KR20050118433A - 반도체 웨이퍼 세정장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 세정장치 Download PDF

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Abstract

포토레지스트의 잔존 유무를 감지할 수 있는 반도체 웨이퍼 세정장치가 제공된다. 반도체 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼 세정시 웨이퍼가 로딩되며 웨이퍼가 수용되는 내조와 내조로부터 오버플로우되는 세정액을 수용하는 외조, 외조의 세정액을 내조로 순환시키는 순환관,순환관 상에 설치되어 상기 순환관을 통하여 내조로 재공급되는 세정액 내 포토레지스트의 유무를 감지하는 센서 및 센서의 감지 신호에 따라 세정액의 순환을 제어하는 제어부를 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼 세정장치{Semiconductor wafer cleaning apparatus}
본 발명은 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 포토레지스트 스트립 공정에서 포토레지스트가 완전히 제거되지 않고 세정액 내 남아있을 때 센서에서 감지하여 엔지니어에게 알려주는 반도체 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.
현재 반도체 제조 공정에서는 이온 주입 또는 식각을 하기 위해 포토레지스트를 도포하게 되는데 이온 주입이나 식각이 끝난 후 세정 공정을 통해서 웨이퍼 상에 남은 포토레지스트를 완전히 제거해야 한다.
이 때, 세정 공정에서는 건식 세정 공정인 애싱 공정과 습식 세정 공정인 포토레지스트 스트립 공정을 거쳐 포토레지스트가 완전히 제거되게 된다.
상세하게 포토레지스트는 애싱 공정에서 대부분 제거되고 포토레지스트 스트립 공정에서 나머지 포토레지스트를 제거한다. 그러나 애싱 공정 및 그 전 공정의 문제로 포토레지스트가 제거되지 않고 포토레지스트 스트립 공정을 진행하게 되면 웨이퍼 상에 포토레지스트가 완전히 제거되지 않고 남아있게 된다. 이처럼 포토레지스트가 남아 있는 상태로 후속 공정을 진행하게 되면 설비 고장 및 웨이퍼에 불량을 발생시키게 되어 전체적으로 반도체 수율이 감소한다는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 포토레지스트 스트립 공정에서 포토레지스트의 잔존 여부를 감지하고 포토레지스트가 감지되면 포토레지스트 스트립 공정을 중단하고 웨이퍼가 전공정을 다시 거칠수 있도록 하는 반도체 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어질 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정 장치는 웨이퍼 세정시 웨이퍼가 로딩되며 웨이퍼가 수용되는 내조와 상기 내조로부터 오버플로우되는 세정액을 수용하는 외조, 상기 외조의 세정액을 상기 내조로 순환시키는 순환관,상기 순환관 상에 설치되어 상기 순환관을 통하여 상기 내조로 재공급되는 상기 세정액 내 포토레지스트의 유무를 감지하는 센서, 상기 센서의 감지 신호에 따라 상기 세정액의 순환을 제어하는 제어부를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정 장치의 개략도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정 장치는 내조(110), 외조(115), 세정액(120), 순환관(130), 펌프(140), 필터(150), 히터(160), 센서(170), 제어부(180) 및 감지신호 표시기(190)를 포함한다.
내조(110)는 세정액(120)을 수용하는 용기로 웨이퍼를 세정할 때 웨이퍼가 수용되는 용기이다. 내조(110)의 외측에는 외조(115)가 설치되어 있으며 내조(110)의 바닥면에는 순환관(130)이 연결되어 있어 외조(115)로부터 순환된 세정액(120)이 유입되게 된다.
외조(115)는 내조(110)의 외측에 설치되어 웨이퍼 세정시 내조(110)에서 오버플로우되는 세정액(120)을 수용하는 용기이다. 또한 외조(115)의 바닥면에는 순환관(130)이 연결되어 있어 세정액(120)이 배출되게 된다.
세정액(120)은 웨이퍼에 존재하는 유기 오염물질, 포토레지스트 및 파티클 등을 세정하는 화학 용액으로 본 발명의 실시예에서는 H2SO4와 H2O2 가 6:1의 비율로 120~150℃가 유지되는 혼합 용액이 사용된다. 이 화학 용액은 투명한 액체로 만일 웨이퍼에 곤색 등의 불투명한 포토레지스트가 남아 있으면 투명한 세정액(120)이 불투명한 액체로 변하기 때문에 이를 센서(170)에서 감지할 수 있게 된다.
이상, 본 발명의 실시예에서는 H2SO4와 H2O2의 혼합 용액이 세정액(120)으로 사용되었으나 NH4OH와 H2O2, H2O가 1:1:5 비율로 혼합되는 SC1 세정액(120) 등 다른 종류로 대체가 가능하다.
순환관(130)은 내조(110)에서 넘친 세정액(120)이 담긴 외조(115)의 바닥면부터 내조(110)의 바닥면으로 연결되어 있다. 또한 순환관(130)의 재질은 투명한 PFA(Per Fluoro Alkoxy)배관으로 세정액(120)이 통과할 때 센서(170)의 빛이 투광될 수 있다. 그리고 순환관(130)에는 펌프(140)와 필터(150), 히터(160), 센서(170)가 설치되어 있다.
본 발명의 실시예에서 순환관(130)은 투명한 PFA 배관으로 설명되었으나 세정액(120)을 변질시키지 않으면서 센서(170)에 의해 세정액(120)이 감지될 수 있는 다른 재질로 대체할 수 있다.
펌프(140)는 순환관(130)에 설치되어 외조(115)에 담긴 세정액(120)이 내조(110)로 원활히 순환되도록 하는 장치이다. 펌프(140)는 제어부(180)에 연결되어 제어부(180)에 의해 동작이 제어되게 된다.
필터(150)는 순환관(130)에 설치되어 외조(115)에서 내조(110)로 순환되는 세정액(120)에 포함되어 있는 파티클을 제거하는 기능을 한다. 또한 필터(150)는 제어부(180)에 연결되어 제어부(180)에 의해 동작이 제어된다.
히터(160)는 순환관(130)에 설치되어 순환되는 세정액(120)의 온도가 내려가는 것을 방지하고 고온으로 유지시키기 위한 장치로 제어부(180)에 연결되어 동작이 제어된다.
센서(170)는 순환관(130)에 설치되어 순환되는 세정액(120)에 빛을 투광하여 세정액(120) 내 포토레지스트 유무를 감지하는 장치로 제어부에 연결되어 있어 그 동작이 제어된다. 상세하게 센서(170)는 투광부(도2의 171 참고)와 수광부(도2의 172 참고)로 구성되어 있으며 빛의 양에 따라 포토레지스트의 유무를 감지할 수 있는 광센서이다. 센서(170)에 대한 세부 구성과 동작에 대한 상세한 설명은 이하 도 2를 통해 설명한다.
제어부(180)는 펌프(140), 필터(150), 히터(160), 센서(170)와 연결되어 각 구성의 동작을 제어하고, 상세하게 센서(170)에서 감지한 신호를 받아 전체 세정 공정을 제어한다.
감지신호 표시기(190)는 센서(170)에 연결되어 센서(170)에서 포토레지스트를 감지할 경우 센서(170)로부터 감지신호를 받아 알람을 발생시키는 장치이다. 감지신호 표시기(190)에서 감지신호를 받게 되면 알람 형태의 감지신호 표시기(190)는 ON이 되어 알람이 발생하게 된다. 따라서 엔지니어가 포토레지스트 감지를 신속하게 알게되어 웨이퍼를 전공정으로 전달하므로 포토레지스트를 완전히 제거할 수 있게 한다.
이상, 본 발명의 실시예에서는 감지신호 표시기(190)가 청각적 효과를 가진 알람 형태로 설명되었으나 알람 형태가 아닌 비상등과 같은 시각적인 표시장치로 대체될 수 있으며 시각적 효과와 청각적 효과를 동시에 갖는 형태로 변형이 가능하다.
도 2는 도 1의 센서(170)를 상세히 나타낸 도면으로 센서(170)는 세정액(120)이 순환되는 투명한 순환관(130) 일측에 투광부(171)가 설치되고 순환관(130)의 타측에 수광부(172)가 설치된 광센서이다.
센서(170)는 투광(171)에서 빛을 투광시키면 빛이 순환되는 세정액(120)을 통과하게 되고 이 때 세정액(120) 내 포토레지스트가 잔존하고 있으면 투광부(171)에서 발생된 빛의 양보다 줄어든 빛이 수광부(172)에서 감지되게 된다. 이와 같이 수광부(172)에서 빛의 양에 따라 포토레지스트가 감지되면 센서는 감지신호를 제어기(180)에 전달하게 되고 이에 따라 제어부는 전체 세정 공정을 중단시키게 된다. 또한, 감지 신호는 감지신호 표시기(190)에 전달되어 엔지니어에게 세정 공정의 중단을 알리게 된다.
본 발명의 실시예에서 센서(170)는 빛을 이용하는 광센서이었으나 세정액(120)의 색 변화를 감지할 수 있는 색감지센서 등 포토레지스트에 의해 세정액의 변화를 감지할 수 있는 다른 센서로 대체할 수 있다.
그리고 실시예에서 센서(170)의 위치는 세정액(120)이 순환되어 내조(110)로 들어가기 직전에 설치되었지만 센서(170)는 세정액(120)이 순환되는 순환관(130) 상의 어느 곳에나 선택적으로 설치될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예는 제어부(180)에서 포토레지스트 감지신호를 받아 자동으로 전체 공정을 중단시켰으나 전체 공정을 중단시키지 않고 감지신호 표시기(190)를 통해 포토레지스트 감지 유무를 엔지니어에게 전달하여 엔지니어가 공정을 수동으로 중단시키도록 변형할 수 있다.
이하, 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정 장치의 동작에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
애싱 공정을 마친 웨이퍼가 H2SO4와 H2O2가 혼합액 등과 같은 세정액(120)이 담긴 내조(110)로 로딩되면 웨이퍼 상의 오염물질이 제거되면서 내조(110)의 세정액(120)이 외조(115)로 오버플로우된다. 외조(115)로 오버플로우된 세정액(120)은 순환관(130)으로 배출되어 내조(110)로 순환된다.
세정액(120)이 순환관(130)을 순환하면서 펌프(140)와 필터부150), 히터(160), 센서(170)를 거치게 되는데 먼저, 펌프(140)는 세정액(120)이 원활히 순환되도록 원동력을 제공하고, 필터(150)는 세정액(120) 내의 파티클을 제거한다. 또한 히터(160)는 세정액(120)의 온도를 세정액에 적합한 온도로 유지시키는 기능을 한다.
다음으로 세정액이(120)이 센서(170)를 통과하게 될 때 센서(170) 내 투광부(171)에서 빛이 발생되어, 빛이 순환되는 세정액을 통과한 다음 수광부(172)에서 이 빛을 감지하게 된다.
이 때, 수광부(172)에서 감지하는 빛의 양이 투광부(171)에서 발생시킨 빛의 양보다 적게되면 포토레지스트가 세정액 내 잔존하는 것으로 센서(170)는 감지신호를 제어기(180)와 감지신호 표시기(190)에 전달하게 된다. 감지신호를 전달 받은 제어부(180)는 진행되던 세정 공정을 중단시키게 되고 감지신호 표시기(190)는 알람을 발생시켜 엔지니어가 세정 공정이 중단되었음을 알 수 있게 한다.
이 후, 엔지니어는 웨이퍼를 다시 전공정으로 전달하고 다시 세정 공정을 진행하게 한다.
그리고 세정액(120)이 센서(170)를 통과할 때 투광부(171)의 빛의 양과 수광부(172)의 빛의 양이 같은 경우 세정액 내 포토레지스트가 잔존하지 않는 것으로 반도체 웨이퍼 세정 공정은 계속 진행된다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상기한 바와 같이 본 발명의 반도체 웨이퍼 세정 장치에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.
첫째, 웨이퍼에 포토레지스트가 남아 있는 것을 후속 공정에서 발견하지 않고 포토레지스트 스트립 공정 단계에서 미리 발견할 수 있다는 장점이 있다.
둘째, 웨이퍼에 포토레지스트가 남아 있음으로 후속 공정에서 일어날 수 있는 공정 사고를 예방할 수 있다.
셋째, 웨이퍼에 포토레지스트가 남아 있다는 것을 포토레지스트 스트립 공정 단계에서 발견함으로 전체적으로 반도체 수율을 높일 수 있다는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정 장치의 개략도이다.
도 2는 도1의 센서의 확대단면도이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
110: 내조 160: 히터
115: 외조 170: 센서
120: 세정액 171: 투광부
130: 순환관 172: 수광부
140: 펌프 180: 제어부
150: 필터 190: 감지신호 표시기

Claims (4)

  1. 웨이퍼 세정시 웨이퍼가 로딩되며 웨이퍼가 수용되는 내조;
    상기 내조로부터 오버플로우되는 세정액을 수용하는 외조;
    상기 외조의 세정액을 상기 내조로 순환시키는 순환관;
    상기 순환관 상에 설치되어 상기 순환관을 통하여 상기 내조로 재공급되는 상기 세정액 내 포토레지스트의 유무를 감지하는 센서; 및
    상기 센서의 감지 신호에 따라 상기 세정액의 순환을 제어하는 제어부를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 센서에 연결되어 상기 센서의 감지신호를 외부에 표시하는 감지신호 표시기를 더 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 센서는 상기 순환관의 일측 방향에서 빛을 발생시키는 투광부; 및
    상기 순환관의 타측 방향에서 상기 세정액을 통과한 빛을 받아들여 포토레지스트 유무를 감지하는 수광부로 구성되는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 순환관에 설치되어 상기 제어부에 의해 제어되고 상기 세정액이 원활히 이동하게 하는 펌프;
    상기 순환관에 설치되어 상기 제어부에 의해 제어되고 상기 세정액 내 파티클을제거하는 필터; 및
    상기 순환관에 설치되어 상기 제어부에 의해 제어되고 상기 세정액의 온도를 일정 온도로 유지시키는 히터를 더 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107564840A (zh) * 2017-08-01 2018-01-09 深圳市华星光电技术有限公司 浸泡式蚀刻设备及浸泡式蚀刻方法

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