-08 Illinois Water Treatment, Inc. On-line ozonation in ultra pure water membrane filtration
US5807785A (en) * 1996-08-02 1998-09-15 Applied Materials, Inc. Low dielectric constant silicon dioxide sandwich layer
US6080531A (en) * 1998-03-30 2000-06-27 Fsi International, Inc. Organic removal process
JP2001176833A (ja) * 1999-12-14 2001-06-29 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
US20040154641A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-12 P.C.T. Systems, Inc. Substrate processing apparatus and method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108831856A (zh) * 2017-08-09 2018-11-16 长鑫存储技术有限公司 隔离沟槽的填充设备以及填充方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006004968A (ja) 2006-01-05
US20050274694A1 (en) 2005-12-15
TW200605208A (en) 2006-02-01
KR20060046251A (ko) 2006-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101147944B1 (ko) 근접 헤드부를 이용한 웨이퍼 건조시 주위 분위기의 제어
CN1135604C (zh) 半导体器件清洗装置和清洗半导体器件的方法
CN1976003B (zh) 半导体装置的制造方法及基板处理系统
CN1770404A (zh) 清洗溶液和使用该溶液清洗半导体器件的方法
US20020102852A1 (en) Cleaning method and solution for cleaning a wafer in a single wafer process
KR101376897B1 (ko) 액체 메니스커스를 이용한 포스트 에칭 웨이퍼 표면 세정
CN1825538A (zh) 用于制造独立式纳米结构的方法和系统
EP2224470B1 (en) Method for cleaning silicon wafer
CN1738021A (zh) 半导体装置的制造方法
US9263249B2 (en) Method and apparatus for manufacturing semiconductor device
CN1711628A (zh) 清洗微结构的方法
CN100345259C (zh) 用于蚀刻通孔的改进方法
CN1713355A (zh) 半导体器件的制造方法
CN2663439Y (zh) 改善薄氧化层均一性的炉管装置
TWI259524B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP3037915B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN1713359A (zh) 蚀刻系统及其蚀刻液处理方法
US20010056052A1 (en) Cleaning liquid
KR19990023759A (ko) 반도체 기판상의 포토레지스트 제거를 위한 방법 및 장치
KR20060133606A (ko) 콘택홀 세정방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR20190143624A (ko) 웨이퍼 세정용 멀티 노즐
JP6020626B2 (ja) デバイス用Ｇｅ基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置
CN102122640B (zh) 形成快闪存储器的方法
CN118016498A (zh) 反应腔室的清洁方法
JP2004134627A (ja) 有機物層の除去方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication