KR20060042252A - 층상 연마 패드의 제조방법 - Google Patents

층상 연마 패드의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060042252A
KR20060042252A KR1020050015905A KR20050015905A KR20060042252A KR 20060042252 A KR20060042252 A KR 20060042252A KR 1020050015905 A KR1020050015905 A KR 1020050015905A KR 20050015905 A KR20050015905 A KR 20050015905A KR 20060042252 A KR20060042252 A KR 20060042252A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
subpad
adhesive layer
polishing pad
double
forming
Prior art date
Application number
KR1020050015905A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101107654B1 (ko
Inventor
마크 제이 볼디자
로버트 티 갬블
빈센트 매튜 헤드릭
제이슨 엠 로혼
알랜 에이치 사이킨
캐서린 엘 톰
Original Assignee
롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 filed Critical 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드
Publication of KR20060042252A publication Critical patent/KR20060042252A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101107654B1 publication Critical patent/KR101107654B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/10Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/205Lapping pads for working plane surfaces provided with a window for inspecting the surface of the work being lapped
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/0012Mechanical treatment, e.g. roughening, deforming, stretching
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/04Punching, slitting or perforating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/18Handling of layers or the laminate
    • B32B38/1825Handling of layers or the laminate characterised by the control or constructional features of devices for tensioning, stretching or registration
    • B32B38/1833Positioning, e.g. registration or centering
    • B32B38/1841Positioning, e.g. registration or centering during laying up
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/1056Perforating lamina
    • Y10T156/1057Subsequent to assembly of laminae
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y10T156/1084Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing of continuous or running length bonded web

Abstract

본 발명은 층상 연마 패드에 관한 것이다. 당해 방법은 각각의 접착층을 서브패드의 양면에 이중으로 적층시키고, 연마 패드 상부 층을 상부 접착층을 매개로 서브패드에 결합시킴을 포함한다. 당해 연마 패드는 임의로 창을 포함한다. 서브패드가 이중으로 적층되기 때문에, 구멍(opening)은 상부 및 하부 접착층 둘 다 뿐만 아니라 서브패드를 통과해 형성될 수 있다. 따라서, 창을 갖는 상부 연마 패드 층에 결합시키는 경우, 접착층을 포함하지 않는 관통한 광학 통로를 갖는 층상 연마 패드를 수득한다.
층상 연마 패드, 광학 통로, 접착층

Description

층상 연마 패드의 제조방법{Method of forming a layered polishing pad}
도 1은 상부 및 하부 양쪽 표면을 갖는 서브패드의 측면도이다.
도 2는 도 1의 서브패드 및 서브패드의 하부 표면에 형성된 제1 접착층을 추가하여 나타낸 측면도이다.
도 3는 도 2와 유사한 서브패드 및 서브패드의 상부 표면에 형성된 제2 접착층을 추가하여 나타낸 측면도이다.
도 4는 도 3에 나타낸 바와 같이, 서브패드 표면에 제1 접착층 및 제2 접착층을 형성하기 위한 실시 양태에서 사용되는 적층 장치의 구조도이다.
도 5는 이중으로 적층된 서브패드가 시이트로부터 절단되는 방법 및 창이 있는 층상 연마 패드 양태에서 광학 구멍(opening) 및 정렬 마크를 나타내는, 도 4의 적층 장치를 사용하여 형성된 이중으로 적층된 시이트의 하향식 단면도이다.
도 6은 이중으로 적층된 서브패드를 통과하는 광학 구멍을 나타내고, 구멍과 함께 정렬된 창 및 서브패드와 경계한 연마 패드를 나타내는, 도 5의 라인 6-6을 절단한 이중으로 적층된 서브패드의 단면도이다.
도 7은 접착층을 포함하지 않는 창 및 광학 통로를 포함하는 양태의 예를 나타내는, 본 발명의 방법으로 형성된 최종 층상 연마 패드 구조물의 단면도이다.
본 발명은 화학적 기계적 연마(CMP)용 연마 패드, 특히 창을 포함하는 패드와 같은 층상 연마 패드의 제조방법에 관한 것이다.
이로부터 제조된 집적 회로를 갖는 반도체 웨이퍼는 연마되어, 몇몇의 경우, 마이크로 분율 정도로 미세하게 주어진 평면으로부터 변형되는 매우 평탄하고 편평한 웨이퍼 표면을 제공하여야 한다. 이러한 연마는 보통 연마 패드에 의해 웨이퍼 표면에 대항하여 완충된 화학적 활성 슬러리를 사용하는 화학적-기계적 연마(CMP) 작동으로 수행된다.
CMP 작동과 관련된 하나의 문제점은 패드 성능이다. 특정한 연마 패드는 물질의 층으로 이루어진다. 시간이 지남에 따라, 연마 공정의 마모 및 인열로 인해, 상이한 물질 층 간의 결합은 약해질 수 있다. 이는 층상 패드의 층간분리를 야기할 수 있다.
CMP 작동과 관련된 또다른 문제는 웨이퍼 연마 공정이 정지되어야 하는 시점을 결정하는 것이다. 연마 종말점을 결정하기 위한 통상적인 방법은 연마 작동을 정지시키고 당해 웨이퍼를 연마 장치로부터 제거하여 치수 특성이 결정될 수 있도록 하는 것이 필요하다. 그러나, 당해 CMP 작동의 정지는 웨이퍼 생산성을 감소시킨다. 또한, 중요한 웨이퍼 치수가 규정된 최소치 미만인 경우, 당해 웨이퍼는 비 정상적이고, 이에 따라 높은 스크랩(scrap) 속도 및 생산 비용을 야기할 수 있다.
또한, 공정에서 연마 종말점을 결정하기 위한 방법이 발달되어 왔다. 예를 들면, 미국 특허 제5,413,941호에는 웨이퍼 치수를 측정하기 위한 레이저 간섭측정법을 사용하는 광학 검사 방법이 기재되어 있다.
창을 포함하는 연마 패드는 광학 검사 방법을 CMP 동안 수행하기 위해 발달되어 왔다. 예를 들면, 미국 특허 제5,605,760호에는 투명한 창을 포함하는 연마 패드가 기재되어 있다. 당해 창은 투명한 중합체 물질로 된 막대 또는 마개이다. 당해 막대 또는 마개는 연마 패드 내에 사출성형하거나, 성형 작동 후 연마 패드에서 컷아웃(cutout)으로 설치된다.
선행 기술에서의 창을 포함하는 연마 패드는 다수의 단점을 갖는다. 예를 들면, 창 부분을 패드의 구멍 또는 패드가 제조되는 성형 공동 속에 설치하기 위해 수많은 제조 단계를 요구한다. 몇몇의 경우, 창 단편을 수용하는 홀(hole)은 패드내로 절단되어야 한다. 또한, 패드와 창 사이의 슬러리 누수는 종종 문제가 된다.
미국 특허 제6,524,164호('164 특허)에는 누수를 완화시키기 위해 고안된 투명한 창을 갖는 연마 패드가 기재되어 있다. 연마 패드는 연마 패드와 서브패드 사이에 불침투성 투명 시이트(sheet)를 포함하여 슬러리 누수를 방지한다. 당해 패드를 제조하기 위해, 투명한 시이트는 각 면 위에 접착층을 가져야 하고, 당해 시이트는 연마 패드의 하부 표면에 적층되어야 한다. 이는 패드 창의 하부 면 위에 양면 접착층을 잔류시킨다.
당해 '164 특허의 패드가 초기에 잘 작동되는 반면, 창 위의 접착층의 투명 성은 시간이 지남에 따라 열화된다. 이는 광학 검사 공정의 효과를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 제1 양태는 제1 양면 접착층을 서브패드의 하부 표면에 형성시키고; 제2 양면 접착층을 서브패드의 상부 표면에 형성시키고; 하부 표면을 갖는 연마 패드 층을 제공하고; 연마 패드 층 하부 표면을 제2 접착층에 대해 압축하여 연마 패드 층을 서브패드에 접착시킴을 포함하는, 층상 연마 패드의 제조방법이다.
본 발명의 제2 양태는 제1 양면 접착층을 서브패드의 하부 표면에 적층시키고; 제2 양면 접착층을 서브패드의 상부 표면에 적층시키고; 제1 접착층, 서브패드 및 제2 접착층을 통과하는 구멍을 형성시키고; 창이 형성된 연마 패드를 제2 접착층을 갖는 서브패드에 고정시켜 창을 구멍에 정렬시킴을 포함하는, 층상 연마 패드의 제조방법이다.
본 발명은 층상 연마 패드의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 접착성이 없는 창을 포함하는 층상 연마 패드의 제조방법을 포함한다.
본 발명의 방법은 최종 층상 연마 패드를 제조하는 방법에 따라 형성된 다양한 구조물을 나타내는 하기한 도 1 내지 6과 연관지어 기술된다. 본 발명에 따라 형성된 층상 연마 패드 구조물은 도 7에 나타낸다. 도 7에 나타낸 연마 패드 구조 물은 창을 포함한다. 그러나, 본 발명의 층상 연마 패드는 창을 포함할 필요가 없다.
도 1을 참조하여, 하부 표면(12) 및 상부 표면(14)을 갖는 연마 패드 서브패드(10)("서브패드")를 제공함을 포함한다. 서브패드(10)는 SUBA IV 다공성 폴리우레탄[제조원: Rohm and Haas Electronic Materials Technologies, 미국 델라웨어 주 뉴아크]과 같은 공지된 서브패드 물질이다. 실시 양태에서, 서브패드(10)는 하기 보다 상세하게 기술된 "권취 용이한" 형태, 즉 상응 물질의 롤로 제공된다.
도 2를 참조하여, 또한, 당해 방법은 제1 접착층(20)을 서브 패드(10)의 하부 표면(12)에 형성함을 포함한다. 실시 양태에서, 접착층(20)은 양면 감압성 접착물(PSA)을 사용하여 형성된다. 실시 양태에서, 접착층(20)의 형성은 접착성 물질을 권취 용이한 형태로 제공하고, 당해 물질을 역시 귄취 용이한 형태로 제공되는 서브패드(10)에 적층시켜 성취한다. 실시 양태에서, 서브패드(10)와 접착층(20)을 결합하여 되감기 드럼(rewind drum) 위에서 수집하고, 하기 보다 상세하게 기술된 바와 같이 권취 용이한 형태로 저장한다.
실시 양태에서, 접착층(20)은 패드와 함께 판매되는 PSAII 또는 PSAIV 고무계 접착물(5 내지 9mil 또는 0.13 내지 0.23nm)[제조원: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies]이다. 접착층(20)은 최종 연마 패드를 CMP 장치 압반(나타내지 않음)에 접착시키기 위한 것이고, 바람직하게는 해재될 수 있는(즉, 비영구적) 결합을 제공할 수 있다. 접착층(20)은 나중에 벗겨내어 접착물을 노출시키는 얇은 박리제거 가능한 덮개 또는 필름(나타내지 않음), 예를 들 면, 종이 또는 MYLAR[제조원: Dupont Corporation]을 포함한다.
도 3을 참조하여, 또한 당해 방법은 제2 접착층(30)을 서브패드(10)의 상부 표면(14) 위에 형성함을 포함한다. 실시 양태에서, 제2 접착층(30)은 권취 용이한 형태로 제공된 양면 PSA이다. 또한, 실시 양태에서, 본 발명의 방법은 상기한 바와 같이 권취 용이한 형태로 형성된 접착층(20)을 포함한 서브패드 물질을 제공하고, 접착층(30)을 서브패드의 상부 표면(14)에 적층시킴을 포함한다.
실시 양태에서, 접착층(30)은 각각 두께가 4 내지 9mil(0.1 내지 0.2mm)인 적재된 패드 형태로 시판되는 PSAV(아크릴계 접착물) 또는 PSA8(고무계 접착물)[제조원: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies]이다. 하기한 바와 같이, 접착층(30)은 서브패드를 상부 연마 패드 층에 접착하기 위한 것이고, 바람직하게는 이로 인해 영구적인 결합을 제공할 수 있다. 접착층(20)과 유사하게, 접착층(30)은 또한 나중에 벗겨내어 접착물을 노출시키는 얇은 박리제거 가능한 덮개 필릿(fillet)(나타내지 않음)을 포함한다.
서브패드(10)를 접착층(20) 및 접착층(30)으로 이중 적층시키는 것은 단순히 서브패드의 한면을 적층시키는 공정보다 어려운 공정이다. 서브패드 위에 있는 접착층의 존재는 서브패드 물질에 장력을 도입할 뿐만 아니라, 접착층과 서브패드 사이의 계면에 상이한 응력을 도입시킨다. 또한, 접착층의 부적합한 적층은 응력을 발생시켜 서브패드의 컬링(curling) 및 접착층 하나 또는 둘 다의 주름생성(wrinkling)을 야기한다. 또한, 층(30)을 형성하기 위해 사용되는 특정 접착층 위의 박리제거 가능한 덮개는, 임의의 경우, 바람직하게는 비탄성(또는 실질적으로 비탄성)이여서 이중으로 적층된 서브패드에 대한 응력을 감소시킨다. 따라서, 본 발명의 이중 적층 공정의 실시 양태는 하기에 보다 상세하게 설명된다.
도 4는 서브패드(10)의 양면 (12) 및 (14) 위에 접착층(20) 및 접착층(30)을 적층하기 위한 예시적인 배열을 나타내는 적층 장치(50)의 측면 구조도이다. 장치(50)는 권취 용이한 형태의 물질(56)을 유지시키는 물질 풀기 스풀(unwind spool)(54)을 포함한다. 물질(56)의 공급 각(α)(축 A1에 대해 측정됨)은 조절가능하고, 조절가능한 공급 롤러(58A) 및 (58B)를 통해 설정되고 유지된다. 물질(56)은 서브패드(10)용 물질일 수 있고, 서브패드(10) 및 접착층(20)의 단일 적층된 조합물일 수 있다. 또한, 장치(50)는 적층하기 전에 물질(56)의 상부 표면(56a)을 세척하기 위한 웹 클리너(web cleaner)(59), 예를 들면, 진공 청소기를 포함한다.
장치(50)는 공급 롤러(58B)의 다운스트림, 축 A1의 양면에 서로 인접하여 배열되고 "닙 갭(nip gap)"으로 언급되는 작은 갭(G)으로 분리된 두개의 닙 롤러(nip roller)(60) 및 (62)를 포함한다. 닙 롤러(60)는 접착성 풀기 스풀(70)에 저장된 접착성 물질(68)을 분배하는 것을 돕는다. 닙 롤러(60)를 조절하여 권취 용이한 물질에 적용되는 접착물의 압력을 조절할 수 있다. 접착성 물질은 적층 공정의 단계에 좌우되어 접착층(20) 또는 접착층(30)을 형성한다. 닙 롤러(60)를 가열하여 특정 서브패드 표면에 접착물을 적층시킬 수 있지만, 닙 롤러(62)는 가열되지 않는다. 접착성 물질(68)을 닙 롤러(60)의 위치를 조절하여 조절할 수 있는 임의의 각(β)으로 닙 갭으로 공급한다.
접착층(30)을 형성하는 경우, 장치(50)는 닙 롤러의 다운스트림에 배치된 공전하는 막대(76)를 포함한다. 공전하는 막대(76)는 하기에 설명되는 이유로 닙 롤러로부터 현재 적층 물질(83)을 수용하고 수평으로 배향되도록 배열된다. 되감기 드럼(80)은 공전하는 막대(76)의 다운스트림으로 배열되고, 조절되어 공전하는 막대에 존재하는 적층 물질(83)의 권취 각(θ)(축 A1에 대해)을 조절할 수 있다. 되감기 드럼(80)은 또한 접착층(20)을 형성하는 경우 존재하고, 공전하는 막대(76)의 부재하에 닙 롤러에서 나와서 물질(83)을 감는다.
공전하는 막대(76)를 조절하여 적층 물질(83)은 거리(L)("이동 거리")를 이동하고, 하기한 바와 같이 적층 물질을 이동 거리(L) 위로 닙 출구 각(γ)(축 A1에 상대적으로 측정됨)에서 유지한다. 당해 도 4에서 가장 바람직한 각(γ)은 0도이다.
계속하여 도 4를 참조하여, 서브패드 물질(56)을 권취 용이한 형태로 제공하고, 물질 풀기 스풀(54)에 위치시킨다. 또한, 접착층(20)을 형성하는데 적합한 접착성 물질(68)을 권취 용이한 형태로 제공하고, 접착성 풀기 스풀(70)에 위치시킨다. 서브패드 물질(56)을 공급 롤러(58A) 및 (58B) 위로 이동시키고, 닙 갭(G)으로 선택된 공급 각(α)으로 공급한다.
마찬가지로, 접착성 물질(68)을 가열된 닙 롤러(60)의 일부에 배향시키고, 닙 갭(G)으로 공급한다. 당해 서브패드 물질(56) 및 접착성 물질(68)을 선택된 속도(S)(화살표 S로 나타내고 "선속도"로 언급됨)로 공급하고, 접착성 물질의 가열 및 닙 롤러의 압축 힘을 조합하여 적층시킨다. 현재 적층된 물질(83)을 닙 롤러에 서 배출시킨 다음, 권취 용이한 형태로 되감기 드럼(80)에서 수집한다.
이 시점에서, 서브패드(10) 및 접착층(20)으로 이루어진 권취 용이한 적층 물질(83)을 되감기 드럼으로부터 감고, 서브 패드의 적층되지 않은 면을 적층시키는 방식으로 당해 물질을 풀기 스풀(54)에 위치시킨다. 또한, 권취 용이한 적층 물질(83)을 다시 권취하여 적합한 풀기 방향을 제공할 수 있다. 접착층(30)을 형성하는데 적합한 접착성 물질을 권취 용이한 형태로 제공하고, 접착성 풀기 스풀(70) 위에 위치시킨다.
접착층(20)을 서브패드 하부 표면 위에 형성하는 상기한 적층 공정은 접착층(30)을 서브패드 상부 표면 위로 형성하기 위해 반복되지만, 공전하는 막대가 존재하여 적층 물질(83)은 되감기 드럼(80)에 의해 감기기 전에 이동 거리(L)로 선택된 닙 출구 각(γ)으로 이동된다.
상기한 이중 적층 공정에서, 접착층(20) 및 접착층(30) 중의 하나 또는 둘 다를 적층함으로써 유도되는 응력 차이는 최소이거나 이들 두 층에서 동일하여 컬링 또는 주름 발생이 일어나지 않게 하는 것이 중요하다. 마지막으로, 선 속도(S), 공급각(α) 및 (β), 출구 각(θ), 닙 출구 각(γ) 및 이동 거리(L)와 같은 공정 파라미터를 적합하게 선택한다. 이들 파라미터 중에서도 닙 출구 각(γ) 및 이동 거리(L)가 특히 중요하다.
공전하는 막대(76)에 의해 측정된 이동 거리(L)를 선택하여 적층 물질(83)을 되감기 드럼(80)으로 감기 전에 적합하게 경화시킨다. 또한, 닙 출구 각(γ)은 공전하는 막대(76)를 배열하여 선택되어 층(20)이 상부 물질(56)(즉, 서브패드 상부 표면(14))을 적합하게 조절하도록 한다. 실시 양태에서, 닙 출구 각(γ)은 약 +/-3°이내로 0°이다.
서브패드(10) 위에 접착층(30)을 형성하기 위한 이러한 배열은 통상적인 적층 장치에서 규정되지 않았다는 점에서 중요하다. 대개의 적층 장치는 장치를 통해 움직이는 경우 물질의 장력 조절을 유지하는데 중요한 닙 출구 각을 갖는다.
장치(50)를 사용하여 접착층(30)을 적층하기 위한 당해 공정 파라미터는 주어진 서브패드 및 접착성 물질을 위한 다수의 파라미터 조합을 시험하여 최적으로 추론한다.
표 1은 하부 표면에 형성된 접착층(20)을 이미 갖는 서브패드(10)의 상부 표면(14) 위에 접착층(30)을 형성하기 위해 실험적으로 유도된 파라미터를 나타낸다.
예시 공정 파라미터
파라미터 기술
접착성 물질 Avery Dennison FT9300 (종이 박리식 덮개를 갖는 PSA)
서브패드 물질 SP2150 다공성 폴리우레탄 귄취 용이한 형태 [제조원: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies]
선속도(S) 10ft/min(3m/min.)
이동 거리(L) 2ft(0.61m)
닙 갭 5mil(0.127mm)
풀기 스풀(54)용 풀기 적재량 25lbs(11Kg)
접착성 물질 풀기 스풀(70)용 풀기 적재량 10lbs(4.5Kg)
물질 공급 각(α) 65°+/- 10°
접착성 물질 공급 각(β) 45°+/- 10°
닙 출구 각(γ) 0°+/- 3°
도 5를 참조하여, 장치(50)와 연결된 상기한 적층 방법을 사용하여, 서브패드(10)와 접착층(20) 및 접착층(30)(도 3)(이후에, "이중으로 적층된 서브패드")으로 이루어진 이중으로 적층된 서브패드 구조물을 시이트(100)로서 권취 용이한 형태로 분배한다. 따라서, 본 발명의 방법은 시이트(100)로부터 당해 이중으로 적층된 서브패드를 절단하여 목적하는 형태(예를 들면, 환형)를 갖는 이중으로 적층된 서브패드(110)를 형성함을 포함한다. 하기 기술한 바와 같이, 간단하게 하기 위해 절단된 이중으로 적층된 서브패드를 언급한다.
계속해서 도 5 및 도 6을 참조하여, 본 발명의 실시 양태는 창을 포함하는 층상 연마 패드의 제조방법을 포함한다. 따라서, 본 발명의 방법은 임의로 이중으로 적층된 서브패드(110)를 통해, 즉, 접착층(20), 서브패드(10) 및 접착층(30)을 통해 통과하는 구멍(124)을 형성함을 포함한다. 또한, 당해 방법은 하기한 바와 같이 연마 패드 상부 층과 함께 정렬되어 최종 층상 연마 패드의 형성을 돕는 접착층(30) 위의 정렬 마크(112)[예를 들면, 금(notch) 또는 돌출(bump)]를 형성함을 포함한다. 실시 양태에서, 이중으로 적층된 서브패드(110)를 시이트(100)로부터 절단하는 것, 구멍(124)의 형성 및 정렬 마크(112)의 형성은 시이트(100)에서 단일 절단 도구를 작동시켜 수행한다.
계속해서 도 6을 참조하여, 당해 방법은 또한 바디 부분(201), 하부 표면(202) 및 상부 표면(204)을 갖는 연마 패드 상부 층(200)(이후, 연마 패드)을 제공함을 포함한다. 창을 포함하는 층상 연마 패드의 제조와 관련된 본 발명의 양태에서, 연마 패드(200)는 또한 바디 부분(201)과 통합되어 형성된 창(210) 및 연장된 하부 표면(202)에서 상부 표면(204)을 포함한다. 실시 양태에서, 바디 부분(201)은, 예를 들면, IC1000TM 연마 패드[제조원: Rohm and Haas Electronic Materials CMP Technologies]와 같은 폴리우레탄 물질로부터 형성된다. 창(210)을, 광학 검사 장치(나타내지 않음)에 의해 사용되는 광학 빔으로부터 광을 전달하도록 조절하면서 CMP 작동 동안 기판을 연마한다.
또한, 실시 양태에서, 창(210)은 바람직하게는 폴리우레탄 물질 캐스트로부터 바디 부분을 따라서 형성되고, 바디 부분을 따라서 가공된다. 창(210)이 연마 패드의 바디 부분과 함께 통합되어 형성되기 때문에, 마개 창 또는 다른 형태의 비통합되어 형성된 연마 패드 창에 관련된 누수 문제는 없다. 선택적으로, 마개형 또는 시이트형 창 부분을 밀봉시킨 채로 본 발명의 방법을 작동시킬 수 있다. 또한, 실시 양태에서, 창(210)은 구멍(124) 보다 약간 커서 창은 최종 층상 연마 패드에서 선반에 의해 지지된다(도 7).
실시 양태에서, 연마 패드(200)는 창(210)과 구멍(124)을 최종 층상 연마 패드 구조물에 정렬하기 위해 정렬 마크(122)로 결합하는데 사용되는 하나 이상의 정렬 마크를 포함한다(나타내지 않음). 창(210)의 구멍(124)으로의 적합한 정렬은 이중으로 적층된 서브패드(110)가 연마 패드(200)와 접촉되는 경우 공기를 막는 것을 방지한다.
계속하여 도 6을 참조하여, 연마 패드(200)는 인접한 이중으로 적층된 서브패드(110)를 접착층(30)에 접한 연마 패드 하부 표면(202)과 함께 배열된다. 접착층(30)이 PSA 층인 경우, 박리제거 가능한 덮개(나타내지 않음)를 접착층(30)으로부터 제거한다.
또한, 창이 있는 패드의 양태에서, 창(210)을 구멍(124)(예를 들면, 상기한 바와 같이 정렬 마크를 통해)과 함께 정렬한다. 이어서, 연마 패드(200) 및 이중으로 적층된 서브패드(110)를 함께 접합시키고(작은 화살표 221로 나타냄), 서로에 대해 압축시켜(화살표 222A 및 222B로 나타냄), 접착층(30)을 이와 함께 결합시킨다(즉, 접착 또는 고정). 실시 양태에서, 요구되는 압축은 상기한 바와 같이 연마 패드(200)를 이중으로 적층된 서브패드로 접촉시킨 다음, 결합된 구조를 닙 롤러를 통해 통과시켜 연마 패드와 서브패드를 함께 압착시켜 성취한다.
당해 서브패드가 결합 접착층(30)을 포함하기 때문에, 적용되는 압력은 상부 패드 하부 표면에 걸쳐서 보다 규질하게 분포되고, 보다 견고하고 예측할 수 있는 결합을 수득한다. 또한, 이는 시간이 지남에 따라 층간분리 경향이 낮은 최종 연마 패드 구조물을 수득한다.
당해 최종 층상 연마 패드 구조물(250)은 도 7에 기재되어 있다. 광학 창(210)에 존재하는 접착층이 없다는 것을 인지한다. 따라서, 화살표 OP로 나타낸 최종 층상 패드 구조물("관통한 광학 경로")을 통한 광학 통로는 접착층을 포함하지 않는다. 이는 상기한 바와 같이, 이러한 접착층이 창의 효과적인 광학 투명도를 감소시키는 것으로 공지되어 있고, 결론적으로 CMP 공정의 광학 모니터링 때문에 유리하다. 상기한 바와 같이, 도 7에 나타낸 최종 연마 패드 구조물(250)은 창(210) 또는 구멍(124)을 포함할 필요가 없다.
본 발명은 창이 연마 패드의 바디 부분과 함께 통합되어 형성되기 때문에, 마개 창 또는 다른 형태의 비통합되어 형성된 연마 패드 창에 관련된 누수 문제가 없고, 당해 서브패드가 결합 접착층을 포함하므로, 상부 패드 하부 표면에 적용되는 압력이 보다 균질하게 분포되고, 이에 따라 보다 견고한 결합을 수득하여 시간이 지남에 따라 층간분리 경향이 낮은 최종 연마 패드 구조물을 수득할 수 있다.

Claims (10)

  1. a) 제1 양면 접착층을 서브패드의 하부 표면에 형성시키는 단계;
    b) 제2 양면 접착층을 서브패드의 상부 표면에 형성시키는 단계;
    c) 하부 표면을 갖는 연마 패드 층을 제공하는 단계 및
    d) 연마 패드 층 하부 표면을 제2 접착층에 대해 압축하여 연마 패드 층을 서브패드에 접착시키는 단계를 포함하는, 층상 연마 패드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    단계 b) 다음에 추가로
    a) 제1 접착층, 서브패드 및 제2 접착층을 통해 연장된 구멍(opening)을 형성시키는 단계;
    b) 창을 갖는 연마 패드 층을 제공하는 단계 및
    c) 접착시, 창을 구멍에 정렬시키는 단계를 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 제1 및 제2 양면 접착층의 형성 단계가 감압성 접착물(PSA) 층으로서의 제1 및 제2 양면 접착층을 서브패드의 하부 및 상부 표면에 각각 적층시킴을 포함하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 서브패드 및 제1 및 제2 양면 접착층용 물질을 권취 용이한 형태로 각각 제공함을 포함하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 당해 단계들을 나타낸 순서대로 수행하는 방법.
  6. a) 제1 양면 접착층을 서브패드의 하부 표면에 적층시키는 단계;
    b) 제2 양면 접착층을 서브패드의 상부 표면에 적층시키는 단계;
    c) 제1 접착층, 서브패드 및 제2 접착층을 통과하는 구멍을 형성시키는 단계 및
    d) 창이 형성된 연마 패드를 제2 접착층을 갖는 서브패드에 고정시켜 창을 구멍에 정렬시키는 단계를 포함하는, 층상 연마 패드의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 서브패드, 제1 양면 접착층 및 제2 양면 접착층용 물질을 각각 권취 용이한 형태로 제공함을 포함하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 단계 b)가 단계 c) 전에 수행되고, 제2 양면 접착층을 서브패드에 적층시키는 것이
    a) 서브패드 물질 및 제1 양면 접착층 물질을 닙-롤러(nip-roller)를 통해 공급하여 적층 구조물을 형성시키는 단계 및
    b) 적층 구조물을 경화시키기에 충분한 이동 길이로 닙 롤러를 통해 사실상 수평으로 배출시켜 적층 구조물을 유지시키는 단계를 포함하는 방법.
  9. a) 각각의 접착층을 서브패드의 양쪽 표면에 연속하여 형성시켜 이중으로 적층된 서브패드를 형성시키는 단계;
    b) 이중으로 적층된 서브패드를 통과하는 구멍을 형성시키는 단계 및
    c) 연마 패드 하부 표면을 접착층의 하나에 대해 압축하여 창이 형성된 연마 패드를 이중으로 적층된 서브패드에 고정시켜 창 및 구멍이 접착층을 포함하지 않는 관통한 광각 통로를 형성시키는 단계를 포함하는, 층상 연마 패드의 제조방법.
  10. a) 각각의 접착층을 서브패드의 양쪽 표면에 연속적으로 형성하여 이중으로 적층된 서브패드를 형성시키는 단계 및
    b) 연마 패드 하부 표면을 접착층의 하나에 대해 압축하여 연마 패드를 이중으로 적층된 서브패드에 고정시키는 단계를 포함하는, 층상 연마 패드의 제조방법.
KR1020050015905A 2004-02-27 2005-02-25 층상 연마 패드의 제조방법 KR101107654B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/788,951 2004-02-27
US10/788,951 US7132033B2 (en) 2004-02-27 2004-02-27 Method of forming a layered polishing pad

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060042252A true KR20060042252A (ko) 2006-05-12
KR101107654B1 KR101107654B1 (ko) 2012-01-20

Family

ID=34887142

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050015905A KR101107654B1 (ko) 2004-02-27 2005-02-25 층상 연마 패드의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7132033B2 (ko)
JP (1) JP4808417B2 (ko)
KR (1) KR101107654B1 (ko)
CN (1) CN100575000C (ko)
TW (1) TWI353283B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170095871A (ko) * 2014-11-21 2017-08-23 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 화학적 기계적 연마를 위한 코팅된 압축성 부 패드

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI288048B (en) * 2005-10-20 2007-10-11 Iv Technologies Co Ltd A polishing pad and producing method thereof
CN1954967B (zh) * 2005-10-27 2010-05-12 智胜科技股份有限公司 研磨垫与其制造方法
US7179151B1 (en) * 2006-03-27 2007-02-20 Freescale Semiconductor, Inc. Polishing pad, a polishing apparatus, and a process for using the polishing pad
US8118641B2 (en) * 2009-03-04 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having window with integral identification feature
US9017140B2 (en) 2010-01-13 2015-04-28 Nexplanar Corporation CMP pad with local area transparency
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
US9238296B2 (en) 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer
US9233451B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack
US9238295B2 (en) 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad
US9102034B2 (en) 2013-08-30 2015-08-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of chemical mechanical polishing a substrate
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
WO2016060712A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Applied Materials, Inc. Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
CN108290267B (zh) 2015-10-30 2021-04-20 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
PT3272457T (pt) * 2016-07-21 2019-06-27 Delamare Sovra Um método para fabricação em série de ferramentas de polimento de grau ótico
EP3272458B1 (en) * 2016-07-21 2019-03-27 Delamare Sovra A method for manufacturing in series optical grade polishing tools
EP3272456B1 (en) * 2016-07-21 2019-03-13 Delamare Sovra A method for manufacturing in series optical grade polishing tools
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
CN108372656B (zh) * 2018-04-08 2023-10-27 重庆市灵龙自动化设备有限公司 一种Mylar纸贴附设备
CN108818300A (zh) * 2018-08-03 2018-11-16 成都时代立夫科技有限公司 一种分体式窗口cmp抛光垫的制备方法及cmp抛光垫
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3382638B2 (ja) * 1992-07-17 2003-03-04 コニシ株式会社 粘着テープ
JP3314495B2 (ja) * 1993-01-14 2002-08-12 住友電気工業株式会社 テープ状光ファイバ心線
US5413941A (en) * 1994-01-06 1995-05-09 Micron Technology, Inc. Optical end point detection methods in semiconductor planarizing polishing processes
US5358130A (en) * 1994-04-26 1994-10-25 Continental Plastics, Inc. One-piece container closure with lid held open for dispensing
US5716687A (en) * 1994-07-20 1998-02-10 Chumbley; James F. Fusible bonding sheet and methods of fabrication thereof
US5893796A (en) * 1995-03-28 1999-04-13 Applied Materials, Inc. Forming a transparent window in a polishing pad for a chemical mechanical polishing apparatus
US5605760A (en) * 1995-08-21 1997-02-25 Rodel, Inc. Polishing pads
DE19649727A1 (de) * 1996-11-30 1998-06-04 Beiersdorf Ag Klebeband
US6290589B1 (en) * 1998-12-09 2001-09-18 Applied Materials, Inc. Polishing pad with a partial adhesive coating
US6171181B1 (en) * 1999-08-17 2001-01-09 Rodel Holdings, Inc. Molded polishing pad having integral window
US6524164B1 (en) 1999-09-14 2003-02-25 Applied Materials, Inc. Polishing pad with transparent window having reduced window leakage for a chemical mechanical polishing apparatus
DE60011798T2 (de) 1999-09-29 2005-11-10 Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings, Inc., Wilmington Schleifkissen
US6464815B1 (en) * 2000-05-05 2002-10-15 Wallace J. Beaudry Method of manufacturing laminated pad
JP2002001647A (ja) * 2000-06-19 2002-01-08 Rodel Nitta Co 研磨パッド
JP4916638B2 (ja) * 2000-06-30 2012-04-18 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 研磨パッド用ベースパッド
US6477926B1 (en) * 2000-09-15 2002-11-12 Ppg Industries Ohio, Inc. Polishing pad
JP4570286B2 (ja) * 2001-07-03 2010-10-27 ニッタ・ハース株式会社 研磨パッド
JP2003292912A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Sekisui Chem Co Ltd 両面粘着テープ及び両面粘着テープ付き研磨パッド
JP4233319B2 (ja) * 2002-12-12 2009-03-04 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドの製造方法及び研磨パッド
US7160413B2 (en) * 2004-01-09 2007-01-09 Mipox International Corporation Layered support and method for laminating CMP pads

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170095871A (ko) * 2014-11-21 2017-08-23 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 화학적 기계적 연마를 위한 코팅된 압축성 부 패드

Also Published As

Publication number Publication date
CN1660543A (zh) 2005-08-31
JP4808417B2 (ja) 2011-11-02
TWI353283B (en) 2011-12-01
US20050189065A1 (en) 2005-09-01
CN100575000C (zh) 2009-12-30
TW200531788A (en) 2005-10-01
US7132033B2 (en) 2006-11-07
JP2005260222A (ja) 2005-09-22
KR101107654B1 (ko) 2012-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101107654B1 (ko) 층상 연마 패드의 제조방법
US6007407A (en) Abrasive construction for semiconductor wafer modification
JP3616866B2 (ja) 光学フィルム貼合基板の製造方法
JP2020505241A (ja) Cmp用途向けの薄いプラスチック研磨物品
CN101628398B (zh) 多层化学机械抛光垫的制造方法
WO2011070820A1 (ja) 光学表示装置の製造システムおよび当該光学表示装置の製造方法
JP2007073813A (ja) 基板の薄板化方法及び回路素子の製造方法
US20030062116A1 (en) Method and apparatus for bonding protection film onto silicon wafer
JP4734515B1 (ja) 光学表示装置の製造システムおよび当該光学表示装置の製造方法
JP4943766B2 (ja) 被加工物保持材およびその製造方法
JP2005011972A (ja) 被研磨加工物の保持材およびこの保持材の製造方法
TWI626118B (zh) 供cmp使用之多層拋光墊、生產多層拋光墊之方法、化學機械拋光裝置、及拋光工件之方法
KR101833560B1 (ko) 유리 기판 유지용 막체 및 유리 기판의 연마 방법
JP2013507764A (ja) ウェーハ支持部材、その製造方法及びこれを備えるウェーハ研磨ユニット
JP5667522B2 (ja) 光学表示装置の製造システムおよび光学表示装置の製造方法
US20220162035A1 (en) Slitting device, slitting method, and laminated tape
JP4408169B2 (ja) 積層方法
JP7104577B2 (ja) 平坦化層形成装置、平坦化層の製造方法、および物品製造方法
JP2011093113A (ja) 積層基板の製造装置及び製造方法
JP2001179684A (ja) 合成樹脂発泡体のスライス方法
JP5412762B2 (ja) 長尺フィルムの巻き取り方法及び長尺フィルムの巻き取り装置
JPS6216278Y2 (ko)
JP2006334965A (ja) 積層体の製造方法
KR100293885B1 (ko) 스티커를 사용하는 3차원 시제품 신속 제작 방법 및 장치
JP2023050671A (ja) シート貼付装置およびシート貼付方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 8