KR20060009674A - 반도체 웨이퍼 표면 검사장치 및 방법 - Google Patents

반도체 웨이퍼 표면 검사장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 듀얼 거울을 이용하여 웨이퍼 표면의 검사 속도를 향상시키기 위한 것으로, 이를 위한 구성은 레이저 광원을 출사하는 광원부와, 레이저 광원의 일부분인 제1광을 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하고, 나머지 부분의 제2광을 투과시키는 반투과 거울과, 투과된 제2광을 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하는 조절거울과, 반투과 거울 및 조절거울에 의해 조사되어 웨이퍼 표면에 의해 반사되는 반사광을 일정한 위상 차를 갖는 레이저 광원으로 검출하는 다수의 검출부와, 다수의 검출부에 의해 검출된 레이저 광원을 데이터화하는 신호 처리부와, 데이터화된 레이저 광원에 근거하여 웨이퍼 표면의 검출 결과를 출력하는 마이컴을 포함한다. 따라서, 현재, 웨이퍼 표면의 이물질이나 스크래치의 위치 및 그 개수를 파악할 수 있으며, 특히 다수의 거울중, 마지막 거울을 듀얼 거울로 대체, 즉 반투과 거울 및 조절거울에 의해 듀얼로 레이저 광원이 반사되어 조사되므로, 종래 검사 수행 시간이 너무 저속이라 다량의 반도체 웨이퍼를 검사하는데 걸리는 시간이 방대해진다는 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.
반투과 거울, 조절거울, 레이저 광원,

Description

반도체 웨이퍼 표면 검사장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR WAFER}
도 1은 종래 반도체 웨이퍼 표면 검사장치를 도시한 도면이고,
도 2는 도 1의 웨이퍼 표면을 레이저 광원에 의해 검사하는 것을 도시한 도면이며,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 검사장치를 도시한 도면이며,
도 4는 도 3의 웨이퍼 표면을 레이저 광원에 의해 검사하는 것을 도시한 도면이며,
도 5는 도 3에 도시된 검출부에 의해 검출된 정현파가 듀얼 거울에 의해 일정한 위상 차를 갖는 레이저 광원으로 검출하는 것을 도시한 도면이며,
도 6은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 검사방법에 대하여 상세하게 설명하는 흐름도이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 표면 검사장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 듀얼 거울(Dual Mirror)를 이용하여 웨이퍼 표면을 검사할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 반도체 소자를 제조하는 경우, 반도체 소자는 점점 더 고밀도화되고, 제조 프로세스도 더욱 복잡해져 웨이퍼 기판의 표면에 여러 종류의 막을 형성할 수 있다.
이때, 웨이퍼 기판의 표면에 부착된 미세한 이물질로 인하여 제품의 품질이나, 혹은 제품의 수율에 크게 악영향을 주기 때문에 반도체 웨이퍼 기판의 표면 검사를 실시해야 한다.
즉, 웨이퍼 기판의 표면 검사 장치는, 웨이퍼 기판의 표면에 검사광을 조사하고, 이물질에 의해서 발생되는 반사 산란광을 검출기에 의해서 수광함으로써 이물질의 검출을 수행할 수 있다.
또한, 반도체 웨이퍼의 표면검사에 있어서, 높은 검출 정밀도를 얻기 위해 이물질을 검출하여 구별할 수 있는 S/N 비율을 확보하는 것이 중요하며, 이를 위해 이물질에서의 반사 산란광의 광량을 충분히 얻을 수 있도록 검사조건을 설정할 필요가 있다.
다시 말하여, 검사 조건 중, 검출감도 및 검출 정밀도는 웨이퍼 기판의 표면을 조사하는 검출광의 파장 및 강도와 관계가 있는 것으로, 파장을 짧게 함으로서 검출감도를 향상시킬 수 있고, 충분한 반사 산란광의 강도를 얻음으로서 검출의 S/N 비율을 높혀서 검출 정밀도를 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 종래 반도체 웨이퍼 표면 검사장치를 도시한 도면으로서, 레이저 광원을 출사하는 광원부(1)와, 광원부(1)에 의해 출사된 레이저 광원을 일정한 각도 로 반사시켜 웨이퍼(S1) 표면에 조사하도록 하는 제1,2,3,4 거울(3,5,7,9)과, 웨이퍼(S1) 표면에 조사된 광원이 이물질이나 스크래치 때문에 반사되는 산란광을 검출하는 다수의 검출부(10-1,...,10-n)와, 다수의 검출부(10-1,...,10-n)에 의해 검출된 반사 산란광을 데이터화하여 마이컴(15)에 각각 제공하는 신호 처리부(13)와, 신호 처리부(13)에 의해 데이터화된 반사 산란광 데이터에 근거하여 이물질, 스크래치, 결함등의 종류를 판단하고, 판단된 이물질, 스크래치, 결함등의 위치 및 개수를 파악한 검출결과를 출력수단(21)에 제공하며, 구동부(17)의 구동 신호를 구동부(17)에 제공하는 마이컴(15)과, 마이컴(15)의 구동 신호에 의해 모터 구동 신호를 모터(21)에 제공하는 구동부(17)와, 구동부(17)의 모터 구동 신호에 따라 웨이퍼(S1)를 좌/우 방향과 이와 동시에 뒤쪽에서 앞쪽, 혹은 앞쪽에서 뒤쪽으로 구동하는 모터(19)와, 마이컴(15)에 의해 파악된 검출결과를 출력하는 출력수단(21)을 포함한다.
상술한 바와 같이 구성된 반도체 웨이퍼 표면 검사장치를 이용하여 웨이퍼 표면의 이물질, 스크래치, 결함등의 종류를 판단할 수 있고, 판단된 이물질, 스크래치, 결함등의 위치 및 개수를 파악할 수 있다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 모터(19)의 구동에 의해 레이저 광원이 좌에서 우, 혹은 우에서 좌 방향으로 이동하고 이와 동시에 뒤쪽에서 앞쪽, 혹은 앞쪽에서 뒤쪽으로 이동하면서 상술한 웨이퍼 표면의 이물질, 스크래치, 결함등의 종류 및 위치, 개수 등의 검사를 수행할 수는 있지만, 하나의 레이저 광으로 웨이퍼 표면을 순차적으로 스캐닝해야 하므로, 그 검사 수행 시간이 너무 저속이라 다량의 반도체 웨이퍼를 검사하는데 걸리는 시 간이 방대해진다는 문제점을 갖는다.
이에, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 다수의 거울중, 마지막 거울을 듀얼 거울인 반투과 거울과 조절 거울로 대체하여 웨이퍼 표면의 검사 속도를 향상시킬 수 있는 반도체 웨이퍼 표면 검사장치 및 방법을 제공함에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에서 반도체 웨이퍼 표면 검사장치는 레이저 광원을 출사하는 광원부와, 레이저 광원의 일부분인 제1광을 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하고, 나머지 부분의 제2광을 투과시키는 반투과 거울과, 투과된 제2광을 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하는 조절거울과, 반투과 거울 및 조절거울에 의해 조사되어 웨이퍼 표면에 의해 반사되는 반사광을 일정한 위상 차를 갖는 레이저 광원으로 검출하는 다수의 검출부와, 다수의 검출부에 의해 검출된 레이저 광원을 데이터화하는 신호 처리부와, 데이터화된 레이저 광원에 근거하여 웨이퍼 표면의 검출 결과를 출력하는 마이컴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 관점에서 반도체 웨이퍼 표면 검사방법은 레이저 광원을 출사하는 제1과정과, 레이저 광원의 일부분인 제1광을 반투과 거울에 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하고, 나머지 부분인 제2광을 조절거울에 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하는 제2과정과, 반투과 거울 및 조절거울에 의해 반사되어 조사된 제1광 및 제2광이 웨이퍼 표면에 조사되어 반사되는 반사광을 일정한 위상 차를 갖는 레이저 광원으로 검출하는 제3과정과, 검출된 레이저 광 원을 데이터화하여 출력하는 제4과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 실시예는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 기술 분야의 숙련자라면 이 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 잘 이해하게 될 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 검사장치를 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 반도체 웨이퍼 표면 검사 장치는, 예를 들어, 약 488nm의 파장을 갖는 아르곤 레이저 광원을 출사하는 광원부(100)와, 광원부(100)에 의해 출사된 레이저 광원을 일정한 각도로 반사시키는 제1,2,3 거울(102,104,106)과, 제3 거울(106)에 의해 반사되어 제공되는 레이저 광원중 절반인 50%의 레이저 광원을 반사시켜 웨이퍼(S1) 표면에 조사하고, 나머지 50%의 레이저 광원을 투과시켜 조절거울(110)에 제공하는 반투과 거울(108)과, 반투과 거울(108)에 의해 투과된 50%의 레이저 광원을 반사시켜 웨이퍼(S1) 표면에 조사하도록 하는 조절거울(110)을 포함한다. 한편, 웨이퍼(S1) 표면에 조사되어 반사되는 반사광은 일정한 위상 차를 갖는 정현파의 레이저 광원(S2, S3)으로서 검출되는데, 반도체 웨이퍼 표면 검사 장치는, 웨이퍼(S1) 표면에 이물질이나 스크래치등이 발생될 경우, 이러한 이물질이나 스크래치로 인하여 생긴 반사 산란광을 검출하며, 검출된 이 정현파의 레이저 광원(S2, S3)을 신호 처리부(114)에 제공하는 다수의 검출부(112-1,...,112-n)와, 다수의 검출부(112-1,...,112-n)에 의해 검출된 반사 산란광이 포함된 정현파의 레 이저 광원을 데이터화하여 마이컴(116)에 제공하는 신호 처리부(114)와, 신호 처리부(114)에 의해 데이터화된 반사 산란광이 포함된 레이저 광원 데이터에 근거하여 이물질, 스크래치, 결함등의 종류를 판단하고, 판단된 이물질, 스크래치, 결함등의 위치 및 개수를 파악한 검출결과를 출력수단(122)에 제공하며, 구동부(118)의 구동 신호를 구동부(118)에 제공하는 마이컴(116)과, 마이컴(116)의 구동 신호에 의해 모터 구동 신호를 모터(120)에 제공하는 구동부(118)와, 구동부(118)의 모터 구동 신호에 따라 웨이퍼(S1)를 좌/우 방향으로 움직임과 동시에 뒤쪽에서 앞쪽, 혹은 앞쪽에서 뒤쪽으로 구동하는 모터(120)와, 마이컴(116)에 의해 파악된 검출결과를 출력하는 출력수단(122)을 포함한다.
도 6의 흐름도를 참조하면, 상술한 구성을 바탕으로, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 표면 검사방법에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
먼저, 마이컴(116)은 광원부(100)에서 레이저 광원이 출사되는지를 판단한다(단계 601).
상기 판단(601)결과, 레이저 광원이 출사될 경우, 레이저 광원이 출사됨과 동시에 구동부(118)에 구동 신호를 제공한다(단계 602). 반면에, 상기 판단(601)결과, 레이저 광원이 출사되지 않을 경우, 구동부(118)에 구동 신호를 제공하지 않는다(단계 603).
여기서, 구동부(118)는 마이컴(116)의 구동 신호에 의해 모터 구동 신호를 모터(120)에 제공하며(단계 604), 모터(120)는 웨이퍼(S1)를 좌/우 방향으로 움직임과 동시에 뒤쪽에서 앞쪽, 혹은 앞쪽에서 뒤쪽으로 움직이도록 구동한다(단계 605).
상술한 바와 같은 조건이 형성된 상태에서, 광원부(100)는 예를 들어, 약 488nm의 파장을 갖는 아르곤 레이저 광원을 출사하며, 출사된 레이저 광원은 제1,2,3 거울(102,104,106)에 의해 일정 각도로 반사되어 반투과 거울(108)에 조사된다(단계 606).
반투과 거울(108)은 제3 거울(106)에 의해 반사되어 제공되는 레이저 광원중 절반인 50%의 레이저 광원(S2)을 반사시켜 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(S1) 표면에 조사하는 동시에(단계 607), 나머지 50%의 레이저 광원(S3)을 투과시켜 조절거울(110)에 제공한다(단계 608).
조절거울(110)은 반투과 거울(108)에 의해 투과된 50%의 레이저 광원(S3)을 반사시켜 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(S1) 표면에 조사하도록 한다(단계 609). 이때, 조절거울(110)의 반사 각도는 반투과 거울(108)에 의해 반사되어 웨이퍼(S1) 표면에 조사된 레이저 광원(S2)에 최대한 근접되게 조사하도록 하는 반사각을 갖는다.
다수의 검출부(112-1,...,112-n)는 반투과 거울(108) 및 조절거울(110)에 의해 반사되어 조사된 레이저 광원이 웨이퍼(S1) 표면에 조사되어 반사되는 반사광을 도 5에 도시된 바와 같이 일정한 위상 차를 갖는 두 개의 정현파의 레이저 광원(S2, S3)으로서 검출되는데, 이때, 웨이퍼(S1) 표면에 이물질이나 스크래치등이 발생될 경우, 이러한 이물질이나 스크래치로 인하여 생긴 반사 산란광을 검출(정현파가 일정하지 않고, 찌그러지는 현상을 검출)하며(단계 610), 검출된 두 개의 정현 파의 레이저 광원(S2, S3)을 신호 처리부(114)에 제공한다(단계 611).
신호 처리부(114)는 다수의 검출부(112-1,...,112-n)에 의해 검출된 반사 산란광이 포함된 일정한 위상차를 갖는 두 개의 정현파의 레이저 광원을 데이터화하여 마이컴(116)에 제공한다(단계 612).
마이컴(116)은 신호 처리부(114)에 의해 데이터화된 반사 산란광이 포함된 두 개의 레이저 광원 데이터 각각에 근거하여 이물질, 스크래치, 결함등의 종류를 판단하고, 판단된 이물질, 스크래치, 결함등의 위치 및 개수를 파악한 검출결과를 출력수단(122)을 통해 출력한다(단계 613).
따라서, 마이컴(116)은 웨이퍼(S1)의 전 표면의 상태를 검출함에 있어서, 웨이퍼(S1) 표면에 이물질이나 스크래치등이 발생될 경우, 이러한 이물질이나 스크래치로 인하여 생긴 반사 산란광을 검출하며, 검출된 이 정현파의 레이저 광원을 데이터화하여 출력수단(122)을 통해 출력함으로써, 현재, 웨이퍼(S1) 표면의 이물질이나 스크래치의 위치 및 그 개수를 파악할 수 있다. 특히 반투과 거울(108) 및 조절거울(110)에 의해 동시에 두 개의 레이저 광원이 반사되어 조사되므로, 종래 검사 수행 시간이 너무 저속이라 다량의 반도체 웨이퍼를 검사하는데 걸리는 시간이 방대해진다는 문제점을 해결할 수 있다.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼의 전 표면의 상태를 검출함에 있어서, 웨이퍼 표면에 이물질이나 스크래치등이 발생될 경우, 이러한 이물질이나 스크래치로 인하여 생긴 반사 산란광을 검출하며, 검출된 이 정현파의 레이저 광원 을 데이터화하여 출력수단을 통해 출력함으로써, 현재, 웨이퍼 표면의 이물질이나 스크래치의 위치 및 그 개수를 파악할 수 있으며, 특히 다수의 거울중, 마지막 거울을 듀얼 거울로 대체, 즉 반투과 거울 및 조절거울에 의해 듀얼로 레이저 광원이 반사되어 조사되므로, 종래 검사 수행 시간이 너무 저속이라 다량의 반도체 웨이퍼를 검사하는데 걸리는 시간이 방대해진다는 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 사상 및 특허청구범위 내에서 권리로서 개시하고 있으므로, 본원 발명은 일반적인 원리들을 이용한 임의의 변형, 이용 및/또는 개작을 포함할 수도 있으며, 본 명세서의 설명으로부터 벗어나는 사항으로서 본 발명이 속하는 업계에서 공지 또는 관습적 실시의 범위에 해당하고 또한 첨부된 특허청구범위의 제한 범위내에 포함되는 모든 사항을 포함한다.

Claims (10)

  1. 레이저 광원을 출사하는 광원부와,
    상기 레이저 광원의 일부분인 제1광을 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하고, 나머지 부분의 제2광을 투과시키는 반투과 거울과,
    상기 투과된 제2광을 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하는 조절거울과,
    상기 반투과 거울 및 조절거울에 의해 조사되어 웨이퍼 표면에 의해 반사되는 반사광을 일정한 위상 차를 갖는 레이저 광원으로 검출하는 다수의 검출부와,
    상기 다수의 검출부에 의해 검출된 상기 레이저 광원을 데이터화하는 신호 처리부와,
    상기 데이터화된 레이저 광원에 근거하여 상기 웨이퍼 표면의 검출 결과를 출력하는 마이컴
    을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 검사장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 광원은, 488nm의 파장을 갖는 아르곤 레이저 광원인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 검사장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 조절거울의 반사 각도는, 상기 조절 거울에 의해 반사되는 레이저 광이 상기 반투과 거울에 의해 반사되어 웨이퍼 표면에 조사된 레이저 광에 근접되게 조사되게 하는 각인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 검사장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수의 검출부는, 상기 웨이퍼 표면에 이물질이나 스크래치가 발생될 경우, 상기 발생된 이물질이나 스크래치로 인하여 생긴 반사 산란광을 검출하며, 상기 검출된 반사 산란광이 포함된 레이저 광원을 상기 신호 처리부에 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 검사장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    광원부에 의해 레이저 광원이 출사됨과 동시에 구동 신호를 제공하는 마이컴과,
    상기 구동 신호에 의해 모터 구동 신호를 제공하는 구동부와,
    상기 구동부의 모터 구동 신호에 의해 상기 웨이퍼를 좌/우 방향으로 움직임과 동시에 뒤쪽에서 앞쪽, 혹은 앞쪽에서 뒤쪽으로 움직이도록 구동하는 모터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 검사장치.
  6. 레이저 광원을 출사하는 제1과정과,
    상기 레이저 광원의 일부분인 제1광을 반투과 거울에 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하고, 나머지 부분인 제2광을 조절거울에 반사시켜 웨이퍼 표면에 조사하는 제2과정과,
    상기 반투과 거울 및 조절거울에 의해 반사되어 조사된 상기 제1광 및 제2광이 웨이퍼 표면에 조사되어 반사되는 반사광을 일정한 위상 차를 갖는 레이저 광원으로 검출하는 제3과정과,
    상기 검출된 레이저 광원을 데이터화하여 출력하는 제4과정
    을 포함하는 반도체 웨이퍼 표면 검사방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 레이저 광원의 출사 여부를 판단하는 과정과,
    상기 판단결과, 레이저 광원이 출사될 경우, 레이저 광원이 출사됨과 동시에 구동부에 구동 신호를 제공하는 과정과,
    상기 구동 신호에 의해 웨이퍼를 좌/우 방향으로 움직임과 동시에 뒤쪽에서 앞쪽, 혹은 앞쪽에서 뒤쪽으로 움직이도록 구동하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 검사방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 레이저 광원은, 488nm의 파장을 갖는 아르곤 레이저 광원인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 검사방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 조절거울의 반사 각도는, 상기 반투과 거울에 의해 반사되어 웨이퍼 표면에 조사된 레이저 광원에 근접되게 조사하는 각인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 검사방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 제3과정에서의 검출은, 상기 웨이퍼 표면에 이물질이나 스크래치가 발생될 경우, 상기 발생된 이물질이나 스크래치로 인하여 생긴 반사 산란광을 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 표면 검사방법.
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KR100952522B1 (ko) * 2007-12-20 2010-04-12 주식회사 동부하이텍 웨이퍼 결함 검출 장치 및 이의 방법
WO2014022293A1 (en) * 2012-07-30 2014-02-06 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus to fold optics in tools for measuring shape and/or thickness of a large and thin substrate
KR20230163706A (ko) 2022-05-24 2023-12-01 (주)뮤텍코리아 다파장 조명을 이용한 웨이퍼 스크레치 검사 시스템

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100952522B1 (ko) * 2007-12-20 2010-04-12 주식회사 동부하이텍 웨이퍼 결함 검출 장치 및 이의 방법
WO2014022293A1 (en) * 2012-07-30 2014-02-06 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus to fold optics in tools for measuring shape and/or thickness of a large and thin substrate
US9279663B2 (en) 2012-07-30 2016-03-08 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus to fold optics in tools for measuring shape and/or thickness of a large and thin substrate
US9903708B2 (en) 2012-07-30 2018-02-27 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus to fold optics in tools for measuring shape and/or thickness of a large and thin substrate
KR20230163706A (ko) 2022-05-24 2023-12-01 (주)뮤텍코리아 다파장 조명을 이용한 웨이퍼 스크레치 검사 시스템

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