KR20060031678A - 저유전율 절연막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 막 제조를 위해 다음 화학식의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산의 사용을 포함하는, 반도체 또는 전기 회로 상의 저유전율 절연막의 제조방법 및 당해 방법으로 제조된 저유전율 절연막에 관한 것이다.
[(RaXbSiOl.5)m(RcYdSiO)n]
위의 화학식에서,
a 및 b는 0 내지 1이고, c 및 d는 1이고, m과 n의 합은 3 이상이고, a와 b의 합은 1이고, n 및 m은 1 이상이고,
R은 수소 원자, 또는 알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 사이클로알케닐, 알키닐, 사이클로알키닐, 아릴 또는 헤테로아릴 그룹이고, 각각 치환되거나 비치환되고,
X는 옥시, 하이드록실, 알콕시, 카복실, 실릴, 실릴옥시, 할로겐, 에폭시, 에스테르, 플루오로알킬, 이소시아네이트, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 니트릴, 아미노 또는 포스핀 그룹, 또는 타입 X의 이러한 그룹을 하나 이상 함유하는 타입 R의 치환체이고,
Y는 하이드록실, 알콕시 또는 타입 0-SiZ1Z2Z3의 치환체이고, 여기서, Z1, Z2 및 Z3은 플루오로알킬, 알콕시, 실릴옥시, 에폭시, 에스테르, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 니트릴 그룹, 또는 타입 R의 치환체이고, 동일하거나 상이하고,
타입 R의 치환체는 동일하거나 상이할 뿐만 아니라, 타입 X 및 Y의 치환체도 각각 동일하거나 상이하고, 타입 Y의 치환체로서 하나 이상의 하이드록실 그룹을 포함한다.
반도체, 저유전율 절연막, 올리고머 실세스퀴녹산
Description
본 발명은 전기 회로용 반도체 상의 저유전율 절연막(low-k dielectric film)의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 저유전율 절연막에 관한 것이다.
소형화가 증가하고 있는 직렬식 반도체 기술에서의 진행은 저유전율 절연막으로 언급되는 k 값이 3.0 미만인 절연막에 대한 요구를 증가시킨다. k 값은 물질의 전기 유전율 척도이다. 유전막은 금속 도체를 절연하는데 사용되고 RC 시간 지연에 기여하여 신호 전달 속도를 증가시키는데 기여한다. RC 시간 지연은 도체 트랙의 환경에 의해 느려지고, 그 결과, 예를 들면, 누화로 언급되는 도체 트랙 부근의 상호 작용을 야기하는 신호 전달의 확장의 척도가 된다. 절연 층이 불량할수록 목적하지 않는 누화는 더 커진다. 도체 물질로서 구리를 사용하여 저항 R을 낮추는 것 이외에, 낮은 k 값의 절연층을 사용하여 용량 C를 감소시키는 것이 처리기 성능을 증가시키는 추가의 수단이다. 저유전율 절연막의 사용을 통해 이와 같이 RC 시간 지연을 감소시켜 인접한 도체 트랙 사이의 누화를 감소시키는 것이 가능하다.
낮은 k 값 이외에, 저유전율 절연막은 칩(chip) 가공용 성분으로서 유용하기 위해 반드시 추가의 성질을 가져야 한다. 예를 들면, 저유전율 절연막은 승온에서 반드시 낮은 열 확장을 나타내야 한다. 이들은 추가로 금속, 금속 산화물 및/또는 금속 질화물에의 효과적인 부착을 나타내어야 한다. 또한, 이들은 높은 기계적 안정성을 특징으로 하고, 평탄화 공정(CMP) 및 에칭(etching)에 적합하여야 한다.
현재까지, 이산화실리콘(Si02)이 유전막 제조에 선택되는 물질이었다. Si02 막은 CVD(화학적 증착) 공정에 의해 산화 환경에서 실란 또는 실록산 전구체를 증착함으로써 제조된다. 이 방법으로 수득될 수 있는 저유전율 절연막은 4.0을 초과하는 상대적으로 높은 k 값을 갖는다.
2.6 내지 3.5의 k 값을 갖는 저유전율 절연막을 위해, 반도체 산업은 다수의 물질, 유기, 무기 및 천연 이종혼성물을 개발해 왔다. 이들 저유전율 절연막은 CVD 공정 또는 SOD(스핀-상 침착) 공정에 의해 증착될 수 있다. 저유전율 절연막을 위한 더 신규한 물질, 예를 들면, 플루오로실리케이트 또는 탄소-첨가된 Si02이 CVD 공정에 의해 증착될 수 있다. 폴리이미드, 폴리아릴 에테르 또는 폴리실세스퀴녹산(HSQ)로 만들어진 저유전율 절연막이 SOD 공정에 의해 제조될 수 있다.
미국 특허원 제2002/0192980호에는 CVD 공정에 의한 저유전율 절연막 제조를 위한 완전하게 축합된 올리고머 실세스퀴녹산의 사용이 기재되어 있다. 관능화된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산을 가교결합제와 반응시켜 k 값이 2.6 이하인 막 구조를 제조한다. 사용된 가교결합제는 바람직하게는 실란 또는 실록산이다. 가교결합은 실릴 또는 퍼옥시 라디칼에 의해 개시되는 유리-라디칼 중합에 의해 발생한다.
문헌[참조: Lercher et al., Adv. Mater. 14 (2002), 1369-73]에는 올리고머 실세스퀴녹산 또는 스피로실리케이트와 적합한 가교결합 시약의 반응에 의한 저유전율 절연막의 제조가 기재되어 있다. 하나의 예에서, Si-H-치환된, 완전하게 축합된 입방형 실세스퀴녹산 또는 스피로실리케이트와 1,5-헥사디엔을 반응시키는 하이드로실릴화가 사용되었다. 또다른 예에서, Si(OEt)3-치환된, 완전하게 축합된, 입방형 실세스퀴녹산 또는 스피로실리케이트와 물을 반응시켜 삼차원 네트워크를 형성하는 가수분해 축합이 사용되었다. SOD 공정에 의해 적용되는 층들은 2.1 내지 2.7의 k 값을 갖는다. 목적하는 저유전율 절연막을 Si-H-치환된 입방형 실세스퀴녹산과 디비닐-말단화된 공반응물로 하이드로실릴화하여 수득하는 유사한 접근이 유럽 특허원 제1 036 808호에 의해 추구된다.
JP 제2001189109호에는 폴리벤족사졸 또는 이의 전구체 및 관능화된 입방형 올리고머 실세스퀴녹산으로부터 k 값이 2.5인 저유전율 절연막의 제조가 기재되어 있다.
미국 특허 제6,329,490호에는 저유전율 절연막 제조를 위한 플루오르화된 알킬 라디칼을 갖는 완전하게 축합된 올리고머 실세스퀴녹산의 사용이 기재되어 있다.
CVD 공정에 의한 플루오로실세스퀴녹산 막의 증착이 국제 공개공보 WO 제01/29141호에 기재되어 있다. 이들 막은 수소 및/또는 플루오르 치환체를 포함하는 실세스퀴녹산의 전구체 혼합물을 사용하여 제조된다.
저유전율 절연막을 제조하기 위한 H8Si8Ol2 타입의 올리고머 실세스퀴녹산의 용도가 유럽 특허원 제0 962 965호에 기재되어 있다.
본 발명의 목적은 선행 기술의 방법보다 바람직한 가격이고, 용이하게 이용할 수 있는 실세스퀴녹산 원료를 허용하는 저유전율 절연막의 제조방법을 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 사실상 동일한 질의 저유전율 절연막을 더 낮은 원료 비용으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
놀랍게도, 용이하게 이용할 수 있는, 보다 바람직한 가격의, 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산의 사용을 통해 880kHz의 주파수에서 측정된 k 값이 2.5 이하인 저유전율 절연막을 제조할 수 있음이 밝혀졌다. 목적의 달성은 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산과 알콕시실란의 반응에서 삼차원 구조가 형성된 후 하소화가 이상적인 절연체를 구성함을 밝혔기 때문에 보다 모두 놀라운 것이다.
본 발명은 막 제조를 위해 다음 화학식의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산의 사용을 포함하는, 반도체 또는 전기 회로 상의 저유전율 절연막의 제조방법을 제공한다.
[(RaXbSiOl.5)m(RcYdSiO)n]
위의 화학식에서,
a 및 b는 0 내지 1이고, c 및 d는 1이고, m과 n의 합은 3 이상이고, a와 b의 합은 1이고, n 및 m은 1 이상이고,
R은 수소 원자, 또는 알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 사이클로알케닐, 알키닐, 사이클로알키닐, 아릴 또는 헤테로아릴 그룹이고, 각각 치환되거나 비치환되고,
X는 옥시, 하이드록실, 알콕시, 카복실, 실릴, 실릴옥시, 할로겐, 에폭시, 에스테르, 플루오로알킬, 이소시아네이트, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 니트릴, 아미노 또는 포스핀 그룹, 또는 타입 X의 이러한 그룹을 하나 이상 함유하는 타입 R의 치환체이고,
Y는 하이드록실, 알콕시 또는 타입 0-SiZ1Z2Z3의 치환체이고, 여기서, Z1, Z2 및 Z3은 플루오로알킬, 알콕시, 실릴옥시, 에폭시, 에스테르, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 니트릴 그룹, 또는 타입 R의 치환체이고, 동일하거나 상이하고,
타입 R의 치환체는 동일하거나 상이할 뿐만 아니라, 타입 X 및 Y의 치환체도 각각 동일하거나 상이하고, 타입 Y의 치환체로서 하나 이상의 하이드록실 그룹을 포함한다.
본 발명은 추가로 본 발명의 방법에 의해 제조되는 저유전율 절연막을 제공한다.
본 발명은 선행 기술에 비해 제조방법의 경제성을 뛰어나게 증강시키는, 바람직한 가격의, 용이하게 이용할 수 있는 시약인 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산을 사용하는 이점을 갖는다. 당해 분야 기술에 따른 저유전율 절연막의 상기 기재된 제조방법은, 대부분의 경우 이용할 수가 없고 다단계 합성법에 의해 착물 형태로 제조되어야 하는 과량의 다면체 올리고머 실세스퀴녹산의 사용에 의해 특징지어진다. 구조 1의 불완전하게 축합된 실세스퀴녹산은, 반대로, 트리알콕시실란 RSi(OR')3의 가수분해 축합에 의해 1-단계 합성으로 매우 우수한 수율로 제조될 수 있다. 구조 1의 화합물의 단순한 모노실릴화는 구조 2의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산을 생산한다.
따라서, 구조 1 및 2의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산은 올리고머 실세스퀴녹산의 물질 부류의 용이하게 이용할 수 있는, 바람직한 가격의 대표물이다. 이들 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산을 가수분해 축합이 가능한 추가의 공반응물(예를 들면, 알콕시실란)과 반응시킴으로써, 직접적으로 또는 소성반응 후 다공성 저유전율 절연막으로서 적합한 3차원 네트워크 구조의 신규한 종을 수득할 수 있다.
구조 1
구조 2
본 발명의 방법의 추가의 이점은 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산과 가수분해 축합이 가능한 공반응물의 선택을 통해 다공율을 조절할 수 있 고, 따라서 저유전율 절연막의 k 값도 조절할 수 있다는 것이다. 마찬가지로 열기계적 강도, 경도, 모둘리(moduli), 열 안정성 및 표면 조도는 사용되는 전구체에 따라 좌우된다.
본 발명의 반도체 또는 전기 회로 상의 저유전율 절연막 제조방법은 막 제조를 위해 다음 화학식의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산을 사용하는 것이 바람직하다.
[(RaXbSiOl.5)m(RcYdSiO)n]
여기서,
a 및 b는 0 내지 1이고, c 및 d는 1이고, m과 n의 합은 3 이상이고, a와 b의 합은 1이고, n 및 m은 1 이상이고,
R은 수소 원자, 또는 알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 사이클로알케닐, 알키닐, 사이클로알키닐, 아릴 또는 헤테로아릴 그룹이고, 각각 치환되거나 비치환되고,
X는 옥시, 하이드록실, 알콕시, 카복실, 실릴, 실릴옥시, 할로겐, 에폭시, 에스테르, 플루오로알킬, 이소시아네이트, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 니트릴, 아미노 또는 포스핀 그룹, 또는 타입 X의 이러한 그룹을 하나 이상 함유하는 타입 R의 치환체이고,
Y는 하이드록실, 알콕시 또는 타입 0-SiZ1Z2Z3의 치환체이고, 여기서, Z1, Z2 및 Z3은 플루오로알킬, 알콕시, 실릴옥시, 에폭시, 에스테르, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 니트릴 그룹, 또는 타입 R의 치환체이고, 동일하거나 상이하고,
타입 R의 치환체는 동일하거나 상이할 뿐만 아니라, 타입 X 및 Y의 치환체도 각각 동일하거나 상이하고, 타입 Y의 치환체로서 하나 이상의 하이드록실 그룹을 포함한다.
본 발명의 방법에서, 타입 Y 치환체로서 하이드록실 그룹을 3개 이하로 함유하는 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 방법에서, 특히 다음 화학식의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 사용된다.
[(RaSiOl.5)m(RcYdSiO)n]
위의 화학식에서,
a, c 및 d는 1이고, m과 n의 합은 3 이상이고, n 및 m은 1 이상이고,
R은 수소 원자, 또는 알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 사이클로알케닐, 알키닐, 사이클로알키닐, 아릴 또는 헤테로아릴 그룹이고, 각각은 치환되거나 비치환되고,
Y는 하이드록실, 알콕시 또는 타입 0-SiZ1Z2Z3의 치환체이고, 여기서, Z1, Z2 및 Z3은 플루오로알킬, 알콕시, 실릴옥시, 에폭시, 에스테르, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 니트릴 그룹, 또는 타입 R의 치환체이고, 동일하거나 상이하고,
타입 R의 치환체는 동일하거나 상이할 뿐만 아니라, 타입 Y의 치환체도 동일하거나 상이하고, 타입 Y의 치환체로서 하나 이상의 하이드록실 그룹을 포함한다.
그러나, 바람직하게는, 구조 1 또는 2의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 사용된다.
구조 1
구조 2
본 발명의 방법에서 사용되는 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산은 타입 R 치환체로서 수소 원자 또는 알킬, 사이클로알킬 또는 알케닐 그룹을 함유하는 것이 특히 바람직하다. 사용되는 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 타입 R의 치환체로서 알킬 그룹, 특히 메틸, 에틸, 프로필, 이소부틸, n-옥틸 또는 이소옥틸 또는 2,2,4-트리메틸펜틸 그룹을 포함하는 것이 특히 바람직하다. 본 발명의 방법의 하나의 특정한 양태에서, 사용되는 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산은 타입 R의 치환체로서 페닐, 사이클로펜틸 또는 사이클로헥실 그룹을 포함한다. 타입 R의 치환체는 모두 동일할 수 있음에도 불구하고, 또한 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 상이한 타입 R의 치환체를 포함하는 것이 가능하다.
본 발명의 방법에 따라, 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산은 원 위치에서 또는 용액 중에서 물질로서 사용될 수 있다. 적합한 용매는 바람직하 게는 물 이외에, 유기 용매, 특히 알코올, 케톤, 에테르, 알칸, 사이클로알칸, 아렌, 니트릴, 아민, 설파이드, 에스테르, 카복실산, 아미드 또는 불포화 및 할로겐화된 탄화수소를 포함한다. 특히 적합한 용매는 알코올, 매우 특히 안정한 l-메톡시-2-프로판올이다.
본 발명의 하나의 특정한 양태에서, 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산는 가수분해 축합이 가능한 공반응물, 바람직하게는 알콕시실란, 보다 바람직하게는 테트라알콕시실란, 매우 바람직하게는 테트라에톡시실란과 함께 반응한다. 이 반응에서, 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산 대 가수분해 축합이 가능한 공반응물의 몰 비는 바람직하게는 1:100 내지 100:1, 보다 바람직하게는 1:10 내지 10:1, 매우 바람직하게는 1:2이다.
본 발명의 방법의 하나의 매우 특별한 양태에서, 가수분해 축합이 가능한 공반응물은 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산과의 반응 전에 예비-가수분해되거나 부분-가수분해된다. 가수분해 축합이 가능한 공반응물의 이러한 예비 또는 부분 가수분해는 산성 용액 또는 중성 용액에서 일어날 수 있고, 바람직하게는 산성 용액에서 일어난다. 이러한 목적을 위해, 가수분해 축합이 가능한 공반응물은 바람직하게는 물과 반응한다. 하나의 특정한 양태에서, 이러한 예비 또는 부분 가수분해를 위해, 가수분해 축합이 가능한 공반응물의 완전한 가수분해를 위해 산술적으로 필요한 몰 양의 50%를 가한다.
본 발명의 방법의 또다른 양태에서, 막 형성제, 바람직하게는 포화 탄화수소, 보다 바람직하게는 탄소수가 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19 또는 20 인 포화 탄화수소, 매우 바람직하게는 헥사데칸을 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산에 가한다. 본 발명의 방법의 하나의 특별한 양태에서, 기공 형성제를 사용할 수 있다.
반도체 또는 전기 회로일 수 있는 기판 상의 출발 물질 증착은 바람직하게는 습윤-화학적 코팅 방법, 보다 바람직하게는 스핀 코팅, 매우 바람직하게는 실온에서 일어난다. 하나의 특정한 양태에서, 증착은 또한 침지코팅에 의해 일어날 수 있다. 이 후, 바람직하게는, 특히 400 내지 500℃에서 소성반응시킨다.
본 발명은 추가로, 본 발명의 방법에 의해 제조된 저유전율 절연막을 제공한다. 본 발명의 저유전율 절연막은 바람직하게는 880kHz의 주파수에서 측정시 k 값(유전율)이 2.5 이하, 보다 바람직하게는 2.3 이하, 매우 바람직하게는 2.1 이하이다. k 값은 문헌[참조: A. R. Blythe, Electrical Properties of Polymers, Cambridge University Press, ISBN 0 521 29825 3]과 동일한 방법에 의해 측정된다.
하기 실시예는 본 발명의 방법을 설명하기 위한 것이고, 본 발명을 이 양태로 제한함을 의도하지는 않는다.
1. 가수분해 축합이 가능한 공반응물의 예비가수분해
테트라에톡시실란의 예비가수분해를 위해, 염산을 가해 설정한 pH 2에서 테트라에톡시실란 및 물을 1:2의 몰 비(테트라에톡시실란 50g 및 물 8.65g)로 반응시킨다. 이 반응을 위해, 반응 혼합물을 실온에서 투명 용액이 형성될 때까지 약 1 일 동안 교반한다.
2. 출발 물질 혼합물의 제조
불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산 20중량%를 1-메톡시-2-프로판올에 용해시킨다. 그 후, 헥사데칸 10중량%를 이 용액에 가한다. 추가의 단계에서, 단계 1의 예비가수분해 생성물을 실온에서 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산 용액에 가하고, 여기서, 테트라에톡시실란 대 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산의 몰 비는 2:1이다.
표 1: 출발 물질 혼합물의 제조에 관한 실험 매개변수
| 실시예 | 구조에 따른 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산 |
| 2.1 | R이 이소부틸인 구조 11.) |
| 2.2 | R이 이소부틸인 구조 22.) |
1.) 제조사: 시그마 알드리히(Sigma-Aldrich)
2.) 트리메틸실릴 클로라이드 및 구조 1의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산을 사용하는 실릴화로 제조.
3. 출발 물질 혼합물의 침착
단계 2의 출발 물질 혼합물의 각각 0.5㎖를 표면적이 6.45cm2인 기판 상에 스핀 코팅으로 침착시키고 2분 동안 1200rpm의 속도로 회전시킨다. 그 후, 코팅된 기판을 실온에서 초기 건조시킨 후, 1시간 동안에 걸친 공기 대기에서 450℃에서 하소화시킨다.
| 실시예 | 출발 물질 혼합물 | 기판 |
| 3.1 | 2.1 | 유리 |
| 3.2 | 2.2 | 유리 |
| 3.3 | 2.2 | 표면 저항이 10ohms인, 산화주석인듐(ITO)으로 코팅된 전도성 유리 |
4. 본 발명의 저유전율 절연막의 특성
실시예 3.1 및 3.2에 따라 제조된 저유전율 절연막은 우수한 투명성 및 습윤성을 나타낸다. 실시예 3.3에 따라 제조된 저유전율 절연막의 두께는 550nm이다. 코팅이 소성된 후, 층 두께가 100 내지 500nm인 금 전극을 물리적 증착으로 그 위에 증착시킨다. 그 후, 실온에서 주파수 기능으로서 어드미턴스(admittance)로, 정밀 LCR 계량기 HP 4284A를 사용하여 측정된다. 주파수 880kHz에서 k 값은 2.3이다.
Claims (12)
- 막 제조를 위해 다음 화학식의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산의 사용을 포함하는, 반도체 또는 전기 회로 상의 저유전율 절연막의 제조방법.[(RaXbSiOl.5)m(RcYdSiO)n]위의 화학식에서,a 및 b는 0 내지 1이고, c 및 d는 1이고, m과 n의 합은 3 이상이고, a와 b의 합은 1이고, n 및 m은 1 이상이고,R은 수소 원자, 또는 알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 사이클로알케닐, 알키닐, 사이클로알키닐, 아릴 또는 헤테로아릴 그룹이고, 각각 치환되거나 비치환되고,X는 옥시, 하이드록실, 알콕시, 카복실, 실릴, 실릴옥시, 할로겐, 에폭시, 에스테르, 플루오로알킬, 이소시아네이트, 아크릴레이트, 메타크릴레이트, 니트릴, 아미노 또는 포스핀 그룹, 또는 타입 X의 이러한 그룹을 하나 이상 함유하는 타입 R의 치환체이고,Y는 하이드록실, 알콕시 또는 타입 0-SiZ1Z2Z3의 치환체이고, 여기서, Z1, Z2 및 Z3은 플루오로알킬, 알콕시, 실릴옥시, 에폭시, 에스테르, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 니트릴 그룹, 또는 타입 R의 치환체이고, 동일하거나 상이하고,타입 R의 치환체는 동일하거나 상이할 뿐만 아니라, 타입 X 및 Y의 치환체도 각각 동일하거나 상이하고, 타입 Y의 치환체로서 하나 이상의 하이드록실 그룹을 포함한다.
- 제1항에 있어서, 다음 화학식의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 사용되는 방법.[(RaSiOl.5)m(RcYdSiO)n]위의 화학식에서,a, c 및 d는 1이고, m과 n의 합은 3 이상이고, n 및 m은 1 이상이고,R은 수소 원자, 또는 알킬, 사이클로알킬, 알케닐, 사이클로알케닐, 알키닐, 사이클로알키닐, 아릴 또는 헤테로아릴 그룹이고, 각각은 치환되거나 비치환되고,Y는 하이드록실, 알콕시 또는 타입 0-SiZ1Z2Z3의 치환체이고, 여기서, Z1, Z2 및 Z3은 플루오로알킬, 알콕시, 실릴옥시, 에폭시, 에스테르, 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 니트릴 그룹, 또는 타입 R의 치환체이고, 동일하거나 상이하고,타입 R의 치환체는 동일하거나 상이할 뿐만 아니라, 타입 Y의 치환체도 동일하거나 상이하고, 타입 Y의 치환체로서 하나 이상의 하이드록실 그룹을 포함한다.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 타입 Y 치환체로서 하이드록실 그룹을 3개 이하로 함유하는 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 사용되는 방법.
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 구조 1 또는 2의 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 사용되는 방법.구조 1
구조 2
- 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 알콕시실란과 반응하는 방법.
- 제5항에 있어서, 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산이 테트라알콕시실란과 반응하는 방법.
- 제1항 내지 제6항 중의 어느 한 항에 있어서, 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산 대 가수분해 축합이 가능한 공반응물의 몰 비가 1:10 내지 10:1인 방법.
- 제7항에 있어서, 불완전하게 축합된 다면체 올리고머 실세스퀴녹산 대 가수분해 축합이 가능한 공반응물의 몰 비가 2:1인 방법.
- 제1항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 저유전율 절연막이 습윤-화학 코팅 방법에 의해 제조되는 방법.
- 제9항에 있어서, 저유전율 절연막이 스핀 코팅 후 하소화에 의해 제조되는 방법.
- 제1항 내지 제10항 중의 어느 한 항에 따라 제조된 저유전율 절연막.
- 제11항에 있어서, 880kHz의 주파수에서 측정된 k 값이 2.3 이하인 저유전율 절연막.
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