KR20140018576A - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터, 제1 기판 상에 형성되는 컬러 필터 및 블랙 매트릭스, 제1 기판 상에 형성되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 컬럼 스페이서, 제2 기판의 일면 상에 형성되는 화소 전극, 제2 기판의 일면 상에서, 화소 전극 상에 형성되는 공통 전극 및 제2 기판의 타면 상에 형성되는 투명 전극을 포함하되, 컬럼 스페이서는 화소 전극과 전기적으로 연결된다.

Description

표시 장치 {DISPLAY DEVICE}
표시 장치 및 표시 장치 제조 방법에 관한 것으로서, 개구율 극대화를 구현할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치, 특히, 액정 표시 장치는 소형화, 경량화 및 저전력화 등이 가능한 특징으로 인해, 핸드폰, 개인 정보 단말기(Personal Digital Assistant, PDA) 및 휴대용 멀티미디어 재생장치(Portable Multimedia Player, PMP) 등과 같은 소형 제품뿐만 아니라, 중대형 제품인 모니터 및 TV 등에 장착되어 사용되고 있다.
일반적으로, 액정 표시 장치는 박막 트랜지스터 기판, 컬러 필터 기판 및 액정층으로 이루어진다. 컬러 필터 기판에는 공통 전압이 인가되는 공통 전극이 구비되고, 어레이 기판에는 공통 전압과 다른 전압 레벨을 갖는 화소 전압이 인가된다. 따라서, 공통 전압과 화소 전압의 전압차에 의해서 프린지 필드(fringe field)가 형성되고, 프린지 필드에 의해서 액정층에 포함된 액정 분자들이 회전한다. 따라서, 액정 분자들의 회전율은 프린지 필드의 크기에 따라서 변화된다. 즉, 프린지 필드의 크기가 증가할 수록 액정 분자들의 회전율이 증가하고, 그 결과 투과율과 응답 속도가 향상된다.
그러나, 액정 표시 장치는 전면 시인성에 비해 측면 시인성이 떨어지는 단점이 있어 이를 극복하기 위한 다양한 방식의 액정 배열 및 구동 방법이 개발되고 있다. 이러한 광시야각을 구현하기 위한 방법으로서, 수직 배향 모드의 액정 표시 장치에 도메인 분할을 위한 개구부를 적용한 PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, 횡전계 방식을 도입한 IPS(In-Plane Switching) 모드 등이 제시되고 있다.
그러나, PVA 모드는 텍스쳐나 잔상이 발생하는 경우가 많고, 완벽한 광시야각을 구현하기에는 여전히 한계가 있다. 또한, IPS 모드는 공통 전극이 개구율을 저하시켜 휘도가 상대적으로 낮기 때문에 고휘도의 백라이트를 채용하여야 하는 부담이 있다.
이러한 광시야각 및 고휘도를 동시에 구현하는 방식으로서 IPS 모드와 같은 횡전계 방식을 도입한 PLS(Plane to Line Switching) 모드가 주목받고 있다.
이에, 본 발명이 해결하려는 과제는 광시야각 모드를 제공하는 동시에, 고개구율을 구현할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려고 하는 다른 과제는 고개구 구현뿐만 아니라, 고휘도 또한 구현할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터, 제1 기판 상에 형성되는 컬러 필터 및 블랙 매트릭스, 제1 기판 상에 형성되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 컬럼 스페이서, 제2 기판의 일면 상에 형성되는 화소 전극, 제2 기판의 일면 상에서, 화소 전극 상에 형성되는 공통 전극 및 제2 기판의 타면 상에 형성되는 투명 전극을 포함하되, 컬럼 스페이서는 화소 전극과 전기적으로 연결된다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터, 제1 기판 상에 형성되는 컬러 필터 및 블랙 매트릭스, 제1 기판 상에 형성되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 컬럼 스페이서, 제2 기판의 일면 상에 형성되는 공통 전극 및 제2 기판의 일면 상에서, 공통 전극 상에 형성되는 화소 전극을 포함하되, 컬럼 스페이서는 화소 전극과 전기적으로 연결된다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 광시야각 모드를 제공하는 동시에, 고개구율을 구현할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
또, 고개구 구현뿐만 아니라, 고휘도 또한 구현할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층"위(on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 표시 장치(100)는 제1 기판(10), 제2 기판(20), 박막 트랜지스터(30), 컬러 필터(45), 블랙 매트릭스(40), 컬럼 스페이서(50), 화소 전극(60), 공통 전극(70) 및 투명 전극(80)을 포함한다.
제1 기판(10) 및 제2 기판(20) 각각은 표시 장치(100)의 하부 및 상부에 위치하는 기판으로서, 절연 물질로 구성될 수 있고, 구체적으로, 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있다. 제1 기판(10)과 제2 기판(20)은 서로 대향하도록 배치되고, 제1 기판(10)과 제2 기판(20) 사이에는 액정층이 개재된다
제1 기판(10)에는 박막 트랜지스터(30), 컬러 필터(45), 블랙 매트릭스(40) 및 컬럼 스페이서(50)가 형성되고, 제2 기판(20)에는 화소 전극(60), 공통 전극(70) 및 투명 전극(80)이 형성된다. 제1 기판(10) 및 제2 기판(20)에 형성되는 각각의 엘리먼트들에 대한 보다 상세한 설명을 위해 도 2 및 도 3을 참조한다.
도 2를 참조하면, 제1 기판(10) 상에는 게이트 전극(31)이 형성될 수 있고, 게이트 전극(31)을 포함하는 제1 기판(10) 전면에 걸쳐 게이트 절연막(11)이 형성될 수 있다. 게이트 전극(31)은 도전성 물질로 이루어지고, 게이트 절연막(11)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이들의 복층으로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(11) 상에는 반도체층(32)이 형성될 수 있다. 반도체층(32)은 게이트 전극(31)과 적어도 일부가 중첩할 수 있고, 게이트 전극(31)의 전 영역과 반도체층(32)이 중첩할 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 반도체층(32)은 비정질 실리콘막 또는 다결정 실리콘막으로 형성될 수도 있다.
반도체층(32)을 포함하는 게이트 절연막(11) 상에는 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)이 형성될 수 있다. 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)은 반도체층(32)과 연결될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 반도체층(32)을 포함하는 게이트 절연막(11) 상에 층간 절연막이 형성될 수도 있고, 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)은 컨택홀을 통해 반도체층(32)과 연결될 수도 있다.
박막 트랜지스터(30)는 제1 기판(10) 상에 형성되고, 앞서 설명한 바와 같이 형성된 반도체층(32), 게이트 전극(31), 소스 전극(33) 및 드레인 전극(34)을 포함할 수 있다. 다만, 박막 트랜지스터(30)의 구성은 앞서 설명한 예에 한정되지 않고, 당업자가 용이하게 실시할 수 있는 공지된 구성으로 다양하게 변형 가능하다.
제1 기판(10) 상에는 블랙 매트릭스(40)가 형성된다. 블랙 매트릭스(40)는 제1 기판(10)의 제1 영역에 형성될 수 있다. 여기서, 제1 기판(10)의 제1 영역은 비표시 영역으로서, 제1 기판(10) 상에 박막 트랜지스터(30)가 형성되는 영역일 수 있고, 비표시 영역은 화상이 표시되지 않는 영역을 의미할 수 있다. 따라서, 도 1 내지 도 3에는 도시 되지 않았으나, 블랙 매트릭스(40)는 박막 트랜지스터(30)가 형성되는 영역뿐만 아니라, 다양한 배선들이 배치되어 화상이 표시되지 않는 영역에도 형성될 수 있다.
제1 기판(10) 상에는 컬러 필터(45)가 형성된다. 컬러 필터(45)는 제1 기판(10)의 제2 영역에 형성될 수 있다. 여기서, 제1 기판(10)의 제2 영역은 표시 영역으로서, 제1 기판(10) 상에 박막 트랜지스터(30)가 형성되지 않은 영역일 수 있고, 표시 영역은 화상이 표시되는 영역을 의미할 수 있다. 따라서, 도 1 내지 도 3에는 도시되지 않았으나, 컬러 필터(45)는 박막 트랜지스터(30)가 형성되지 않고, 다양한 배선들이 배치되지 않은 영역에 형성될 수 있다. 컬러 필터(45)는 적색 컬러 필터(45), 녹색 컬러 필터(45) 및 청색 컬러 필터(45)를 포함할 수 있다.
제1 기판(10) 상에는 오버코팅층(12)이 형성될 수 있다. 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)를 포함하는 제1 기판(10) 전면에 걸쳐 오버코팅 층이 형성될 수 있다. 오버코팅층(12)은 제1 기판(10) 상에 박막 트랜지스터(30), 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)를 형성하는 과정에서 발생할 수 있는 단차를 제거하고, 제1 기판(10)의 상부를 평탄화시키기 위해 형성될 수 있다.
오버코팅층(12), 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)에는 박막 트랜지스터(30)의 일부 영역을 개구시키는 개구부가 형성될 수 있고, 컬럼 스페이서(50)는 제1 기판(10) 상에서 상기 개구부를 통해 박막 트랜지스터(30)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 기판(10) 상에 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)를 형성하고, 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45) 상에 오버코팅층(12)을 형성한 후, 오버코팅층(12), 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)의 일부 영역을 제거하여, 박막 트랜지스터(30)의 드레인 전극(34)의 일부 영역을 개구시키는 개구부를 형성할 수 있다. 개구부가 형성되면, 상기 개구부에 컬럼 스페이서(50)를 형성할 수 있고, 컬럼 스페이서(50)는 드레인 전극(34)과 전기적으로 연결될 수 있다. 컬럼 스페이서(50)는 도전성 재료로 형성될 수 있다.
제1 기판(10)의 제1 영역과 제2 영역은 컬럼 스페이서(50)에 의해 구분될 수 있다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 제1 기판(10)의 제1 영역은 박막 트랜지스터(30)가 형성된 영역으로서, 컬럼 스페이서(50)의 좌측에 해당하는 영역일 수 있고, 제1 기판(10)의 제2 영역은 박막 트랜지스터(30)가 형성되지 않은 영역으로서, 컬럼 스페이서(50)의 우측에 해당하는 영역일 수 있다.
도 3을 참조하면, 제2 기판(20)의 일면 상에 화소 전극(60)이 형성된다. 화소 전극(60)은 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 물질로 형성될 수 있다.
제2 기판(20)의 일면 상에서, 화소 전극(60) 상에는 공통 전극(70)이 형성된다. 공통 전극(70)은 화소 전극(60)과 동일한 물질로써 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 물질로 형성될 수 있다.
공통 전극(70)과 화소 전극(60) 사이에는 공통 전극(70)과 화소 전극(60)을 전기적으로 분리하기 위한 패시베이션막(21)이 형성될 수 있고, 공통 전극(70)은 패시베이션막(21) 상에 형성될 수 있다. 패시베이션막(21)은 화소 전극(60)의 일부 영역을 개구시키는 개구부를 포함할 수 있다.
제2 기판(20)의 타면 상에 투명 전극(80)이 형성된다. 투명 전극(80)은 화소 전극(60) 및 공통 전극(70)과 동일한 물질로써 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 물질로 형성될 수 있다. 투명 전극(80)은 횡전계 방식의 표시 장치(100)에서 다양한 객체와의 접촉에 의해 발생할 수 있는 정전기를 방지하고, 액정에 DC 전압이 누적되어 불량이 발생되는 것을 방지하기 위해 접지(ground)될 수 있다. 제2 기판(20)의 타면은 제2 기판(20)에서 일면의 반대측에 위치한 다른 일면을 의미한다.
다시 도 1을 참조하면, 상술한 바와 같이 형성된 제1 기판(10)과 제2 기판(20)이 합착된다. 제1 기판(10)과 제2 기판(20)이 합착되는 과정에서, 제1 기판(10) 상에 형성된 컬럼 스페이서(50)와 제2 기판(20)의 일면 상에 형성된 화소 전극(60)이 전기적으로 연결된다. 즉, 제2 기판(20)의 패시베이션막(21)의 개구부는 화소 전극(60)의 일부 영역을 개구시키고, 제1 기판(10) 상에 형성된 컬럼 스페이서(50)는 패시베이션막(21)의 개구부를 통해 화소 전극(60)과 전기적으로 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(100)에서는 박막 트랜지스터(30)가 형성되는 제1 기판(10)에 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)를 형성하고, 화소 전극(60) 및 공통 전극(70)을 박막 트랜지스터(30)가 형성되지 않은 제2 기판(20)에 형성하며, 제1 기판(10)에 형성된 박막 트랜지스터(30)와 제2 기판(20)에 형성된 화소 전극(60)을 컬럼 스페이서(50)로 전기적으로 연결시켜, 각각의 화소에 대한 구동을 제어할 수 있다. 또한, 상술한 구성을 통해 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 합착 공정에서 발생하는 개구율 손실을 감소시키고, 균일도(uniformity)를 개선시켜 고개구율을 구현할 수 있다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도들이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 표시 장치(200)는 제1 기판(10), 제2 기판(20), 박막 트랜지스터(30), 컬러 필터(45), 블랙 매트릭스(40), 컬럼 스페이서(150), 화소 전극(160) 및 공통 전극(170)을 포함한다. 설명의 편의 상, 도 1 내지 도 3에 도시된 표시 장치의 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
도 6을 참조하면, 제2 기판(20)의 일면 상에 공통 전극(170)이 형성된다. 공통 전극(170)은 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 물질로 형성될 수 있다.
제2 기판(20)의 일면 상에서, 공통 전극(170) 상에는 화소 전극(160)이 형성된다. 화소 전극(160)은 공통 전극(170)과 동일한 물질로써 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 물질로 형성될 수 있다.
공통 전극(170)과 화소 전극(160) 사이에는 공통 전극(170)과 화소 전극(160)을 전기적으로 분리하기 위한 패시베이션막(121)이 형성될 수 있고, 화소 전극(160)은 패시베이션막(121) 상에 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 오버코팅층(12), 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)에는 박막 트랜지스터(30)의 일부 영역을 개구시키는 개구부가 형성될 수 있고, 컬럼 스페이서(150)는 제1 기판(10) 상에서 상기 개구부를 통해 박막 트랜지스터(30)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 기판(10) 상에 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)를 형성하고, 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45) 상에 오버코팅층(12)을 형성한 후, 오버코팅층(12), 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)의 일부 영역을 제거하여, 박막 트랜지스터(30)의 드레인 전극(34)의 일부 영역을 개구시키는 개구부를 형성할 수 있다. 개구부가 형성되면, 상기 개구부에 컬럼 스페이서(150)를 형성할 수 있고, 컬럼 스페이서(150)는 드레인 전극(34)과 전기적으로 연결될 수 있다. 컬럼 스페이서(150)는 도전성 재료로 형성될 수 있다.
다시 도 4을 참조하면, 상술한 바와 같이 형성된 제1 기판(10)과 제2 기판(20)이 합착된다. 제1 기판(10)과 제2 기판(20)이 합착되는 과정에서, 제1 기판(10) 상에 형성된 컬럼 스페이서(150)와 제2 기판(20)의 일면 상에 형성된 화소 전극(160)이 전기적으로 연결된다. 도 1 내지 도 3의 표시 장치(100)와 도 4 내지 도 6의 표시 장치(200)에서의 차이점은, 도 4 내지 도 6에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)에서는 제2 기판(20) 상에 공통 전극(170)이 형성되고, 공통 전극(170) 상에 화소 전극(160)이 형성되는 것이며, 추가적으로 셀갭(cell gap)이 동일하게 유지된다는 가정하에 컬럼 스페이서(150)의 높이가 낮아진다는 점이다. 또한, 도 4 내지 도 6에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)에서는, 제2 기판(20)의 일면 상에 바로 공통 전극(170)이 배치되므로, 제2 기판(20)의 타면에 배치되는 투명 전극이 생략될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치(200)에서는 박막 트랜지스터(30)가 형성되는 제1 기판(10)에 블랙 매트릭스(40) 및 컬러 필터(45)를 형성하고, 화소 전극(160) 및 공통 전극(170)을 박막 트랜지스터(30)가 형성되지 않은 제2 기판(20)에 형성하며, 제1 기판(10)에 형성된 박막 트랜지스터(30)와 제2 기판(20)에 형성된 화소 전극(160)을 컬럼 스페이서(150)로 전기적으로 연결시켜, 각각의 화소에 대한 구동을 제어할 수 있다. 또한, 상술한 구성을 통해 제1 기판(10)과 제2 기판(20)의 합착 공정에서 발생하는 개구율 손실을 감소시키고, 균일도(uniformity)를 개선시켜 고개구율을 구현할 수 있다. 또한, 일반적으로 횡전계 방식의 표시 장치(200)에서 정전기 및 불량 방지를 위해 채용하는 제2 기판(20)의 타면에 배치되는 투명 전극을 생략할 수 있으므로, 고개구 구현뿐만 아니라 고휘도 또한 구현할 수 있으며, 투명 전극(80)(280) 공정 제거에 따른 제조 공정 단순화도 구현할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 표시 장치(300)는 제1 기판(10), 제2 기판(20), 박막 트랜지스터(30), 컬러 필터(45), 블랙 매트릭스(40), 컬럼 스페이서(150), 화소 전극(160), 공통 전극(170) 및 투명 전극(280)을 포함한다. 설명의 편의 상, 도 4 내지 도 6에 도시된 표시 장치(300)의 도면에 나타낸 각 엘리먼트와 실질적으로 동일한 엘리먼트는 동일 부호로 나타내고, 중복 설명을 생략한다.
제2 기판(20)의 타면 상에 투명 전극(280)이 형성된다. 투명 전극(280)은 화소 전극(160) 및 공통 전극(170)과 동일한 물질로써 투명한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 물질로 형성될 수 있다. 투명 전극(280)은 횡전계 방식의 표시 장치(300)에서 다양한 객체와의 접촉에 의해 발생할 수 있는 정전기를 방지하고, 액정에 DC 전압이 누적되어 불량이 발생되는 것을 방지하기 위해 접지(ground)될 수 있다. 제2 기판(20)의 타면은 제2 기판(20)에서 일면의 반대측에 위치한 다른 일면을 의미한다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 제1 기판
11: 게이트 절연막
12: 오버코팅층
20: 제2 기판
21, 121: 패시베이션막
30: 박막 트랜지스터
31: 게이트 전극
32: 반도체층
33: 소스 전극
34: 드레인 전극
40: 블랙 매트릭스
45: 컬러 필터
50, 150: 컬럼 스페이서
60, 160: 화소 전극
70, 170: 공통 전극
80, 280: 투명 전극
100, 200, 300: 표시 장치

Claims (16)

  1. 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 제1 기판 상에 형성되는 컬러 필터 및 블랙 매트릭스;
    상기 제1 기판 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 컬럼 스페이서;
    상기 제2 기판의 일면 상에 형성되는 화소 전극;
    상기 제2 기판의 일면 상에서, 상기 화소 전극 상에 형성되는 공통 전극; 및
    상기 제2 기판의 타면 상에 형성되는 투명 전극을 포함하되,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층을 포함하고,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 기판의 일면 상에서, 상기 화소 전극 상에 형성되는 패시베이션막을 더 포함하되,
    상기 공통 전극은 상기 패시베이션막 상에 형성되는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 패시베이션막은 상기 화소 전극의 일부 영역을 개구시키는 개구부를 포함하고,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 개구부를 통해 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 제1 기판의 제1 영역에 형성되고,
    상기 컬러 필터는 상기 제1 기판의 제2 영역에 형성되며,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 상기 컬럼 스페이서에 의해 구분되는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 제1 기판 상에 상기 박막 트랜지스터가 형성되는 영역인 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 투명 전극은 접지(ground)되는 표시 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 컬럼 스페이서는 도전성 재료로 형성되는 표시 장치.
  9. 서로 대향하는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판 상에 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 제1 기판 상에 형성되는 컬러 필터 및 블랙 매트릭스;
    상기 제1 기판 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 컬럼 스페이서;
    상기 제2 기판의 일면 상에 형성되는 공통 전극; 및
    상기 제2 기판의 일면 상에서, 상기 공통 전극 상에 형성되는 화소 전극을 포함하되,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 화소 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극 및 반도체층을 포함하고,
    상기 컬럼 스페이서는 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제2 기판의 일면 상에서, 상기 공통 전극 상에 형성되는 패시베이션막을 더 포함하되,
    상기 화소 전극은 상기 패시베이션막 상에 형성되는 표시 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스는 상기 제1 기판의 제1 영역에 형성되고,
    상기 컬러 필터는 상기 제1 기판의 제2 영역에 형성되며,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 상기 컬럼 스페이서에 의해 구분되는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 제1 기판 상에 상기 박막 트랜지스터가 형성되는 영역인 표시 장치.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제2 기판의 타면 상에 형성되는 투명 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 투명 전극은 접지(ground)되는 표시 장치.
  16. 제9항에 있어서,
    상기 컬럼 스페이서는 도전성 재료로 형성되는 표시 장치.
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