KR20060017741A - 전도성 점착물이 결합된 방사선 촬상 장치용 반도체 기판 - Google Patents

전도성 점착물이 결합된 방사선 촬상 장치용 반도체 기판 Download PDF

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Abstract

X-선 및 감마선 방사에너지 촬상장치에서의 방사선 검출기/이미징 기판 어레이(20)로서, 상기 촬상 장치의 검출기와 판독 기판(21)와의 사이에서 전하 시그널링 연속성을 제공하기 위해 전기적으로 전도성인 점착물(38)을 사용하는 어레이에 대해 기술되어 있다. 본 촬상장치는 복수의 전기적 전도성인 결합들(25)을 이용하며, 이들 각각은 서로 떨어져서 픽셀 패턴 내의 픽셀 컨택트(22)를 신호 컨택트 패턴 내의 신호 컨택트에 연결한다. 상기 결합들(25)은 전기적으로 전도성인 점착물(38)일 수 있다. 이러한 결합기술은 카드뮴 및 텔루르 조성을 포함하는 검출기 기판을 갖는 검출/이미징 어레이에서 특히 유용하다. 본 발명은 범프화된 전기적 컨택트가 있거나 없는 반도체 검출기와 판독 기판에서 실시가능하다. 전기적으로 전도성인 결합들(25)은 이방성 또는 등방성 전도성 점착물(38)을 이용한다.
방사선 검출기, 촬상장치, 범프, 전도성 점착물, 컨택트, 결합, 입자

Description

전도성 점착물이 결합된 방사선 촬상 장치용 반도체 기판{CONDUCTIVE ADHESIVE BONDED SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR RADIATION IMAGING DEVICES}
본 특허출원은 2003년 3월 27일자로 출원된 미국특허출원 제10/400,381호에 근거한 우선권 이익을 주장하며 본 특허출원은 정규의 미국 국내특허출원이다.
본 발명은 보이지 않는 방사에너지를 검출하는 반도체 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 물체의 영상을 형성하고, 전도성 점착물을 사용하여 특정의 반도체 배열에 결합된 카드뮴-텔루르 기판을 포함하는 검출수단을 갖는 이미징 시스템에 관한 것이다.
발명의 배경
반도체 처리/판독 기판에 땜납에 의해 범프-결합된 반도체 검출기 기판을 포함하는 반도체 방사선 촬상 장치분야에서 있어서, "차가운" 땜납 이음매의 발생은 문제가 될 수 있다. 미국특허 제5,379,336호, 미국특허 제5,812,191호, 유럽특허 제1162833호 및 유럽특허 제0421869호를 참조하라. 또한, 차가운 용접으로도 불리는 차가운 땜납 이음매는 인듐, 납, 주석 및 다른 금속을 함유하는 땜납 함금을 포함하는 다양한 땜납 조성에서 발생할 수 있다.
이는 본 발명의 기술분야에서 저온의 범프-결합 기술(미국특허 제5,952,646 호)을 포함하는 차가운 이음매의 발생을 줄이기 위한 다른 대안의 땜납 또는 범프-결합 방법의 개발을 유도하였다. 그러나, 현재의 땜납 또는 전술한 범프-결합 기술은, 검출기 기판에서 온도민감성 반도체 재료를 이용하는 새로운 고밀도 촬상장치 어셈블리 프로세스들에 대한 요구들을 모두 만족시킬 수 없다. 이러한 온도민감성 반도체 검출기 기판들은 카드뮴-텔루르(Cd-Te) 조성 및 카드뮴-아연-텔루르(Cd-Zn-Te) 조성과 같은 현재 가장 가능성 있는 금속간 화합물 재료의 일부를 포함한다.
땜납으로 고밀도 반도체 기판을 결합하는 경우, 얻어지는 촬상장치에서 상호접속 부피는 매우 작다. 이러한 작은 상호접속 면적은 가능성 있는 금속간 검출기 기판 일부에서의 상대적으로 부서지기 쉬운 특성과 결합하여, 땜납-범프결합이 금속간 재료의 일부에 사용되었을 때 상호접속의 기계적 안정성의 감소와, 신뢰도의 감소를 가져올 수 있다. 또한, 반도체 기판을 결합시키기 위한 땜납내의 금속성 납의 사용은 환경에 잠재적으로 노출되는 독성 금속의 양을 증가시킨다.
따라서, 부서지기 쉽고 온도민감성의 금속간(inter-metallic) 반도체 재료를 과도한 열이나 압력에 노출시키지 않는 반도체 기판 결합 기술은 본 발명이 속한 산업에 매우 유용하다. 또한, 현재의 결합 기술보다 간단하고, 차가운 땜납 이음매 또는 차가운 용접의 문제에 덜 민감하며, 결합 공정을 달성하기 위해 요구되는 금속성 납의 양을 줄이는, 반도체 이미징 기판을 생산하기 위한 다른 방법의 제공은 본 발명이 속한 산업에 매우 유용하다.
발명의 요약
본 발명은 디지털 방사선 촬상장치 및 이 장치에 1keV 이상의 디지털 이미지 방사선을 생성하기 위한 방법에 관한 것이다. 상기 촬상 장치는 비교적 견고하고, 신뢰할 수 있으며, 비용면에서 효율적이다. 상기 촬상 장치는 들어오는 방사선에 직접 응답하여 전하를 생성하는 반도체 기판과, 생성된 전하를 처리하고 판독하는 판독/처리 기판과, 상기 2개의 기판을 서로 연결하거나 결합시키는 전기전도성 접착수단을 포함한다.
본 발명의 점착물은 반도체 기판들 사이에 기계적으로 단단하고 전기적으로 전도성인 이음매 컨택트를 만든다. 또한, 경화된 점착물은 열적으로 전도성이고 환경으로부터 전기적 컨택트를 보호한다. 이것은 종종 폴리머 점착물 내로 전기적으로 전도성이거나 가용성인 입자를 도입함으로써 달성된다.
점착물은 물리적 특성에 따라 등방성이거나 이방성일 수 있다. 이들 점착물은 반도체 기판에 분리된 위치에서 또는 필름으로서 도포된다. 등방성 점착물은 촬상장치에서 경화되면 전기를 모든 방향에서 실질적으로 동일하게 전도한다. 이방성 점착물은 촬상장치에서 경화되면 어느 하나의 평면방향에서 전기를 선택적으로 전도한다. 반도체 기판 사이에서 합치되는 전하 시그널링 컨택트들은, 범프에 의해 또는 범프없이 판독 CMOS 기판을 그것과 정합하는 검출기 기판에 연결할 수 있다. 합치되는 전하 시그널링 컨택트들 사이의 접속은 등방성인 전도성 점착물 또는 이방성인 전도성 점착물을 이용하여 달성된다. 이는 Cd-Te 또는 Cd-Zn-Te 검출기 기판에서 특히 유용하지만, 본 발명의 이점이 요구될 때 PbI, HgCdTe, GaAs를 포함하는 다른 방사선 이미징 검출 기판에서도 사용될 수 있다.
도1은 방사선 이미징 시스템의 2차원적 이미징 배열을 포함하는 본 발명의 장치를 도시하는 도면이다.
도2a는 본 발명의 일실시예의 부분단면도로서, 전도성 점착물의 분리된 도포를 이용하여 반도체 플립칩 기판이 범프화된 판독 CMOS 반도체 기판에 접착되어 결합된 것을 나타내고 있다.
도2b는 도2a의 장치의 측면확대도로서, 플립-칩/검출기 기판을 범프화된 CMOS 기판에 전도성 접착결합시키기 전의 픽셀 셀을 나타낸다.
도2c는 도2a의 장치의 측면확대도로서, 플립-칩 기판을 범프화된 CMOS 기판에 전도성 접착결합시킨 후의 픽셀 셀을 나타낸다.
도3a는 본 발명의 일실시예의 부분단면도로서, 전도성 점착물의 분리된 도포를 이용하여 반도체 플립칩 기판이 범프가 없는 판독 CMOS 반도체 기판에 접착되어 결합된 것을 나타내고 있다.
도3b는 도3a의 장치의 측면확대도로서, 플립-칩 기판을 범프가 없는 CMOS 기판에 전도성 접착결합시키기 전의 픽셀 셀을 나타낸다.
도3c는 도3a의 장치의 측면확대도로서, 2개의 범프가 없는 기판들을 전도성 접착결합시킨 후의 픽셀 셀을 나타낸다.
도4a는 본 발명의 일실시예의 부분단면도로서, 이방성 전도성 점착물 층과 이러한 층의 전도도의 방향적 특성을 이용하여 반도체 플립칩 기판이 범프화된 판독 CMOS 반도체 기판에 접착되어 결합된 것을 나타내고 있다.
도4b는 도4a의 장치의 측면확대도로서, 플립-칩 기판을 범프화된 CMOS 기판에 전도성 접착결합시키기 전의 픽셀 셀을 나타낸다.
도4c는 도4a의 장치의 측면확대도로서, 플립-칩 기판을 범프화된 CMOS 기판에 전도성 접착결합시킨 후의 픽셀 셀을 나타낸다.
도5a는 본 발명의 일실시예의 부분단면도로서, 이방성 전도성 점착물 층과 이러한 층의 전도도의 방향적 특성을 이용하여 반도체 플립칩 기판이 범프가 없는 판독 CMOS 반도체 기판에 접착되어 결합된 것을 나타내고 있다.
도5b는 도5a의 장치의 측면확대도로서, 플립-칩 기판을 범프가 없는 CMOS 기판에 전도성 접착결합시키기 전의 픽셀 셀을 나타낸다.
도5c는 도5a의 장치의 측면확대도로서, 플립-칩 기판을 범프가 없는 CMOS 기판에 전도성 접착결합시킨 후의 픽셀 셀을 나타낸다.
바람직한 실시예의 상세한 설명
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 방사선 촬상장치는 방사선 입사에 직접 응답하여 전하를 생성하는 반도체 기판과, 상기 생성된 전하를 처리하고 판독하는 판독/처리 반도체 기판과, 2개의 기판을 결합하기 위한 등방성 전도성 점착물(ICA)를 포함한다. 이러한 ICA들은 높은 충전물 로딩율(loading rate)을 갖는 전도성 충전물을 가지며, 실질적으로 모든 방향에 있어서 동등하게 전도성이다. ICA로 결합할 때에는 최소의 결합 압력만이 요구된다. 따라서, 부서지기 쉬운 Cd-Te 또는 Cd-Zn-Te 검출기 기판은 과도한 압력에 노출되지 않고 기판에 대한 손상의 위험성 은 감소된다.
다른 바람직한 실시예에서, 본 발명의 촬상 장치는 방사선 입사에 직접 응답하여 전하를 생성하는 반도체 기판과, 상기 생성된 전하를 처리하고 판독하는 판독/처리 반도체 기판과, 2개의 기판을 결합하기 위한 이방성 전도성 점착물(ACA) 재료를 포함한다. ACA들 또한 전도성 충전물을 가지나, 단일 평면(예를 들어 z-평면)을 실질적으로 가로질러 전도하는 전도성 충전물 로딩율을 이용하여 전기적인 전도를 달성한다. 이방성 점착물에 있어서 로딩율은 충분히 낮아 전기적 절연이 결합 경계면의 다른 2개의 물리적 평면(예를 들어, x-y-평면)에서 유지된다.
본 발명의 전기적 전도성 점착물은 폴리머 수지, 경화제, 다른 첨가제 및 전도성 충전물 입자를 포함한다. 폴리머 수지는 전도성 충전물 입자들이 현탁(부유)되어 있는 매트릭스를 제공한다. 점착물 매트릭스는 열경화성 또는 열가소성일 수 있다. 열경화성 폴리머 수지가 경화될 때, 화학반응이 일어나고 교차결합된 폴리머의 3차원적인 네트워크가 형성된다. 그 결과, 열경화성 점착물은 상대적으로 온도-안정적으로 되고 가열시 용융되지 않는다. 이들은 또한 본질적으로 비용융성이고, 비용해성이며, 양호한 크리프(creep) 저항을 나타낸다. 에폭시 수지는 가장 흔히 사용되는 열경화성 점착물 매트릭스이다.
한편, 열가소성 점착물은 용매에 분산된 폴리머에 기초하고 있다. 이러한 열가소성 수지의 경화는 건조과정으로서, 가열은 수지의 용매 성분을 증발시켜 화학반응이 일어나지 않는다. 따라서, 점착물 매트릭스는 특정 용융점 또는 용융범위 이상의 온도에 노출될 때 재-용융될 수 있다. 그렇다면, 열가소성 점착물은 재-용 융이 필요한 소위 폴리머 범프에서 사용될 수 있다. 본 발명에서 유용한 용매불안정 폴리머의 예로는 폴리아미드 및 폴리에스테르를 들 수 있다.
반도체 기판들 사이의 전기적인 전달을 제공하기 위한 전도 메카니즘은, 점착성 매트릭스 내로 제형화되는 전도성 입자의 타입에 매우 의존적이다. 점착물 매트릭스는 금속, 금속합금 또는 금속이 코팅된 입자로 채워질 수 있다. 본 발명의 실시에서 실시가능한 금속입자의 예로는 니켈(Ni), 금(Au) 또는 은(Ag)을 들 수 있다. ACA의 경우, 전도 메카니즘은 금속 입자가 반도체 기판의 산화물 층을 관통하고 전기적 컨택트 금속을 가소적으로 변형시키도록, 조립시 충분한 압력을 가하는 것에 기초한다. 한편, ICA의 경우, 검출기 기판과 판독 CMOS 기판 사이의 전기적인 접속은 다수의 가교된 입자에 의해 형성되며, ACA와 같이 단일의 입자에 의해 형성되지 않는다.
금속코팅된 입자는 예를 들어 Ni/Au 또는 Au로 코팅된 폴리머 구(球)를 포함할 수 있다. 본 경우의 전도 메카니즘은 금속 입자 스스로 가소적으로 변형되어 전체 접촉 면적이 초기 접촉 면적 보다 크게 되도록, 조립시 충분한 압력을 가하는 것에 기초한다. 코팅된 폴리머 입자 충전물을 이용하는 이점은, 단일의 폴리머 입자(또는 입자의 클러스터)의 압축가능한 특성이 이음매 영역의 일부 수평방향 또는 수직방향의 이동을 수용하여 전기적 접속이 열팽창이나 다른 이동 동안에 안정하게 유지되도록 하는 것이다. 또한, 코팅된 폴리머 입자 충전물의 압축가능한 폴리머-코어는, 판독 CMOS의 평면들 또는 그 펌프와, Cd-Te 또는 Cd-Zn-Te 검출기 기판의 픽셀 컨택트 사이가 동일 평면이 아닌 경우 약간의 불일치를 보상하는 이점을 제공 할 수 있다.
주석-납(Sn-Pb)와 같은 전통적인 땜납 재료, 또는 주석-비스무트(Sn-Bi), 주석-납-비스무트(Sn-Pb-Bi), 주석-인듐(Tn-In)과 같은 낮은 융점의 합금은 전기적으로 전도성인 점착물에서 이용되는 금속 합금 입자들의 예이다. 이러한 타입의 입자로 충전된 점착물은 판독 CMOS 컨택트와 픽셀 전극 컨택트 간의 작고 국소적인 땜납 이음매 또는 접속을 형성하는 반면, 점착물 매트릭스는 동시에 아래쪽을 충전(underfilling)한다. 이러한 이음매들의 야금 특성은, 특정 장치의 동작 수명 동안에 일어날 수 있는 점착물 매트릭스의 풀림이 이음매의 전기적 연속성에 영향을 주어서는 아니된다는 것을 의미한다. 또한, 금속 충전물이 야금학적으로 컨택트 금속에 대해 적합할 때, 충전물 금속 또는 금속 합금의 용융점이 비록 도달하지 않았을지라도 국소적인 땜납 이음매가 형성된다. 주석 컨택트 금속과의 비스무트 충전물이 본 기술의 일례이다.
다른 실시예에서, 충전물 입자는 매우 얇은 비전도성의 외부표면 코팅을 가질 수 있다. 이러한 매우 얇은 절연성 코팅은 입자들이 점착물의 두께를 걸쳐서 전기적으로 전도성인 가교를 형성하는 것을 방지한다. 그러나, 두개의 기판들을 결합하는 동안에, 범프와 픽셀 전극 컨택트 사이에서 압축된 충전물 입자의 경우, 비전도성 코팅이 파괴되고 전기적으로 전도성인 통로가 형성된다. 비전도성 코팅은 코팅의 파괴가 달성되거나, 코팅의 파괴가 가열에 의해 촉진되도록 선택될 수 있다. 그러므로, 높은 입자-점착물 매트릭스 비율은 회로단락의 위험성없이 사용될 수 있다.
경화된 점착물 결합의 특성에 영향을 주는 것은 충전물 재료의 선택뿐만아니라 충전물 입자의 크기 및 형태도 관련된다. 입자 크기 및 형태에 의해 영향을 받은 수 있는 경화된 점착물 결합의 일부 특성으로는 전기적 전도도, 열적 전도도, 인장강도, 점도, 중량 손실 및 유동학 등이 있다. 충전물 입자는 본 발명의 기술분야의 당업자에 의해 선택가능한 다른 형태일 수 있다. 예를 들어, 충전물 입자는 조각, 구 또는 다른 형태일 수 있고, 나모미터에서 수 마이크로미터에 이르는 크기를 가질 수 있다.
고유한 특성에 기인하여 서로 다른 점착물 타입들이 이에 따라 컨택트 영역에 적용되어야 한다. ICA는 높은 정밀도로 적용되어야 한다. 예를 들어, 스크린 프린팅, 디스펜싱(dispensing) 또는 핀-트랜스퍼(pin-transfer) 방법 등이 사용될 수 있다. 또한, 판독 CMOS 기판 또는 검출기 기판이 범프를 가지는 경우, 점착물은 CMOS 또는 검출기 범프를 ICA에 담금으로써 도포될 수 있다. 더욱이, 점착물 매트릭스가 열가소성 폴리머로 구성되어 있다면, ICA는 실제의 결합 및 소위 폴리머 범프가 형성되기 전에 경화될 수 있다. 그런 다음 정상적인 범프-결합이 뒤따르게 되는데, 폴리머 범프는 결합 및 전기적인 접속이 형성되는 동안에 재용융된다. 또한, 이들 폴리머 범프는 마스킹 과정에 의해 형성될 수 있는데, 따라서 언더 범프 금속(UMP) 또는 범프들은 판독 CMOS 기판 또는 검출기 기판 상에 초기에 퇴적되어서는 아니된다. 그러나, 추가의 금속층은 전도도 및 재료 적합성을 향상(따라서 신뢰도 향상)시키기 위해 전도체 상부 위에 퇴적될 수 있다. 더욱이, 제거되지 않으면 아래쪽을 충전하는 부분으로서 작용할 수 있는 열가소성 포토레지스트 마스크가 사용 될 수 있다. 한편, ACA는 단일 평면방향으로만 전기적인 전도도를 달성하기 때문에 각각의 컨택트 또는 이음매 영역 뿐만아니라 전체 이음매 영역에 적용될 수 있다. 이는 전도성 점착물을 적용하기 위해 어떠한 방법이 사용되건 정확도 요구를 크게 감소시킨다. 또한, 전도성 점착물은 필름으로서 제공될 수 있는데, 여기서 충전물 입자는 무작위로 또는 균일하게 분포된다. 이는 가교된 입자에 기인하는 회로 단락의 위험성을 추가로 감소시키고, 따라서 매우 정교한 피치 적용에서 종종 사용된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 상세한 설명이 사실적으로 그리고 도식적으로 설명된다. 도면에서 유사한 구성요소는 유사한 도면부호로 표시하였는데, 임의의 유사한 구성요소는 상이한 소문자 접미사가 붙어 있는 유사한 도면부호로 표시하였다.
도1은 하나 또는 그 이상의 촬상 장치(11)로 구성된 이미징 시스템(10)을 개략적으로 도시하고 있다. 촬상 장치(11)는 전기적으로 전도성인 점착물(25)에 의해 서로 결합되어 있는 판독 CMOS 기판(21)과 이미지 검출기 기판(20)으로 구성되어 있다. 도시된 바람직한 실시예에서, 촬상 장치(11)는 개별적인 픽셀 셀(24)이 다수개 모여있는 구성이다. 이들 픽셀 셀(24)은 고에너지 방사선(도면에서는 큰 화살표로 표시됨)을 검출하고, 추가의 처리와 분석을 위해 판독 CMOS(21)를 통해 수집된 정보를 제어 전자회로로 통과시킨다.
도2a는 점착물이 결합된 촬상 장치(11)의 개략적인 단면도이다. 본 실례에서, 이미지 검출기 기판(20)은 전도성 점착물(38)에 의해, 범프화된 판독 CMOS(21) 에 결합된다. 예시된 사례에서, 등방성 전도성 점착물(ICA) 또는 이방성 전도성 점착물(ACA)은 전도성 점착물로서 사용될 수 있다. 도2b 및 도2c는 결합 전 및 결합 후의 단일 픽셀 셀(24)에 대한 보다 상세한 개략적인 실례이다. 단일 픽셀 셀(24)의 이미지 검출기(20) 측은, 검출기 기판(32)의 후면에 연속적인 전극(31) 그리고 검출기 기판(32)의 정면에 픽셀 컨택트(전극)(22)을 갖는 반도체 검출기 기판(32)을 포함한다. 픽셀 컨택트(22)는 전기적인 접속 통로를 위한 작은 검출기 구멍(42)을 갖는 검출기 절연(패시베이션)층(33)에 의해 보호된다.
픽셀 셀(24)의 판독 CMOS 기판 측에, 대응하는 CMOS 픽셀 신호 회로(36)가 존재한다. 이러한 픽셀 셀(24)의 CMOS 신호 회로(36)는, 전도성 수단(38)에 의해 반도체 검출기 기판(32)의 픽셀 컨택트(22)에 연결(도2c 참조)되는 신호 컨택트(37) 전도체를 갖는다. 본 실례의 판독 기판(21)은 예를 들어 니켈-금(Ni/Au), 니켈-팔라듐(Ni/Pd), 통상의 땜납 또는 저온 땜남 재료로 구성된 범프(25)를 갖는다. 비록 범프는 도2b에서 CMOS 판독 기판(21)에 배치된 것으로 도시되어 있으나, 범프(25)는 다른 방식으로서 검출기 기판(20)의 픽셀 컨택트(22) 위에, 또는 양 기판(20,21)의 컨택트(22,37) 위에 배치될 수 있다.
도2a 내지 도2c에서 알 수 있는 바와 같이, 전도성 점착물(38)은 서로 떨어져서 범프(25)위에 직접 적용된다. 모든 방향에서 실질적으로 동등하게 전도성인 전도성 점착물(예를 들어 ICA)의 경우에는, 범프(25) 또는 컨택트(22, 37)상에서 서로 떨어져서 직접 도포되어 단락으로 인한 신호 손실문제를 발생하지 않는다. 전도성 점착물(38)은 스크린 프린팅, 디스펜싱, 핀-트랜스퍼 방법 및 당업자에게 알 려져 있는 다른 방법들에 의해 도포될 수 있다. 전도성 점착물(38) 자체는 전기적으로 전도성 입자 또는 용융가능한 입자(39)(도4a 내지 도4c 그리고 도5a 내지 도5c 참조)로 채워져 있는 점착물 또는 시멘트(예를 들어, 에폭시 점착물)로 이루어진 매트릭스이다. 이들 입자들(39)은 예를 들어, 금속(예를 들어, 은), 금속 합금(예를 들어 Ni/Au) 또는 금속이 코팅된 입자(예를 들어 Ni/Au로 코팅된 폴리머 구)일 수 있다. 일반적으로 ICA는 약 35-85부피%의 무작위로 분산된 충전물 입자(39)를 포함한다. 충전물 재료, 크기 및 양은 도포, 사용된 컨택트 재료, 픽셀의 피치(P), 및 이미지 검출기(20)와 판독 CMOS(21)간의 갭(G)에 의해 결정된다.
접속 영역 바깥쪽에서 CMOS 픽셀 회로(36)는 CMOS 절연 또는 패시베이션(35)에 의해 환경으로부터 보호된다. 재료의 상호적합성을 향상시키고, 점착, 기계적 및/또는 전기적 전도도를 향상시키기 위해, 언더 범프 금속(UBM)(34)의 하나의 층 또는 다중의 층이 범프(25)와 픽셀 회로 신호 컨택트(37)사이에 적용될 수 있다. 더욱이, 전도성 점착물(38)에 의해 결합된 촬상 장치는 신뢰성의 증대가 요구되는 경우, 아래쪽이 충전될 수 있다.
도3a는 도2a 내지 도2c에서와 같이 전도성 점착물(38)에 의해 판독 CMOS(21)에 결합된 검출기 기판(20)을 도시하고 있다. 그러나, 도2a 내지 도2c의 경우와 달리, 본 실례에서 판독 CMOS(21a)는 범프가 없다. 범프(25) 및 UMB(34)는 전도도 및 재료 적합성의 향상(따라서 신뢰도의 향상)시키기 위해 추가의 금속층(26)으로 대체될 수 있다. 그러나, 여전히 범프가 불필요하다. 도3a 내지 도3c에 도시된 바와 같이, 범프가 없는 판독 CMOS 기판(21a)과의 결합 과정은 범프화된 판독 CMOS 기판 (21)과의 결합과정과 매우 유사하다.
일반적으로, 전도성 점착물(38)은 결합 전에는 경화되지 않는다. 그러나, 전도성 점착물(38)의 점착물 매트릭스가 열가소성 폴리머로 구성되면, 점착물은 2개의 반도체 기판(20,21)의 실제 결합 전에 "폴리머 범프"를 형성하기 위해 경화될 수 있다. 이러한 과정 이후에 폴리머 범프가 결합 동안에 용융되는 통상의 범프-결합 기술이 뒤따르고, 이로써 전기적인 접속이 형성된다. 폴리머 범프는 예를 들어 마스킹 과정에 의해 형성될 수 있다. 대안으로, 포토레지스트 마스트가 형판으로서 사용될 수 있고, 전도성 점착물(38)은 신호 컨택트(37) 또는 픽셀 컨택트(22)로 스크린 프린팅된다. 또한, 이 과정은 다이싱(예를 들어, CMOS 칩을 웨이퍼로부터 다이싱하는 것)전에 행해질 수 있다. 더욱이, 포토레지스트가 열가소성 폴리머로 구성되고 판독 CMOS 기판(21) 또는 검출기 기판(20)으로부터 제거되지 않는다면, 추가적인 아래쪽 충전은 불필요하다.
도4a 내지 도4c 그리고 도5a 내지 도5c는 각각 전도성 점착물(38)에 의해 검출기 기판(20)에 결합되는 펌프화된 판독 CMOS 기판 및 펌프가 없는 판독 CMOS 기판(21)의 개략적인 도면이다. 상기 도면들이 도시하고 있는 바와 같이, ACA(28)(도5b 참조)는 동일한 부피의 ICA(27)(도4b 참조) 보다 적은 충전물 입자를 포함하고 있다. 즉, ACA(28)는 ICA(27) 보다 낮은 충전물 로딩율을 갖는다. 충전물 입자(39)가 예를 들어, 픽셀 컨택트(22)와 범프(25)사이에서 압축될 때, ACA(28)는 단지 단일의 평면(예를 들어 z-축)을 가로질러 전하를 도전시킨다. 더욱이, ACA(28)는 컨택트 영역 뿐만아니라 전체 연결면 영역에 도포될 수 있다. 또한, ACA(28)는 판독 CMOS 기판(21)과 검출기 기판(20)사이에 위치한 박막층으로서 구성될 수 있다. 점착성 박막은 도포에 따라 서로 다른 특성들을 가질 수 있는 하나 또는 다중의 층으로 구성될 수 있다. 더욱이, 전도성 충전물 입자(39)는 상기 박막 내에 무작위로 또는 균일하게 분포될 수 있다.
전술한 상세한 설명이 다수의 특정된 사례를 포함하고 있음에도 불구하고, 이는 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 아니되며 하나 또는 다른 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자에게 자명한 많은 다른 변경들이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들의 범위에 의해 결정되어야 하며, 단지 실시예에 의해 결정되어서는 아니된다.

Claims (9)

  1. X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치에 있어서,
    전극표면과 픽셀표면을 갖고 상기 전극표면에 입사하는 상기 방사에너지를 전기적 전하로 전환하도록 구성되는 검출기 기판으로서, 상기 픽셀표면은 상기 전기적 전하를 수집하기 위한 복수의 픽셀과, 상기 픽셀 위에 픽셀 컨택트 패턴으로 위치하는 관련 픽셀 컨택트를 갖고 있는 검출기 기판과,
    상기 검출기 기판의 픽셀 표면에 대향하여 위치한 판독 표면과 이 판독 표면 위에 위치하는 복수의 픽셀 신호회로를 갖는 주문형 반도체(ASIC) 판독 기판으로서, 상기 신호회로 각각은 신호 컨택트 패턴으로서 상기 판독기판 상에서 처리되는 신호 컨택트를 갖고 이 신호 컨택트는 상기 주문형 반도체 판독 기판의 신호회로에 대한 입력인 주문형 반도체 판독기판과,
    전기적으로 전도성인 점착물로 구성되고, 각각이 서로 떨어져서 상기 픽셀 컨택트 패턴의 픽셀 컨택트를 상기 신호 컨택트 패턴의 신호 컨택트에 연결하는 전기적으로 전도성인 복수의 결합들을 포함하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 검출기 기판은 카드뮴 및 텔루르로 구성된 군으로부터 선택된 원소를 포함하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 전기적으로 전도성인 결합들은 범프-결합을 포함하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전기적으로 전도성인 결합들은 등방성 전도성 점착물을 포함하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 전기적으로 전도성인 결합들은 이방성 전도성 점착물을 포함하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치.
  6. X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치를 제조하는 방법에 있어서,
    전극표면과 픽셀표면을 갖고 상기 전극표면에 입사하는 상기 방사에너지를 전기적 전하로 전환하도록 구성되는 반도체 검출기 기판을 제공하되 상기 픽셀표면은 상기 전기적 전하를 수집하기 위한 복수의 픽셀과, 상기 픽셀 위에 픽셀 컨택트 패턴으로 위치하는 관련 픽셀 컨택트를 갖고 있는 반도체 검출기 기판을 제공하고, 판독 표면과 이 판독 표면 위에 위치하는 복수의 픽셀 신호회로를 갖는 주문형 반도체(ASIC) 판독 기판을 제공하되 상기 신호회로 각각은 상기 픽셀 컨택트 패턴에 대응하는 신호 컨택트 패턴으로서 상기 판독기판 상에서 처리되는 신호 컨택트를 갖고 이 신호 컨택트는 상기 주문형 반도체 판독 기판의 신호회로에 대한 입력인 주문형 반도체 판독기판을 제공하는 단계와,
    전도성 점착물을, 상기 픽셀 컨택트 및 상기 신호 컨택트로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 컨택트 세트에 적용하는 단계와,
    상기 반도체 검출기 기판의 픽셀 표면을 상기 반도체 판독 기판의 판독 표면과 나란히 위치시켜 상기 픽셀 컨택트를 상기 반도체 판독 기판 상의 대응하는 신호 컨택트와 매우 근접하게 위치시키는 단계와,
    적정 가열 및 압력 조건 하에서, 전도성 점착물 코팅된 컨택트의 전도성 점착물로 하여금 상기 검출기 기판의 픽셀 컨택트를, 상기 반도체 판독 기판 상의 대응하는 신호 컨택트에 전도성을 갖고 점착되도록 하여, 제1항의 방사에너지 촬상장치를 생성하는 단계를 포함하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치를 제조하는 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 적용하는 단계는,
    전도성 점착물로 코팅된 반도체 기판 면에 전도성 점착물이 코팅된 컨택트를 제공하기 위해, 상기 반도체 검출기 표면 및 상기 반도체 판독 표면으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 하나의 기판 표면에 전도성 점착물을 도포하는 단계를 포함하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치를 제조하는 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 전도성 점착물은 등방성 전도성 점착물인 것을 특징으로 하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치를 제조하는 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 전도성 점착물은 이방성 전도성 점착물인 것을 특징으로 하는 X선 및 감마선 방사에너지 촬상장치를 제조하는 방법.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6777071B2 (en) * 2002-04-25 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Electrical interconnect using locally conductive adhesive
JP4592333B2 (ja) * 2004-05-31 2010-12-01 三洋電機株式会社 回路装置およびその製造方法
US20060011853A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-19 Konstantinos Spartiotis High energy, real time capable, direct radiation conversion X-ray imaging system for Cd-Te and Cd-Zn-Te based cameras
FR2879347A1 (fr) * 2004-12-14 2006-06-16 Commissariat Energie Atomique Dispositif electronique a deux composants assembles et procede de fabrication d'un tel dispositif
US7291842B2 (en) * 2005-06-14 2007-11-06 Varian Medical Systems Technologies, Inc. Photoconductor imagers with sandwich structure
US20070264496A1 (en) * 2006-05-12 2007-11-15 Wavezero, Inc. Solderable Plastic EMI Shielding
JP2008139124A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Shimadzu Corp 放射線二次元検出器
EP2225589B1 (en) * 2007-12-20 2014-07-16 Koninklijke Philips N.V. Direct conversion detector
FR2926001A1 (fr) 2007-12-31 2009-07-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif de detection de rayonnements electromagnetiques a couche de transfert isotrope
GB0802088D0 (en) * 2008-02-05 2008-03-12 Panalytical Bv Imaging detector
DE102008012604B4 (de) 2008-03-05 2017-10-12 Siemens Healthcare Gmbh Detektormodul, Röntgendetektor und Verfahren zum Aufbau eines Röntgendetektors
DE102008013428A1 (de) 2008-03-10 2009-10-01 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung eines Bauteils, eines Strahlungsdetektormoduls und eines Strahlungsdetektors
US8071953B2 (en) * 2008-04-29 2011-12-06 Redlen Technologies, Inc. ACF attachment for radiation detector
DE102008050840A1 (de) 2008-10-08 2009-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Fertigung eines elektrischen Moduls, elektrisches Modul, Röntgenmesssystem sowie Computertomograh
US7915082B2 (en) * 2008-10-23 2011-03-29 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
WO2010126445A1 (en) 2009-04-29 2010-11-04 Xcounter Ab Computed tomography scanning system
KR101634250B1 (ko) 2010-06-21 2016-06-28 삼성전자주식회사 대면적 엑스선 검출기 및 제조방법
DE11173533T8 (de) 2010-07-14 2013-04-25 Xcounter Ab Computertomografie-Abtastsystem und Verfahren
KR101761817B1 (ko) 2011-03-04 2017-07-26 삼성전자주식회사 대면적 엑스선 검출기
JP6208951B2 (ja) * 2013-02-21 2017-10-04 浜松ホトニクス株式会社 光検出ユニット
US10431955B2 (en) * 2014-04-25 2019-10-01 Lmd Power Of Light Corp Laser core having conductive mass electrical connection
JP6462702B2 (ja) * 2015-04-16 2019-01-30 古河電気工業株式会社 導電性接着フィルムおよびダイシングダイボンディングフィルム
US10502622B2 (en) * 2016-06-30 2019-12-10 U.S.A. As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Detector control and data acquisition with custom application specific integrated circuit (ASIC)
US11367747B2 (en) * 2017-03-01 2022-06-21 G-Ray Switzerland Sa Electromagnetic radiation detector based on wafer bonding
WO2019007412A1 (zh) * 2017-07-06 2019-01-10 苏州晶方半导体科技股份有限公司 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法
TWM615989U (zh) * 2021-04-21 2021-08-21 眾智光電科技股份有限公司 紅外線熱電堆感測器

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0242797A (ja) * 1988-08-03 1990-02-13 Fujitsu Ltd 多層セラミック配線板の製造方法
US5131582A (en) 1989-06-30 1992-07-21 Trustees Of Boston University Adhesive metallic alloys and methods of their use
FR2652655A1 (fr) 1989-10-04 1991-04-05 Commissariat Energie Atomique Dispositif matriciel de grandes dimensions pour la prise ou la restitution d'images.
US5043102A (en) * 1989-11-29 1991-08-27 Advanced Products, Inc. Conductive adhesive useful for bonding a semiconductor die to a conductive support base
CA2095366C (en) * 1992-05-21 1999-09-14 Timothy C. Collins Hybridized semiconductor pixel detector arrays for use in digital radiography
GB2289983B (en) * 1994-06-01 1996-10-16 Simage Oy Imaging devices,systems and methods
CN1190467A (zh) * 1994-12-23 1998-08-12 迪吉雷德公司 半导体伽马射线摄像机和医学成像系统
US5886353A (en) * 1995-04-21 1999-03-23 Thermotrex Corporation Imaging device
GB2307785B (en) 1995-11-29 1998-04-29 Simage Oy Forming contacts on semiconductor substrates for radiation detectors and imaging devices
GB2315157B (en) 1996-07-11 1998-09-30 Simage Oy Imaging apparatus
US5854514A (en) * 1996-08-05 1998-12-29 International Buisness Machines Corporation Lead-free interconnection for electronic devices
GB2319394B (en) * 1996-12-27 1998-10-28 Simage Oy Bump-bonded semiconductor imaging device
EP1060414B1 (en) * 1997-02-18 2003-11-19 Simage Oy Semiconductor imaging device
JPH1129748A (ja) * 1997-05-12 1999-02-02 Fujitsu Ltd 接着剤、接着方法及び実装基板の組み立て体
IT1293301B1 (it) * 1997-08-06 1999-02-16 Gd Spa Metodo di rullatura di spezzoni di sigaretta.
US5965064A (en) * 1997-10-28 1999-10-12 Sony Chemicals Corporation Anisotropically electroconductive adhesive and adhesive film
GB2332562B (en) * 1997-12-18 2000-01-12 Simage Oy Hybrid semiconductor imaging device
JP3649907B2 (ja) * 1998-01-20 2005-05-18 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
JP3976915B2 (ja) * 1998-02-09 2007-09-19 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
JP3545247B2 (ja) * 1998-04-27 2004-07-21 シャープ株式会社 二次元画像検出器
JP3597392B2 (ja) * 1998-08-07 2004-12-08 シャープ株式会社 二次元画像検出器
JP3437461B2 (ja) 1998-09-18 2003-08-18 シャープ株式会社 二次元画像検出器
JP3432770B2 (ja) * 1998-09-29 2003-08-04 シャープ株式会社 二次元画像検出器の製造方法
JP3430040B2 (ja) * 1998-11-19 2003-07-28 シャープ株式会社 二次元画像検出器およびその製造方法
JP3847494B2 (ja) * 1998-12-14 2006-11-22 シャープ株式会社 二次元画像検出器の製造方法
JP3792433B2 (ja) * 1999-04-19 2006-07-05 シャープ株式会社 光又は放射線検出素子ならびに二次元画像検出器の製造方法
JP4367675B2 (ja) * 1999-10-21 2009-11-18 日本碍子株式会社 セラミック製部材と金属製部材の接合用接着剤組成物、同組成物を用いた複合部材の製造方法、および同製造方法により得られた複合部材
US6855935B2 (en) * 2000-03-31 2005-02-15 Canon Kabushiki Kaisha Electromagnetic wave detector
JP3537401B2 (ja) * 2000-06-08 2004-06-14 株式会社島津製作所 電磁波撮像装置およびその製造方法
JP2002246582A (ja) * 2000-10-26 2002-08-30 Canon Inc 放射線検出装置、その製造方法及びシステム
WO2002042797A1 (fr) * 2000-11-22 2002-05-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Systeme de diagnostic par image radiologique et detecteur de radiation
JP2002181945A (ja) * 2000-12-12 2002-06-26 Canon Inc 放射線検出装置及びその製造方法並びに放射線撮像システム
JP2002214351A (ja) * 2001-01-12 2002-07-31 Canon Inc 放射線検出装置
JP4113722B2 (ja) * 2001-04-18 2008-07-09 松下電器産業株式会社 半導体モジュールとその製造方法
US6988899B2 (en) * 2004-04-19 2006-01-24 General Electric Company Electronic assembly, and apparatus and method for the assembly thereof

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