KR20050089086A

KR20050089086A - 가변 개구수 대형 필드 단위 확대 투사 시스템

Info

Publication number: KR20050089086A
Application number: KR1020057012543A
Authority: KR
Inventors: 로메오 아이 메르카도
Original assignee: 울트라테크 인크.
Priority date: 2003-01-02
Filing date: 2003-12-31
Publication date: 2005-09-07
Also published as: EP1579259A2; WO2004061487A3; US20040130805A1; JP2006512777A; WO2004061487A2; TW200414291A; US7116496B1; US6813098B2

Abstract

본 발명은 투사 포토리소그래피를 위한 광학 시스템을 개시한다. 이 광학 시스템은 협 스펙트럼 대역 및 광 스펙트럼 대역 모두에 걸쳐서 대형 필드를 이미징할 수 있는 수정된 다이슨 시스템 (a modified Dyson system) 이다. 이 광학 시스템은 하나 이상의 평철 렌즈 요소를 포함하는 포지티브 렌즈 서브그룹과 하나 이상의 네거티브 메니스커스 요소를 포함하는 네거티브 렌즈 서브그룹을 포함하는 주 포지티브 렌즈 그룹을 포함한다. 이 렌즈 서브그룹들은 소량의 공기층에 의해서 분리된다. 포지티브 서브그룹 및 네거티브 서브 그룹은 미러축을 따라서 오목 미러와 인접하지만 이격되어 있는 주 렌즈 그룹을 구성한다. 또한, 이 시스템은 가변 NA를 갖도록 가변 개구 정지부를 포함한다. 또한, 본 발명은 이러한 광학 시스템을 사용하는 투사 리소그래피 시스템을 개시한다.

Description

가변 개구수 대형 필드 단위 확대 투사 시스템{VARIABLE NUMERICAL APERTURE LARGE-FIELD UNIT-MAGNIFICATION PROJECTION SYSTEM}

본 발명은 광학 투사 시스템 (optical projection system) 에 관한 것이며, 특히 가변 개구수, 대형 필드 단위 확대 투사 광학 시스템 (a variable numerical aperture, large-field unit-magnification projection optical system) 에 관한 것이다.

포토리소그래피는 현재 서브 마이크론 해상도 집적 회로 제조에서 사용될 뿐만 아니라 진보된 웨이퍼 레벨 IC 패키징 및 반도체, 마이크로 전자 기계 시스템 (MEMS), (나노스케일 구조물 및 디바이스를 형성하는) 나노테크놀러지 및 다른 애플리케이션에서 점점 더 사용되고 있다. 이들 애플리케이션은 큰 초점 깊이를 갖는 상대적으로 낮은 해상도 (즉, 수 마이크론의 해상도) 에서 서브 마이크론 해상도 및 높은 처리량에 이르는 다수의 이미징 능력을 필요로 한다.

이후의 발명의 상세한 설명 부분에서 개시되는 본 발명은 1983년 7월 5일에 발행되고 제너럴 시그널 (General Signal) 사에 허여된 Ronald S. Hershel 의 본 명세서에서 참조로서 인용되는 미국 특허 제 4,391,494 호 (이후부터는, '494 특허로 지칭됨) 에 개시된 광학 시스템과 관련된다.

도 1은 상기 '494 특허에 따른 종래 기술의 예시적인 광학 시스템 (8) 의 단면도이다. 이 '494 특허에서 개시되고 그의 도 1에서 도시된 광학 시스템은 대형 필드 크기 및 큰 개구수 (aperture) (NA) 를 성취하기 위해서 반사 요소와 굴절 요소를 상보적으로 이용하는 단위 확대 (a unit-magnification), 반사 망원 (catadioptric), 무색 (achromatic) 및 비점수차 보정 (anastigmatic) 광학 시스템이다. 이 시스템은 기본적으로 미러에 위치한 개구 정지부 (an aperature stop) 에 대해서 대칭이어서, 코마 (coma), 왜곡 및 횡형 칼라 (lateral color) 와 같은 홀수 차수 수차 (odd order aberration) 가 제거된다. 모든 구형 표면은 거의 동심형이며, 곡률 (curvature) 의 중심이 초점면이 만일에 시스템이 폴딩 (folding) 되지 않는다면 위치하게 되는 구역에 근접하여 위치한다. 따라서, 이렇게 생성된 시스템은 렌즈들 내의 공기층의 굴절율과 반드시 무관하며, 이로써 압력 보상이 불필요하다.

광학 시스템 (8) 은 오목 구형 미러 (10), 이 미러에 위치한 개구 정지부 (AS1) 및 복합, 무색, 평철 더블릿 렌즈 프리즘 어셈블리 (a composite, achromatic plano-convex doublet lens-prism assembly) (12) 를 포함한다. 이 미러 (10) 및 어셈블리 (12) 는 광학축 (14) 에 대하여 대칭적으로 배치된다. 광학 시스템(8) 은 미러 (10) 에 위치한 개구 정지부 (AS1) 에 대해서 반드시 대칭적이며 이로써 이 시스템의 코마, 왜곡 및 횡형 칼라가 초기에 보정된다. 광학 시스템 (8) 내의 모든 구형 표면은 거의 동심형이다.

광학 시스템 (8) 에서, 더블릿 프리즘 어셈블리 (12) 는 메니스커스 렌즈 (a meniscus lens) (13A), 평철 렌즈 (13B) 및 대칭형 폴드 프리즘 (symmetric fold prism) (15A,15B) 을 포함한다. 이 어셈블리 (12) 는 미러 (10) 와 함께 축 방향 칼라 (axial color), 비점 수차 (astigmatism), 페츠발 (petzval) 및 구형 수차를 포함하는 잔여 광학 수차를 보정한다. 대칭형 폴딩 프리즘 (15A,15B) 은 레티클 (16) 및 웨이퍼 (16) 의 이동을 위해 충분한 작업 공간을 획득하는데 사용된다.

또한, 광학 시스템 (8) 은 폴딩 프리즘 (15A,15B) 을 통하셔 분리되는 대상 플레인 (OP1) 및 이미지 플레인 (IP1) 을 포함한다. 작업 공간이 커지게 되면 총 잠재적인 필드의 약 25 % 내지 35 % 정도로 가용한 필드 크기가 감소된다. 과거에는, 최신의 회로에서 필요한 해상도 및 허용가능한 필드 크기 모두를 획득할 수 있었기 때문에 이러한 필드 크기 감소는 중요한 사항이 아니었다.

그러나, 대부분의 현재의 (차세대의) 첨단 기술 마이크로 제조 프로세스 (가령, 웨이퍼 레벨 IC 패키징, 반도체 제조, MEMS 및 나노 구조물 형성 등) 는 200 mm 웨이퍼 및 300 mm 웨이퍼를 사용하여 다수의 노광 단계를 수행하는 프로세스를 포함한다. 또한, 이 제조 프로세스가 경제적으로 실현 가능하도록 대량의 처리량을 산출하는 방식으로 노광 단계들이 수행되어야 한다.

불행하게도, '494 특허의 광학 시스템은 0.75 마이크론 내지 1.4 마이크론에 해당하는 최소의 해상도로 (가령, 3 개 내지 6 개의 34×26 mm 스텝 앤드 스캔 필드와 같은) 대형 필드 크기에 고품질 이미징을 제공하는 능력이 없다. 이러한 성능은 무엇보다도 이른바 "믹스 앤드 매치 (mix-and-match)" 애플리케이션에서 필요한데, 이 애플리케이션에서 (통상적으로 상이한 포토리소그래픽 시스템을 필요로 하는) 상이한 해상도를 요구하는 상이한 마스크들이 마이크로디바이스 제조 프로세스에서 사용된다.

발명의 개요

본 발명은 가변 NA, 단위 확대 투사 광학 시스템이다. 일 실시형태에서, 이 시스템은 통상적으로 낮은 NA 구성 (즉, 0.16 이하의 수치를 갖는 NA) 으로는 적어도 6 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 이미징할 수 있으며, 높은 NA 구성 (즉, 0.34 이상의 수치를 갖는 NA) 으로 적어도 3 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 이미징할 수 있고, 중간 범위의 NA 구성 (즉, 0.16 내지 0.34 의 크기를 갖는 NA) 으로는 4 개 또는 5 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 이미징할 수 있다.

본 발명의 제 1 양태는 광학축을 따라서 오목 구형 미러를 포함하는 광학 시스템이다. 미러에 위치한 가변 개구 정지부가 이 시스템의 NA를 결정한다. 포지티브 굴절력을 갖는 주 렌즈 그룹은 미러에 인접하여 위치하며 미러와 이격되어 있다. 이 주 렌즈 그룹은 미러를 향해서 순서대로 포지티브 굴절력을 갖는 제 1 서브그룹 및 네거티브 굴절력을 갖는 제 2 서브그룹을 포함한다. 이 제 2 서브그룹은 공기층에 의해서 제 1 서브그룹과 이격된다. 또한, 이 시스템은 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘을 포함하고 이 프리즘 각각은 제 1 평탄 표면 및 제 2 평탄 표면을 포함한다. 제 2 평탄 표면들은 광학축의 대향하는 측면 상에서 포지티브 서브그룹에 인접하여 배치된다. 제 1 평탄 표면들은 대상 플레인 및 이미지 플레인에 각기 인접하여 배치된다. 또한, 이 시스템은 가변 개구 정지부를 조절함으로써 조절가능한 필드 크기를 이미지 플레인에서 갖는다. 이 조절가능한 필드 크기는 두 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 이미징할 수 있다.

본 발명의 제 2 양태는 본 발명의 투사 광학 시스템을 포함하는 포토리소그래피 시스템이다.

도면의 간단한 설명

도 1은 상기 '494 특허에 따른 예시적인 종래 기술 단위 확대 투사 광학 시스템의 단면도이다.

도 2는 본 발명에 따른 단위 확대 투사 광학 시스템의 제 1 예시적인 실시 형태의 단면도이다.

도 3은 본 발명에 따른 단위 확대 투사 광학 시스템의 제 2 예시적인 실시 형태의 단면도이다.

도 4는 본 발명에 따른 단위 확대 투사 광학 시스템의 제 3 예시적인 실시 형태의 단면도이다.

도 5는 본 발명에 따른 단위 확대 투사 광학 시스템을 사용하는 포토리소그래피 시스템의 개략도이다.

도면에 도시된 다양한 요소들은 단지 대표적인 특성이 있으며 실제 축척으로 도시되지 않는다. 따라서, 이 요소들의 소정의 부분은 확대되며 다른 부분은 축소될 수 있다. 이 도면은 본 기술 분야의 당업자가 이해할 수 있으면서 적절하게 실행할 수 있는 다양한 구현 사항을 도시하는 데 그 의도가 있다.

본 발명은 레티클 상에 형성된 패턴의 이미지를 거의 단위 확대 방식으로 기판 (웨이퍼) 상으로 투사하는 대형 필드, 광 스펙트럼 대역 또는 협 스펙트럼 대역, 칼라 보정 및 비점수차 보정 투사 광학 시스템이다. 본 발명의 단위 확대 투사 광학 시스템은 도 1를 참조하여 간략하게 상술된 실시 형태인 '494 특허의 종래 기술 광학 시스템의 개선된 시스템이다.

본 명세서에서, 용어 "대형 필드"는 각각이 34 mm × 26 mm의 크기를 갖는 직사각형의 n 개의 스탭 앤드 스캔 필드 (n=2 에 대해서는 "n-튜플") 를 갖는 노광 필드를 의미한다. 따라서, 이 용어가 본 명세서에서 사용되면, "노광 필드"는 스텝 앤드 반복 동작 모드에서 스텝퍼 시스템 (stepper system) 이 이미징할 수 있는 필드 크기를 의미한다. 또한, 용어 "광 스펙트럼 대역"은 g,h,i 수은 스펙트럼 라인 (즉, 각기 436 nm, 405 nm, 365 nm임) 을 포함하는 스펙트럼 대역을 지칭한다. 용어 "협 스펙트럼 대역"은 i 라인 (가령, 365 nm) ±10 nm을 포함하는 스펙트럼 대역을 지칭한다.

이하에서 상세하게 설명되는 본 발명의 투사 광학 시스템은 대형 필드 및 광 스펙트럼 대역 또는 협 스펙트럼 대역에 걸쳐서 매우 우수한 이미지 품질 (즉, 0.96 이상의 다색 스트렐 비) 을 갖는다.

본 발명의 투사 광학 시스템은 두 개의 바람직한 구성, 즉 광 스펙트럼 대역 저 NA 구성 및 협 스펙트럼 대역 고 NA 구성을 갖는다. 광 스펙트럼 대역 저 NA 구성은 상대적으로 높은 방사도의 이미징으로부터 유리하며 최고 레벨의 해상도를 요구하지 않는 범프 리소그래피 등과 같은 웨이퍼 레벨 IC 패키징 애플리케이션에서 특히 유용하다. 한편, 협 스펙트럼 대역 고 NA 구성은 서브마이크론 해상도를 요구하는 애플리케이션에서 유용하다.

상이한 n 개의 34 nm × 26 nm 스텝 앤드 스캔 필드에서 가변 NA 능력은 믹스 앤드 매치 리소그래피를 수행하는데 있어서 다방면에 장점을 제공한다. 가령, 본 발명의 광학 시스템의 이러한 다방면의 장점으로 인해서 상이한 크기를 갖는 피처 (feature) 를 갖는 상이한 마스크 레벨이 다수의 상이한 고정 파라미터 시스템 상에서 노출 단계를 수행하기보다는 선택적 해상도 및 방사도 레벨로 이미징될 수 있다.

도 2 내지 도 4는 본 발명의 단위 확대 투사 광학 시스템 (100) 의 예시적인 실시 형태의 도면이다. 이 투사 광학 시스템 (100) 은 축 (A1) 을 따라서 오목 구형 미러 (M1) 를 포함한다. 예시적인 실시 형태에서, 미러 (M) 는 광학축 상의 개구 (AP) 를 포함한다. 이 개구 (AP) 는 광학 시스템 (100) 으로 직접 이미징하는 기능 이외의 기능들, 가령 그의 이미지와 대상 (가령, 마스크) 을 정렬하는 기능 또는 이 대상을 검사하는 기능을 수행하기 위해서 광을 광학 시스템 내부로 도입하는데 사용된다.

광학 시스템 (100) 은 미러 (M) 에 위치한 가변 개구 정지부 (AS2) 를 더 포함한다. 이 가변 개구 정지부 (AS2) 는 조절가능한 아이리스 (an adjustable iris) 와 같은 광학 시스템 내의 개구의 크기를 변화시키는 임의의 알려진 형태를 갖는다. 일 예시적인 실시 형태에서, 가변 개구 정지부 (AS2) 의 크기는 수동으로 설정된다. 다른 예시적인 실시 형태에서, 가변 개구 정지부 (AS2) 는 라인 (101) 을 통해 제어기 (102)에 동작 가능하게 접속되며 이 제어기는 이 개구 정지부의 크기를 자동으로 설정한다. 광학 시스템 (100) 은 축 (A1) 을 따라서 미러 (M) 에 인접하여 이격되며 포지티브 굴절력을 갖는 필드 보정기 (가령, 주) 렌즈 그룹 (G) 을 더 포함한다. 이 주 렌즈 그룹 (G) 은 미러 (M) 로부터 가장 멀리 있는 포지티브 서브 그룹 (GP) 및 미러 (M) 에 인접하여 있는 네거티브 서브 그룹 (GN) 을 포함하며, 이 네거티브 서브 그룹은 상대적으로 소량의 공기 충진 공간 (104) 에 의해서 포지티브 서브 그룹으로부터 분리된다. 이 공기 충진 공간 (104) 은 광 스펙트럼 대역 가변 NA 구성 및 협 스펙트럼 대역 가변 NA 구성의 경우에 대형 필드에 걸쳐서 고품질 이미징 성능을 유지하면서 특히 색 편차와 같은 잔여 수차를 더 감소시킨다.

도 2 내지 도 4를 계속 참조하면, 인접하는 포지티브 그룹 (GP) 은 표면 (S1A,S2A) 을 갖는 제 1 프리즘 (PA) 및 표면 (S1B,S2B) 을 갖는 제 2 프리즘 (PB) 이다. 표면 (S1A) 은 대상 플레인 (OP2) 을 대면하고 표면 (S1B) 은 이미지 플레인 (IP2) 을 대면한다. 대상 플레인 (OP2) 과 이미지 플레인 (IP2) 은 작업 공간을 나타내는 각각의 갭 (WDA,WDB)에 의해서 각각의 평탄 표면 (S1A,S1B) 과 이격되어 있다. 가변 개구 정지부 (AS2) 에 대해서 완벽한 대칭성이 존재하는 예시적인 실시형태에서는, WDA = WDB 이다. WDA = WDB 이기 때문에, 표 1 내지 표 9 에서 이들 거리는 WD로 지칭된다.

프리즘 (PA,PB) 이 주 렌즈 그룹 (G) 내에 포함되지 않지만, 이들 프리즘은 색 수차 보정을 포함하는 수차 보정에 있어서 중요한 역할을 한다.

예시적인 실시형태에서, 대형 필드 고 NA 애플리케이션의 경우에 설계 성능을 개선하기 위해서 미러 (M) 는 비구형화된다. 본 발명의 시스템의 모든 예시적인 실시 형태는 가변 개구 정지부 (AS2) 에 대해 시스템 대칭성을 필수적으로 보유하고 있어서 코마, 왜곡 및 횡형 칼라와 같은 홀수 차수 수차를 내재적으로 제거한다. 광학 시스템 (100) 은 주 렌즈 그룹 (G) 내에 비동심형 렌즈 요소를 포함하거나 오목 미러 (M) 와 동심인 렌즈 표면을 포함한다.

특허 '494의 종래 기술 광학 시스템에 대한 본 발명의 광학 시스템 (100) 의 주요한 설계 개선 사항은 공기 충진 공간 (104) 을 선택적으로 추가하고 메니스커스 렌즈 요소를 추가하며 주 렌즈 그룹 (G) 내에서는 적어도 하나의 비구형 표면을 선택 사양적으로 사용한 것이다. 주요한 설계 수정 사항은 필드 수차 (특히, 비점수차), 구형 수차, 페츠발 곡율(petzval curvature), 축방향 칼라 및 이들 수차의 색 편차를 상이한 NA 에서 대형 필드 크기 및 광 스펙트럼 대역 및 협 스펙트럼 대역에 걸쳐서 보정하기 위해서 그 내부의 필드 보정기 렌즈 (도 2에서는 렌즈 L1, L2 또는 도 3 및 도 4에서는 렌즈 L1 내지 L3 임) 및 프리즘을 위한 광학 유리 타입을 적합하게 선택하는 것을 포함한다.

2 요소 주 그룹 (Two-Element Main Group)

도 2를 참조하면, 소정의 예시적인 실시형태에서, 포지티브 서브 그룹 (GP) 이 단일 평철 렌즈 (L1) 를 포함하고 네거티브 서브 그룹 (GN) 은 단일 네거티브 메니스커스 렌즈 (L2) 를 포함한다. 또한, 이 실시형태에서, 렌즈 요소 (L1,L2) 는 제 1 및 제 2 프리즘 (PA,PB) 과 함께 g,h,i 라인을 포함하는 광 스펙트럼 대역에 걸쳐서 색수차를 집합적으로 보정하는 두 개의 상이한 유리 타입으로 구성된다. 본 실시형태를 기반으로 하는 설계가 표 3에서 제안된다.

표 1 및 표 2는 0.34 > NA > 0.16 의 가변 NA 및 대형 필드의 경우에 i 라인을 포함하는 협 스펙트럼 대역에 걸쳐서 색수차가 보정되는 상기 실시형태를 기반으로 하는 설계를 제안한다.

3 요소 주 렌즈

일 예시적인 실시형태에서, 주 렌즈 그룹 (G) 은 3 개의 렌즈 요소 (L1,L2,L3) 로 구성된다. 이러한 실시형태를 기반으로 하는 설계가 표 4 내지 표 9에 제안되며 도 3 및 도 4에 도시된다.

제 1 프리즘 및 제 2 프리즘과 함께, 렌즈 요소 (L1,L2,L3) 는 표 4 및 표 5에서 제안된 설계에서처럼 0.34 > NA > 0.16 의 가변 NA 및 대형 필드 시스템의 경우에 i 라인을 포함하는 협 스펙트럼 대역에 걸쳐서 색수차가 보정한다.

일 예시적인 실시형태에서, 렌즈 요소 (L1,L2,L3) 는 서로 다른 유리 타입을 갖는다. 제 1 프리즘과 제 2 프리즘과 함께, 색수차는 협 스펙트럼 대역에 걸쳐서 보정된다. 본 예시적인 실시형태는 표 8 및 표 9에 제안된 설계에서 도시된다.

다른 실시형태에서, 표 6 및 표 7에 제안된 설계에서처럼 렌즈 요소 (L1,L3)의 유리 타입이 동일하다.

단일 요소 GP, 이중 요소 GN

도 3을 참조하면, 일 예시적인 실시형태에서, 포지티브 서브그룹 (GP) 은 단일 평철 렌즈 (L1) 를 포함하고, 네거티브 서브그룹 (GN) 은 광학적으로 접촉되어 있거나 서로 결합되어 있는 3 개의 네거티브 메니스커스 렌즈 요소 (L2,L3) 로 구성된 네거티브 더블릿을 포함한다.

단일 요소 GN, 이중 요소 GP

도 4를 참조하면, 일 예시적인 실시형태에서, 포지티브 서브그룹 (GP) 은 네거티브 렌즈 요소 (L1,L2) 를 갖는 더블릿으로 구성되며, 네거티브 서브그룹 (GN) 은 단일 렌즈 (L3) 로 구성된다. 또한, 본 실시형태에서, 렌즈 (L1) 는 네거티브 메니스커스 렌즈 요소 (L2) 와 광학적으로 접촉되거나 결합되어 있는 평철 렌즈 요소이며, 렌즈 (L3) 는 단일 네거티브 메니스커스 렌즈 요소이다.

실시예 설계

투사 광학 시스템 (100) 의 다른 예시적인 실시형태가 표 1 내지 표 9에 제공된 설계로부터 자명하며 이하에서 보다 상세하게 설명된다.

광학 시스템 (100) 이 대칭적이면, 표 1 내지 표 9에서 제안된 세부 사항은 대상 플레인 (OP2) 에서 오목 미러 (M) 까지의 값만을 포함한다. 표 1 내지 표 9에서, 포지티브 반경은 곡율의 중심이 표면의 우측에 있음을 표시하며 네거티브 반경은 곡율의 중심이 표면의 좌측에 있음을 표시한다. 요소의 두께 또는 요소 간의 분리 거리는 다음 표면으로의 축 방향 거리이며 모든 크기는 수 밀리 미터 내에 존재한다. 또한, "S#"은 도 2 내지 도 4에서 라벨링된 것과 같이 표면 번호를 나타내며, "T 또는 S"는 "두께 또는 분리 정도" 를 나타내고, "STOP"는 개구 정지부 (AS2) 를 나타낸다. 또한, "CC"는 오목 특성을 나타내고 "CX"는 볼록 특성을 나타낸다.

또한, 앞 부분의 "표면 형상" 에서, 비구형 표면이 "ASP" 로 표시되고, 평탄한 표면은 "FLT"로 표시되며, 구형 표면을 "SPH"로 표시된다.

비구형 표면을 나타내는 비구형 등식은 다음과 같이 주어진다.

Z=(CURV)Y²/(1+(l-(l+K)(CURV)²Y²)^1/2+(A)Y⁴+(B)Y⁶+(C)Y⁸+(D)Y¹⁰+(E)Y

여기서, "CURV"는 표면의 구형 곡율이며, K는 원뿔 상수(conic constant)이고, A,B,C,D,E는 비구형 계수이다. 첨부된 표들에서, "e"는 지수 표기 (exponential notation) (10의 멱승) 를 나타낸다.

표 1 내지 표 9를 참조하면, 일 예시적인 실시형태에서, 광학 시스템 (100) 은 3 요소 주 렌즈 그룹 (G) 을 가지며, 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘 (PA,PB) 은 Ohara BSM51Y와 같은 유리 타입 603606으로 형성된다 (표 8 참조). 또한, 본 실시형태에서, 평철 렌즈 (L1) 는 융해된 실리카 또는 실리카 유리와 같은 유리 타입 458678으로 형성되며, 메니스커스 렌즈 요소 (L2,L3) 는 Ohara PBL25Y와 같은 유리 타입 581408 및 Ohara PBL6Y와 같은 유리 타입 532490으로 형성된다.

유사한 설계 구성을 갖는 다른 실시형태에서, 렌즈 (L1) 는 Ohara BSL7Y 또는 Schott BK7HT, BK7, UBK7과 같은 유리 타입 516643으로 형성되며, 렌즈 (L2) 는 Ohara PBM8Y 와 같은 유리 타입 596393으로 형성된다 (표 9 참조). 표 9에서 렌즈 (L3) 및 프리즘을 위한 유리 타입은 표 8의 실시형태에서 사용된 바와 동일하다.

다른 예시적인 실시형태에서, 광학 시스템 (100) 은 3 요소 주 렌즈 그룹 (G) 을 포함하며 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘 (PA,PB) 은 Ohara BAL35Y와 같은 유리 타입 589612로부터 형성된다 (표 5 참조). 또한, 본 실시형태에서, 평철 렌즈 (L1) 는 Ohara BSL7Y 또는 Schott BK7HT, BK7, UBK7과 같은 유리 타입 516643으로 형성되며, 메니스커스 렌즈 요소 (L2,L3) 는 Ohara PBM8Y 와 같은 유리 타입 596393 및 융해된 실리카 또는 실리카 유리와 같은 유리 타입 458676으로 형성된다.

다른 예시적인 실시형태에서, 표 8 및 표 9에서 제안된 설계에서 도시된 바와 같이, 광학 시스템 (100) 은 3 요소 주 렌즈 그룹 (G) 을 포함하고 렌즈 (L3) 는 오목 표면 (S7) 상의 비구형 표면을 포함한다. 이와 관련된 실시형태에서, 렌즈 (L3) 는 표 5 및 표 6에서 도시된 바와 같이 오목 표면 (S7) 및 볼록 표면 (S8) 상에 구형 표면을 포함한다.

다른 예시적인 실시형태에서, 표 4 내지 표 6에 제안된 설계에서 도시된 바와 같이, 광학 시스템 (100) 은 3 요소 주 렌즈 그룹 (G) 을 포함하고, 렌즈 (L2) 는 표면 (S5) 상에 구형 표면을 갖는다. 이와 유사한 실시형태에서, 렌즈 요소 (L1) 는 표 1 내지 표 3에 제안된 설계에서 도시된 바와 같이 비구형 표면을 갖는다.

다른 예시적인 실시형태에서, 광학 시스템 (100) 은 2 요소 또는 3 요소 주 렌즈 그룹 (G) 을 포함하며 그의 필드 크기는 0.34 NA에서는 적어도 3 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고, 0.26 NA에서는 적어도 4 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며, 0.16 이하의 NA에서는 적어도 6 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함한다. 이러한 설계를 갖는 예시적인 실시형태가 표 1, 표 4, 표 5, 표 6, 표 7에 제안된다.

다른 예시적인 실시형태에서, 광학 시스템 (100) 은 2 요소 주 렌즈 그룹 (G) 을 포함하며 그의 필드 크기는 0.26 NA에서는 적어도 5 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며, 0.16 이하의 NA에서는 적어도 6 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함한다 (표 2 참조).

다른 예시적인 실시형태에서, 광학 시스템 (100) 은 2 요소 주 렌즈 그룹 (G) 을 포함하며 그의 필드 크기는 수은 광 소스의 g,h,i 스펙트럼 라인을 포함하는 파장을 갖는 광 스펙트럼 대역 애플리케이션의 경우에 0.26 NA에서는 적어도 4 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며, 0.16 이하의 NA에서는 적어도 6 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함한다 (표 3 참조).

다른 예시적인 실시형태에서, 광학 시스템 (100) 은 3 요소 주 렌즈 그룹 (G) 을 포함하며 그의 필드 크기는 0.365 NA에서는 적어도 2 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고, 0.34 NA에서는 적어도 3 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며, 0.26 NA에서는 적어도 4 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고, 0.16 이하의 NA에서는 적어도 6 개의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함한다 (표 8 및 표 9 참조).

포토리소그래피 시스템

도 5는 본 발명에 따른 단위 확대 투사 광학 시스템 (100) 을 사용하는 포토리소그래피 시스템 (200) 의 개략도이다. 이 시스템 (200) 은 광학축 (A2) 을 가지며 이 광학축을 따라서 대상 플레인 (OP2) 에서 마스크 (220) 를 지지하는 마스크 스테이지 (210) 를 포함한다. 마스크 (220) 는 마스크 표면 (226) 상에 형성된 패턴을 갖는다. 조사기 (230) 가 이 광학 시스템 (100) 에 대향하여 마스크 스테이지 (220) 에 인접하여 배치되고 마스크 (220) 를 조사한다.

또한, 시스템 (200) 은 이미지 플레인 (IP2) 에서 웨이퍼 (246) 를 이동하면서 지지하는 웨이퍼 스테이지 (240) 를 포함한다. 한 예시적인 실시형태에서, 웨이퍼 (246) 는 조사기로부터 방사된 하나 이상의 파장을 갖는 광에 의해서 활성화되는 광감지 층(250) 으로 코팅된다. 이러한 방사는 본 기술 분야에서 "화학선 방사 (actinic radiation)" 로 지칭된다. 일 예시적인 실시형태에서, 이러한 방사가 갖는 하나 이상의 파장은 수은 g, h 및 i 라인들을 포함한다.

동작 시에, 패턴 (224) 이 광학 시스템 (100) 에 의해서 웨이퍼 (246) 에서 이미징되어 포토레지스트 층 (250) 내에 패턴을 형성하도록 조사기 (230) 는 마스크 (240) 를 조사한다. 이로써, 웨이퍼의 일부분이 노광 필드 EF 가 된다. 이어서, 웨이퍼 스테이지 (240) 가 소정의 증분 거리 만큼 (가령, 한 노광 필드 EF의 크기 만큼) 소정의 방향으로 (가령, 화살표 264로 표시된 x 방향으로) 웨이퍼 (246) 를 이동시킨다(스텝핑한다). 이러한 노광 프로세스가 반복된다. 이러한 스텝 앤드 노광 프로세스(step-and-expose process)는 원하는 수의 노광 필드 EF 가 웨이퍼 (246) 상에 형성될 까지 반복된다(즉, 스텝 앤드 반복 프로세스).

이어서, (도시되지 않은 웨이퍼 처리 시스템을 사용하여) 웨이퍼가 시스템 (200) 으로부터 제거되며 가령 현상, 경화, 에칭 등과 같은 프로세스를 받아서 각 스캐닝된 노광 필드 EF 내의 포토레지스트 내에 형성된 패턴을 웨이퍼로 전사한다. 상이한 마스크로 이러한 포토리소그래피 프로세스를 반복함으로써 3 차원 구조물이 웨이퍼 내에 형성되어 집적 회로와 같은 동작 디바이스가 생성된다. 또한, 시스템 (100) 의 NA를 조절함으로써, 상이한 크기 및 상이한 해상도를 갖는 스캐닝된 필드 EF 가 소정의 마스크에 대응되도록 설정될 수 있으며, 이로써 믹스 앤드 매치 (mix and match) 리소그래피 프로세스가 간단하게 된다.

전술한 상세한 설명 부분에서, 이해의 용이성을 위해서 다양한 특징들이 다양한 실시형태에서 함께 집합되었다. 본 발명의 수 많은 특징 및 장점이 상세한 설명 부분에서 명백하였으며 첨부된 청구 범위는 본 발명의 사상 및 범위를 따르는 기술된 장치의 모든 상기의 특징 및 장점을 포함한다. 또한, 수 많은 수정 및 변경이 본 기술 분야의 당업자에게는 가능하며, 본 발명을 본 명세서에서 상술된 구성 및 동작으로만 정확하게 한정지을 수는 없다. 따라서, 다른 실시형태들은 첨부된 청구 범위의 범위 내에 포함된다.

Claims

광학 시스템에 있어서,

광학축을 따라서,

오목 구형 미러와,

상기 오목 구형 미러에 위치하며 상기 광학 시스템의 개구수 (a numerical aperture) (NA) 를 결정하는 가변 개구 정지부 (a varible aperture stop) 와,

포지티브 굴절력을 가지며 상기 오목 구형 미러에 인접하여 위치하되 상기 미러와 이격되어 있으며, 상기 미러를 향해서 순서대로 포지티브 굴절력을 갖는 제 1 서브그룹 (a first subgroup) 및 네거티브 굴절력을 갖고 공기층에 의해서 상기 제 1 서브그룹과 이격된 제 2 서브그룹을 포함하는 주 렌즈 그룹과,

각각이 제 1 평탄 표면 및 제 2 평탄 표면 각각을 갖는 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘을 포함하고,

상기 제 2 평탄 표면들은 상기 광학축의 대향하는 측면들 상에서 상기 포지티브 서브그룹에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 평탄 표면들은 대상 플레인 및 이미지 플레인에 각기 인접하여 배치되며,

상기 광학 시스템은, 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드(step-and-scan field) 를 이미징하도록 상기 가변 개구 정지부를 조절함으로써 조절가능한 노광 필드를 상기 이미지 플레인에서 갖는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 조절가능한 노광 필드는,

0.365 NA에서는 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고,

0.34 NA에서는 3 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며,

0.26 NA에서는 4 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고,

0.16 이하의 NA에서는 6 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 조절가능한 노광 필드는,

0.34 NA에서는 3 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고,

0.26 NA에서는 4 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며,

0.16 이하의 NA에서는 6 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 시스템은 g-라인 (436 nm), h-라인 (405 nm) 및 i-라인 (365 nm) 을 포함하는 스펙트럼 대역에 걸쳐서 수차 보정되며,

상기 조절가능한 노광 필드는,

0.26 NA에서는 4 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며,

0.16 이하의 NA에서는 6 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 조절가능한 노광 필드는,

0.26 NA에서는 5 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며,

0.16 이하의 NA에서는 6 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 시스템은 i-라인을 포함하는 협 스펙트럼 대역에 걸쳐서 수차 보정되며,

상기 조절가능한 노광 필드는,

0.36 이상의 NA에서는 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

O.34 내지 0.16 간에서 조절가능한 NA를 갖는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

O.365 내지 0.16 간에서 조절가능한 NA를 갖는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 가변 개구 정지부에 동작가능하게 접속되어 상기 가변 개구 정지부를 자동 조절하는 제어기를 더 포함하는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 주 렌즈 그룹 내의 하나 이상의 렌즈 요소는 비구형 표면을 포함하는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 미러는 비구형 표면을 갖는, 광학 시스템.
제 1 항에 있어서,

상기 제 1 프리즘 및 상기 제 2 프리즘 각각이 유리 타입 603606과 유리 타입 589612 중 하나로부터 형성되는, 광학 시스템.
광학 시스템에 있어서,

광학축을 따라서,

오목 구형 미러와,

상기 오목 구형 미러에 위치하며 상기 광학 시스템의 개구수 (NA) 를 결정하는 가변 개구 정지부와,

포지티브 굴절력을 가지며 상기 오목 구형 미러에 인접하여 위치하되 상기 오목 구형 미러와 이격되어 있으며, 상기 미러를 향해서 순서대로 상기 미러와 대면하는 볼록 표면을 갖는 평철 렌즈 (a plano-convex lens) 로 구성된 제 1 서브그룹 및 상기 미러와 대면하는 볼록 표면을 가지며 상기 평철 렌즈의 상기 볼록 표면과는 공기층에 의해서 이격된 오목 표면을 갖는 단일 네거티브 메니스커스 렌즈 (a signle negative meniscus lens) 로 구성된 제 2 서브그룹을 포함하는 주 렌즈 그룹과,

각각이 제 1 평탄 표면 및 제 2 평탄 표면 각각을 갖는 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘을 포함하고,

상기 제 2 평탄 표면들은 상기 광학축의 대향하는 측면들 상에서 상기 평철 렌즈의 평면에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 평탄 표면들은 대상 플레인 및 이미지 플레인에 각기 인접하여 배치되며,

상기 광학 시스템은, 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 이미징하도록 상기 가변 개구 정지부를 조절함으로써 조절가능한 노광 필드를 상기 이미지 플레인에서 갖는, 광학 시스템.
제 13 항에 있어서,

상기 평철 렌즈는 유리 타입 458678 및 유리 타입 516643 중 하나로 구성되는, 광학 시스템.
제 13 항에 있어서,

상기 프리즘 각각은 유리 타입 603606 및 유리 타입 589612 중 하나로부터 형성되는, 광학 시스템.
제 13 항에 있어서,

상기 조절가능한 노광 필드는,

0.34 NA에서는 3 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고,

0.26 NA에서는 4 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며,

0.16 이하의 NA에서는 6 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하는, 광학 시스템.
제 13 항에 있어서,

O.34 내지 0.16 간에서 조절가능한 NA를 갖는, 광학 시스템.
제 13 항에 있어서,

상기 주 렌즈 그룹 내의 하나 이상의 렌즈 요소는 비구형 표면을 포함하는, 광학 시스템.
제 13 항에 있어서,

상기 미러는 비구형 표면을 갖는, 광학 시스템.
제 13 항에 있어서,

상기 제 1 프리즘 및 상기 제 2 프리즘은 유리 타입 603606으로 형성되고,

상기 평철 렌즈는 유리 타입 458678로 형성되며,

상기 메니스커스 렌즈 요소는 유리 타입 548458, 567428, 581408,596393 및 596387 중 하나로 형성되는, 광학 시스템.
광학 시스템에 있어서,

광학축을 따라서,

오목 구형 미러와,

상기 오목 구형 미러에 위치하며 상기 광학 시스템의 개구수 (NA) 를 결정하는 가변 개구 정지부와,

포지티브 굴절력을 가지며 상기 오목 구형 미러에 인접하여 위치하되 상기 오목 구형 미러와 이격되어 있으며, 상기 오목 구형 미러를 향해서 순서대로 상기 오목 구형 미러와 대면하는 볼록 표면을 갖는 평철 렌즈로 구성된 제 1 서브그룹과 각각이 상기 오목 구형 미러와 대면하는 볼록 표면을 갖는 제 1 네거티브 메니스커스 렌즈와 제 2 네거티브 메니스커스 렌즈로 구성된 제 2 서브그룹을 포함하되, 상기 제 1 네거티브 메니스커스 렌즈의 오목 표면은 상기 평철 렌즈의 상기 볼록 표면과는 공기층에 의해서 이격된 주 렌즈 그룹과,

각각이 제 1 평탄 표면 및 제 2 평탄 표면 각각을 갖는 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘으로서, 상기 제 2 평탄 표면들은 상기 광학축의 대향하는 측면들 상에서 상기 평철 렌즈의 평면에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 평탄 표면들은 대상 플레인 및 이미지 플레인에 각기 인접하여 배치되는 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘을 포함하고,

상기 광학 시스템은, 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 이미징하도록 상기 가변 개구 정지부를 조절함으로써 조절가능한 노광 필드를 상기 이미지 플레인에서 갖는, 광학 시스템.
제 21 항에 있어서,

상기 평철 렌즈와 상기 메니스커스 렌즈들 각각은 상기 제 1 프리즘과 상기 제 2 프리즘과 함께 NA < 0.26 에 대해서 g-라인 (436 nm), h-라인 (405 nm) 및 i-라인 (365 nm) 을 포함하는 광 스펙트럼 대역 (broad spectral band) 에 걸쳐서 색수차를 집합적으로 보정하며, NA > 0.26 에 대해서 i-라인 (365 nm) 을 포함하는 협 스펙트럼 대역 (narrow spectral band) 을 걸쳐서 색수차를 집합적으로 보정하도록 하는 서로 상이한 유리 타입을 갖는, 광학 시스템.
제 21 항에 있어서,

상기 조절가능한 노광 필드는,

0.365 NA에서는 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고,

0.34 NA에서는 3 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고,

0.26 NA에서는 4 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며,

0.16 이하의 NA에서는 6 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하는, 광학 시스템.
제 21 항에 있어서,

상기 주 렌즈 그룹 내의 하나 이상의 렌즈 요소는 비구형 표면을 포함하는, 광학 시스템.
제 21 항에 있어서,

상기 미러는 비구형 표면을 갖는, 광학 시스템.
제 21 항에 있어서,

상기 메니스커스 렌즈들 중 하나와 상기 평철 렌즈는 동일한 유리 타입을 갖는, 광학 시스템.
광학 시스템에 있어서,

광학축을 따라서,

오목 구형 미러와,

상기 미러에 위치하며 상기 시스템의 개구수 (NA) 를 결정하는 가변 개구 정지부와,

포지티브 굴절력을 가지며 상기 미러에 인접하여 위치하되 상기 미러와 이격되어 있으며 상기 미러를 향해서 순서대로 제 1 서브그룹 및 제 2 서브 그룹을 포함하는 주 렌즈 그룹으로서, 상기 제 1 서브 그룹은 상기 미러를 향해서 순서대로 상기 미러와 대면하는 볼록 표면을 갖는 평철 렌즈와 상기 미러와 대면하는 볼록 표면을 갖는 제 1 네거티브 메니스커스 렌즈 요소로 구성된 더블릿 렌즈 (a doublet lens)로 구성되며, 상기 제 2 서브 그룹은 상기 미러와 대면하는 볼록 표면을 가지며 공기층에 의해서 상기 제 1 네거티브 메니스커스 렌즈의 상기 볼록 표면과 분리된 오목 표면을 갖는 제 2 네거티브 메니스커스 렌즈로 구성되는 주 렌즈 그룹과,

각각이 제 1 평탄 표면 및 제 2 평탄 표면 각각을 갖는 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘으로서, 상기 제 2 평탄 표면들은 상기 광학축의 대향하는 측면들 상에서 상기 평철 렌즈의 평면에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 평탄 표면들은 대상 플레인 및 이미지 플레인에 각기 인접하여 배치되는 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘을 포함하고,

상기 광학 시스템은, 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 이미징하도록 상기 가변 개구 정지부를 조절함으로써 조절가능한 노광 필드를 상기 이미지 플레인에서 갖는, 광학 시스템.
제 27 항에 있어서,

상기 조절가능한 노광 필드는,

0.365 NA에서는 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고,

0.34 NA에서는 3 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하고,

0.26 NA에서는 4 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하며,

0.16 이하의 NA에서는 6 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 포함하는, 광학 시스템.
제 27 항에 있어서,

상기 주 렌즈 그룹 내의 하나 이상의 렌즈 요소는 비구형 표면을 포함하는, 광학 시스템.
제 27 항에 있어서,

상기 미러는 비구형 표면을 갖는, 광학 시스템.
제 27 항에 있어서,

상기 제 1 프리즘 및 상기 제 2 프리즘 모두는 유리 타입 603606 및 유리 타입 589612 중 하나로부터 형성되는, 광학 시스템.
제 31 항에 있어서,

상기 평철 렌즈는 유리 타입 458678 및 유리 타입 516643 중 하나로부터 형성되는, 광학 시스템.
제 32 항에 있어서,

상기 메니스커스 렌즈 요소들 중 하나는 유리 타입 548458, 567428, 581408,596393, 532490 및 596387으로 구성된 유리 타입 그룹으로부터 선택된 유리 타입으로 형성되는, 광학 시스템.
투사 리소그래피 시스템에 있어서,

광학 시스템과,

대상 플레인에서 마스크를 지지하는 마스크 스테이지와,

g-라인 파장, h-라인 파장 및 i-라인 파장 중 하나 이상으로 상기 마스크를 조사하는 조사기 (an illuminator) 와,

이미지 플레인에서 웨이퍼를 이동하면서 지지하는 웨이퍼 스테이지를 포함하되,

상기 광학 시스템은,

광학축을 따라서,

오목 구형 미러와,

상기 오목 구형 미러에 위치하며 상기 광학 시스템의 개구수를 결정하는 가변 개구 정지부와,

포지티브 굴절력을 가지며 상기 미러에 인접하여 위치하되 상기 미러와 이격되어 있으며, 상기 미러를 향해서 순서대로 포지티브 굴절력을 갖는 제 1 서브그룹과 네거티브 굴절력을 갖고 공기층에 의해서 상기 제 1 서브그룹과 이격된 제 2 서브그룹을 포함하는 주 렌즈 그룹과,

각각이 각각의 제 1 평탄 표면 및 제 2 평탄 표면을 갖는 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘으로서, 상기 제 2 평탄 표면들은 상기 광학축의 대향하는 측면들 상에서 상기 포지티브 서브그룹에 인접하여 배치되고, 상기 제 1 평탄 표면들은 상기 대상 플레인 및 상기 이미지 플레인에 각기 인접하여 배치되는 제 1 프리즘 및 제 2 프리즘을 포함하고,

상기 광학 시스템은 2 개 이상의 34 mm × 26 mm 스텝 앤드 스캔 필드를 이미징하도록 상기 가변 개구 정지부를 조절함으로써 조절가능한 노광 필드를 상기 이미지 플레인에서 갖는, 투사 리소그래피 시스템.