KR20060028009A - 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩방법 및 언로딩 방법 - Google Patents

화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩방법 및 언로딩 방법 Download PDF

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KR20060028009A KR1020040076987A KR20040076987A KR20060028009A KR 20060028009 A KR20060028009 A KR 20060028009A KR 1020040076987 A KR1020040076987 A KR 1020040076987A KR 20040076987 A KR20040076987 A KR 20040076987A KR 20060028009 A KR20060028009 A KR 20060028009A
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Abstract

본 발명은 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법 및 언로딩 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법은 버퍼 모듈(buffer module)과, 이송 모듈(transfer module)과, 프로세스 모듈(process module)과, 버퍼 모듈과 이송 모듈 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어(first slit door), 및 이송 모듈과 프로세스 모듈 사이에 위치한 제 2 슬릿 도어(second slit door)를 포함하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 버퍼 모듈로부터 프로세스 모듈로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 방법으로서, (a) 버퍼 모듈에 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계와, (b) 버퍼 모듈의 내부 압력을 이송 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 제 1 슬릿 도어를 개방하여 버퍼 모듈로부터 이송 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계, 및 (c) 이송 모듈의 내부 압력을 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 제 2 슬릿 도어를 개방하여 이송 모듈로부터 프로세스 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 프로세스 모듈 내에 남아 있는 반응 가스가 이송 모듈과 버퍼 모듈로 이동하여 반도체 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지할 수 있다.
버퍼 모듈, 이송 모듈, 프로세스 모듈, 반도체 웨이퍼, 반응 가스

Description

화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법 및 언로딩 방법{Method for loading and unloading a semiconductor wafer in a chemical vapor deposition vacuum chamber system}
도 1은 일반적인 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 개략도.
도 2는 도 1에 도시된 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 로딩 방법을 나타낸 블록도.
도 3은 도 1에 도시된 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 언로딩 방법을 나타낸 블록도.
도 4는 본 발명의 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법을 나타낸 블록도.
도 5는 본 발명의 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 언로딩 방법을 나타낸 블록도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
TM1, TM2: 이송 모듈 PM1, PM2, PM3, PM4: 프로세스 모듈
BM1, BM2: 버퍼 모듈 1: 제 1 슬릿 도어
2: 제 2 슬릿 도어 3: 니들 밸브
본 발명은 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법 및 언로딩 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 웨이퍼를 화학기상증착 전에 버퍼 모듈(buffer module)로부터 프로세스 모듈로 이송하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법과, 화학기상증착 후에 프로세스 모듈(process module)로부터 버퍼 모듈로 이송하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 언로딩 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 반도체 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각(etching), 애싱(ashing), 확산, 화학기상증착, 이온주입 및 금속증착 등의 공정을 반복적으로 선택하여 수행하는 것에 의해 도전층, 반도체층, 부도체층 등을 적층하여 만들어진다. 상술한 반도체 소자 제조 공정 중 화학기상증착 공정은 반응 가스를 공급하여 반도체 웨이퍼 상에서 반응토록 함으로써 요구되는 박막층을 형성하는 공정이다. 이와 같은 화학기상증착 공정을 수행하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템을 이하에서 설명하기로 한다.
도 1은 일반적인 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 개략도이고, 도 2는 도 1에 도시된 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 로딩 방법을 나타낸 블록도이며, 도 3은 도 1에 도시된 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 언로딩 방법을 나타낸 블록도이다. 도 1에서 예시되고 있는 화학기상증착 진공 챔버 시스템(10)은 반도체 웨이퍼(도시되지 않 음)를 진공압 상태로 이송시키기 위한 버퍼 모듈들(BM1, BM2)과, 반도체 웨이퍼의 이송 경로를 제공하기 위한 이송 모듈(transfer module)들(TM1, TM2)과, 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 프로세스 모듈들(PM1, PM2, PM3, PM4)과, 버퍼 모듈들(BM1, BM2)과 이송 모듈들(TM1, TM2) 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어(1)들과, 이송 모듈들(TM1, TM2)과 프로세스 모듈들(PM1, PM2, PM3, PM4) 사이에 위치한 제 2 슬릿 도어(2)들, 및 이송 모듈들(TM1, TM2)에 연결된 니들 밸브(3)들을 포함하는 구조로 되어 있다.
이와 같은 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법 및 언로딩 방법을 설명하기로 한다. 단, 이송 모듈(TM1, TM2)과 프로세스 모듈(PM1, PM2, PM3, PM4) 사이의 이송은 모두 같은 방식에 의해 이루어지고, 버퍼 모듈(BM1, BM2)과 이송 모듈(TM1, TM2) 사이의 이송도 같은 방식에 의해 이루어지므로, 버퍼 모듈(BM1), 이송 모듈(TM1), 및 프로세스 모듈(PM2)을 이용하여 이하에서 설명하기로 한다.
도 1과 도 2를 참조하면, 화학기상증착 진공 챔버 시스템(10)의 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 로딩 방법은 카세트 모듈(cassette module; 도시되지 않음)로부터 버퍼 모듈(BM1)로 로봇 암(robot arm; 도시되지 않음)에 의해 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계(ST20)와, 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력을 하강시키는 단계(ST21)와, 버퍼 모듈(BM1)과 이송 모듈(TM1) 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어(first slit door; 1)를 개방하는 단계(ST22)와, 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력과 이송 모듈(TM1)의 내부 압력이 모두 0 mtorr인 상태에서 버퍼 모듈(BM1)에 로딩되어 있는 반도체 웨이퍼를 이송 모듈(TM1)로 이송하는 단계(ST23)와, 이송 모듈(TM1)과 프로세스 모듈(PM2) 사이에 위치한 제 2 슬릿 도어(second slit door; 2)를 개방하는 단계(ST24), 및 이송 모듈(TM1)의 내부 압력과 프로세스 모듈(PM2)의 내부 압력이 모두 0 mtorr인 상태에서 이송 모듈(TM1)에 위치한 반도체 웨이퍼를 프로세스 모듈(PM2)에 로딩하는 단계(ST25)를 포함하여 구성된다.
도 1과 도 3을 참조하면, 화학기상증착 진공 챔버 시스템(10)의 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 언로딩 방법은 프로세스 모듈(PM2)과 이송 모듈(TM1) 사이의 제 2 슬릿 도어를 개방하는 단계(ST30)와, 이송 모듈(TM1)의 내부 압력과 프로세스 모듈(PM2)의 내부 압력이 모두 0 mtorr인 상태에서 프로세스 모듈(PM2)에 로딩되어 있는 반도체 웨이퍼를 이송 모듈(TM1)로 이송하는 단계(ST31)와, 이송 모듈(TM1)과 버퍼 모듈(BM1) 사이의 제 1 슬릿 도어를 개방하는 단계(ST32), 및 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력과 이송 모듈(TM1)의 내부 압력이 모두 0 mtorr인 상태에서 이송 모듈(TM1)에 위치한 반도체 웨이퍼를 버퍼 모듈(BM1)에 로딩하는 단계(ST33)를 포함하여 구성된다.
그런데, 이와 같은 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 종래 기술에 따른 반도체 웨이퍼 로딩 방법 및 언로딩 방법에 의하면, 반도체 웨이퍼가 프로세스 모듈로부터 이송 모듈로 이송되는 과정이나 이송 모듈로부터 프로세스 모듈로 이송되는 과정에서 프로세스 모듈과 이송 모듈의 내부 압력이 0mtorr로서 서로 동일한 내부 압력 조건을 유지하도록 설정되어 있지만 실제 내부 압력이 0mtorr가 되지 못하여 이송 모듈이나 프로세스 모듈의 내부 압력에 차이가 발생되고, 프로세스 모듈 내에 잔류되는 반응가스로 인하여 프로세스 모듈 내의 밀도가 이송 모듈 내의 밀도보다 높기 때문에, 또한 프로세스 모듈의 온도가 350℃이고 이송 모듈의 온도가 50 내지 60℃ 정도이기 때문에, 반응 가스가 프로세스 모듈로부터 이송 모듈로 이동된다.
이송 모듈로 이동된 반응 가스는 이송 모듈의 내부 표면에 분말 형태의 이물질을 생성시키는데, 이송 로봇의 동작 중에 이물질로부터 분리된 파티클(particle)이 반도체 웨이퍼에 들러붙어 반도체 웨이퍼에 대한 파티클 오염을 발생시키는 문제점이 있다.
또한, 반도체 웨이퍼가 이송 모듈에서 버퍼 모듈로 이송되는 과정이나 버퍼 모듈로부터 이송 모듈로 이송되는 과정에서, 반응 가스에 의해 생성된 이물질의 파티클이나 반응 가스가 버퍼 모듈로 이동되어 버퍼 모듈에 있는 반도체 웨이퍼의 파티클 오염을 발생시키기도 한다.
따라서, 본 발명의 목적은 프로세스 모듈로부터 이송 모듈로 반응 가스가 이동하여 생긴 이물질의 파티클에 의한 반도체 웨이퍼의 오염을 방지하고, 이송 모듈로부터 버퍼 모듈로 이동된 반응 가스나 이물질의 파티클로 인한 반도체 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법 및 언로딩 방법을 제공하는 데에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법은 반도체 웨이퍼를 진공압 상태로 이송시키기 위한 버 퍼 모듈과, 버퍼 모듈에 인접해 있고 반도체 웨이퍼의 이송 경로를 제공하기 위한 이송 모듈과, 이송 모듈에 인접해 있고 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 프로세스 모듈과, 버퍼 모듈과 이송 모듈 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어, 및 이송 모듈과 프로세스 모듈 사이에 위치한 제 2 슬릿 도어를 포함하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 버퍼 모듈로부터 프로세스 모듈로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 방법으로서, (a) 버퍼 모듈에 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계와, (b) 버퍼 모듈의 내부 압력을 이송 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 제 1 슬릿 도어를 개방하여 버퍼 모듈로부터 이송 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계, 및 (c) 이송 모듈의 내부 압력을 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 제 2 슬릿 도어를 개방하여 이송 모듈로부터 프로세스 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법은, (c) 단계에서 이송 모듈 내에 질소 가스를 주입하여 이송 모듈의 내부 압력을 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 주는 것이 바람직하다.
또한 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 언로딩 방법은 반도체 웨이퍼를 진공압 상태로 이송시키기 위한 버퍼 모듈과, 버퍼 모듈에 인접해 있고 반도체 웨이퍼의 이송 경로를 제공하기 위한 이송 모듈과, 이송 모듈에 인접해 있고 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 프로세스 모듈과, 버퍼 모듈과 이송 모듈 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어, 및 이송 모듈과 프로세스 모듈 사이에 위치한 제 2 슬릿 도어를 포함하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 프로세스 모듈로부터 버퍼 모듈로 반도체 웨이퍼를 언로딩하는 방법으로서, (a) 이송 모듈의 내부 압력을 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 제 2 슬릿 도어를 개방하여 프로세스 모듈로부터 이송 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계, 및 (b) 버퍼 모듈의 내부 압력을 이송 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 제 1 슬릿 도어를 개방하여 이송 모듈로부터 버퍼 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 언로딩 방법은 (b) 단계에서 이송 모듈 내에 질소 가스를 주입하여 이송 모듈의 내부 압력을 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 주는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명에 따른 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법 및 언로딩 방법을 버퍼 모듈(BM1), 이송 모듈(TM1), 및 프로세스 모듈(PM2) 간의 로딩과 언로딩을 예로 하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 4는 본 발명에 따른 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법을 나타낸 블록도이다. 도 1과 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 화학기상증착 진공 챔버 시스템(10)의 반도체 웨이퍼 로딩 방법은 버퍼 모듈(BM1)에 반도체 웨이퍼(도시되지 않음)를 로딩하는 단계(ST40)와, 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력을 하강시키는 단계(ST41)와, 버퍼 모듈(BM1)과 이송 모듈(TM1) 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어(1)를 개방하는 단계(ST43)와, 버퍼 모듈(BM1)에 로딩되어 있는 반도체 웨이퍼를 이송 모듈(TM1)로 이송하는 단계(ST44)와, 이송 모듈(TM1)과 프로세스 모 듈(PM2) 사이에 위치한 제 2 슬릿 도어(2)를 개방하는 단계(ST46), 및 이송 모듈(TM1)에 위치한 반도체 웨이퍼를 프로세스 모듈(PM2)에 로딩하는 단계(ST47)를 포함하여 구성된다.
먼저 반도체 웨이퍼를 로봇 암(도시되지 않음)을 이용하여 대기압 상태에서 카세트 모듈(도시되지 않음)로부터 버퍼 모듈(BM1)로 로딩하는 단계(ST40)가 진행된다.
다음으로 버퍼 모듈(BM1)의 압력을 하강시키는 단계(ST41)가 진행되고, 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력은 이송 모듈(TM1)의 내부 압력보다 높게 조절된다(ST42). 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력은 80 mtorr, 이송 모듈(TM1)의 내부 압력은 60 mtorr로 설정되는 것이 바람직하다.
다음으로 버퍼 모듈(BM1)과 이송 모듈(TM1) 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어(1)를 개방하는 단계(ST43)가 진행된 후에 버퍼 모듈(BM1)에 로딩되어 있는 반도체 웨이퍼를 이송 모듈(TM1)로 이송하는 단계(ST44)가 진행된다. 반도체 웨이퍼를 이송 모듈(TM1)로 이송하는 단계(ST44)에서 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력이 이송 모듈(TM1)의 내부 압력보다 높은 상태가 유지된다.
다음으로 이송 모듈(TM1)의 내부 압력을 프로세스 모듈(PM2)의 내부 압력보다 높게 조절한(ST45) 후에 이송 모듈(TM1)과 프로세스 모듈(PM2) 사이의 제 2 슬릿 도어(2)를 개방하는 단계(ST46)가 진행된다. 이송 모듈(TM1)의 내부 압력은 이송 모듈(TM1)에 연결된 니들 밸브(3)를 통해, 다른 물질과 반응하지 않는 질소 가스를 주입하여 조절한다. 이송 모듈(TM1)의 내부 압력은 60 mtorr, 프로세스 모듈 (PM2)의 내부 압력은 0 mtorr로 설정되는 것이 바람직하다.
마지막으로 이송 모듈(TM1)에 위치한 반도체 웨이퍼를 프로세스 모듈(PM2)에 로딩하는 단계(ST47)가 진행된다. 반도체 웨이퍼를 프로세스 모듈(PM2)에 로딩하는 단계(ST47)에서 이송 모듈(TM1)의 내부 압력이 프로세스 모듈(PM2)의 내부 압력보다 높은 상태가 유지된다.
도 5는 본 발명에 따른 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 언로딩 방법의 블록도이다. 도 1과 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 언로딩 방법은 프로세스 모듈(PM2)과 이송 모듈(TM1) 사이의 제 2 슬릿 도어(2)를 개방하는 단계(ST51)와, 프로세스 모듈(PM2)에 로딩되어 있는 반도체 웨이퍼를 이송 모듈(TM1)로 이송하는 단계(ST52)와, 이송 모듈(TM1)과 버퍼 모듈(BM1) 사이의 제 1 슬릿 도어(1)를 개방하는 단계(ST54), 및 이송 모듈(TM1)에 위치한 반도체 웨이퍼를 버퍼 모듈(BM1)에 로딩하는 단계(ST55)를 포함하여 구성된다.
먼저, 반도체 웨이퍼가 처리된 후에 이송 모듈(TM1)의 내부 압력을 프로세스 모듈(PM2)의 내부 압력보다 높게 조절하고(ST50) 프로세스 모듈(PM2)과 이송 모듈(TM1) 사이의 제 2 슬릿 도어(2)를 개방하는 단계(ST51)가 진행된다.
다음으로 프로세스 모듈(PM2)에 로딩되어 있는 반도체 웨이퍼를 이송 모듈(TM1)로 이송하는 단계(ST52)가 진행된다. 반도체 웨이퍼를 이송 모듈(TM1)로 이송하는 단계(ST52)에서 이송 모듈(TM1)의 내부 압력이 프로세스 모듈(PM2)의 내부 압력보다 높은 상태가 유지된다.
다음으로 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력을 이송 모듈(TM1)의 내부 압력보다 높 게 조절한(ST53) 후에 이송 모듈(TM1)과 버퍼 모듈(BM1) 사이의 제 1 슬릿 도어(1)를 개방하는 단계(ST54)가 진행된다.
마지막으로 이송 모듈(TM1)에 위치한 반도체 웨이퍼를 버퍼 모듈(BM1)에 로딩하는 단계(ST55)가 진행된다. 반도체 웨이퍼를 버퍼 모듈(BM1)에 로딩하는 단계(ST55)에서 버퍼 모듈(BM1)의 내부 압력이 이송 모듈(TM1)의 내부 압력보다 높은 상태가 유지된다.
이와 같은 본 발명의 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법 및 언로딩 방법은 이송 모듈과 프로세스 모듈 사이에서 반도체 웨이퍼를 이송할 때 이송 모듈 내로 질소 가스가 유입됨으로써 이송 모듈의 압력이 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높아 프로세스 모듈에 남아 있는 반응 가스가 이송 모듈 내로 이동하는 것을 방지한다. 또한, 버퍼 모듈과 이송 모듈 사이에서 반도체 웨이퍼를 이송할 때 버퍼 모듈의 내부 압력이 이송 모듈의 내부 압력보다 높아 이송 모듈 내의 이물질의 파티클이 버퍼 모듈로 이동하는 것을 방지한다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
이상과 같은 본 발명의 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로 딩 방법 및 언로딩 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼를 프로세서 모듈로부터 이송 모듈로 이송하는 과정이나 이송 모듈로부터 프로세스 모듈로 이송하는 과정에서 이송 모듈의 내부 압력이 프로세서 모듈의 내부 압력보다 높기 때문에 프로세스 모듈 내의 반응 가스가 이송 모듈로 이동하는 것을 방지할 수 있어 이송 모듈 내의 반도체 웨이퍼가 이물질의 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 반도체 웨이퍼를 이송 모듈로부터 버퍼 모듈로 이송하는 과정이나 버퍼 모듈로부터 이송 모듈로 이송하는 과정에서 버퍼 모듈의 내부 압력이 이송 모듈의 내부 압력보다 높기 때문에 이송 모듈 내의 이물질의 파티클이나 반응 가스가 버퍼 모듈로 이동하는 것을 방지할 수 있어 버퍼 모듈 내의 반도체 웨이퍼가 이물질의 파티클에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (4)

  1. 반도체 웨이퍼를 진공압 상태로 이송시키기 위한 버퍼 모듈(buffer module)과, 상기 버퍼 모듈에 인접해 있고 반도체 웨이퍼의 이송 경로를 제공하기 위한 이송 모듈(transfer module)과, 상기 이송 모듈에 인접해 있고 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 프로세스 모듈(process module)과, 상기 버퍼 모듈과 상기 이송 모듈 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어(first slit door), 및 상기 이송 모듈과 상기 프로세스 모듈 사이에 위치한 제 2 슬릿 도어(second slit door)를 포함하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 버퍼 모듈로부터 프로세스 모듈로 반도체 웨이퍼를 로딩하는 방법으로서,
    (a) 상기 버퍼 모듈에 반도체 웨이퍼를 로딩하는 단계와;
    (b) 상기 버퍼 모듈의 내부 압력을 상기 이송 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 상기 제 1 슬릿 도어를 개방하여 상기 버퍼 모듈로부터 상기 이송 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계; 및
    (c) 상기 이송 모듈의 내부 압력을 상기 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 상기 제 2 슬릿 도어를 개방하여 상기 이송 모듈로부터 상기 프로세스 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 이송 모듈 내에 질소 가스를 주입 하여 상기 이송 모듈의 내부 압력을 상기 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 주는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 로딩 방법.
  3. 반도체 웨이퍼를 진공압 상태로 이송시키기 위한 버퍼 모듈과, 상기 버퍼 모듈에 인접해 있고 반도체 웨이퍼의 이송 경로를 제공하기 위한 이송 모듈과, 상기 이송 모듈에 인접해 있고 반도체 웨이퍼를 처리하기 위한 프로세스 모듈과, 상기 버퍼 모듈과 상기 이송 모듈 사이에 위치한 제 1 슬릿 도어, 및 상기 이송 모듈과 상기 프로세스 모듈 사이에 위치한 제 2 슬릿 도어를 포함하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 프로세스 모듈로부터 버퍼 모듈로 반도체 웨이퍼를 언로딩하는 방법으로서,
    (a) 상기 이송 모듈의 내부 압력을 상기 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 상기 제 2 슬릿 도어를 개방하여 상기 프로세스 모듈로부터 상기 이송 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계; 및
    (b) 상기 버퍼 모듈의 내부 압력을 상기 이송 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 준 상태에서 상기 제 1 슬릿 도어를 개방하여 상기 이송 모듈로부터 상기 버퍼 모듈로 반도체 웨이퍼를 이송하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 언로딩 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 이송 모듈 내에 질소 가스를 주입 하여 상기 이송 모듈의 내부 압력을 상기 프로세스 모듈의 내부 압력보다 높게 만들어 주는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 진공 챔버 시스템의 반도체 웨이퍼 언로딩 방법.
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