KR20060032349A - 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 수평 전계에 의해 액정을 구동하는 횡전계방식(IPS:In Plane Switching Mode) 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예는, 제 1 기판 상에 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하고, 제 2 기판을 준비하는 단계와; 상기 제 1 기판 상에 배향막을 형성하는 단계와; 상기 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와; 상기 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명은 배향막에 이온 빔을 이용하여 배향 처리시 기판에 대하여 대칭되는 양 방향에서 2회에 걸쳐 이온 빔 조사 공정을 실시하여 배향막 전면에서 안정적인 배향 특성을 가지도록 하고 액정 배향 정렬이 균일하게 이루어지도록 하여 빛샘을 방지하고 화질을 개선함으로써 제품의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.
이온 빔, 배향막, 빛샘, 단차, 테이퍼

Description

횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법{fabrication method for in-plane switching mode LCD}
도 1은 종래 배향막을 형성하기 위한 이온 빔 조사 장치의 개략적인 구성을 보여주는 도면.
도 2는 이온 빔의 조사 각도(θ₂)와 프리틸트각과의 관계를 보여주는 그래프.
도 3은 종래의 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도.
도 4는 도 3에서 Ⅰ-Ⅰ'로 절단하여 보여주는 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치의 단면도.
도 6은 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 보여주는 순서도.
도 7a는 본 발명에 따른 이온 빔 조사 장치에서 1차 이온 빔 조사 공정을 보여주는 도면.
도 7b는 상기 1차 이온 빔 조사 공정으로 배향 처리되는 기판의 일부분을 보여주는 단면도.
도 8a는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 이온 빔 조사 장치에서 2차 이온 빔 조사 공정을 보여주는 도면.
도 8b는 2차 이온 빔 조사 공정으로 배향 처리되는 기판의 일부분을 보여주는 단면도.
도 9a는 본 발명에 따른 다른 실시예로서, 이온 빔 조사 장치에서 2차 이온 빔 조사 공정을 보여주는 도면.
도 9b는 2차 이온 빔 조사 공정으로 배향 처리되는 기판의 일부분을 보여주는 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
309 : 게이트 전극 310 : 데이터 배선
313 : 공통 전극 314 : 화소 전극
315 : 반도체층 315a : 액티브층
315b : 오믹 콘택층 316 : 소스 전극
317 : 드레인 전극 318 : 제 1 기판
319 : 제 2 기판 320 : 게이트 절연막
321 : 블랙 매트릭스 322 : 컬러 필터층
323 : 오버코트층 326 : 제 2 배향막
328 : 보호막 329 : 제 1 배향막
330 : 액정층 400 : 이온 빔 소스
401 : 플라즈마 형성부 402 : 이온 건(Ion gun)
410 : 스테이지 420 : 기판
430 : 이온 빔 440 : 진공 챔버
450 : 배향막 460 : 밸브
500 : 마스크
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 수평 전계에 의해 액정을 구동하는 횡전계방식(IPS:In Plane Switching Mode) 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 화상 정보를 화면에 나타내는 디스플레이 장치들 중에서 브라운관 표시 장치(혹은 CRT:Cathode Ray Tube)가 지금까지 가장 많이 사용되어 왔는데, 이것은 표시 면적에 비해 부피가 크고 무겁기 때문에 사용하는데 많은 불편함이 있었다.
그리고, 오늘날에는 전자산업의 발달과 함께 TV 브라운관 등에 제한적으로 사용되었던 디스플레이 장치가 개인용 컴퓨터, 노트북, 무선 단말기, 자동차 계기판, 전광판 등에 까지 확대 사용되고, 정보통신 기술의 발달과 함께 대용량의 화상정보를 전송할 수 있게 됨에 따라 이를 처리하여 구현할 수 있는 차세대 디스플레이 장치의 중요성이 커지고 있다.
이와 같은 차세대 디스플레이 장치는 경박단소, 고휘도, 대화면, 저소비전력및 저가격화를 실현할 수 있어야 하는데, 그 중 하나로 최근에 액정 표시 장치가 주목을 받고 있다.
상기 액정 표시 장치(LCD:Liquid Crystal Display)는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 응답 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.
일반적으로 액정 표시 장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다.
상기 액정은 구조가 가늘고 길기 때문에 분자의 배열에 방향성을 가지고 있으며, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하여 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의하여 편광된 빛이 임의로 변조되어 화상정보를 표현할 수 있다.
현재에는 박막 트랜지스터와 상기 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동행렬 액정 표시 장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이와 같은 액정 표시 장치에서 액정 분자의 초기 배열 방향을 결정하기 위한 배향막 형성 과정에 대해서 설명한다.
먼저, 배향막의 형성은 고분자 박막을 도포하고 배향막을 일정한 방향으로 배열시키는 공정으로 이루어진다.
상기 배향막에는 일반적으로 폴리이미드(polyimide) 계열의 유기물질이 주로 사용되고, 상기 배향막을 배열시키는 방법으로는 주로 러빙(rubbing) 방법이 이용 되고 있다.
상기 러빙 방법은 먼저 기판 위에 폴리이미드 계열의 유기물질을 도포하고, 60 ~ 80℃ 정도의 온도에서 용제를 날리고 정렬시킨 후, 80 ~ 200℃ 정도의 온도에서 경화시켜 폴리이미드 배향막을 형성한 후, 벨벳(velvet) 등을 감은 러빙포를 이용하여 상기 배향막을 일정한 방향으로 문질러 줌으로써 다양한 배향 방향을 형성시키는 방법이다.
이와 같은 러빙에 의한 방법은 배향 처리가 용이하여 대량 생산에 적합하고, 안정된 배향을 가지는 장점이 있다.
그러나, 상기 러빙 방법은 배향막과 러빙포의 직접적인 접촉을 통해 이루어지므로 먼지(particle) 발생에 의한 셀(cell)의 오염, 정전기 발생에 의하여 미리 기판에 설치된 TFT 소자의 파괴, 러빙 후의 추가적인 세정 공정의 필요, 대면적 적용시의 배향의 비균일성(non-uniformity) 등과 같은 여러 가지 문제점이 발생하게 되어 액정 표시 장치의 제조시의 수율을 떨어뜨리는 문제점이 되고 있다.
상기 러빙 방법의 문제점을 개선하기 위하여 기계적인 러빙 방법을 이용하지 않는 여러 가지 넌러빙(non-rubbing) 배향 기술이 제안되고 있다.
이러한 배향 기술로는 랑그뮈어-블러젯 필름(Langmuir-Blodgett film ; LB film)을 이용하는 방법, UV 조사를 이용한 광 배향법, SiO2의 사방 증착을 이용한 방법, 포토리소그래피(photolithography)로 형성된 마이크로 그루브(micro-groove)를 이용하는 방법, 그리고 이온 빔(Ion beam) 조사를 이용하는 방법이 있 다.
이 중에서 이온 빔을 이용하여 배향하는 방법은 상기 기계적인 러빙 방법에 의한 문제점을 해결할 뿐 아니라, 종래의 배향 재료를 그대로 이용하는 것이 가능하며 대면적 대응이 가능하다.
도 1은 종래 배향막을 형성하기 위한 이온 빔 조사 장치의 개략적인 구성을 보여주는 도면이다.
상기 이온 빔 조사 장치는 크게 세 영역으로 나누어지며, 주입된 가스(gas)가 이온과 전자로 전리되어 플라즈마를 형성하는 영역(103)과 상기 이온이 빔의 형태로 인출되어 가속화되어 통과하는 영역(106)과 상기 가속화된 이온 빔(110)이 방출되는 곳부터 기판에 이르기까지의 조사 영역(111)이 그것이다.
상기 플라즈마를 형성하는 영역(103)에서는 주입된 가스를 이온으로 전리하며, 상기 전리된 이온은 인출되어 가속화된 후 기판(120)으로 조사된다.
즉, 상기 이온 빔 조사 장치는 진공 용기(140) 내에 있어서 홀더(121)에 고정된 기판(120)에 이온 빔(110)을 조사하도록 구성된다.
이 때, 상기 이온 빔 조사 장치는 캐소드(cathode, 101)와 애노드(anode, 102)와 이온 빔 인출 매질(104)과 이온 빔 가속 매질(105)을 포함하는 이온 빔 소스(Ion beam source, 100)와, 상기 이온 빔 소스(100)로부터 발생되는 이온 빔(110)이 기판(120)까지 직진하여 조사될 수 있도록 하는 진공 용기(140)와, 상기 진공 용기(140) 내에서 기판(120)이 일정한 각도를 유지할 수 있도록 고정하는 홀더(121)를 포함하여 이루어진다.
도시되지는 않았지만, 이온 빔(110)이 기판(120)에 조사되는 시간을 조절하기 위하여 이온 빔 소스(100)와 기판(120) 사이에 셔터(shutter)를 구비하기도 한다.
상기 이온 빔 소스(100)에서는 이온을 발생시키고 이온 빔(110)을 생성하는데, 캐소드(101)와 애노드(102)의 전압 차에 의해서 주입된 가스를 전리하여 전자와 이온을 포함하는 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마에서 이온은 인출 전극에 의해서 이온 빔 인출 매질(104)의 통과부를 통과하여 이온 빔(110)으로 인출된다.
상기 방전된 플라즈마로부터 인출된 이온 빔(110)은 이온 빔 가속 매질(105)에 걸리는 전계의 작용으로 가속화되어 기판(120) 상에 일정 각도를 가지고 조사되게 된다.
여기서, 상기 기판(120)은 조사되는 이온 빔(110)에 대해서 소정의 각도로 기울어지게 되는데, 이로써 상기 이온 빔(110)을 이용하여 기판(120) 상에 도포된 배향막에 원하는 배향 방향을 형성할 수 있으며 프리틸트 각(pretilt angle)을 형성할 수 있다.
이와 같이, 상기 이온 빔 소스(100)로부터 발생되는 이온 빔(110)은 상기 이온 빔 소스(100)의 법선 방향으로 인출되어 소정의 각도(θ₁)로 기울어진 기판(120) 상의 배향막으로의 조사 각도(θ₂)에 의해서 액정 분자의 프리틸트각(pretilt angle)을 결정하게 된다. 이 때 θ₁= θ₂이다.
이 때, 상기 조사 각도(θ₂)는 이온 빔(110)의 조사 방향과 기판(120)의 법 선 방향이 이루는 각도를 말하며, 상기 이온 빔(110)의 조사 각도(θ₂)와 프리틸트각과의 관계는 도 2에 나타내었다.
도 2를 참조하면, 이온 빔의 조사 각도에 따라 프리틸트 각이 다른 특성을 보이는 것을 알 수 있는데, 상기 이온 빔의 조사 각도가 40 ~ 60도 사이일 경우에 최대의 프리틸트각을 가지며 전후 조사 각도에 대해서는 5도 이하의 프리틸트각을 가진다.
따라서, 액정 표시 장치에서 원하는 프리틸트각을 얻기 위해서는 상기 기판 상의 배향막 전면에 적절한 조사 각도를 가지는 이온 빔을 동일한 에너지로 조사해야 한다.
그런데, 도 2에 도시된 바와 같이, 이온 빔의 조사 각도에 따라 프리틸트각이 다른 특성을 보이기 때문에, 원하는 프리틸트각을 얻기 위해서는 균일한 이온 빔 에너지를 조사하여야 함을 알 수 있다.
이와 같이, 균일한 이온 빔 에너지를 조사하기 위해서 이온 빔이 방출되는 곳에서 기판까지 충분히 긴 간격을 유지해야 하며, 기판 사이즈가 커지게 되면 그 길이는 더욱 길어져야 하므로 장비 사이즈가 기하 급수적으로 커져야 하는 문제가 있다.
한편, 현재 주로 사용되고 있는 액정 표시 장치 중 하나로 트위스트 네마틱(TN : twisted nematic) 방식의 액정 표시 장치를 들 수 있다. 상기 트위스트 네마틱 방식은 두 기판에 각각 전극을 설치하고 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 다음 전극에 전압을 가하여 액정 방향자를 구동하는 방식이다.
그러나, 상기 TN방식(twisted nematic mode) 액정 표시 장치는 시야각이 좁다는 큰 단점이 있다.
그래서, 최근에 상기 협소한 시야각 문제를 해결하기 위하여 여러 가지 새로운 방식을 채용한 액정 표시 장치에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있는데, 상기 방식으로 횡전계방식(IPS:in-plane switching mode) 또는 OCB방식(optically compensated birefrigence mode) 등이 있다.
이 가운데 상기 횡전계방식 액정 표시 장치는 액정 분자를 기판에 대해서 수평을 유지한 상태로 구동시키기 위하여 2개의 전극을 동일한 기판 상에 형성하고, 상기 2개의 전극 사이에 전압을 인가하여 기판에 대해서 수평방향으로 전계를 발생시킨다. 즉, 액정 분자의 장축이 기판에 대하여 일어서지 않게 된다.
이 때문에, 시각방향에 대한 액정의 복굴절율의 변화가 작아 종래의 TN방식 액정 표시 장치에 비해 시야각 특성이 월등하게 우수하다.
이하, 도면을 참조하여 종래의 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판과 그 제조방법에 대해 설명한다.
도 3은 종래의 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판의 일부를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3에서 Ⅰ-Ⅰ'로 절단하여 보여주는 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 종래의 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판(210)은 소정간격 이격되어 평행하게 일 방향으로 구성된 다수의 게이트 배선(212)과, 상기 게이트 배선(212)에 근접하여 평행하게 일 방향으로 구성된 공 통 배선(216)과, 상기 두 배선과 교차하며 특히 게이트 배선(212)과는 화소영역(P)을 정의하는 데이터 배선(224)이 구성된다.
상기 게이트 배선(212)과 데이터 배선(224)의 교차지점에는 게이트 전극(214)과 액티브층(도시되지 않음)과 소스 전극(226)및 드레인 전극(228)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성되며, 상기 소스 전극(226)은 상기 데이터 배선(224)과 연결되고, 상기 게이트 전극(214)은 상기 게이트 배선(212)과 연결된다.
상기 화소영역(P)의 상부에는 상기 드레인 전극(228)과 연결되는 화소 전극(230)과, 상기 화소 전극(230)과 평행하게 구성되고 상기 공통 배선(216)과 연결되는 공통 전극(217)이 구성된다.
상기 화소 전극(230)은 상기 드레인 전극(228)에서 연장되어 데이터 배선(224)과 평행하게 형성되어 있고 서로 소정간격 이격된 다수의 수직부(230b)와, 상기 공통 배선(216)의 상부에서 수직부(230b)를 하나로 연결하는 수평부(230a)로 구성된다.
상기 공통 전극(217)은 상기 공통 배선(216)에서 아래로 수직하게 연장되고, 상기 화소 전극의 수직부(230b)와 평행하게 엇갈려 구성되는 다수의 수직부(217b)와, 상기 각 수직부(217b)를 하나로 연결하는 수평부(217a)로 구성된다.
이때, 상기 화소 전극(230)의 수평부(230a)는 공통 배선(216)의 수평부(217a) 상의 일부에 게이트 절연막(도시되지 않음)을 사이에 두고 형성되어 있으며, 상기 공통 배선(216)과 함께 스토리지 캐패시터(C)를 구성한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 기판(200) 상에 게이트 절연막(251)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막(251) 상에 공통 전극(217)이 형성되어 있고, 상기 공통 전극(217) 상에 보호막(253)이 형성되어 있다.
상기 보호막(253) 상에 상기 공통 전극(217)과 어긋나는 위치에 화소 전극(230)이 형성되어 있고, 상기 화소 전극(230) 상에 배향막(255)이 전면에 형성되어 있다.
이때, 상기 배향막(255)에 이온 빔(245)을 이용하여 배향 처리시에 상기 데이터 배선(도 3에서 224), 게이트 배선(도 3에서 212), 공통 전극(217), 화소 전극(230) 등에서 단차가 발생하게 되는데, 이때 단차가 이루는 테이퍼(taper)각 때문에 특정 방향에서 이온 빔(245)을 조사하였을 때 이온 빔(245)이 닿지 않는 영역(A, B)이 발생하게 된다.
즉, 도시된 바와 같이, 이온 빔(245)이 기판(200)으로부터 θ의 각도로 입사하였을 때, 전극 단차에 의해 이온 빔이 닿지 않는 영역(A, B)이 존재하게 되며, 이 영역에서는 배향이 이루어지지 않아 액정이 정렬되지 않으며, 이는 빛샘을 발생시켜 콘트라스트비를 저하시키는 문제가 있다.
본 발명은 횡전계 방식 액정 표시 장치에서 배향막을 이온 빔 조사 방법으로 배향 처리할 때 1차로 특정 방향에서 이온 빔을 조사한 후, 2차로 대칭되는 방향에서 이온 빔을 조사함으로써 배선, 전극부 단차에서도 균일한 배향이 이루어지도록 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법의 일 실시예는, 제 1 기판 상에 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하고, 제 2 기판을 준비하는 단계와; 상기 제 1 기판 상에 배향막을 형성하는 단계와; 상기 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와; 상기 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 조사 각도와 제 2 조사 각도는 기판의 수직 방향에 대해서 서로 거의 대칭되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법의 다른 실시예는, 제 1 기판 상에 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하고, 제 2 기판을 준비하는 단계와; 상기 제 1 기판 상에 배향막을 형성하는 단계와; 상기 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와; 상기 배향막 상부에 투과부와 차단부를 가지는 마스크를 배치시키는 단계와; 상기 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 상기 투과부를 통해 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 단차부에 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법의 또 다른 실시예는, 제 1 기판 상에 수평 방향으로 서로 소정 간격 이격하여 게이트 배선과 공통 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선 과 수직한 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선에 평행하는 복수개의 공통 전극을 형성하고, 상기 공통 전극과 엇갈려 교차하는 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 화소 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와; 상기 제 1 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 조사 각도와 제 2 조사 각도는 기판의 수직 방향에 대해서 서로 거의 대칭되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판을 준비하는 단계에 있어서, 제 2 기판 상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스 상에 컬러필터층을 형성하는 단계와; 상기 컬러필터층 상에 오버코트층을 형성하는 단계와; 상기 오버코트층 상에 제 2 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법의 또 다른 실시예는, 제 1 기판 상에 수평 방향으로 서로 소정 간격 이격하여 게이트 배선과 공통 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 수직한 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선에 평행하는 복수개의 공통 전극을 형성하고, 상기 공통 전극과 엇갈려 교차하는 화소 전극을 형성하는 단계와; 상기 화소 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 형성하는 단계와; 상기 제 1 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와; 상기 제 1 배향막 상부에 투과부와 차단부를 가지는 마스크를 배치시키는 단계와; 상기 제 1 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 상기 투과부를 통해 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 단차부에 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 조사 각도와 제 2 조사 각도는 기판의 수직 방향에 대해서 서로 거의 대칭되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판을 준비하는 단계에 있어서, 제 2 기판 상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 블랙매트릭스 상에 컬러필터층을 형성하는 단계와; 상기 컬러필터층 상에 오버코트층을 형성하는 단계와; 상기 오버코트층 상에 제 2 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명의 구체적인 실시예에 대해서 구체적으로 설명한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 종래 기술에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치의 구조를 구체적으로 설명한다.
도 5는 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치의 단면도이다.
일반적인 횡전계방식 액정 표시 장치는 제 1 기판(318)과 제 2 기판(319)을 대향 합착하여 상기 두 기판 사이에 액정층(330)을 주입하여 형성하는데, 먼저, 상기 제 1 기판(318) 상에 금속을 증착한 후 패터닝하여 복수개의 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에서 분기되어 박막트랜지스터 위치에 게이트전극(309)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 전극(309)을 포함한 전면에 게이트 절연막(320)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(320) 상부에 액티브층(315a)과 오믹콘택층(315b)을 이 루는 반도체층(315)을 형성한다.
그리고, 상기 게이트 절연막(320) 상부에 상기 게이트 배선과 매트릭스 구조를 이루도록 데이터 배선(310)을 형성한다.
이 때, 상기 데이터배선(310) 형성시, 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극(316/317)을 동시에 형성한다.
그리고, 상기 게이트 배선에 평행하도록 공통배선과 공통전극(313)을 형성한다.
그리고, 상기와 같이 형성된 제 1 기판(318) 상의 전면에 보호막(328)을 형성시킨다.
이후, 상기 드레인 전극(317)과 전기적으로 연결되며 상기 데이터 배선(310)에 평행하도록 화소 전극(314)을 형성한다.
그리고, 상기와 같이 형성된 제 1 기판(318) 상의 전면에 제 1 배향막(329)을 형성한다.
한편, 상기 제 2 기판(319) 상에는 빛의 누설을 방지하는 블랙 매트릭스(321)을 형성하고, 상기 블랙 매트릭스(321) 사이에 적색(Red), 녹색(Green) 및 청색(Blue)의 컬러필터 패턴으로 이루어진 컬러필터층(322)을 형성한다.
그리고, 상기 컬러필터층 상부에는 표면을 평탄화하고 컬러필터층(322)을 보호하는 오버코트층(323)을 형성한다.
다음으로, 상기 오버코트층(323) 상부에 제 2 배향막(326)을 형성한다.
도 6을 참고로 상기와 같은 구성을 가지는 횡전계방식 액정 표시 장치의 제조 방법을 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 5에서 설명된 바와 같은 구조를 가지고 있는 횡전계방식 액정 표시 장치의 상, 하 기판을 제작한다(S100).
그리고, 여러 패턴들이 형성된 기판 상의 이물질을 제거하기 위해 세정 공정(S110)을 행하고, 배향막 인쇄 장치를 이용하여 기판 상면에 배향막 원료액인 폴리이미드(PolyImide : PI)를 인쇄하는 배향막 인쇄 공정(S120)을 거친다.
다음으로, 상기 배향막 원료액에 고온의 열을 가하여 용매를 건조시키고 경화시키는 배향막 소성 공정을 행한다.
이어서, 이온 빔 조사 장치를 이용하여 소성 처리된 배향막 표면에 이온 빔 1차 조사 공정을 실시한다(S130).
이때, 상기 이온 빔은 특정 방향에서 기판으로 조사되며, 상기 기판에 θ각으로 조사된다.
이후, 상기 기판에 이온빔 2차 조사 공정을 실시한다(S140).
상기 기판에 조사되는 이온 빔 방향은 1차 이온 빔 조사시의 이온 빔 방향과 거의 대칭되는 방향에서 기판에 조사되도록 실시한다.
이때, 상기 2차 이온 빔 조사시에 기판 상에 마스크를 배치시킨 후 이온 빔 조사하여 1차 이온 빔 조사시 이온 빔이 닿지 않은 부분에 2차 이온 빔이 조사되도록 할 수 있다.
상기의 배향막 형성공정이 끝난 후에는, 상기 상부 기판과 하부 기판을 합착 하고 액정을 형성한다(S150).
보다 구체적으로, 상부 기판의 가장자리에 접착제 역할을 하는 씰 패턴(seal pattern)을 액정 주입구를 제외한 나머지 영역에 형성시키고, 하부 기판에 스페이서(spacer)를 산포한다.
다음, 상기 두 기판을 대향 합착시키는데, 주어진 마진을 벗어나면 빛이 새어나오게 되므로 보통 수 마이크로미터(㎛) 정도의 정밀도가 요구된다.
그리고, 상기와 같이 대향 합착된 기판을 단위셀로 절단하는 셀 절단 공정을 거치게 되는데(S170), 상기 셀 절단 공정은 완전히 합착된 두 기판을 필요한 크기로 절단하기 위한 것으로, 상, 하부 기판 표면에 라인을 형성하는 스크라이브 공정과 스크라이브된 라인에 충격을 주어 기판을 분리해내는 브레이크 공정으로 이루어진다.
최종적으로, 상기 단위셀로 절단된 두 기판 사이에 액정을 주입하고 액정이 흘러나오지 않도록 액정 주입구를 봉지하면 원하는 액정 표시 장치가 완성된다.
이와 같이, 이온 빔 조사 장치를 이용하여 1, 2 차에 걸쳐 이온 빔 조사 공정을 진행하며, 1차 이온 빔 조사 공정시 배선, 전극 단차부에서 이온 빔이 닿지 않은 부분은 2차 이온 빔 조사 공정에서 이온 빔 배향 처리될 수 있도록 한다.
이때, 상기 이온 빔의 기판에 대한 조사 각도는 1차 이온 빔 조사 공정에서 θ의 각도로 이루어질 경우에 2차 이온 빔 조사 공정에서는 기판의 수직한 방향에 대해서 대칭된 방향에서 상기 기판으로 θ의 각도로 조사될 수 있도록 한다.
도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법에 서 배향 처리하는 공정에 대해서 보여주는 공정 도면이다.
도 7a는 본 발명에 따른 이온 빔 조사 장치에서 1차 이온 빔 조사 공정을 보여주는 도면이고, 도 7b는 상기 1차 이온 빔 조사 공정으로 배향 처리되는 기판의 일부분을 보여주는 단면도이다.
도 7a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이온 빔 조사 장치에서 기판(420)이 일방향으로 이동함에 따라 이온 빔(430)이 기판(420) 전면에 조사된다(1차 이온 빔 조사 공정).
상기 이온 빔 조사 장치는 주입된 가스를 이온으로 전리하여 전리된 이온을 가속화하여 기판(420)으로 배출하는 이온 빔 소스(Ion beam source, 400)와, 상기 이온 빔 소스(400)로부터 발생되는 이온 빔(430)이 기판(420)까지 직진하여 조사될 수 있도록 하는 진공 챔버(440)와, 상기 진공 챔버에서 기판(420)을 고정하여 일방향으로 이동할 수 있는 스테이지(410)와, 상기 이온 빔 조사가 매회 끝날때마다 가스를 배출하고 스테이지(410)를 외부에서 내부로, 내부에서 외부로 이동시킬 수 있는 밸브(460)를 포함하여 이루어진다.
상기 이온 빔 소스(400)는 주입된 가스가 이온과 전자로 분리되어 플라즈마를 형성하는 플라즈마 형성부(401)와, 상기 플라즈마 형성부(401)에서 형성된 이온 빔(430)이 소정의 형태로 가속화되어 기판(420)으로 인출되는 이온 건(Ion gun, 402)을 포함하여 이루어진다.
도시되지는 않았지만, 이온 빔(430)이 기판(420)에 조사되는 시간을 조절하기 위하여 이온 빔 소스(400)와 기판(420) 사이에 셔터(shutter) 또는 기판(420)에 조사되는 이온 빔(430)의 양을 조절하기 위하여 마스크(mask)를 별도로 구비하기도 한다.
이때, 상기 스테이지(410)에는 배향막(450)이 도포되어 있는 기판(420)이 장착되어 함께 이동하게 되며, 상기 배향막(450)으로는 폴리이미드(polyimide), SiO2, SiC, Si3N4, Al2O3, CeO2, SnO2, glass, ZnTiO2, DLC(Diamond-Like Carbon) 등을 사용할 수 있다.
상기 이온 빔 소스(400)에서는 이온을 발생시키고 이온 빔(410)을 생성하는데, 캐소드(cathode)와 애노드(anode)의 전압 차에 의해서 주입된 가스를 전리하여 전자와 이온을 포함하는 플라즈마(plasma)를 생성하고, 생성된 플라즈마에서 이온은 인출 전극에 의해서 이온 건을 통과하여 소정 형태의 이온 빔(430)으로 인출된다.
상기 방전된 플라즈마로부터 인출된 이온 빔(430)은 전계의 작용으로 가속화되어 기판(420) 상에 일정 각도를 가지고 조사되게 된다.
여기서, 상기 이온 건(402)은 스테이지(410) 상에 고정되어 있는 기판(420)에 대해서 소정 각도로 기울어져 형성되어 있으며, 상기 이온 건(402)을 통과하여 인출되는 이온 빔(430)은 기판(420)에 소정의 각도로 기울어져 조사된다.
그리고, 상기 기판(420)을 고정하고 있는 스테이지(410)가 일 방향으로 소정의 속도로 이동함으로써 상기 이온 건(402)에서 소정의 각도로 인출되는 이온 빔(430)에 의해서 기판(420) 상에 형성되어 있는 배향막(450)의 전면에 1차 이온 빔(430)을 조사할 수 있다.
이로써 상기 이온 빔(430)을 이용하여 기판(420) 상에 도포된 배향막(450)에 원하는 배향 방향을 형성할 수 있으며 프리틸트 각(pretilt angle)을 형성할 수 있다.
이 때, 상기 기판((420) 상에는 폴리이미드와 같은 유기물질의 배향막(450)이 도포되어 있는데, 상기 폴리이미드와 같이 배향막(450)으로 사용되는 유기 물질은 화학적 구조로서 주쇄(main chain)와 측쇄(side chain)로 나뉘어진다.
상기 주쇄는 액정 분자를 한 방향으로 배열시키는 역할을 하고, 상기 측쇄는 프리틸트각을 형성하는 역할을 한다.
특히, 상기 측쇄는 이온 빔 조사시에 반응하여 소정 부위가 끊어지도록 함으로써 배향시에 액정 분자가 방향성을 가지고 배향되도록 한다.
이와 같이, 상기 이온 빔 소스(400)로부터 발생되는 이온 빔(430)은 상기 이온 건(402)이 기울어진 방향으로 인출되고 소정의 각도(θ)로 기판(420) 상의 배향막(450)으로 조사되어 액정 분자의 프리틸트각(pretilt angle)을 결정하게 된다.
본 발명에 따른 이온 빔 조사 장치를 이용하여 배향막(450)이 형성된 기판(420)을 배향 처리하는 1차 이온 빔 조사 공정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 본 발명에 따른 이온 빔 조사 장치를 이용한 배향 처리 공정은 크게 세 단계로 나누어지며, 배향막(450)을 형성하고 있는 기판(420)을 고정하고 있는 스테이지(410)가 상기 이온 빔 조사 장치로 인입되기 전에 로딩(loading)되는 단계 와, 상기 스테이지(410)가 이동하여 이온 빔 조사 장치의 진공 챔버(440)로 인입되면 기판(420)에 이온 빔(430)을 조사하는 단계와, 상기 기판(420)의 전면에 이온 빔(430)이 조사되면 상기 이온 빔 조사 장치 외부로 배출되는 단계를 포함하여 이루어진다.
상기 기판(420)에는 배향막(450)이 형성되어 있으며 상기 기판(420)은 스테이지(410)에 고정되어 이온 빔 조사 장치의 진공 챔버(440) 안에 인입되기 전에 로딩된다.
그리고, 상기 이온 빔 조사 장치의 밸브(460)가 열리면 상기 스테이지(410)는 진공 챔버(440) 안으로 인입되어 세팅된다.
이후, 상기 스테이지(410)는 진공 챔버(440) 안에서 소정의 속도로 일 방향으로 이동되며 이때 소정 위치에서 기판(420)에 대해 소정의 각도(θ)로 기울어져 형성되어 있는 바 타입(bar-type)의 이온 건(402)에서 이온 빔(430)이 인출되어 기판(420)에 조사된다.
상기 스테이지(410)가 일정한 속도로 이동하고 있으므로 상기 기판(420)에 형성되어 있는 배향막(450)은 기판(420)으로 기울어져 조사되는 이온 빔(430)에 의해서 전면이 배향 처리되어 프리틸트각을 형성하게 된다.
상기와 같이 1차 이온 빔 조사 공정을 진행하는 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판을 살펴보면 도 7b와 같다.
기판(318) 상에 게이트 절연막(320)이 형성되어 있고, 상기 게이트 절연막 상에 공통 전극(313)이 형성되어 있고, 상기 공통 전극(313) 상에 보호막(328)이 형성되어 있다.
상기 보호막(328) 상에 상기 공통 전극(313)과 어긋나는 위치에 화소 전극(314)이 형성되어 있고, 상기 화소 전극(314) 상에 배향막(329, 도 7a에서 450)이 전면에 형성되어 있다.
이때, 상기 배향막(329)에 이온 빔(345, 도 7a에서 430)이 조사되면 전극부의 단차에 의한 테이퍼(taper)각 때문에 상기 이온 빔(345)이 닿지 않아 미배향되는 영역(A, B)이 발생하게 된다.
따라서, 상기와 같이 기판(318) 상에 1차 이온 빔 조사 공정 후, 2차 이온 빔 조사 공정을 진행한다.
도 8a는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 이온 빔 조사 장치에서 2차 이온 빔 조사 공정을 보여주는 도면이고, 도 8b는 2차 이온 빔 조사 공정으로 배향 처리되는 기판의 일부분을 보여주는 단면도이다.
도 8a 및 8b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이온 빔 조사 장치에서 기판(420)이 일방향으로 이동함에 따라 이온 빔(430)이 기판(420) 전면에 조사된다(2차 이온 빔 조사 공정).
상기 이온 빔 조사 장치 및 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판에 대해서는 앞에서 언급하였으므로, 구체적인 설명은 생략한다.
그리고, 상기 이온 빔 조사 장치에서 이온 건(402)의 방향은 기판(420)의 수직한 방향에 대해서 대칭이 되도록 한다.
따라서, 상기 2차 이온 빔 조사 공정시에 기판에 대해서 1차 이온 빔 조사 공정에서 조사되는 이온 빔의 방향과 대칭되는 방향에서 조사되도록 한다.
즉, 상기 이온 빔의 기판(420)에 대한 조사 각도는 1차 이온 빔 조사 공정에서 θ의 각도로 이루어질 경우에 2차 이온 빔 조사 공정에서는 기판(420)의 수직한 방향에 대해서 대칭된 방향에서 상기 기판(420)으로 θ의 각도로 조사될 수 있도록 한다.
이와 같이, 이온 빔 조사 장치를 이용하여 1, 2 차에 걸쳐 이온 빔 조사 공정을 진행하며, 1차 이온 빔 조사 공정시 배선, 전극 단차부에서 이온 빔이 닿지 않은 부분(A, B)은 2차 이온 빔 조사 공정에서 이온 빔 배향 처리될 수 있도록 한다.
구체적으로, 상기 이온 빔 소스(400)로부터 발생되는 이온 빔(430, 345)은 상기 이온 건(402)이 기울어진 방향으로 인출되고 소정의 각도(θ)로 기판(420) 상의 배향막(450, 329)으로 조사되어 액정 분자의 프리틸트각(pretilt angle)을 결정하게 된다.
이때, 1차 이온 빔 조사 공정에서 이온 빔이 닿지 않았던 전극부 단차에도 이온빔이 조사되어 배향막(450, 329) 전면이 균일하게 배향 처리되도록 한다.
이후, 상기 바(bar) 타입의 이온 건(402)에 의해서 기판(420) 전면에 걸쳐 배향 처리가 끝나면 상기 이온 빔 조사 장치의 밸브(460)가 열리면서 상기 스테이지(410)는 진공 챔버(440) 외부로 배출된다.
이와 같이 1, 2차 이온 빔 조사 공정을 거치면 횡전계 방식 액정 표시 장치의 기판(420) 상에 테이퍼각을 가지는 전극부 단차 부분에서 이온 빔이 닿지 않아 미배향되는 부분 없이 배향막 전면이 균일하게 배향 처리되어 배향 특성이 좋아진다.
도 9a는 본 발명에 따른 다른 실시예로서, 이온 빔 조사 장치에서 2차 이온 빔 조사 공정을 보여주는 도면이고, 도 9b는 2차 이온 빔 조사 공정으로 배향 처리되는 기판의 일부분을 보여주는 단면도이다.
도 9a 및 9b에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 이온 빔 조사 장치에서 기판(420)이 일방향으로 이동함에 따라 이온 빔(430, 345)이 기판(420) 전면에 조사된다(2차 이온 빔 조사 공정).
상기 이온 빔 조사 장치 및 횡전계 방식 액정 표시 장치용 어레이 기판에 대해서는 앞에서 언급하였으므로, 구체적인 설명은 생략한다.
그리고, 상기 이온 빔 조사 장치에서 이온 건(402)의 방향은 기판(420)의 수직한 방향에 대해서 대칭이 되도록 한다.
또한, 상기 이온 빔 조사 장치에서 상기 기판(420)과 이온 건(402) 사이에 마스크(500)를 전면 배치한다.
상기 마스크(500)는 상기 조사되는 이온 빔(430, 345)을 차단하는 차단부(500a)와, 투과하는 투과부(500b)를 가지며, 상기 투과부(500b)를 통해서 기판(318)에 조사되는 이온 빔(430, 345)은 상기 기판(420, 318)의 전극부에서 1차 이온 빔 조사 공정을 통해서 배향 처리되지 않은 부분(A,B)을 배향 처리한다.
이때, 상기 이온 빔(430, 345)의 기판(420, 318)에 대한 조사 각도는 1차 이온 빔 조사 공정에서 θ의 각도로 이루어질 경우에 2차 이온 빔 조사 공정에서는 기판의 수직한 방향에 대해서 대칭된 방향에서 상기 기판(420, 318)으로 θ의 각도로 조사될 수 있도록 한다.
이와 같이, 이온 빔 조사 장치를 이용하여 1, 2 차에 걸쳐 이온 빔 조사 공정을 진행하며, 1차 이온 빔 조사 공정시 배선, 전극 단차부에서 이온 빔이 닿지 않은 부분(A, B)은 2차 이온 빔 조사 공정에서 이온 빔 배향 처리될 수 있도록 한다.
구체적으로, 상기 이온 빔 소스(400)로부터 발생되는 이온 빔(430, 345)은 상기 이온 건(402)이 기울어진 방향으로 인출되고 소정의 각도(θ)로 기판(420) 상의 배향막(450, 329)으로 조사되어 액정 분자의 프리틸트각(pretilt angle)을 결정하게 된다.
이때, 1차 이온 빔 조사 공정에서 이온 빔이 닿지 않았던 부분(A, B)인 전극부 단차에도 이온빔(430, 345)이 조사되어 배향막(450, 329) 전면이 균일하게 배향 처리되도록 한다.
이후, 상기 바(bar) 타입의 이온 건(402)에 의해서 기판(420, 318) 전면에 걸쳐 배향 처리가 끝나면 상기 이온 빔 조사 장치의 밸브(460)가 열리면서 상기 스테이지(410)는 진공 챔버(440) 외부로 배출된다.
이와 같이 1, 2차 이온 빔 조사 공정을 거치면 횡전계 방식 액정 표시 장치의 기판 상에 테이퍼각을 가지는 전극부 단차 부분에서 이온 빔이 닿지 않아 미배향되는 부분 없이 배향막 전면이 균일하게 배향 처리되어 배향 특성이 좋아진다.
횡전계 방식 액정 표시 장치에서 테이퍼각을 가지는 단차가 형성되는 부분은 게이트 배선, 데이터 배선, 공통 전극, 화소 전극, 스토리지 전극 등이 있다.
이상 전술한 바와 같이, 횡전계방식 액정 표시 장치에서 보호막 또는 오버코트층에 이온 빔을 조사하여 배향 처리함으로써 간단하게 제작할 수 있으며, 본 발명에 따른 횡전계방식 액정 표시 장치의 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명은 횡전계 방식 액정 표시 장치를 제조하는 데 있어서, 배향막에 이온 빔을 이용하여 배향 처리시 기판에 대하여 대칭되는 양 방향에서 2회에 걸쳐 이온 빔 조사 공정을 실시하여 배향막 전면에서 안정적인 배향 특성을 가지도록 하고 액정 배향 정렬이 균일하게 이루어지도록 하여 빛샘을 방지하고 화질을 개선함으로써 제품의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.


Claims (11)

  1. 제 1 기판 상에 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하고, 제 2 기판을 준비하는 단계와;
    상기 제 1 기판 상에 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와;
    상기 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 조사 각도와 제 2 조사 각도는 기판의 수직 방향에 대해서 서로 거의 대칭되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제 1 기판 상에 제 1 전극과 제 2 전극을 형성하고, 제 2 기판을 준비하는 단계와;
    상기 제 1 기판 상에 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와;
    상기 배향막 상부에 투과부와 차단부를 가지는 마스크를 배치시키는 단계와;
    상기 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 상기 투과부를 통해 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 단차부에 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 1 조사 각도와 제 2 조사 각도는 기판의 수직 방향에 대해서 서로 거의 대칭되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제 1 기판 상에 수평 방향으로 서로 소정 간격 이격하여 게이트 배선과 공통 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 수직한 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 데이터 배선에 평행하는 복수개의 공통 전극을 형성하고, 상기 공통 전극과 엇갈려 교차하는 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 화소 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와;
    상기 제 1 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 조사 각도와 제 2 조사 각도는 기판의 수직 방향에 대해서 서로 거의 대칭되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판을 준비하는 단계에 있어서,
    제 2 기판 상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스 상에 컬러필터층을 형성하는 단계와;
    상기 컬러필터층 상에 오버코트층을 형성하는 단계와;
    상기 오버코트층 상에 제 2 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제 5항에 있어서,
    상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 액정층을 형성하고 합착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제 1 기판 상에 수평 방향으로 서로 소정 간격 이격하여 게이트 배선과 공통 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 수직한 방향으로 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 데이터 배선에 평행하는 복수개의 공통 전극을 형성하고, 상기 공통 전극과 엇갈려 교차하는 화소 전극을 형성하는 단계와;
    상기 화소 전극을 포함하는 제 1 기판 상에 제 1 배향막을 형성하는 단계와;
    상기 제 1 배향막 상에 제 1 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 1차 배향 처리하는 단계와;
    상기 제 1 배향막 상부에 투과부와 차단부를 가지는 마스크를 배치시키는 단계와;
    상기 제 1 배향막 상에 제 2 조사 각도로 이온 빔을 조사하여 상기 투과부를 통해 상기 제 1 전극과 제 2 전극의 단차부에 2차 배향 처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 1 조사 각도와 제 2 조사 각도는 기판의 수직 방향에 대해서 서로 거의 대칭되는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판을 준비하는 단계에 있어서,
    제 2 기판 상에 블랙매트릭스를 형성하는 단계와;
    상기 블랙매트릭스 상에 컬러필터층을 형성하는 단계와;
    상기 컬러필터층 상에 오버코트층을 형성하는 단계와;
    상기 오버코트층 상에 제 2 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계 방식 액정 표시 장치의 제조 방법.
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