CN103926733B - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

一种液晶显示装置，包括阵列基板、彩膜基板、以及夹设在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板包括第一透明基底以及形成在所述第一透明基底上的像素电极、绝缘保护层、第一公共电极以及第一配向层，所述像素电极与所述第一公共电极之间通过所述绝缘保护层电性绝缘，所述第一公共电极位于所述像素电极上方，所述第一配向层形成在所述绝缘保护层上并覆盖所述第一公共电极，所述彩膜基板包括第二透明基底以及形成在所述第二透明基底上的遮光矩阵以及第二公共电极，所述绝缘保护层在与所述遮光矩阵相对应的位置上形成有通孔，所述通孔贯穿所述绝缘保护层并将所述像素电极露出，所述第一配向层填入所述通孔内并与所述像素电极接触。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种液晶显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)因具有低辐射性、厚度薄和耗电低等特点而被广泛应用于平板显示领域中。最初，绝大多数桌面TFT-LCD都是采用TN(Twisted Nematic，扭转向列)模式，然而，TN型液晶显示器的像素电极和公共电极是分别形成在上下两个基板上，其视角范围比较小。

为了解决视角问题，业界提出了采用IPS（In-Plane Switch，面内切换）模式、FFS（Fringe Field Switching，边缘电场开关）模式等广视角技术的液晶显示器。另外，申请号为CN201310188430.6（公开号为CN103268042A）的中国专利申请在此基础上进一步地研发出了PET（Pattern Enhanced Twist，扭曲排列增强结构型）广视角技术，其具有较广的视角以及较低的操作电压。PET技术采用特殊的三电极结构，即像素电极和其中一个公共电极（第一公共电极）位于下方的阵列基板的不同层且第一公共电极位于像素电极上方，另外一个公共电极（第二公共电极）位于上方的彩色滤光片基板（以下简称为“彩膜基板”）上，其中阵列基板的像素电极和第一公共电极形成边缘电场，阵列基板的像素电极和彩膜基板的第二公共电极形成平面电场，其中液晶层的上下两侧均是公共电极（即第一公共电极和第二公共电极）。其中，设置在彩膜基板上的第二公共电极可以防止静电云纹(Mura)现象，用于消除外部静电对液晶显示装置的影响。另外，彩膜基板的第二公共电极与阵列基板的第一公共电极可以在面板的边缘通过导电体进行上下导通。

具体的，请参阅图1或图3所示，图1是一种PET结构的液晶显示装置存在负的DC偏置时的剖面结构示意图；图3是图1所示PET结构的液晶显示装置存在正的DC偏置时的剖面结构示意图；图1与图3所述PET结构的液晶显示装置包括阵列基板11、彩膜基板12和位于阵列基板11和彩膜基板12之间的液晶层13。阵列基板11包括透明基底111和依次设置在透明基底111上的像素电极113、绝缘层115、第一公共电极117、以及第一配向层119，其中第一公共电极117在每个像素单元内为连接在一起的多个条状结构。彩膜基板12包括透明基底121和依次设置在透明基底121上的遮光矩阵123、彩色光阻125、保护层（即overcoat平坦层）127、第二公共电极128、第二配向层129，其中第二公共电极128为平面结构。

但是，受结构及制程技术的限制，图1与图3所示的PET结构的液晶显示装置存在残像问题，残像是长时间显示同一静止画面，在改变显示内容后留下之前画面的现象。形成残像的因素是：（1）驱动上存在直流偏置电压（简称DC偏置）；（2）显示屏内存在离子型不纯物。

请同时参阅图1-图4所示，其中图2是负的DC偏置的示意图，图4是正的DC偏置的示意图。具体的，由于受结构及制程技术的限制，液晶显示装置在驱动时不可避免地存在直流偏置电压（即DC偏置），具体地，由于液晶的本身特性，对其长期施加一个方向的直流电压会使液晶极化，正常驱动的液晶必须施加交流电场，即施加于像素电极的电压相对于公共电极而交替翻转，称之为交流驱动。理想状态下，施加于像素电极的正负电压相对于公共电极的电压（Vcom）是对称分布的，但实际上由于薄膜晶体管中寄生电容的影响，在像素区域会出现交流驱动不对称的地方，即像素电极上的驱动电压以Vcom的值为对称中心，会产生一定的偏移量，而偏离对称中心的那部分电压即为DC偏置，DC偏置包括负的DC偏置（如图2所示）与正的DC偏置（如图4所示）。

当存在负的DC偏置时（如图1与图2所示），阵列基板11的第一公共电极117和彩膜基板12的第二公共电极128之间对应的配向层119上残留的负电荷很快能释放掉，但是正电荷释放较慢，导致配向层119上残留的正离子型不纯物混入液晶层13，不能及时释放，形成正型离子残留，造成残像；当存在正的DC偏置时（如3与图4所示），同样地，配向层119上残留的负电荷释放较慢，会造成液晶层13中负离子型不纯物的累积，造成残像。也就是说，由于DC偏置的存在，使液晶层13中的正负离子型不纯物不能通过配向层119快速释放掉，容易造成正负离子型不纯物在液晶层13内残留，因而残像问题较为突出。目前，一般采用以下三种方法解决PET结构液晶显示装置的残像问题。

第一，通过选用合适的材料，例如配向层采用较低电阻率的材料，以加快离子的释放，或者选用不易解离的液晶材料，以降低离子型不纯物的引入，从而缓解残像。然而，此方法会受所选特定材料的限制，不宜节约成本。

第二，通过提高工艺技术水平，降低交流驱动不对称的程度，降低DC偏置，但此方法受制程工艺所限，不能从根本上消除DC偏置，也就不能从根本上解决残像问题。

第三，通过改变阵列基板上的像素电极和第一公共电极的位置，也就是说，将图1中的像素电极和第一公共电极的位置互换，使第一公共电极位于下方，而像素电极位于上方，此时液晶层的上下两侧分别是第二公共电极和像素电极，两者的极性相反，从而能将液晶层内残留的离子型不纯物及时中和。然而，此方法中为了降低数据线（data line）的负载，需要增加一层OC保护层（即overcoat层），具体的，如图5所示，图5是液晶显示装置在改变电极位置后的阵列基板的剖面结构示意图，在玻璃基板130上依次形成栅极131、栅极绝缘层132、有源层133、源极/漏极层134、第一绝缘保护层135、OC保护层136、第一公共电极层137、第二绝缘保护层138、像素电极层139、以及第一配向层（图未示），由于需要增加OC保护层136，不但增加一道光罩的成本，且OC保护层136的曝光能量较高，比一般的光刻胶曝光时间长，也会延长生产时间，降低产能。

发明内容

鉴于以上所述，有必要提供一种具有较宽视角且可有效地改善残像现象的液晶显示装置。

本发明实施例提供一种液晶显示装置，包括阵列基板、彩膜基板、以及夹设在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板包括第一透明基底以及形成在所述第一透明基底上的像素电极、绝缘保护层、第一公共电极以及第一配向层，所述像素电极与所述第一公共电极之间通过所述绝缘保护层电性绝缘，所述第一公共电极位于所述像素电极上方，所述第一配向层形成在所述绝缘保护层上并覆盖所述第一公共电极，所述彩膜基板包括第二透明基底以及形成在所述第二透明基底上的遮光矩阵以及第二公共电极，所述绝缘保护层在与所述遮光矩阵相对应的位置上形成有通孔，所述通孔贯穿所述绝缘保护层并将所述像素电极露出，所述第一配向层填入所述通孔内并与所述像素电极接触。

进一步地，所述阵列基板还包括形成在所述第一透明基底上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、以及漏极，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极上，所述源极和漏极彼此相互间隔地形成在所述栅极绝缘层上并通过所述有源层连接。

进一步地，所述像素电极形成在所述栅极绝缘层上，所述漏极的一端的端部覆盖在所述像素电极的边缘区域上使所述漏极与所述像素电极电性连接，所述绝缘保护层形成在所述像素电极上，所述第一公共电极形成在所述绝缘保护层上。

进一步地，所述绝缘保护层包括第一绝缘保护层和第二绝缘保护层，所述第一绝缘保护层形成在所述漏极上，且所述第一绝缘保护层在与所述漏极相对应的位置形成有接触孔，所述像素电极形成在所述第一绝缘保护层上且通过所述接触孔与所述漏极电性连接，所述第二绝缘保护层形成在所述第一绝缘保护层上并覆盖所述像素电极，所述第一公共电极形成在所述第二绝缘保护层上，所述第一配向层形成在所述第二绝缘保护层上，所述第二绝缘保护层在与所述遮光矩阵相对应的位置上形成所述通孔。

进一步地，所述第二绝缘保护层的厚度小于所述第一绝缘保护层的厚度。

进一步地，所述通孔的位置与所述接触孔的位置上下重叠。

进一步地，所述通孔和所述漏极分别位于所述像素电极的相对两侧。

进一步地，所述彩膜基板还包括彩色光阻以及第二配向层，所述遮光矩阵形成在所述第二透明基底上，所述彩色光阻形成在所述第二透明基底上未设置遮光矩阵的区域上，所述第二公共电极形成在所述遮光矩阵及彩色光阻上，所述第二配向层形成在所述第二公共电极上。

进一步地，所述彩膜基板还包括保护层，所述保护层夹设在所述第二公共电极与所述遮光矩阵、彩色光阻之间。

进一步地，所述液晶层中的液晶分子为负性液晶分子。

相较于现有技术，本发明实施例提供的液晶显示装置，在PET结构所具有的较宽视角的基础上，在阵列基板的绝缘保护层上与遮光矩阵相对应的位置形成通孔，将绝缘保护层下面覆盖的像素电极引出并与上方的配向层接触，克服配向层释放电荷较慢的弱点，无论液晶显示装置内存在何种DC偏置，均能及时将液晶层内的离子型不纯物及时释放掉，并且此结构对PET结构的开口率影响小，且也不用再另加一道制作OC保护层的光罩制程，在较根本上解决残像问题，又节约了制造成本，且缩短生产时间，节省产能。

附图说明

图1是液晶显示装置存在负的DC偏置时的剖面结构示意图；

图2是负的DC偏置的示意图；

图3是液晶显示装置存在正的DC偏置时的剖面结构示意图；

图4是正的DC偏置的示意图；

图5是液晶显示装置在改变电极位置后的剖面结构示意图；

图6是本发明第一实施例的液晶显示装置的剖面结构示意图；

图7是配向层上的电荷释放途径的示意图；

图8是本发明第二实施例的液晶显示装置的剖面结构示意图；

图9是本发明第三实施例的液晶显示装置的剖面结构示意图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

请参阅图6，图6是本发明第一实施例的液晶显示装置的剖面结构示意图，本发明第一实施例的液晶显示装置包括相对设置的阵列基板31、彩膜基板32、以及夹设在阵列基板31和彩膜基板32之间的液晶层33。需要说明的是，为了图示简洁，图中仅示意性地绘出了其中一个像素区域的结构示意图，且图中各元件的绘制尺寸与比例并不代表产品的实际尺寸与比例。

阵列基板31包括第一透明基底310、栅极311、栅极绝缘层312、有源层313、像素电极314、源极315、漏极316、绝缘保护层317、第一公共电极318、以及第一配向层319。其中，第一透明基底310可以为玻璃基板或其他透明基板；栅极311形成在第一透明基底310上；栅极绝缘层312形成在第一透明基底310上并覆盖栅极311；源极315和漏极316形成在栅极绝缘层312上并通过有源层313连接，在本实施例中，有源层313形成在栅极绝缘层312上并位于栅极311的上方，源极315和漏极316彼此相互间隔地形成在有源层313上；像素电极314形成在栅极绝缘层312上，并位于像素区域内，其中漏极316靠向像素电极314的一端的端部覆盖在像素电极314的一端上使之与像素电极314电性连接；绝缘保护层317形成在源极315、漏极316及像素电极314上；第一公共电极318形成在绝缘保护层317上并位于像素电极314的上方，此时绝缘保护层317夹设在像素电极314与第一公共电极318之间，像素电极314与第一公共电极318之间通过绝缘保护层317电性绝缘，在本实施例中，第一公共电极318为相互连接在一起的多个条状结构；第一配向层319形成在绝缘保护层317上并覆盖第一公共电极318。

在本实施例中，与图5所示的现有技术相比，漏极316与像素电极314之间不存在第一绝缘层135，漏极316直接覆盖在像素电极314上，可以增大漏极316与像素电极314的接触面积，从而可以在保证漏极316与像素电极314接触良好的情况下适当减小漏极316的面积，以提高像素的开口率，进而提高像素的穿透率。由于绝缘保护层317形成并覆盖在像素电极314上，为避免快速沉积绝缘保护层317时对像素电极314造成破坏，并出现白浊现象，因此在沉积形成绝缘保护层317时，可以分两层进行沉积：靠近像素电极314的一层以低速进行沉积，从而降低对像素电极314造成的影响，所形成的绝缘保护层质地较疏松；远离像素电极314的一层以高速进行沉积，从而可以加快制程速度，所形成的绝缘保护层质地较密。

彩膜基板32包括第二透明基底320、遮光矩阵323、彩色光阻325、第二公共电极328、以及第二配向层329。其中，第二透明基底320可以为玻璃基板或其他透明基板；遮光矩阵323形成在第二透明基底320上，遮光矩阵323的位置与各个像素区域的边界位置相对应；彩色光阻325形成在第二透明基底320上未设置遮光矩阵323的区域上，彩色光阻325的位置与各个像素区域相对应，彩色光阻325例如由红色、绿色、或蓝色的色阻材料制成；第二公共电极328形成在遮光矩阵323及彩色光阻325上，在本实施例中，第二公共电极328为整面的平面结构；第二配向层329形成在第二公共电极328上。

图7是配向层上的电荷释放途径的示意图，请参考图7，在本实施例中，配向层释放电荷的途径有水平方向（X方向或Y方向）和竖直方向（Z方向），由于Z方向配向层厚度有数百，且是高电阻率，电荷在Z方向几乎不能释放，沿X方向或Y方向的水平方向电荷释放也较慢，但是如果配向层与低电阻率的材料（例如ITO，Indium Tin Oxide）接触时，电荷释放速度会较快。因此，当液晶显示装置内存在DC偏置时，配向层在基板的不同位置处释放电荷速度不同，容易在没有与电极接触的地方造成离子不纯物的累积，形成残像。

请再次参考图6，本发明第一实施例中，阵列基板31的绝缘保护层317上形成有通孔3171，本实施例中，通孔3171位于绝缘保护层317与彩膜基板32的遮光矩阵323相对应的位置，以减少通孔3171对液晶显示装置的透光率的影响。通孔3171贯穿绝缘保护层317以露出绝缘保护层317下面的像素电极314。第一配向层319形成在绝缘保护层317上时，第一配向层319填入通孔3171内使第一配向层319与像素电极314接触，也就是说，通过该通孔3171将下面的像素电极314引出并与上面的第一配向层319接触。这样，当液晶显示装置内存在负的DC偏置时，整个基板上混入液晶层33的正离子型不纯物能及时地释放掉，不会出现离子残留的问题，可以降低残像。同样的，当液晶显示装置内存在正的DC偏置时，混入液晶层33的负离子型不纯物也能及时地释放掉，不会有离子残留，从而改善残像问题。

本发明在PET结构所具有的较宽视角的基础上，在阵列基板31的绝缘保护层317上与遮光矩阵323相对应的位置形成通孔3171，绝缘保护层317下面覆盖的像素电极314通过通孔3171露出并与上方的第一配向层319接触，使第一配向层319上残留的电荷通过像素电极314及时释放掉，以克服第一配向层319释放电荷较慢的弱点，无论液晶显示装置内存在何种DC偏置，均能及时将液晶层33内的离子型不纯物及时释放掉，并且此结构对PET结构的开口率影响小，而且，相对于现有技术中（如图5所示）通过改变阵列基板上的像素电极层139和第一公共电极层137的位置来消除残像的方法，本实施例中液晶显示装置在解决残像问题的同时，也不用再另加一道制作OC保护层的光罩制程，节约了制造成本，且缩短生产时间，节省产能。

进一步地，彩膜基板32还包括保护层327，保护层327夹设在第二公共电极328与遮光矩阵323、彩色光阻325之间。保护层327可以对遮光矩阵323及彩色光阻325进行平坦化，且可以防止遮光矩阵323和彩色光阻325的色阻材料对下方的第二公共电极328、第二配向层329及液晶层33造成污染。

图8为本发明第二实施例的液晶显示装置的剖面结构示意图，其与上述第一实施例不同之处在于阵列基板的结构。具体地，阵列基板31上的绝缘保护层317包括第一绝缘保护层317a和第二绝缘保护层317b，第一绝缘保护层317a形成在源极315和漏极316上，且第一绝缘保护层317a在与漏极316相对应的位置形成有接触孔3172，位于像素区域内的像素电极314形成在第一绝缘保护层317a上且通过接触孔3172与下方的漏极316电性连接；第二绝缘保护层317b形成在第一绝缘保护层317a上并覆盖像素电极314，第一公共电极318形成在第二绝缘保护层317b上并位于像素电极314的上方，第二绝缘保护层317b夹设在像素电极314与第一公共电极318之间，即像素电极314与第一公共电极318之间通过第二绝缘保护层317b电性绝缘。

第一配向层319形成在第二绝缘保护层317b上并覆盖第一公共电极318。阵列基板31的第二绝缘保护层317b在与彩膜基板32的遮光矩阵323相对应的位置上形成有通孔3171，通孔3171贯穿第二绝缘保护层317b以露出第二绝缘保护层317b下面的像素电极314。第一配向层319形成在第二绝缘保护层317b上时填入通孔3171内使第一配向层319与像素电极314相接触，也就是说，通过通孔3171将下面的像素电极314露出并与上面的第一配向层319相接触，以将混入液晶层33的正负离子型不纯物及时地释放掉，不会有离子残留，从而降低残像。

进一步的，在本实施例中，由于像素电极314形成在第一绝缘保护层317a上，也就是说，第一绝缘保护层317a是在像素电极314之前形成，因此可以采用快速沉积的方法形成第一绝缘保护层317a，从而加快制程速度，且不会对像素电极314造成影响，形成的绝缘保护层质地较密，其中第一绝缘保护层317a的厚度例如约为。第二绝缘保护层317b沉积形成在像素电极314上，第二绝缘保护层317b的厚度小于第一绝缘保护层317a的厚度，例如约为，可以进行慢速沉积，以降低对像素电极314造成的影响。另外，由于夹设在像素电极314和第一公共电极318之间的第二绝缘保护层317b的厚度较小，有效地加强了像素电极314和第一公共电极318之间产生的电场强度，有利于提高穿透率，缩短响应时间。

图9为本发明第三实施例的液晶显示装置的剖面结构示意图，其与上述第二实施例中液晶显示装置的结构大致相同，其不同之处仅仅在于使第一配向层319与像素电极314相接触的通孔3171的开设位置。阵列基板31的第二绝缘保护层317b在与彩膜基板32的遮光矩阵323相对应的位置上形成有通孔3171，通孔3171的位置与接触孔3172的位置上下重叠，通孔3171贯穿第二绝缘保护层317b以露出第二绝缘保护层317b下面的像素电极314。第一配向层319形成在第二绝缘保护层317b上时，第一配向层319填入通孔3171内使第一配向层319与像素电极314接触，也就是说，通过通孔3171将下面的像素电极314露出并与上面的第一配向层319接触，以将混入液晶层33的正负离子型不纯物及时地释放掉，不会有离子残留，从而降低残像。在本实施例中，由于通孔3171的开设位置与接触孔3172上下重叠，即通孔3171开设在原本就已经形成有接触孔3172的位置上，因此不需要再在阵列基板上的其他地方寻找位置来开设通孔3171，既能达到将混入液晶层33的正负离子型不纯物及时释放掉的目的，又不会影响液晶显示装置的开口率。

在上述第一实施例至第三实施例中，液晶层33中的液晶分子优选为负性液晶分子。上述实施例的液晶显示装置在工作时，阵列基板31上的像素电极314与第一公共电极318之间形成水平电场及垂直边缘电场，使液晶分子在与基板平行的水平面内产生偏转，由于负性液晶分子在受到电场作用时，其长轴方向具有朝向与电场方向相垂直的方向进行排列的特性，因此彩膜基板32的第二公共电极328与阵列基板31的像素电极314及第一公共电极318之间所产生的垂直电场亦会促使负性液晶分子保持平躺在水平面内，弥补液晶分子在配向膜上具有预倾角(Pretilt angle)所带来的不利影响，从而使负性液晶分子能够保持较好的水平面内排列，不产生较大的倾角，从而提高穿透率。

在其他实施方式中，有源层313和源极315/漏极316的设置顺序也可以改变，例如在栅极绝缘层312上可以先形成相互间隔的源极315和漏极316，再在源极315和漏极316上形成有源层313，有源层313填入源极315和漏极316之间的间隙内以将源极315和漏极316连接起来。

在本文中，所涉及的前、后、上、下等方位词是以附图中零部件位于图中以及零部件相互之间的位置来定义的，只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解，所述方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。

在本文中，除非另外特别指出，否则，用于描述元件的序列形容词“第一”、“第二”等仅仅是为了区别相同元件，并不意味着这样描述的元件必须依照给定的顺序，或者时间、空间、等级或其它的限制。

在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，除了包含所列的那些要素，而且还可包含没有明确列出的其他要素。

在不冲突的情况下，本文中上述实施例及实施例中的特征可以相互结合。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种液晶显示装置，包括阵列基板(31)、彩膜基板(32)、以及夹设在所述阵列基板(31)和所述彩膜基板(32)之间的液晶层(33)，

所述阵列基板(31)包括第一透明基底(310)以及形成在所述第一透明基底(310)上的像素电极(314)、绝缘保护层(317)、第一公共电极(318)以及第一配向层(319)，所述像素电极(314)与所述第一公共电极(318)之间通过所述绝缘保护层(317)电性绝缘，所述第一公共电极(318)位于所述像素电极(314)上方，所述第一配向层(319)形成在所述绝缘保护层(317)上并覆盖所述第一公共电极(318)，

所述彩膜基板(32)包括第二透明基底(320)以及形成在所述第二透明基底(320)上的遮光矩阵(323)以及第二公共电极(328)，

其特征在于，

所述绝缘保护层(317)在与所述遮光矩阵(323)相对应的位置上形成有通孔(3171)，所述通孔(3171)贯穿所述绝缘保护层(317)并将所述像素电极(314)露出，所述第一配向层(319)填入所述通孔(3171)内并与所述像素电极(314)接触。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：所述阵列基板(31)还包括形成在所述第一透明基底(310)上的栅极(311)、栅极绝缘层(312)、有源层(313)、源极(315)以及漏极(316)，所述栅极绝缘层(312)覆盖在所述栅极(311)上，所述源极(315)和漏极(316)彼此相互间隔地形成在所述栅极绝缘层(312)上并通过所述有源层(313)连接。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：所述像素电极(314)形成在所述栅极绝缘层(312)上，所述漏极(316)的一端的端部覆盖在所述像素电极(314)的边缘区域上使所述漏极(316)与所述像素电极(314)电性连接，所述绝缘保护层(317)形成在所述像素电极(314)上，所述第一公共电极(318)形成在所述绝缘保护层(317)上。

4.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：所述绝缘保护层(317)包括第一绝缘保护层(317a)和第二绝缘保护层(317b)，

所述第一绝缘保护层(317a)形成在所述栅极绝缘层(312)上并覆盖所述漏极(316)，且所述第一绝缘保护层(317a)在与所述漏极(316)相对应的位置形成有接触孔(3172)，所述像素电极(314)形成在所述第一绝缘保护层(317a)上且通过所述接触孔(3172)与所述漏极(316)电性连接，

所述第二绝缘保护层(317b)形成在所述第一绝缘保护层(317a)上并覆盖所述像素电极(314)，所述第一公共电极(318)形成在所述第二绝缘保护层(317b)上，所述第一配向层(319)形成在所述第二绝缘保护层(317b)上，所述第二绝缘保护层(317b)在与所述遮光矩阵(323)相对应的位置上形成所述通孔(3171)。

5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于：所述第二绝缘保护层(317b)的厚度小于所述第一绝缘保护层(317a)的厚度。

6.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于：所述通孔(3171)的位置与所述接触孔(3172)的位置上下重叠。

7.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置，其特征在于：所述通孔(3171)和所述漏极(316)分别位于所述像素电极(314)的相对两侧。

8.根据权利要求1至6任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：所述彩膜基板(32)还包括彩色光阻(325)以及第二配向层(329)，所述彩色光阻(325)形成在所述第二透明基底(320)上未设置遮光矩阵(323)的区域上，所述第二公共电极(328)形成在所述遮光矩阵(323)及彩色光阻(325)上，所述第二配向层(329)形成在所述第二公共电极(328)上。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于：所述彩膜基板(32)还包括保护层(327)，所述保护层(327)夹设在所述第二公共电极(328)与所述遮光矩阵(323)、彩色光阻(325)之间。

10.根据权利要求1至6任一项所述的液晶显示装置，其特征在于：所述液晶层(33)中的液晶分子为负性液晶分子。