KR20050078180A - 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시장치의 제조 방법 - Google Patents

표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 휘도가 높고 양호한 표시 품질이 얻어지는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 게이트 버스 라인(12) 상에 절연막(30)을 형성하고, 절연막(30) 상에 게이트 버스 라인 단자(52)를 형성하고, 게이트 버스 라인 단자(52) 상에 보호막(32)을 형성하고, 보호막(32) 상에 형성한 레지스트층을 패터닝하여 레지스트 패턴(34)을 형성하고, 레지스트 패턴(34)을 이용하여, 보호막(32) 및 절연막(30)을 제거하여 게이트 버스 라인(12)이 노출되는 제1 컨택트홀을 형성함과 함께, 보호막(32)을 제거하여 게이트 버스 라인 단자(52)가 노출되는 제2 컨택트홀을 형성하는 표시 장치용 기판의 제조 방법으로서, 제2 컨택트홀 상의 레지스트 패턴(34)의 두께를 다른 영역의 레지스트 패턴(34)의 두께보다 얇게 형성한다.

Description

표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY UTILIZING THE SAME}
본 발명은, 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 절연막을 개재하여 교차하는 복수의 버스 라인을 구비한 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 액정 표시 장치에는 고선명, 고휘도 및 고품위인 표시 성능이 요구되고 있다. 높은 표시 성능이 얻어지는 액티브 매트릭스형의 액정 표시 장치는, 스위칭 소자인 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)와 화소 전극을 화소마다 구비하는 TFT 기판과, 공통 전극이나 컬러 필터(CF; Color Filter)층 등을 구비하는 대향 기판과, 양 기판 사이에 밀봉된 액정을 갖고 있다.
도 17은, 종래의 TFT 기판의 화소 및 단자부 근방의 구성을 도시하고 있다. 도 17에 도시한 바와 같이, TFT 기판(102)은, 도 17의 좌우 방향으로 연장되는 게이트 버스 라인(112)과, 게이트 버스 라인(112)에 도시 생략된 절연막을 개재하여 교차하고, 도 17의 상하 방향으로 연장되는 드레인 버스 라인(114)을 갖고 있다. 게이트 버스 라인(112)의 도 17의 우측 단부는, 게이트 버스 라인 단자(152)에 접속되어 있다. 드레인 버스 라인(114)의 도 17의 상측 단부는, 드레인 버스 라인 단자(154)에 접속되어 있다.
게이트 버스 라인(112)과 드레인 버스 라인(114)과의 교차 위치 근방에는, TFT(120)가 형성되어 있다. 게이트 버스 라인(112)의 일부는 TFT(120)의 게이트 전극으로서 기능하고, TFT(120)의 드레인 전극(121)은 드레인 버스 라인(114)에 접속되어 있다. 각 화소 영역에는 화소 전극(116)이 형성되어 있다. 화소 전극(116)은, TFT(120)의 소스 전극(122)에 접속되어 있다. 화소 영역의 거의 중앙을 가로질러, 게이트 버스 라인(112)에 병렬하여 연장되는 축적 용량 버스 라인(118)이 형성되어 있다. 축적 용량 버스 라인(118) 상에는, 화소 전극(116)에 접속된 축적 용량 전극(중간 전극)(119)이 화소마다 형성되어 있다.
액정 표시 장치에는, 생산성의 향상이나 제조 수율의 향상이 요구되고 있다. 생산성이나 제조 수율을 향상시키기 위해서, 액정 표시 장치의 TFT 기판(102)은 이하와 같은 5매 마스크 프로세스에 의해 제작되고 있다. 도 18 내지 도 22는, TFT 기판(102)의 종래의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도이다. 도 18 내지 도 22의 (a)는 도 17의 W-W 선을 따라 절단한 TFT(120) 근방의 단면을 도시하고, (b)는 도 17의 X-X 선을 따라 절단한 게이트 버스 라인 단자(152) 근방의 단면을 도시하고 있다. 또한, 도 18 내지 도 22의 (c)는 도 17의 Y-Y 선을 따라 절단한 드레인 버스 라인 단자(154) 근방의 단면을 도시하고, (d)는 도 17의 Z-Z 선을 따라 절단한 축적 용량 버스 라인(118) 근방의 단면을 도시하고 있다.
우선, 도 18의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 유리 기판(110) 상의 전면에 금속층(도시 생략)을 성막하고, 제1 포토마스크를 이용하여 패터닝하여, 게이트 버스 라인(게이트 전극)(112) 및 축적 용량 버스 라인(118)을 형성한다.
다음으로, 도 19의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 게이트 버스 라인(112) 및 축적 용량 버스 라인(118) 상의 기판 전면에, 절연막(게이트 절연막)(130), 비정질 실리콘(a-Si)막(131'), 및 실리콘 질화막(SiN막)을 이 순서로 형성한다. 계속해서, SiN막 상의 전면에 레지스트를 도포하고, 게이트 버스 라인(112)을 마스크로 하여 유리 기판(110)의 이면측으로부터 배면 노광을 행하고, 또한 제2 포토마스크를 이용하여 유리 기판(110)의 표면측으로부터 노광하고 현상하여, 게이트 버스 라인(112) 상에 자기 정합적으로 레지스트 패턴(도시 생략)을 형성한다. 다음으로, 이 레지스트 패턴을 이용하여 SiN막을 패터닝하여, 채널 보호막(123)을 형성한다.
다음으로, 채널 보호막(123) 상의 기판 전면에, n+ a-Si막 및 금속층(모두 도시 생략)을 형성한다. 계속해서, 제3 포토마스크를 이용하여 금속층, n+ a-Si막 및 a-Si막(131')을 패터닝한다. 이 패터닝에 있어서의 에칭 처리에 있어서, 채널 보호막(123)이 에칭 스토퍼로서 기능하여, 채널 보호막(123) 하층의 a-Si막(131')은 에칭되지 않고서 잔존한다. 이에 의해, 도 20의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 동작 반도체층(131), 드레인 전극(121), 소스 전극(122), 축적 용량 전극(119), 게이트 버스 라인 단자(152), 드레인 버스 라인 단자(154), 및 드레인 버스 라인(114)을 형성한다.
다음으로, 도 21의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 기판 전면에 보호막(132)을 형성한다. 계속해서, 제4 포토마스크를 이용하여 보호막(132) 및 절연막(130)을 패터닝하여, 소스 전극(122) 상의 컨택트홀(124), 게이트 버스 라인(112) 단부 상의 컨택트홀(125), 게이트 버스 라인 단자(152) 상의 컨택트홀(126), 드레인 버스 라인 단자(154) 상의 컨택트홀(127), 및 축적 용량 전극(119) 상의 컨택트홀(128)을 형성한다. 이 공정에서는, 컨택트홀(124, 126, 127, 128)이 보호막(132)만을 개구하여 형성되는 데 비하여, 컨택트홀(125)은 보호막(132) 및 절연막(130)을 일괄 개구하여 형성된다.
다음으로, 보호막(132) 상의 기판 전면에 투명 도전막(도시 생략)을 형성한다. 계속해서, 제5 포토마스크를 이용하여 투명 도전막을 패터닝하여, 도 22의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 화소 전극(116), 게이트 버스 라인 단자(152) 상의 보호 도전막(153), 및 드레인 버스 라인 단자(154) 상의 보호 도전막(155)을 형성한다. 화소 전극(116)은, 컨택트홀(124)을 통하여 소스 전극(122)에 전기적으로 접속되고, 컨택트홀(128)을 통하여 축적 용량 전극(119)에 전기적으로 접속된다. 보호 도전막(153)은, 컨택트홀(125)을 통하여 게이트 버스 라인(112)에 전기적으로 접속되고, 컨택트홀(126)을 통하여 게이트 버스 라인 단자(152)에 전기적으로 접속된다. 보호 도전막(155)은, 컨택트홀(127)을 통하여 드레인 버스 라인 단자(154)에 전기적으로 접속된다. 이상의 공정을 거쳐 TFT 기판(102)이 완성된다.
이와 같이 TFT 기판(102)의 종래의 제조 방법에서는, 보호막(132)만이 에칭 제거되는 컨택트홀(124, 126, 127, 128)과, 보호막(132) 및 절연막(130)이 일괄해서 에칭 제거되는 컨택트홀(125)이 동일 공정에서 형성된다(도 21(a)∼(f) 참조). 컨택트홀(125)의 형성에는, 컨택트홀(124, 126, 127, 128)의 형성보다도 장시간을 요한다. 이 때문에, 컨택트홀(124, 126, 127, 128)이 형성되어 각각 노출된 소스 전극(122), 게이트 버스 라인 단자(152), 드레인 버스 라인 단자(154) 및 축적 용량 전극(119)의 각 표면은, 컨택트홀(125)의 형성이 완료하기까지의 동안 에칭 플라즈마에 노출되게 된다. 소스 전극(122), 게이트 버스 라인 단자(152), 드레인 버스 라인 단자(154) 및 축적 용량 전극(119)의 각 표면은, 에칭 플라즈마에 의해 손상을 받기 때문에, 상층에 형성되는 화소 전극(116)이나 보호 도전막(153, 155)과의 사이의 접촉 저항(컨택트 저항)이 증가하여 전기적 특성이 저하하여, 액정 표시 장치의 표시 품질이 저하한다고 하는 문제가 발생한다.
또한, 컨택트홀(124, 126, 127, 128)은, 오버 에칭에 의해 홀 내벽면도 에칭되게 된다. 이에 의해, 컨택트홀(124, 126, 127, 128)의 사이즈가 커지게 되기 쉽기 때문에, 에칭 스토퍼로 되는 소스 전극(122), 게이트 버스 라인 단자(152), 드레인 버스 라인 단자(154) 및 축적 용량 전극(119)의 패턴 사이즈를 크게 설계할 필요가 있다. 따라서, 소스 전극(122)이나 축적 용량 전극(119)이 커지는 것에 의해 화소의 개구율이 저하하여, 액정 표시 장치의 휘도가 저하함과 함께 고정밀화가 곤란하게 된다고 하는 문제가 발생한다.
<특허 문헌1>
일본 특개평6-283416호 공보
<특허 문헌2>
일본 특개2001-324725호 공보
<특허 문헌3>
일본 특개2002-107762호 공보
<특허 문헌4>
일본 특개2002-98995호 공보
본 발명의 목적은, 휘도가 높고 양호한 표시 품질이 얻어지는 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 목적은, 기판 상에 소정 형상의 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극층 상에 제1 절연층을 형성하고, 상기 제1 절연층 상에 소정 형상의 제2 전극층을 형성하고, 상기 제2 전극층 상에 제2 절연층을 형성하고, 상기 제2 절연층 상에 레지스트층을 형성하고, 상기 레지스트층을 패터닝하여 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제1 및 제2 절연층을 제거하여 상기 제1 전극층이 노출되는 제1 컨택트 영역을 형성함과 함께, 상기 제2 절연층을 제거하여 상기 제2 전극층이 노출되는 제2 컨택트 영역을 형성하는 표시 장치용 기판의 제조 방법으로서, 상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층을 제거함과 함께, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트 패턴의 두께를 다른 영역의 상기 레지스트 패턴의 두께보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법에 의해서 달성된다.
<발명을 실시하기 위한 최량의 형태>
〔제1 실시예〕
본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법에 대하여 도 1 내지 도 13을 이용하여 설명한다. 우선, 본 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 이용하여 제작된 TFT 기판(2)의 구성에 대하여 설명한다. 도 1은, TFT 기판(2)의 화소 및 단자부 근방의 구성을 도시하고 있다. 도 1에 도시한 바와 같이, TFT 기판(2)은, 도 1의 좌우 방향으로 연장되는 복수의 게이트 버스 라인(12)(도 1에서는 2개 도시됨)과, 게이트 버스 라인(12)에 절연막(30)(도 1에서는 도시 생략)을 개재하여 교차하고, 도 1의 상하 방향으로 연장되는 복수의 드레인 버스 라인(14)(도 1에서는 1개만 도시됨)을 갖고 있다. 각 게이트 버스 라인(12)의 도 1의 우측 단부는, 게이트 버스 라인 단자(52)에 각각 전기적으로 접속되어 있다. 게이트 버스 라인 단자(52)는, 드레인 버스 라인(14)과 동일한 형성 재료로 형성되어 있다. 게이트 버스 라인 단자(52) 상에는 보호 도전막(53)이 형성되어 있다. 보호 도전막(53)은, 컨택트홀(26)을 통하여 게이트 버스 라인 단자(52)에 전기적으로 접속되고, 컨택트홀(25)을 통하여 게이트 버스 라인(12)에 전기적으로 접속되어 있다. 게이트 버스 라인 단자(52)(보호 도전막(53))에는 후의 공정에서 게이트 버스 라인 구동 회로의 접속 단자가 접속되고, 각 게이트 버스 라인(12)에 소정의 게이트 펄스가 순차 인가되도록 되어 있다.
드레인 버스 라인(14)의 도 1의 상측 단부는, 드레인 버스 라인 단자(54)에 전기적으로 접속되어 있다. 드레인 버스 라인 단자(54)는, 드레인 버스 라인(14)과 동일한 형성 재료로 형성되어 있다. 드레인 버스 라인 단자(54) 상에는, 보호 도전막(55)이 형성되어 있다. 보호 도전막(55)은, 컨택트홀(27)을 통하여 드레인 버스 라인 단자(54)에 전기적으로 접속되어 있다. 드레인 버스 라인 단자(54)(보호 도전막(55))에는 후의 공정에서 드레인 버스 라인 구동 회로의 접속 단자가 접속되고, 각 드레인 버스 라인(14)에 소정의 계조 전압이 인가되도록 되어 있다.
게이트 버스 라인(12)과 드레인 버스 라인(14)과의 교차 위치 근방에는, TFT(20)가 형성되어 있다. 게이트 버스 라인(12)의 일부는 TFT(20)의 게이트 전극으로서 기능하고, TFT(20)의 드레인 전극(21)은 드레인 버스 라인(14)에 전기적으로 접속되어 있다. 각 화소 영역에는 화소 전극(16)이 형성되어 있다. 화소 전극(16)은, 컨택트홀(24)을 통하여 TFT(20)의 소스 전극(22)에 전기적으로 접속되어 있다. 화소 영역의 거의 중앙을 가로질러, 게이트 버스 라인(12)에 병렬하여 연장되는 축적 용량 버스 라인(18)이 게이트 버스 라인(12)과 동일한 형성 재료로 형성되어 있다. 축적 용량 버스 라인(18)은, 축적 용량의 한쪽의 전극으로서 기능한다. 축적 용량 버스 라인(18) 상에는, 축적 용량의 다른 쪽의 전극으로서 기능하는 축적 용량 전극(19)이, 드레인 버스 라인(14)과 동일한 형성 재료로 화소마다 형성되어 있다. 축적 용량 전극(19)은, 컨택트홀(28)을 통하여 화소 전극(16)에 전기적으로 접속되어 있다.
다음으로, 본 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 2 내지 도 5 및 도 9 내지 도 13은, 본 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도이다. 도 2 내지 도 5 및 도 9 내지 도 13의 (a)는 도 1의 A-A 선을 따라 절단한 TFT(20) 근방의 단면을 도시하고, (b)는 도 1의 B-B 선을 따라 절단한 게이트 버스 라인 단자(52) 근방의 단면을 도시하고 있다. 또한, (c)는 도 1의 C-C 선을 따라 절단한 드레인 버스 라인 단자(54) 근방의 단면을 도시하고, (d)는 도 1의 D-D 선을 따라 절단한 축적 용량 버스 라인(18) 근방의 단면을 도시하고 있다. 도 6은, 도 5에 도시하는 공정에서의 TFT 기판(2)을 기판면에 수직으로 본 구성을 도시하고 있다. 도 7 및 도 8은, 본 실시예에 이용되는 하프톤 노광에 대하여 설명하는 개념도이다.
우선, 도 2의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 예를 들면 투명하고 절연성을 갖는 유리 기판(10) 상의 전면에 금속층(도시 생략)을 성막하고, 제1 포토마스크를 이용하여 패터닝하여, 게이트 버스 라인(게이트 전극)(12) 및 축적 용량 버스 라인(18)(제1 전극층)을 형성한다.
다음으로, 도 3의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 게이트 버스 라인(12) 및 축적 용량 버스 라인(18) 상의 기판 전면에, 절연막(제1 절연층)(30), a-Si막(31'), 및 SiN막(도시 생략)을 이 순으로 형성한다. 절연막(30)의 형성 재료로서는, Si3N4, SiO2, 또는 SiON 등이 이용된다. 계속해서, SiN막 상의 전면에 레지스트를 도포하고, 게이트 버스 라인(12)을 마스크로 하여 유리 기판(10)의 이면측으로부터 배면 노광을 행하고, 또한 제2 포토마스크를 이용하여 유리 기판(10)의 표면측으로부터 노광하고 현상하여, 게이트 버스 라인(12) 상에 자기 정합적으로 레지스트 패턴(도시 생략)을 형성한다. 다음으로, 이 레지스트 패턴을 이용하여 SiN막을 패터닝하여, 채널 보호막(23)을 형성한다.
다음으로, 채널 보호막(23) 상의 기판 전면에, n+ a-Si막 및 금속층(모두 도시 생략)을 형성한다. 계속해서, 제3 포토마스크를 이용하여 금속층, n+ a-Si막 및 a-Si막(31')을 패터닝한다. 이 패터닝에 있어서의 에칭 공정에서는, 채널 보호막(23)이 에칭 스토퍼로서 기능하기 때문에, 채널 보호막(23) 하층의 a-Si막(31')은 에칭되지 않고서 잔존한다. 이에 의해, 도 4의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, TFT(20)의 동작 반도체층(31) 및 n형 불순물 반도체층(33)과, 드레인 전극(21), 소스 전극(22), 축적 용량 전극(19), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54), 및 드레인 버스 라인(14)(제2 전극층)을 형성한다.
다음으로, 도 5의 (a)∼(d) 및 도 6에 도시한 바와 같이, 기판 전면에 보호막(제2 절연층)(32)을 형성한다. 보호막(32)의 형성 재료로서는, Si3N4, SiO2 , 또는 SiON 등이 이용된다. 다음으로, 보호막(32) 상의 전면에 예를 들면 포지티브형의 노볼락계 레지스트를 도포하여 레지스트층(도시 생략)을 형성한다. 계속해서, 후술하는 제4 포토마스크를 이용하여, 레지스트층의 하프톤 노광을 행하고 현상한다. 이에 의해, 게이트 버스 라인(12)의 도 6의 우측 단부 상의 영역에 레지스트층이 제거된 개구부(35)가 형성됨과 함께, 소정 형상의 레지스트 패턴(34)이 형성된다. 레지스트 패턴(34)의 소스 전극(22) 상의 영역에는, 다른 영역보다 두께가 얇게 된 오목부(36)가 형성된다. 마찬가지로, 게이트 버스 라인 단자(52) 상의 영역에는 오목부(37)가 형성되고, 드레인 버스 라인 단자(54) 상의 영역에는 오목부(38)가 형성되고, 축적 용량 전극(19) 상의 영역에는 오목부(39)가 형성된다.
여기서, 상기의 하프톤 노광을 행하는 공정에 대하여 설명한다. 도 7에 도시한 바와 같이, 하프톤 노광에 이용하는 제4 포토마스크(하프톤 마스크)(40)는, 입사한 UV 광의 강도를 감쇠시켜 투과시키는 반투과막(42)과, 입사한 UV 광을 차광하는 차광막(43)과의 2층 구조를 석영 기판(41) 상에 갖고 있다. 반투과막(42) 및 차광막(43)은, 석영 기판(41) 상에 예를 들면 이 순으로 적층되고, 각각 소정의 형상으로 패터닝되어 있다. 포토마스크(40)는, 반투과막(42) 및 차광막(43)이 모두 형성되어 있지 않고 소정의 광 투과율로 UV 광을 투과시키는 투과 영역과, 반투과막(42)이 형성되어, 투과 영역의 광 투과율보다 낮은 광 투과율로 UV 광을 투과시키는 반투과 영역과, 반투과막(42) 및 차광막(43)(또는 차광막(43)만)이 형성되어, UV 광을 차광하는 차광 영역을 갖고 있다(도 7에서는 큰 화살표의 굵기로 UV 광의 강도를 나타내고 있다). 포토마스크(40)를 이용하여 레지스트층을 노광하면, 포토마스크(40)의 투과 영역에 대응하는 영역의 레지스트층은 필요 노광량 이상의 노광량으로 노광되어 거의 완전하게 감광하는 데 비하여, 포토마스크(40)의 반투과 영역에 대응하는 영역의 레지스트층은 필요 노광량 미만의 노광량으로 노광되기 때문에 완전하게는 감광하지 않도록 되어 있다. 따라서, 노광 후의 레지스트층을 현상하면, 투과 영역에 대응하는 영역의 레지스트층이 제거됨과 함께, 반투과 영역에 대응하는 영역의 두께가 다른 영역의 두께보다 얇은 레지스트 패턴(34)이 얻어진다.
도 7의 하측에는, 현상 공정 후에 유리 기판(10) 상의 피에칭막(44) 상에 형성되는 레지스트 패턴(34)을 도시하고 있다. 레지스트 패턴(34) 중 포토마스크(40)의 반투과 영역에 대응하는 영역에는, 두께가 포토마스크(40)의 차광 영역에 대응하는 영역에서의 두께보다 얇게 된 오목부(46)가 형성되어 있다.
또 포토마스크(40)에 대신하여, 반투과막(42)을 갖지 않는 도 8에 도시한 바와 같은 1층 구조의 포토마스크(40')를 이용하여도 된다. 포토마스크(40')는, 차광막(43)이 형성되어 있지 않은 투과 영역과, 차광막(43)이 형성된 차광 영역과, 슬릿부(45)가 형성된 차광막(43)을 구비하여, 투과 영역의 광 투과율보다 낮은 광 투과율로 UV 광을 투과시키는 반투과 영역을 갖고 있다. 포토마스크(40')를 이용하여도, 상기와 같이 오목부(46)를 갖는 레지스트 패턴(34)이 얻어진다.
도 5의 (a)∼(d) 및 도 6으로 되돌아가, 오목부(36, 37, 38, 39)가 형성된 레지스트 패턴(34)을 마스크로 하여 이용하여, 보호막(32) 및 절연막(30)의 드라이 에칭을 행한다. 이 드라이 에칭은, 예를 들면 SF6/O2 또는 CF4/O2 등의 불소계의 혼합 가스를 이용하여, RIE(Reactive Ion Etching) 방식 또는 PE(Plasma Etching) 방식으로 행해진다. 이 때, 드라이 에칭의 특성상, 유기막인 레지스트 패턴(34)도 동시에 에칭되어 막감소한다. 따라서, 도 9의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 오목부(36, 37, 38, 39)가 에칭 제거되어 개구부(36', 37', 38', 39')가 형성된다. 개구부(36', 37', 38', 39')가 형성된 후에는, 개구부(36', 37', 38', 39')를 통하여 노출된 보호막(32)의 에칭이 개시되게 된다. 이 때문에, 소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19) 상의 보호막(32)의 에칭 개시를 지연시킬 수 있다.
소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19) 상의 보호막(32)의 에칭이 개시될 때에는, 개구부(35)를 통하여 노출되어 있었던 게이트 버스 라인(12) 상의 보호막(32) 중 적어도 일부는 이미 에칭 제거되어 있다. 이에 의해, 게이트 버스 라인(12) 상의 보호막(32) 및 절연막(30)의 에칭 종료에 의한 컨택트홀(제1 컨택트 영역)(25)의 형성과, 소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19) 상의 보호막(32)의 에칭 종료에 의한 컨택트홀(제2 컨택트 영역)(24, 26, 27, 28)의 형성과의 사이의 시간의 차를 단축할 수 있다(도 10의 (a)∼(d) 참조). 레지스트 패턴(34)의 오목부(36, 37, 38, 39)의 두께나, 보호막(32) 및 절연막(30)과 레지스트 패턴(34)과의 사이의 에칭 속도비 등을 조정함으로써, 게이트 버스 라인(12) 상의 보호막(32) 및 절연막(30)의 에칭과, 소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19) 상의 보호막(32)의 에칭을 거의 동시에 종료시킬 수도 있다. 오목부(36, 37, 38, 39)의 두께는, 도포 형성되는 레지스트층의 두께나 UV 광의 조사량, 포토마스크(40, 40')의 반투과 영역의 광 투과율 등을 바꾸는 것에 의해 조정할 수 있다.
여기서, 도 5, 도 9 및 도 10에 도시하는 공정은, 상기 이외의 방법을 이용하는 것도 할 수 있다. 즉, 개구부(35)를 통하여 노출하는 영역의 보호막(32) 중 적어도 표면(혹은 보호막(32) 전부와 절연막(30)의 일부)을 예를 들면 불산을 이용한 웨트 에칭에 의해 제거한 후에, 에칭 처리를 일시 중단한다. 다음으로, 오목부(36, 37, 38, 39)가 제거되어 개구부(36', 37', 38', 39')가 형성될 때까지, 레지스트 패턴(34)을 애싱한다. 그 후 에칭 처리를 재개하여, 컨택트홀(24, 25, 26, 27, 28)을 형성한다. 이 방법으로는, 애싱에 의해 강제적으로 오목부(36, 37, 38, 39)를 제거하기 때문에, 게이트 버스 라인(12) 상의 보호막(32) 및 절연막(30)의 에칭과, 소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19) 상의 보호막(32)의 에칭을 거의 동시에 종료시키는 것이 더 용이하게 된다.
다음으로, 도 11의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 레지스트 패턴(34)을 박리한다. 다음으로, 보호막(32) 상의 기판 전면에 투명 도전막(도시 생략)을 형성한다. 계속해서, 제5 포토마스크를 이용하여 투명 도전막을 패터닝하여, 도 12의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, 화소 전극(16), 게이트 버스 라인 단자(52) 상의 보호 도전막(53), 및 드레인 버스 라인 단자(54) 상의 보호 도전막(55)을 형성한다. 화소 전극(16)은, 컨택트홀(24)을 통하여 소스 전극(22)에 전기적으로 접속되고, 컨택트홀(28)을 통하여 축적 용량 전극(19)에 전기적으로 접속된다. 보호 도전막(53)은, 컨택트홀(25)을 통하여 게이트 버스 라인(12)에 전기적으로 접속되고, 컨택트홀(26)을 통하여 게이트 버스 라인 단자(52)에 전기적으로 접속된다. 보호 도전막(55)은, 컨택트홀(27)을 통하여 드레인 버스 라인 단자(54)에 전기적으로 접속된다. 이상의 공정을 거쳐 TFT 기판(2)이 완성된다. 본 실시예에서는 TFT 기판(2)을 종래와 동일한 5매 마스크 프로세스로 제작할 수 있기 때문에, 제조 공정이 증가하지 않는다.
다음으로, 도 13의 (a)∼(d)에 도시한 바와 같이, CF 층이나 공통 전극(모두 도시 생략)이 형성된 대향 기판(4)과 TFT 기판(2)을 접합하고, 양 기판(2, 4) 사이에 액정(6)을 밀봉한다. 이상의 공정을 거쳐 액정 표시 장치가 완성된다.
본 실시예에 따르면, 게이트 버스 라인(12) 상의 보호막(32) 및 절연막(30)의 에칭 종료에 의한 컨택트홀(25)의 형성과, 소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19) 상의 보호막(32)의 에칭 종료에 의한 컨택트홀(24, 26, 27, 28)의 형성과의 사이의 시간의 차를 단축할 수 있다. 이 때문에, 컨택트홀(24, 26, 27, 28)을 통하여 각각 노출된 소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19)의 각 표면(혹은 컨택트홀(25)을 통하여 노출된 게이트 버스 라인(12) 표면)이 에칭 플라즈마에 노출되는 시간을 단축할 수 있다. 이 때문에, 소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19)의 각 표면이 에칭 플라즈마에 의해 받는 손상을 경감할 수 있기 때문에, 상층에 형성되는 화소 전극(16)이나 보호 도전막(53, 55)과의 사이의 접촉 저항을 저감할 수 있다. 또한, 에칭 스토퍼로 되는 소스 전극(22), 게이트 버스 라인 단자(52), 드레인 버스 라인 단자(54) 및 축적 용량 전극(19)의 막 두께를 얇게 할 수 있기 때문에, 생산성의 향상 및 제조 비용의 저감을 실현할 수 있다.
또한 본 실시예에서는, 오버 에칭에 의해 컨택트홀(24, 28)의 사이즈가 커지게 되지 않기 때문에, 에칭 스토퍼로 되는 소스 전극(22) 및 축적 용량 전극(19)의 패턴 사이즈를 작게 할 수 있다. 따라서, 화소의 개구율이 향상하고, 액정 표시 장치의 휘도가 향상함과 함께 고정밀화를 실현할 수 있다.
〔제2 실시예〕
다음으로, 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법에 대하여 도 14 및 도 15를 이용하여 설명한다. 도 14는, 본 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 TFT(20) 근방의 공정 단면도이다. 오목부(36, 37, 38, 39)가 형성된 레지스트 패턴(34)을 이용하여 컨택트홀(24, 25, 26, 27, 28)을 형성하기까지의 공정은, 도 2 내지 도 10에 도시하는 제1 실시예와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 본 실시예에서는, 컨택트홀(24, 25, 26, 27, 28)의 형성에 이용한 레지스트 패턴(34)을 박리하지 않고, 레지스트 패턴(34) 상의 기판 전면에 투명 도전막을 형성한다. 계속해서, 제5 포토마스크를 이용하여 투명 도전막을 패터닝하여, 도 14에 도시한 바와 같이, 화소 전극(16), 게이트 버스 라인 단자(52) 상의 보호 도전막(53)(도시 생략), 및 드레인 버스 라인 단자(54) 상의 보호 도전막(55)(도시 생략)을 형성한다. 이상의 공정을 거쳐 TFT 기판(2)이 완성된다.
본 실시예에서는 레지스트 패턴(34)을 박리하지 않고서 잔존시켜, 오버코트층(제3 절연층)으로서 이용하고 있다. 오버코트층의 막 두께는, 도포 형성되는 레지스트층의 두께나 UV 광의 조사량, 포토마스크(40, 40')의 반투과 영역의 광 투과율 등을 바꾸는 것에 의해 조정할 수 있다. 이 오버코트층은, 보호막(32)에 비하여 두꺼운 막 두께로 형성하는 것이 용이하고, 또한 비유전율이 작다고 하는 특징을 갖는다. 이 때문에, TFT 특성을 열화시키는 기생 용량을 저감할 수 있게 된다. 또한, 컨택트홀(24, 25, 26, 27, 28)의 형성에 이용한 레지스트 패턴(34)을 박리하지 않고서 오버코트층으로서 이용하고 있기 때문에, 제조 공정을 간략화할 수 있다.
도 15는, 본 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법의 변형예를 도시하는 공정 단면도이다. 본 변형예에서는, 레지스트 패턴(34)의 형성 재료로서, 포지티브형의 아크릴계 감광성 절연 수지를 이용하고 있다. 도 15의 (a)에 도시한 바와 같이, 투명 도전막을 형성하기 전에 UV 광(예를 들면 i 선(파장 365 nm))을 레지스트 패턴(34)에 조사하는 블리칭(표백) 처리를 행한다. 이 블리칭 처리에 의해서, 아크릴계 감광성 절연 수지로 이루어지는 레지스트 패턴(34)은 투명화한다. 그 후, 레지스트 패턴(34) 상의 기판 전면에 투명 도전막을 형성한다. 계속해서, 제5 포토마스크를 이용하여 투명 도전막을 패터닝하여, 도 15의 (b)에 도시한 바와 같이, 화소 전극(16) 등을 형성한다. 이상의 공정을 거쳐 TFT 기판(2)이 완성된다. 본 변형예에서는, 오버코트층으로서 이용하는 레지스트 패턴(34)을 투명화하고 있기 때문에, 더욱 우수한 표시 품질의 액정 표시 장치가 얻어진다.
〔제3 실시예〕
다음으로, 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법에 대하여 도 16을 이용하여 설명한다. 도 16은, 본 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 게이트 버스 라인 단자(52) 근방의 공정 단면도이다. 본 실시예에서는, 도 16의 (a)에 도시한 바와 같이, 게이트 버스 라인(12)(및 도시 생략된 축적 용량 버스 라인(18))을 비교적 두꺼운 막 두께로 형성한다. 게이트 버스 라인(12)은, 후의 공정에서 a-Si막, n+ a-Si막 및 금속층의 적층에 의해 형성되는 게이트 버스 라인 단자(52)보다 두꺼운 막 두께로 형성된다. 그 후, 도 3 및 도 4에 도시하는 제1 실시예와 같이, 게이트 버스 라인 단자(52)나 TFT(20) 등을 형성한다. 다음으로, 게이트 버스 라인 단자(52) 상의 기판 전면에 보호막(32)을 형성한다. 이 때, 게이트 버스 라인(12) 상의 영역에서의 보호막(32) 표면의 유리 기판(10)으로부터의 높이는, 게이트 버스 라인 단자(52) 상의 영역 등의 다른 영역에서의 보호막(32) 표면의 유리 기판(10)으로부터의 높이보다도 높게 되어 있다. 다음으로, 보호막(32) 상의 전면에 포지티브형의 감광성 레지스트를 도포하여, 레지스트층(48)을 형성한다. 레지스트층(48)은, 감광성 레지스트의 평탄화 효과에 의해서, 배선 등의 구조 상의 막 두께 차에 대응하여 영역에 따라 서로 다른 두께로 형성된다. 즉, 게이트 버스 라인 단자(52) 상(및 도시 생략된 소스 전극(22) 상, 드레인 버스 라인 단자(54) 상, 축적 용량 전극(19) 상)의 레지스트층(48)의 두께 t2는, 게이트 버스 라인(12) 상의 레지스트층(48)의 두께 t1보다도 두껍게 되어 있다(t2>t1).
다음으로, 도 16의 (b)에 도시한 바와 같이, 도 7 및 도 8에 도시하는 포토마스크(40, 40')와는 달리 반투과 영역을 갖지 않는 포토마스크(49)를 통하여, 레지스트층(48)에 UV 광을 조사하는 노광 공정을 행한다. 이 노광 공정에서는, 게이트 버스 라인(12)의 단부 상의 레지스트층(48)(두께 t1)이 거의 완전하게 감광하고, 게이트 버스 라인 단자(52) 상의 레지스트층(48)(두께 t2)이 완전하게는 감광하지 않는 노광량으로 노광하도록 한다. 이에 의해, 게이트 버스 라인 단자(52) 상의 레지스트층(48)은 언더 노광으로 되어, 일부(상층부)만 감광하게 된다.
레지스트층(48)을 현상하면, 도 16의 (c)에 도시한 바와 같이, 게이트 버스 라인(12)의 단부 상의 레지스트층(48)은 모두 제거되어 개구부(35)가 형성되고, 게이트 버스 라인 단자(52) 상(및 도시 생략된 소스 전극(22) 상, 드레인 버스 라인 단자(54) 상, 축적 용량 전극(19) 상)의 레지스트층(48)은 상층부만이 제거되어 오목부(37)(및 도시 생략된 오목부(36, 38, 39))가 형성된다. 그 후, 도 9 내지 도 12에 도시하는 제1 실시예와 마찬가지의 공정을 거쳐, TFT 기판(2)이 완성된다. 본 실시예에 따르면, 반투과 영역을 갖지 않는 포토마스크(49)를 이용하여도 제1 실시예와 마찬가지의 효과가 얻어진다.
본 발명은, 상기 실시예에 한하지 않고 여러가지의 변형이 가능하다.
예를 들면, 상기 실시예에서는, 레지스트 패턴(34)의 형성 재료로서 포지티브형의 레지스트를 예로 들었지만, 본 발명은 이것에 한하지 않고, 레지스트 패턴(34)의 형성 재료로서 네가티브형의 레지스트를 이용하여도 된다.
또한, 상기 실시예에서는 투과형의 액정 표시 장치의 제조 방법을 예로 들었지만, 본 발명은 이것에 한하지 않고, 반사형이나 반투과형 등의 다른 액정 표시 장치의 제조 방법에도 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 액정 표시 장치의 제조 방법을 예로 들었지만, 본 발명은 이것에 한하지 않고, 유기 EL 표시 장치나 무기 EL 표시 장치 등의 다른 표시 장치의 제조 방법에도 적용할 수 있다.
이상 설명한 본 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법 및 그것을 이용한 표시 장치의 제조 방법은, 이하와 같이 정리할 수 있다.
(부기 1)
기판 상에 소정 형상의 제1 전극층을 형성하고,
상기 제1 전극층 상에 제1 절연층을 형성하고,
상기 제1 절연층 상에 소정 형상의 제2 전극층을 형성하고,
상기 제2 전극층 상에 제2 절연층을 형성하고,
상기 제2 절연층 상에 레지스트층을 형성하고,
상기 레지스트층을 패터닝하여 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하고,
상기 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제1 및 제2 절연층을 제거하여 상기 제1 전극층이 노출되는 제1 컨택트 영역을 형성함과 함께, 상기 제2 절연층을 제거하여 상기 제2 전극층이 노출되는 제2 컨택트 영역을 형성하는 표시 장치용 기판의 제조 방법으로서,
상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층을 제거함과 함께, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트 패턴의 두께를 다른 영역의 상기 레지스트 패턴의 두께보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 2)
부기 1에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 하프톤 노광을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 3)
부기 2에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 레지스트층의 형성 재료로서 포지티브형 레지스트를 이용하고,
상기 하프톤 노광을 행하는 공정은, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층을 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층보다 적은 노광량으로 노광하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 4)
부기 2 또는 3에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 하프톤 노광을 행하는 공정은, 광을 차광하는 차광 영역과, 광을 투과시키는 투과 영역과, 상기 투과 영역의 광 투과율보다 낮은 광 투과율로 광을 투과시키는 반투과 영역을 갖는 포토마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 5)
부기 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 제1 및 제2 절연층을 제거하는 공정은, 드라이 에칭을 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 6)
부기 5에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 제1 및 제2 절연층을 제거하는 공정은, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트 패턴을 더불어 제거하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 7)
부기 6에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 제1 절연층과, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 제2 절연층을 거의 동시에 제거하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 8)
부기 5 내지 7 중 어느 하나에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 드라이 에칭의 에칭제로서 불소계 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 9)
부기 1 내지 4 중 어느 하나에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 제1 및 제2 절연층을 제거하는 공정은,
상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 제2 절연층 중 적어도 표면을 제거한 후에, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트 패턴을 애싱 제거하는 공정과,
상기 레지스트 패턴을 애싱 제거하는 공정 후에, 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 제1 및/또는 제2 절연층과 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 제2 절연층을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 10)
부기 1 내지 9 중 어느 하나에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 레지스트 패턴은, 박리하지 않고서 잔존시켜 제3 절연층으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 11)
부기 10에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 레지스트 패턴의 블리칭 처리를 더 행하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 12)
부기 10 또는 11에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 레지스트 패턴의 형성 재료로서, 아크릴계 감광성 수지를 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 13)
부기 1에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법에 있어서,
상기 레지스트층의 형성 재료로서 포지티브형 레지스트를 이용하고,
상기 레지스트층을 형성하는 공정은, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층의 두께를 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층의 두께보다 두껍게 형성하고,
상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층이 거의 완전하게 감광하고, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층이 완전하게는 감광하지 않는 노광량으로 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
(부기 14)
적어도 1매의 기판을 구비한 표시 장치의 제조 방법으로서,
상기 기판은, 부기 1 내지 13 중 어느 하나에 기재된 표시 장치용 기판의 제조 방법을 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 휘도가 높고 양호한 표시 품질이 얻어지는 표시 장치를 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 이용하여 제작된 TFT 기판의 화소 및 단자부 근방의 구성을 도시하는 도면.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 도면.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 이용되는 하프톤 노광에 대하여 설명하는 도면.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에 이용되는 하프톤 노광에 대하여 설명하는 도면.
도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 12는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 13은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 14는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법의 변형예를 도시하는 공정 단면도.
도 16은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시 장치용 기판의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 17은 TFT 기판의 화소 및 단자부 근방의 구성을 도시하는 도면.
도 18은 TFT 기판의 종래의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 19는 TFT 기판의 종래의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 20은 TFT 기판의 종래의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 21은 TFT 기판의 종래의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
도 22는 TFT 기판의 종래의 제조 방법을 도시하는 공정 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
2 : TFT 기판
4 : 대향 기판
6 : 액정
10 : 유리 기판
12 : 게이트 버스 라인
14 : 드레인 버스 라인
16 : 화소 전극
18 : 축적 용량 버스 라인
19 : 축적 용량 전극
20 : TFT
21 : 드레인 전극
22 : 소스 전극
23 : 채널 보호막
24, 25, 26, 27, 28 : 컨택트홀
30 : 절연막
31 : 동작 반도체층
31' : a-Si막
32 : 보호막
33 : n형 불순물 반도체층
34 : 레지스트 패턴
35, 36', 37', 38', 39' : 개구부
36, 37, 38, 39, 46 : 오목부
40, 40', 49 : 포토마스크
41 : 석영 기판
42 : 반투과막
43 : 차광막
44 : 피에칭막
45 : 슬릿부
48 : 레지스트층
52 : 게이트 버스 라인 단자
53, 55 : 보호 도전막
54 : 드레인 버스 라인 단자

Claims (10)

  1. 기판 상에 소정 형상의 제1 전극층을 형성하고,
    상기 제1 전극층 상에 제1 절연층을 형성하고,
    상기 제1 절연층 상에 소정 형상의 제2 전극층을 형성하고,
    상기 제2 전극층 상에 제2 절연층을 형성하고,
    상기 제2 절연층 상에 레지스트층을 형성하고,
    상기 레지스트층을 패터닝하여 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하고,
    상기 레지스트 패턴을 이용하여, 상기 제1 및 제2 절연층을 제거하여 상기 제1 전극층이 노출되는 제1 컨택트 영역을 형성함과 함께, 상기 제2 절연층을 제거하여 상기 제2 전극층이 노출되는 제2 컨택트 영역을 형성하는 표시 장치용 기판의 제조 방법으로서,
    상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층을 제거함과 함께, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트 패턴의 두께를 다른 영역의 상기 레지스트 패턴의 두께보다 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 하프톤 노광을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 레지스트층의 형성 재료로서 포지티브형 레지스트를 이용하고,
    상기 하프톤 노광을 행하는 공정은, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층을 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층보다 적은 노광량으로 노광하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 하프톤 노광을 행하는 공정은, 광을 차광하는 차광 영역과, 광을 투과시키는 투과 영역과, 상기 투과 영역의 광 투과율보다 낮은 광 투과율로 광을 투과시키는 반투과 영역을 갖는 포토마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 절연층을 제거하는 공정은, 드라이 에칭을 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 절연층을 제거하는 공정은, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트 패턴을 더불어 제거하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 절연층을 제거하는 공정은,
    상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 제2 절연층 중 적어도 표면을 제거한 후에, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트 패턴을 애싱 제거하는 공정과,
    상기 레지스트 패턴을 애싱 제거하는 공정 후에, 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 제1 및/또는 제2 절연층과 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 제2 절연층을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레지스트 패턴은, 박리하지 않고서 잔존시켜 제3 절연층으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 레지스트층의 형성 재료로서 포지티브형 레지스트를 이용하고,
    상기 레지스트층을 형성하는 공정은, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층의 두께를 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층의 두께보다 두껍게 형성하고,
    상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정은, 상기 제1 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층이 거의 완전하게 감광하고, 상기 제2 컨택트 영역 상의 상기 레지스트층이 완전하게는 감광하지 않는 노광량으로 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  10. 적어도 1매의 기판을 구비한 표시 장치의 제조 방법으로서,
    상기 기판은, 제1항의 표시 장치용 기판의 제조 방법을 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
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