CN100523957C - 液晶显示器件及制造该液晶显示器件的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种能够通过对液晶进行一致的配向而提高图像质量和孔径比的液晶显示器件及其制造方法。第一离子束以第一方向照射到形成在基板上的配向层上，第二离子束以第二方向照射到配向层上，所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线对称或不对称。因而，可以一致地对配向层的整个表面进行配向。结果，可以防止漏光，并因此可以提高图像质量。此外，可以减少黑底的裕度，从而增加孔径比。

Description

液晶显示器件及制造该液晶显示器件的方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器件，更具体地，涉及一种能够提高图像质量和孔径比的液晶显示器件及其制造方法。
背景技术
在屏幕上显示图像数据的图像显示器件中，曾经使用最广的是阴极射线管(CRT)。然而，CRT相对于其显示面积来说大而笨重。因此，使用CRT很不方便。
随着电子工业的发展，近来，原本仅限于在TV屏幕中使用的显示器件现在被用于个人计算机、笔记本计算机、移动终端、仪表板(dashboard)、电子显示板等上。另外，随着信息通信技术的发展，已经可以传送大容量的图像信息。因此，能够处理和表现大容量的图像信息的下一代平板显示器件变得越来越重要。
下一代平板显示器件必须重量轻、成本低体积小、亮度高、屏幕大、功耗低。其中，液晶显示器件(LCD)受到了关注。
与其它任何平板显示器件相比，LCD具有较好的分辨率。在显示运动图片方面，LCD的快速响应时间可以与CRT的相媲美。
如所公知的，使用液晶的光学各向异性和极化作用来驱动LCD。
由于液晶具有薄而长的结构，因而，在分子排列上具有方向性。可以通过向液晶施加电场来控制分子排列的方向性。
因而，如果分子结构的方向性是随意控制的，则分子排列改变，并因此可随意调节因光学各向异性而偏振的光。以这种方式，显示了图像信息。
有源矩阵LCD(AM LCD)分辨率高、并具有良好的运动图像再现性。在AM LCD中，薄膜晶体管(TFT)和与之相连的像素电极以矩阵的形式排列。
下面描述确定AM LCD中的液晶分子的初始排列方向的配向层的形成工艺。
首先，涂覆聚合体薄膜并在固定方向上排列配向层。
配向层通常由基于聚酰亚胺的有机材料形成，摩擦法是排列配向层所最广泛使用的方法。
在摩擦法中，在基板上涂覆基于聚酰亚胺的有机材料，并在60—80℃下去除溶剂之后对基于聚酰亚胺的有机材料进行排列。随后，在80—200℃下硬化该基于聚酰亚胺的有机材料，从而形成聚酰亚胺配向层。使用缠绕着丝绒(velvet)的摩擦布对该配向层进行摩擦。以这种方式，形成各种配向。
由于摩擦法适合于配向工艺，因而适于大规模生产，并能够提供稳定的配向。
然而，由于摩擦法通过摩擦布和配向层之间的直接接触来完成，因而单元可能被微粒污染，并且可能损坏基板上的TFT。此外，在摩擦之后，还需要附加的清洁工艺，在应用于大尺寸LCD时，可能出现配向的不一致。结果，降低了LCD的生产率。
为解决摩擦法的这些问题，提出了不使用机械摩擦方法的非摩擦技术。
非摩擦技术的示例包括使用Langmuir-Blodgett膜(朗缪尔一布拉格特膜，LB膜)的方法、使用UV(紫外)照射的光学配向法、使用SiO2倾斜淀积的方法、使用由光刻形成的微槽的方法、以及使用离子束照射的方法。
使用离子束的方法可以解决机械摩擦法的问题，并能够照样使用现存的配向材料。因此，该方法适于在大尺寸LCD中使用。
图1是用于形成现有技术配向层的离子束照射装置的示意图。
参照图1，该离子束照射装置被分为三个区，也就是：第一区103，在该区中，所注入的气体被离子化为离子和电子，从而形成等离子体；第二区106，通过该区，所述离子被加速成束；以及第三区111，在该区中，经加速的离子束110被发射并到达基板120。
被注入的气体在区域103中被离子化成离子，并在该区中形成等离子体，这些离子被加速并被照射到基板120上。
也就是说，该离子束照射装置包括；离子束源100、真空容器140和支架121。离子束源100具有阴极101、阳极102、离子束发射介质104和离子束加速介质105。真空容器140使得从离子束源100生成的离子束110可以无明显偏离地照射到基板120上。此外，支架121将基板120以固定的角度固定在该真空容器内。
虽然没有示出，但可以在离子束源100和基板120之间提供遮挡板(shutter)，以控制离子束110对基板120的照射时间。
离子束源100生成离子和离子束。由于阴极101和阳极102之间的电压差，所注入的气体被离子化，从而生成包含电子和离子的等离子体。包含在等离子体中的离子穿过离子束发射介质104，从而发射离子束110。
从被放电的等离子体发射的离子束由于施加到离子束加速梁105上的电场的作用而被加速。因此，离子束以固定的角度照射到基板120上。
此时，基板120相对于所照射的离子束110成预定角度倾斜。因此，使用离子束110，可以在涂覆于基板120上的配向层上形成所期望的配向方向，并能够形成预倾斜角(pretilt angle)。
与此类似，在与离子束源100相垂直的方向上发射来自离子束源100的离子束110，并且液晶分子的预倾斜角由相对基板120(其以预定角度θ1倾斜)的配向层的照射角θ2决定。此处，θ1＝θ2。
照射角θ2表示离子束110的照射方向和基板120的法线方向之间的角。照射角θ2和预倾斜角之间的关系在图2中示出。
参照图2，预倾斜角随着离子束的照射角不同而具有不同的特性。当离子束的照射角在40—60°的范围之内时，液晶分子具有5°的最大预倾斜角。当照射角在40—60°的范围之外时，液晶分子具有小于5°的预倾斜角。
因而，为了在LCD中获得所需的预倾斜角，具有合适的照射角的离子束必须以相同的能量照射在基板的配向层的整个表面上。
然而，如图2所示，预倾斜角随着离子束的照射角不同而具有不同的特性。因而，必须照射统一的离子束能量来获得所需的预倾斜角。
为了照射一致的离子束能量，从离子束被发射的位置到基板之间的距离必须足够长。随着基板的尺寸变得更大，其长度变得更长。结果该装置的尺寸成指数增加。
扭转向列(TN)LCD被广泛使用。在TN LCD中，电极分别形成在两个基板上。液晶指向矢(director)被排列为扭转90°，随后，通过对这些电极施加预定的电压来驱动该液晶指向矢。
然而，TN LCD的最大问题是视角较小。
为解决该视角小的问题，开发了新型的LCD。新型LCD的示例是板内切换型(IPS)LCD和光学补偿双折射(OCB)型LCD。
在IPS LCD中，公共电极和像素电极一起形成在同一基板的像素区，以在液晶分子相对于基板保持水平的状态下驱动液晶分子。通过在该公共电极和像素电极之间施加预定电压，在水平于该基板的方向生成电场。也就是说，液晶分子的主轴是平的而不是竖直的。
因为这个原因，液晶的双折射相对于观看方向的变化很小，因此IPSLCD的视角好于TN LCD的视角。
然而，在IPS LCD中，公共电极和像素电极以及选通线和数据线会导致台阶。因而，当以固定方向照射离子束而排列配向层时，所照射的离子束不能到达所述台阶附近的特定区域，从而不能对该特定区域进行配向。
离子束相对于基板以预定角度倾斜。因此，在台阶区(例如公共电极和像素电极以及导线处)，离子束不能照射到与离子束的照射方向相对布置的台阶的侧面及其相邻区域。
同时，在TN LCD、垂直配向(VA)LCD、以及OCB LCD中也会出现台阶区域的配向特性劣化的问题。
图3的局部剖视图示出了将离子束照射到形成在现有技术的IPS LCD中的公共电极和像素电极上的配向层上的工艺。
参照图3，在基板200上形成公共电极217，并在公共电极217上形成栅绝缘层251和钝化层253。
在栅绝缘层251和钝化层253之间形成数据线210。
虽然在图3中未示出，但在基板200上形成有选通线。选通线和数据线210相互交叉来定义像素区。
在钝化层253上形成像素电极230。像素电极230不与公共电极217相交叠。配向层255形成在钝化层253和像素电极230上。
在使用离子束245的配向层255的配向工艺中，由公共电极217、像素电极230、数据线210和选通线(未示出)形成了台阶差。因而，由于台阶差的锥角(taper angle)，以特定角度照射的离子束245不能到达区域A、B和C。
如图3所示，当相对基板200成角度θ地照射离子束245时，由于电极和线之间的台阶差，离子束不能到达区域A、B和C。在这些区域A、B和C中不能实现配向，并因此不会排列液晶。结果，在像素区中发生漏光，导致对比度下降。
此外，在液晶因导线的台阶差而未均匀排列的区域中，出现漏光。要防止漏光就要增加黑底的宽度，从而使孔径比下降。
发明内容
因而，本发明旨在一种基本上消除了由于现有技术的缺点和局限而导致的一个或更多个问题的LCD及其制造方法。
本发明的一个优点是提供了一种能够通过一致地配向液晶而提高图像质量的LCD，以及制造该LCD的方法。
本发明的另一个优点是提供了一种通过一致地配向液晶而能够防止漏光从而提高孔径比的LCD，以及制造该LCD的方法。
本发明的另外的优点和特征部分地在以下的说明中阐明，并且部分地通过本领域普通技术人员对于下面说明的研究而显而易见，或通过对本发明的实践而习得。由所撰写的说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构，可以实现和获得本发明的目的和优点。
为了实现这些和其它优点，并根据本发明的目的，如本文具体实现和广义描述的，提供了一种LCD，包括：第一基板；第一基板上的配向层，通过以第一方向和第二方向对所述第一基板照射离子束而配向所述配向层；与所述第一基板相面对的第二基板；以及插入在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，其中，所述第一方向的离子束照射所述第一基板的台阶部分的一侧，所述第二方向的离子束照射所述台阶部分的另一侧。
在本发明的另一方面，提供了一种用于制造LCD的方法，该LCD包括第一基板和第二基板，以及插入在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述方法包括：在所述第一基板上形成配向层；通过以相对所述第一基板成第一预定角度倾斜的第一方向将第一离子束照射到配向层上来对所述配向层执行第一配向工艺；以及通过以相对所述第一基板成第二预定角度倾斜的第二方向将第二离子束照射到配向层上来对所述配向层执行第二配向工艺，其中，所述第一方向的离子束照射所述第一基板的台阶部分的一侧，所述第二方向的离子束照射所述台阶部分的另一侧。
在本发明的再一方面，提供了一种制造LCD的方法，该LCD包括第一基板和第二基板，以及插入在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述方法包括：在所述第一基板上形成配向层；通过以相对所述第一基板成第一预定角度倾斜的第一方向将第一离子束照射到所述配向层上来对所述配向层执行第一配向工艺；在第一基板上布置包括遮挡部分和透射部分的掩膜(mask)；以及通过以相对所述第一基板成第二预定角度倾斜的第二方向将第二离子束照射到所述配向层上来对所述配向层执行第二配向工艺，其中，所述第一方向的离子束照射所述第一基板的台阶部分的一侧，所述第二方向的离子束照射所述台阶部分的另一侧。
在本发明的又一方面，提供了一种制造LCD的方法，包括：在所述第一基板上形成配向层；在所述第一基板上布置包括遮挡部分和透射部分的掩膜；通过以相对所述第一基板成第一预定角度倾斜的第一方向将第一离子束照射到所述配向层上来对所述配向层执行第一配向工艺；移去掩膜；以及通过以相对所述第一基板成第二预定角度倾斜的第二方向将第二离子束照射到配向层上来对所述配向层执行第二配向工艺，其中，所述第一方向的离子束照射所述第一基板的台阶部分的一侧，所述第二方向的离子束照射所述台阶部分的另一侧。
穿透所述透射部分的离子束对应于所述第一基板上的所述台阶部分。
因而，配向层的整个表面可以被一致地配向，并因此可以防止漏光。结果，可以改善LCD的图像质量和增加孔径比。
应该理解，本发明前面的一般说明和后面的详细说明都是示例性和解释性的，并旨在对所要求的本发明提供进一步的解释。
附图说明
所包括的附图用于进一步理解本发明，其被并入并构成了本申请的一部分，示出了本发明的实施例，并与文字说明一起解释本发明的原理。
在附图中：
图1是用于形成现有技术配向层的离子束照射装置的示意图；
图2是示出了离子束照射角θ2和图1所示的预倾斜角之间的关系的曲线图；
图3是示出了将离子束照射到形成在现有技术的IPS LCD中的公共电极和像素电极上的配向层上的工艺的局部剖视图；
图4是示出了依据本发明的实施例的IPS LCD的阵列基板的平面图；
图5是沿图4的线I-I’和II-II’的截面图；
图6是示出了依据本发明的实施例的制造IPS LCD的方法的流程图；
图7A是示出了依据本发明实施例的第一离子束照射工艺的图；
图7B是示出了依据本发明另一实施例的第一离子束照射工艺的图；
图7C是示出了通过图7A或图7B的第一离子束照射工艺所配向的基板的剖视图；
图8A是示出了依据本发明第一实施例的第二离子束照射工艺的图；
图8B是示出了通过图8A中的第二离子束照射工艺配向的基板的截面图；
图9A是示出了依据本发明第二实施例的第二离子束照射工艺的图；以及
图9B是示出了通过图9A中的第二离子束照射工艺配向的基板的截面图。
具体实施方式
现在详细说明本发明的实施例，其示例在附图中示出。只要可能，在整个附图中，相同的附图标记用于指代相同或类似的部件。
本发明不仅可以应用于IPS LCD，而且可以应用于各种模式的LCD，例如TN LCD、VA LCD、OCB LCD以及电控双折射(ECB)LCD等。也就是说，应该注意到，本发明不限于IPS LCD。
图4是示出了依据本发明的实施例的IPS LCD的阵列基板的平面图，图5是沿图4的线I-I’和II-II’的截面图。
参照图4和图5，第一基板318包括：相互平行并彼此分开预定距离的多条选通线312；平行地靠近选通线312排列的多条公共线311；以及与选通线312交叉布置从而限定了像素区P的多条数据线310。
薄膜晶体管(TFT)被布置在选通线312和数据线310的交叉处。该TFT包括栅极309、半导体层315、源极316和漏极317。源极316与数据线310相连接，而栅极309与选通线312相连接。
在源极316和漏极317之间形成的沟道可以具有各种形状，包括直线形、U形等。
在像素区P上形成像素电极314和公共电极313。
像素电极314包括多个垂直部分314b和第一水平部分314a。垂直部分314b从与漏极317相接触的第二水平部分314c延伸出，基本上平行于数据线310，并相互隔开预定的距离。第一水平部分314a与垂直部分314b公共连接。
公共电极313包括多个垂直部分313b和水平部分313a。垂直部分313b从公共线311垂直向下延伸(在图中的情况)，并被设置与垂直部分314b基本平行并相互交替(alternate)。水平部分313a与垂直部分313b公共连接，像素电极314与漏极317相连接，公共电极313的垂直部分313b与像素电极314的垂直部分314b平行排列，并与公共线311相连接。
像素电极314的水平部分314a形成在公共线311的一部分上，其间插入有栅绝缘层320，从而形成存储电容C。
公共电极313的垂直部分313b和像素电极314的垂直部分314b可以形成为具有至少一个经弯折部分(bent portion)的之字形形状。此外，数据线310也可以形成为与公共电极313和像素电极314基本平行的之字形形状。
参照图5，第一和第二基板318和319连接在一起，在基板318和319之间的空间中提供液晶以在其间形成液晶层330。在第一基板318上淀积金属材料，并将所得结构构图，从而形成多条选通线和从选通线向外伸出的位置对应于TFT的栅极309。
在第一基板318的整个表面上形成栅绝缘层320以覆盖栅极309，并在栅绝缘层320上形成包括有源层315a和欧姆接触层315b的半导体层315。
在栅绝缘层320上形成多条数据线310，这些数据线与选通线一起形成矩阵结构。
此时，可以与数据线310同时形成TFT的源极316和漏极317。
形成基本平行于选通线的公共线311。
在第一基板318的整个表面上形成钝化层328以覆盖所得的结构。
像素电极314与漏极317电连接，并与数据线310基本平行。
在第一基板318的整个表面上形成第一配向层329以覆盖所得的结构。
同时，在第二基板319上形成用于防止漏光的黑底321，并在黑底321之间形成R/G/B(红/绿/蓝)滤色器层322。
在滤色器层322上形成外覆层323，以使所得的表面平坦化，并保护滤色器层322。
在外敷层323上形成第二配向层326。
图6是示出了制造依据本发明的实施例的IPS LCD的方法的流程图。
参照图5和图6，在步骤S100中制造上下基板。
在步骤S110，执行清洁工艺以去除基板上的异物。在步骤S120中，通过使用配向层印刷设备，在基板上印刷聚酰亚胺(PI)以形成配向层。
此后，进行配向层固化工艺来干燥和硬化所印刷的PI的溶剂。
在步骤S130，使用离子束照射装置对配向层的被加热过的表面照射第一离子束。以相对基板成预定角度的第一方向照射第一离子束。在步骤S140，对基板照射第二离子束。第二离子束在与第一方向不同的第二方向上照射。
上述照射步骤用于对配向层执行配向工艺。例如，第一方向和第二方向可以相对于与基板垂直的线对称或不对称。例如，当第一离子束以相对基板成45°角照射时，第二离子束可以相对基板成135°角照射。同时，可以在基板上布置有掩膜的情况下照射第二离子束，从而不会照射到第一离子束已经照射过的表面部分。
此外，可以在基板上布置有掩膜的情况下在第一方向上照射第一离子束，以对线区或电极区的台阶部分执行配向工艺，随后在第二方向上照射第二离子束，以对基板的整个表面执行配向工艺。
在步骤S140之后，上下基板被连接在一起，和/或在连接后的基板之间的空间中形成液晶层。
换句话说，在步骤S140的配向之后，在步骤S151将上下基板连接在一起。具体地，在本发明的一个实施例中，首先在上基板的边缘形成用作粘合剂的密封图案，并留有液晶注入孔，并在下基板上散布间隔体。此后，上基板和下基板以几微米的精度连接在一起，以防止漏光。此后，连接后的基板被分割成具有预定尺寸的单位单元。单元分割工艺包括：在上基板和下基板上形成线的划线操作；以及通过对所划的线进行冲击而将连接后的基板裂分为单位单元的裂分操作(break operation)。最后，在步骤S153，通过注入孔将液晶注入切割后的基板之间的空间中，并密封该注入孔，从而完成所需的LCD。
另选地，在本发明的另一方面，可以通过液晶配送工艺形成液晶层。具体地，在步骤S140中形成配向层之后，在步骤S161将液晶配送到基板上，形成密封图案，随后散布间隔体。此后，在步骤S163将上下基板连接在一起，并将连接后的基板分割成单位单元，从而完成该LCD。
如上所述，执行第一和第二离子束照射工艺以基本上对基板的整个区域完成配向层的配向。
相对于与基板基本垂直的线，第二离子束的照射方向可以与第一离子束的照射方向相对称。
例如，当第一离子束的照射方向相对于基板倾斜角度“θ”时，第二离子束的照射方向可相对于基板倾斜大约相反的角度“-θ”。
图7到图9的图示出了在依据本发明的LCD制造方法中对配向层的配向工艺。
图7A是示出了依据本发明第一实施例的第一离子束照射工艺的图。
参照图7A，随着基板420在离子束照射装置中在预定的方向上移动，离子束430照射在基板420的整个表面上(第一离子束照射工艺)。
该离子束照射装置包括：离子束源400，用于将注入的气体电离成离子，加速这些离子，并将加速过的离子照射到基板420上；真空室440，用于将来自离子束源400的离子束430直接引导到基板420上；平台410，用于在其上固定安装基板420；以及阀460，用于在预定的方向(例如水平方向)上移动平台410，并在离子束照射操作完成时排出气体。
离子束源400包括：等离子体形成单元401，用于将所注入的气体分成离子和电子以形成等离子体；离子枪402，用于加速离子束430，并将加速过的离子束照射到基板420上。
虽然图7A中未示出，但可以在离子束源400和基板420之间分立地提供用于调节离子束430对基板420的照射期间的遮挡板以及用于调节离子束430的照射量的掩膜。
在基板420上淀积配向层450。配向层450可以由聚酰亚胺、SiO2、SiC、Si3N4、Al2O3、CeO2、SnO2、玻璃、ZnTiO2、类金刚石碳(DLC)等形成。
离子束源400生成离子束430。具体地，所注入的气体被阴极和阳极之间的电压差所电离，从而生成包括离子和电子的等离子体，离子被提取电极从所生成的等离子体中提取出来，所提取出来的离子以离子束430的形式通过离子枪402发射出去。
所发射的离子束430被电场加速，并随后以相对基板420成预定角度θ地照射到基板420上。
为此目的，离子枪420相对固定安装在工作台上的基板420成预定的角度倾斜。另选地，如图7B所示，工作台410可相对于离子枪402倾斜。此外，平台410可以是可移动的，从而可以调节倾斜度。
由于其上固定安装基板420的平台410以预定的速度在预定的方向上移动，所以离子束430可以照射到形成在基板420上的配向层450的整个表面上。
因而，所照射的离子束430使得可以形成具有期望的配向方向和预倾斜角的配向层450。
配向层由诸如聚酰亚胺的有机材料形成。该有机材料包括主链和侧链。
主链用于在预定的方向上配向液晶分子，侧链用于形成预倾斜角。
具体地，主链的特定部分被所照射的离子束430断开，从而配向液晶分子。
所照射的离子束430以相对配向层450成预定角度θ地照射到配向层450上，从而形成液晶分子的预倾斜角。
下面将详细描述第一离子束照射工艺。
第一离子束照射工艺包括：将其上形成有配向层450的基板420装上工作台410的操作；将工作台410移入真空室440并对安装在工作台410上的基板420照射离子束430的操作；在离子束430完成对形成在基板420上的配向层450的整个表面的照射之后将工作台410移出真空室440的操作。
具体地，在工作台410被移入真空室440之前，将基板420装到工作台410上。此后，当阀460打开时，将工作台410移入真空室440。此后，工作台410在真空室440中以预定的速度在预定的方向上移动。此时，通过与基板420成预定角度θ的杆型离子枪(bar-type ion gun)402将离子束430照射到基板420上。因而，离子束430被照射在形成在基板420上的配向层450的整个表面上，从而形成该配向方向和预倾斜角的液晶分子。另选地，可以在整个配向过程中在基板上扫描离子束，而不是以一次发射(one time shot)的方式照射。
图7C是示出了通过图7A的第一离子束照射工艺配向的基板的剖视图。
参照图7B，在基板318上形成了公共电极313，并在公共电极313上形成了栅绝缘层320和钝化层328。
在栅绝缘层320和钝化层328之间形成数据线310。
像素电极314形成在钝化层328上。像素电极314不与公共电极313相交叠。配向层329(图7A中的450)形成在钝化层328和像素电极314上。
在使用离子束345(图7A中为430)的配向层329的配向工艺中，在公共电极313和像素电极314处形成台阶差。因而，由于台阶差的锥角，照射在配向层329上的离子束345(图7A中为430)不能达到区域D和E。
此外，在数据线310处形成台阶差。因而，由于台阶差的锥角，照射在配向层329上的离子束345不能达到区域F。
因而，在第一离子束照射工艺之后，进行第二离子束照射工艺以配向未被配向的区域D、E和F。
图8A是示出了依据本发明第一实施例的第二离子束照射工艺的图；图8B是示出了通过图8A中的第二离子束照射工艺配向的基板的截面图。
参照图8A和图8B，随着基板420在离子束照射装置中在预定的方向上移动，离子束430照射在基板420的整个表面上(第二离子束照射工艺)。
离子束照射设备和基板420与图7A、图7B和图7C中所示的相同，因此为了简明，省略了对它们的详细描述。
离子枪402被倾斜为使得第二离子束的照射方向与第一离子束的照射方向相对于与基板相垂直的线基本对称。
例如，当第一离子束的照射方向与基板成“θ”角倾斜时，第二离子束的照射方向可以与基板成大约相反的角度“-θ”倾斜。
因而，第二离子束照射工艺使得可以配向在第一离子束照射工艺中未能配向的区域D、E和F。
具体地，离子束430(图8B中为345)以与配向层450成预定角度θ地照射在配向层450上，从而形成液晶分子的预倾斜角。
此时，离子束345照射在第一离子束照射工艺期间未能配向的区域D、E和F上，从而可以对配向层329(图8A中的450)的整个表面进行一致的配向。
在完成第二离子束照射工艺之后，阀460打开，并将工作台410从真空室440中移出。
配向层的一致配向使得可以防止漏光并可因此增加孔径比。
图9A是示出了依据本发明第二实施例的第二离子束照射工艺的图；图9B是通过图9A中的第二离子束照射工艺配向的基板的截面图。
参照图9A和图9B，随着基板420在离子束照射装置中在预定的方向上移动，离子束430(图9B中为345)照射在基板420的整个表面上(第二离子束照射工艺)。
离子束照射设备和基板与图7A和图7B中所示的相同，因此为了简明，省略了对它们的详细描述。
离子枪402被倾斜为使得第二离子束的照射方向与第一离子束的照射方向相对于与基板相垂直的线对称。
此外，在基板420和离子枪402之间布置掩膜500。
掩膜500包括阻挡离子束的遮挡部分500a和透射离子束345的透射部分500b。离子束345穿过透射部分500b，并照射在基板318的区域D、E和F上，从而对区域D、E和F进行配向。
在与第一方向不同的第二方向上照射第二离子束。
如，相对于与基板垂直的线，第一方向和第二方向可以对称或不对称。例如，当第一离子束以相对基板成45°角地照射时，第二离子束可以相对基板成135°角照射。
因而，第二离子束照射工艺使得可以对在第一离子束照射工艺期间未能配向的区域D、E和F进行配向。
具体地，离子束430(图8B中为345)以相对配向层450成预定角θ地照射在配向层450上，从而形成液晶分子的预倾斜角。
此时，离子束345照射在第一离子束照射工艺期间未能配向的区域D、E和F上，从而可以对配向层329(图8A中的450)的整个表面进行一致的配向。
在完成第二离子束照射工艺之后，阀460打开，并将工作台410从真空室440中移出。
配向层的一致配向使得可以防止漏光并可因此增加孔径比。结果，可以极大地提高LCD的图像质量。
在选通线、数据线、公共电极、像素电极、存储电极等处可能形成具有锥角的台阶部分。
该LCD不仅可以是IPS LCD，而且可以是各种类型的LCD，例如TN LCD、VA LCD、OCB LCD以及ECB LCD等。
通过将离子束照射到钝化层或外敷层上，可以很容易地进行配向工艺。
如上所述，对配向层执行第一离子束照射和第二离子束照射，可以对配向层的整个表面进行一致的配向。因而，可以防止漏光，并因此可以提高图像质量及产品可靠性。
此外，可以减少黑底裕度，从而可以提高孔径比。
对于本领域技术人员来说，很明显可以对本发明进行各种变型和改变。因而，本发明旨在覆盖本发明的这些变型和改变，只要它们在所附的权利要求及其等同的范围内。
本申请要求2004年10月12日提交的第2004—81270号韩国专利申请的优先权，通过引用将其合并在本文中，如同在本文中完全阐明一样。

Claims (56)

1、一种液晶显示器件，该液晶显示器件包括：
第一基板；
所述第一基板上的配向层，通过以第一方向和第二方向对所述第一基板照射离子束而配向所述配向层；
面向所述第一基板的第二基板；以及
插入在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，
其中，所述第一方向的离子束照射所述第一基板的台阶部分的一侧，所述第二方向的离子束照射所述台阶部分的另一侧。
2、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，在所述第一基板上形成有第一电极和第二电极。
3、根据权利要求2所述的液晶显示器件，其中，所述第一电极和第二电极形成为被弯折的结构。
4、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，选通线和数据线以相互交叉的方式形成在所述第一基板上。
5、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，以第一方向和第二方向照射的离子束照射在第一基板的整个表面上。
6、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，以第一方向照射的离子束照射在第一基板的整个表面上，以第二方向照射的离子束照射在第一基板的部分表面上。
7、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线对称。
8、根据权利要求1所述的液晶显示器件，其中，所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线不对称。
9、一种用于制造液晶显示器件的方法，该液晶显示器件包括第一基板和第二基板，以及插入在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述方法包括：
在所述第一基板上形成配向层；
通过以相对所述第一基板成第一预定角度倾斜的第一方向将第一离子束照射到配向层上来对所述配向层执行第一配向工艺；以及
通过以相对所述第一基板成第二预定角度倾斜的第二方向将第二离子束照射到配向层上来对所述配向层执行第二配向工艺，
其中，所述第一方向的离子束照射所述第一基板的台阶部分的一侧，所述第二方向的离子束照射所述台阶部分的另一侧。
10、根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括在形成所述配向层之前，在所述第一基板上形成第一电极和第二电极。
11、根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将所述第一基板和第二基板连接在一起；以及
将液晶注入连接后的第一基板和第二基板之间的空间以形成液晶层。
12、根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将液晶配送到所述第一基板和第二基板之一上；
将所述第一基板和第二基板连接在一起。
13、根据权利要求9所述的方法，其中所述第一配向工艺包括：
将第一基板布置为使得来自离子束照射装置的第一离子束在第一方向上照射；以及
将第一离子束以第一方向照射在第一基板上。
14、根据权利要求9所述的方法，其中所述第二配向工艺包括：
将第一基板布置为使得来自离子束照射装置的第二离子束在第二方向上照射；以及
将第二离子束以第二方向照射在第一基板上。
15、根据权利要求9所述的方法，其中所述第一方向和第二方向相对于与第一基板垂直的线对称。
16、根据权利要求9所述的方法，其中所述第一离子束的照射角与第二离子束的照射角不同。
17、根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电极是像素电极而第二电极是公共电极。
18、根据权利要求10所述的方法，其中所述第一电极和第二电极被形成为经弯折的结构。
19、根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：
在所述第二基板上形成黑底；
在所述黑底上形成滤色器层；
在所述滤色器层上形成外敷层；以及
在所述外敷层上形成配向层。
20、一种制造液晶显示器件的方法，该液晶显示器件包括第一基板和第二基板，以及插入在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述方法包括：
在所述第一基板上形成配向层；
通过以相对所述第一基板成第一预定角度倾斜的第一方向将第一离子束照射到所述配向层上来对所述配向层执行第一配向工艺；
在第一基板上布置包括遮挡部分和透射部分的掩膜；以及
通过以相对所述第一基板成第二预定角度倾斜的第二方向将第二离子束照射到配向层上来对所述配向层执行第二配向工艺，
其中，所述第一方向的离子束照射所述第一基板的台阶部分的一侧，所述第二方向的离子束照射所述台阶部分的另一侧。
21、根据权利要求20所述的方法，其中，穿过所述透射部分的离子束对应于所述第一基板上的所述台阶部分。
22、根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括在形成所述配向层之前：在所述第一基板上形成第一电极和第二电极。
23、根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将所述第一基板和第二基板连接在一起；以及
将液晶注入连接后的所述第一基板和第二基板之间的空间以形成液晶层。
24、根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将液晶配送到所述第一基板和第二基板之一上；以及
将所述第一基板和第二基板连接在一起。
25、根据权利要求20所述的方法，其中所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线对称。
26、根据权利要求20所述的方法，其中所述第一离子束的照射角与所述第二离子束的照射角不同。
27、根据权利要求22所述的方法，其中所述第一电极是像素电极而所述第二电极是公共电极。
28、根据权利要求22所述的方法，其中所述第一电极和第二电极形成为经弯折的结构。
29、根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括：
在所述第二基板上形成黑底；
在所述黑底上形成滤色器层；
在所述滤色器层上形成外敷层；以及
在所述外敷层上形成配向层。
30、根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括：
在第一基板上在水平方向上形成选通线和公共线，所述选通线和公共线相互分开预定的距离；
在与所述选通线交叉的方向上形成数据线；
形成基本平行于所述数据线的多条公共电极；以及
形成与所述公共电极相交替的多条像素电极。
31、根据权利要求30所述的方法，所述方法还包括：
在与所述第一基板相面对的第二基板上形成黑底；
在所述黑底上形成滤色器层；
在所述滤色器层上形成外敷层；以及
在所述外敷层上形成第二配向层。
32、根据权利要求30所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将所述第一基板和第二基板连接在一起；以及
将液晶注入连接后的所述第一基板和第二基板之间的空间以形成液晶层。
33、根据权利要求30所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将液晶配送到所述第一基板和第二基板之一上；以及
将所述第一基板和第二基板连接在一起。
34、根据权利要求30所述的方法，其中所述第一方向与所述第二方向不同。
35、根据权利要求30所述的方法，其中所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线对称。
36、根据权利要求30所述的方法，其中所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线不对称。
37、根据权利要求30所述的方法，其中所述第一离子束的照射角与所述第二离子束的照射角不同。
38、根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括：
在第一基板上在水平方向形成选通线和公共线，所述选通线和公共线相互分开预定的距离；
在与所述选通线交叉的方向上形成数据线；
形成基本平行于所述数据线的多条公共电极；以及
形成与所述公共电极相交替的多条像素电极。
39、根据权利要求38所述的方法，其中，穿过所述透射部分的离子束对应于所述第一基板上的所述台阶部分。
40、根据权利要求38所述的方法，所述方法还包括：
在与所述第一基板相面对的第二基板上形成黑底；
在所述黑底上形成滤色器层；
在所述滤色器层上形成外敷层；以及
在所述外敷层上形成第二配向层。
41、根据权利要求38所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将所述第一基板和第二基板连接在一起；以及
将液晶注入连接后的所述第一基板和第二基板之间的空间以形成液晶层。
42、根据权利要求38所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将液晶配送到所述第一基板和第二基板之一上；以及
将所述第一基板和第二基板连接在一起。
43、根据权利要求38所述的方法，其中所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线对称。
44、根据权利要求38所述的方法，其中所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线不对称。
45、根据权利要求38所述的方法，其中所述第一离子束的照射角与所述第二离子束的照射角不同。
46、一种制造液晶显示器件的方法，该液晶显示器件包括第一基板和第二基板，以及插入在所述第一基板和第二基板之间的液晶层，所述方法包括：
在所述第一基板上形成配向层；
在所述第一基板上布置包括遮挡部分和透射部分的掩膜；
通过以相对所述第一基板成第一预定角度倾斜的第一方向将第一离子束照射到所述配向层上来对所述配向层执行第一配向工艺；
移去所述掩膜；以及
通过以相对所述第一基板成第二预定角度倾斜的第二方向将第二离子束照射到配向层上来对所述配向层执行第二配向工艺，
其中，所述第一方向的离子束照射所述第一基板的台阶部分的一侧，所述第二方向的离子束照射所述台阶部分的另一侧。
47、根据权利要求46所述的方法，其中，穿过所述透射部分的离子束对应于所述第一基板上的所述台阶部分。
48、根据权利要求46所述的方法，所述方法还包括在形成所述配向层之前，在所述第一基板上形成第一电极和第二电极。
49、根据权利要求46所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将所述第一基板和第二基板连接在一起；以及
将液晶注入连接后的所述第一基板和第二基板之间的空间以形成液晶层。
50、根据权利要求46所述的方法，所述方法还包括在第二配向工艺之后：
将液晶配送到所述第一基板和第二基板之一上；以及
将所述第一基板和第二基板连接在一起。
51、根据权利要求46所述的方法，其中所述第一方向和第二方向相对于与所述第一基板垂直的线对称。
52、根据权利要求46所述的方法，其中所述第一离子束的照射角与第二离子束的照射角不同。
53、根据权利要求48所述的方法，其中所述第一电极是像素电极而所述第二电极是公共电极。
54、根据权利要求48所述的方法，其中所述第一电极和第二电极形成为经弯折的结构。
55、根据权利要求46所述的方法，所述方法还包括；
在所述第二基板上形成黑底；
在所述黑底上形成滤色器层；
在所述滤色器层上形成外敷层；以及
在所述外敷层上形成配向层。
56、根据权利要求46所述的方法，所述方法还包括：
在第一基板上在水平方向上形成选通线和公共线，所述选通线和公共线相互分开预定的距离；
在与所述选通线交叉的方向上形成数据线；
形成基本平行于所述数据线的多条公共电极；以及
形成与所述公共电极相交替的多条像素电极。
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