KR20050074292A - 반도체 장치 및 그의 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 그의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 장치는, 복수의 반도체 소자를 갖는 반도체 모듈 및 반도체 모듈 내의 반도체 소자의 전극을 외부적으로 접속하기 위한 외부 접속 단자를 구비하고,반도체 모듈 각각의 반도체 소자가 외부 접속 단자를 통해 병렬 및/또는 직렬로 접속된 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 장치 및 그의 제조 방법{SEMICONDUCTOR APPARATUS AND A PRODUCTION METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 발명은 전력용 장치에 적합한 반도체 장치 및 제조 방법에 관한 것이다.
도 1 및 2 에서 도시된 바와 같은 회로에서 표시된 반도체 모듈은 종래에 공지되었다. 도 1 은 2개의 MOSFET (101; 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 가 하나의 절연 기판 상에 실장된 반도체 모듈 (100; 소위 2in1) 를 도시한다. 도 2 는 6 개의 MOSFET (201) 가 하나의 절연 기판 상부에 실장된 반도체 모듈 (200;소위 6in1) 을 도시한다. 이 반도체 모듈 (100 및 200) 은 모터를 구동하기 위한 장치의 암 (arm) 을 구성한다. 반도체 모듈 (100) 은 2 개의 MOSFET (101) 를 직렬로 접속하는 방식으로 구성된다. 또한, 반도체 모듈 (200) 은 MOSFET (201) 를 직렬로 접속함으로써 얻어지는 3개의 회로를 병렬로 접속하는 방식으로 구성된다.
상술한 종래의 MOSFET과 같은 이러한 반도체 소자 (반도체 스위칭 소자) 를 장비한 반도체 모듈에서, 하나의 암 구성을 갖는 제품 만이 사용될 수 있으므로 이 제품의 사용 분야는 제한된다. 또한, 상술한 반도체 모듈들을 사용하기 위해 병렬로 접속하는 경우에는, 허용되는 전류 용량의 부하경감 (derating) 이 증가됨으로써 많은 낭비가 발생된다.
또한, 이미터 단자 외부 접속부, 콜렉터 단자 외부 접속부 및 게이트 단자 외부 접속부를 통해 복수의 IGBT (절연 게이트 바이폴라 트랜지스터) 반도체 소자에 접속하여 얻어진 IGBT 반도체 모듈이 알려져 있다. 또한, 이 IGBT 반도체 모듈을 사용하는 인버터 장치도 알려져 있다. 이 인버터 장치에서 이들 2 개의 IGBT 반도체 모듈들은 직렬로 접속된다. 이 직렬 접속에서 버스 바 (bus bar) 배선 등을 사용한 배선 접속이 사용된다. 이 IGBT 반도체 모듈은 그 내부에 복수의, 즉 2 이상의 IBGT 반도체 소자를 병렬로 접속함으로써 얻어진다. (예를 들어,특허 문헌 1에서 참조)
결과적으로, 작은 전류 용량을 갖는 반도체 모듈이 제조되는 경우에도 적어도 수개의 IGBT 반도체 소자들을 제조하여야 한다. 그러므로 작은 전류 용량을 갖는 반도체 모듈의 제조 비용이 상대적으로 비싸게되는 문제가 있다. 또한, 제품이 크기가 작아지면 문제가 생긴다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 공보 제 10-84077호
본 발명은 복수의 반도체 소자를 갖는 반도체 모듈 내의 반도체 소자의 전극을 외부적으로 접속하는 외부 접속 단자 및 반도체 모듈을 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서, 반도체 모듈의 사용분야가 반도체 모듈 내의 반도체 소자를 병렬 및/또는 직렬로 접속함으로써 증가된다.
반도체 장치가 복수의 반도체 소자가 설치된 반도체 모듈을 이용하여 제조되는 때, 반도체 모듈 내의 반도체 소자가 병렬 및/또는 직렬로 접속될 수 있으며, 이것이 본 발명의 주된 특징이다.
본 발명은 복수의 반도체 소자를 갖는 반도체 모듈 및 그 반도체 모듈내의 반도체 소자의 전극을 외부적으로 접속하는 외부 접속 단자를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 이 반도체 장치는, 각각의 반도체 모듈 내의 반도체 소자들이 외부 접속 단자를 통하여 병렬 및/또는 직렬로 접속되는 것을 특징으로 한다.
외부 접속 단자는, 반도체 소자의 제 1 전극들을 외부적으로 접속하는 제 1 외부 접속단자와 반도체 소자의 제 2 전극들을 외부적으로 접속하는 제 2 외부 접속단자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
외부 접속 단자는 반도체 소자의 제 1 전극과 다른 반도체 소자들의 제 2 전극을 외부적으로 접속하는 제 3 외부 접속 단자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 2 이상의 반도체 모듈 내의 반도체 소자들의 전극들을 외부 접속단자를 통하여 외부적으로 접속함으로써, 반도체 모듈 내의 반도체 소자들이 병렬 및/또는 직렬로 접속되는 방식으로 반도체 장치가 제조되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 반도체 소자들의 제 1 전극들이 제 1 외부 접속 단자를 통하여 외부적으로 접속되고 반도체 소자들의 제 2 전극들이 제 2 외부 접속 단자를 통하여 외부적으로 접속되는 것을 특징으로 한다.
제 1 외부 접속 단자는 제 1 외부 접속 단자가 반도체 모듈의 표면에 실장되고, 절연부가 제 1 외부 접속 단자상에 실장되며, 제 2 외부 접속 단자는 절연부의 상단부와 반도체 모듈의 표면 상부에 실장되는 것을 특징으로 한다.
제 1 외부 접속 단자는 반도체 소자의 제 1 전극과 다른 반도체 소자의 제 2 전극이 제 3 외부 접속 단자를 통하여 접속되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방식에 따르면, 상술한 작용 및 효과를 갖는 본 발명의 반도체 장치를 제조할 수 있다.
본 발명은 하나 이상의 반도체 소자를 각각 갖는 제 1 및 제 2 반도체 모듈; 제 1 및 제 2 반도체 모듈들을 격납하는 케이스; 및 제 1 반도체 모듈과 제 2 반도체 모듈의 단자 컨덕터들이 외부 접속 단자를 통하여 병렬 및/또는 직렬로 접속될 수 있도록, 케이스 외부로 각각의 반도체 모듈의 주된 전극을 유도하는 복수의 단자 컨덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다.
외부 접속 단자는, 각각의 반도체 모듈의 제 1 전극들의 단자 컨덕터들을 외부적으로 접속하기 위한 제 1 외부 접속 단자 및 각각의 반도체 모듈의 제 2 전극들의 단자 컨덕터들을 외부적으로 접속하기 위한 제 2 외부 접속 단자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
외부 접속 단자는, 제 1 반도체 모듈의 제 1 전극의 단자 컨덕터를 제 2 반도체 모듈의 제 2 전극의 단자 컨덕터에 외부적으로 접속하는 제 3 외부 접속 단자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
결과적으로, 본 발명은 반도체 장치들의 한 패키지로서, 반도체 소자들의 병렬 접속 및 직렬 접속을 구현하는 다양한 외부 접속 단자들을 통하여 모듈들이 접속되는 회로들을 제공할 수 있다. 또한, 반도체 소자가 병렬로 접속된 회로 등에서, 각각의 반도체 모듈들 내에 반도체 소자들의 전기적 특성을 정합시킴으로써 허용 전류 용량과 같은 전기적 특성의 부하경감이 감소될 수 있다. 또한, 선택적 숫자의 반도체 소자들만이 외부 접속 단자를 통하여 병렬로 접속될 수 있기 때문에, 많은 종류의 제품의 하나의 패키지가 하나의 반도체 장치의 패키지로서 제공된다. 따라서, 이들 제품의 제조 비용은 대량 생산 효과에 의해 감소할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 모듈내의 반도체 소자가 외부 접속 단자 (모터의 출력단) 를 통하여 외부적으로 접속되도록 구성되어서 반도체 소자들이 외부적으로 2in1 에 접속된다. 그러므로, 이와 같이 접속된 모듈은 하나의 MOS 모듈로서 사용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 하나 이상의 반도체 소자를 각각 갖는 반도체 모듈들은 외부 접속 단자를 통해서 병렬 및/또는 직렬로 접속되어 하나의 제품 패키지로서 제공된다. 그러므로, 다양한 제품이 반도체 장치들의 패키지로서 제공될 수 있다. 또한 구성 요소 (반도체 모듈) 은 각 제품에서 규격화되서 각 제품의 생산 비용이 대량 생산 효과에 의해 감소될 수 있다. 또한, 복수의 반도체 모듈내의 반도체 소자가 외부 접속 소자를 통하여 접속되는 제품에서, 개개의 반도체 패키지 제품이 병렬로 접속되는 종래의 제품에 비해 허용 전류 등의 전기적 특성의 부하경감이 감소될 수 있다. 또한, 상이한 최대 허용 전류를 가지는 크기가 작은 제품의 패키지가 광범위하게 생산될 수 있어, 풍부한 제품 라인업이 사용자에게 제공 될 수 있다.
다음은 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시형태의 상세한 설명이다.
도 3 은 본 발명의 바람직한 실시형태의 반도체 장치가 외부로 접속되기 전의 바람직한 실시형태를 도시한다. 도 3 에 도시된 반도체 장치는 편의상 반도체 장치 기판 (10) 이라 한다.
케이스 (11) 에 MOS 모듈부 (12;제 1 MOS 모듈부) 및 MOS 모듈부 (14;제 2 MOS 모듈부) 가 제공된다.
도 4 (a) 및 도 4 (b) 는, 각각 MOS 모듈부 (12) 및 MOS 모듈부 (14) 의 회로도이다. 도 4 (a) 및 도 4 (b) 도시된 바와 같이, MOS 모듈부 (12 및 14) 각각은 케이스 (11) 내에서 n-채널의 인핸스먼트-형 (enhancement-shaped) MOSFET (이하, n-MOSFET이라 부른다; 제1 반도체 모듈 (13) ; 및 제2 반도체 모듈 (15) ) 이 제공된다.
도 3 및 도 4 에 도시되 바와 같이, MOS 모듈부(12)에 n-MOSFET (13) 에 관한 드레인 전극 (D) 에 접속된 단자 컨덕터 (16) 와 소스 전극 (S) 과 접속된 단자 컨덕터들 (17-1 및 17-2) 이 제공된다. MOS 모듈부 (14) 에는 n-MOSFET (15) 에 관한 드레인 전극 (D) 에 접속된 단자 컨덕터들 (18-1 및 18-2) 과 소스 전극 (S) 과 접속된 단자 컨덕터 (19) 가 제공된다. 단자 컨덕터들 (16, 17-1, 17-2, 18-1, 18-2 및 19) 은 케이스 (11) 의 외부로 연장하며 단자 컨덕터들은 케이스 (11) 의 외부에서 직각으로 구부러진다. MOS 모듈부 (12 및 14) 각각에는 도 3 에 도시되지 않지만 도 4 (a) 및 도 4 (b) 에 도시된 게이트 전극 (G) 이 제공된다.
한편, 도 3에 도시된 반도체 장치 기판 (10) 은 하나의 예일 뿐이다. 따라서, 본 발명에서, 반도체 장치 기판 상의 드레인 전극과 접속된 단자 컨덕터 및 소스 전극과 접속된 단자 컨덕터의 개수와 배열은 제한되지 않는다. 또한, 각각의 전극과 단자 컨덕터들은 통합되어 구성될 수 있다.
[바람직한 실시형태 1]
도 5 는 외부 접속 단자 (22, 24) 를 통하여 도 3 의 반도체 기판 (10) 의 MOS 모듈 (12) 과 MOS 모듈 (14) 을 외부적으로 접속함으로써 MOS 모듈부 (12) 와 MOS 모듈부 (14) 각각의 n-MOSFET (13 및 15) 이 병렬로 접속되는 반도체 장치를 제작하는 방식을 나타낸다.
도 5 에 도시된 반도체 장치 (20) 에서, MOS 모듈부 (12) 의 드레인 전극과 접속된 단자 컨덕터 (16) 는 양의 전극 외부 접속 단자 (22) 를 통하여 MOS 모듈부 (14) 의 제1 및 제2 드레인 전극과 접속된 단자 컨덕터들 (18-1 및 18-2) 에 외부적으로 접속된다. 동시에, MOS 모듈부 (12) 의 제1 및 제2 소스 전극과 접속된 단자 컨덕터들 (17-1 및 17-2) 과 MOS 모듈부 (14) 의 소스 전극과 접속된 단자 컨덕터 (19) 는 음의 전극 외부 접속 단자 (24) 를 통하여 접속된다.
도 6 은 이와 같은 외부 접속 단자들 (22 및 24) 을 통하여 모듈부들을 외부적으로 접속함으로써 제조된 반도체 장치 (20) 의 회로를 나타낸다. 반도체 장치 (20) 는 n-MOSFET (13 및 15) 이 외부 접속 단자들 (22 ,24) 을 통하여 병렬로 접속된 회로이다.
이 방식에 의해, MOS 모듈부 (12 및 14) 를 외부적으로 접속함으로써 MOS 모듈부들 (12 및 14) 각각의 n-MOSFET (13 및 15) 의 2 배의 전류 용량 비를 갖는 반도체 장치 (20) 는 제조될 수 있다.
또한, MOS 모듈부들 (12 및 14) 각각 의 n-MOSFET (13 및 15) 의 전기적 특성을 대략적으로 동일하게 함으로써 통상 요구되는 부하경감이 감소될 수 있다.
[바람직한 실시형태 2]
도 7 은 도 3 의 반도체 장치 기판 (10) 으로 부터 제조되는 또 다른 반도체 장치를 나타낸다. 도 7 에 나타낸 반도체 장치 (30) 는 회로 및 외부 접속 구성에서 바람직한 실시형태 1 의 반도체 장치 (20) 와 동일하다. 그러나, 이 장치 (30) 에서, 외부 접속 단자 (34) 가 컨덕터 단자들 (17-1, 17-2 및 19) 을 덮는 6 각형 도체 평판를 포함하는 반면에, 외부 접속 단자 (32) 는 컨덕터 단자들 (16, 17-1, 17-2, 18-1, 18-2 및 19) 을 덮는 장방형의 도체 평판을 포함한다. 양의 전극 외부 접속 단자 (32) 와 음의 전극 외부 접속 단자 (34) 사이에 절연부을 제공함으로써, 이 장치 (30) 은 반도체 장치 (20) 에 비해 인덕턴스를 줄일 수 있고 또한 부하경감을 줄일 수 있다.
도 8 은 도 7 에 도시된 반도체 장치 (30) 의 선 A-A'를 따른, 단자 컨덕터 (17-2) 의 외주부의 부분 단면도이다.
도 8 에서 도시된 바와 같이, 음의 전극 외부 접속 단자 (34) 가 도 7의 평면도에 도시된 형태와 같이 MOS 모듈부 (12 및 14 ; 도 8에 도시되지 않음) 의 표면에 제공되고, 또한 시트-형 (sheet-shaped) 절연부 (36) 가 음의 전극 외부 접속 단자 (34) 전체를 덮도록 제공된다. 또한, 양의 전극 외부 접속 단자 (32) 는 절연부 (36) 상부에 제공된다. 양의 전극 외부 접속 단자 (32) 는 도 7 의 평면도에서 도시된 모양으로 제공된다. 그러므로, 양의 전극 외부 접속 단자 (32) 의 일부는 MOS 모듈부들 (12 및 14) 의 표면에 제공된다. 이 때에, 양의 전극 외부 접속 단자 (32) 와 외부 전극 접속 단자 (34) 가 서로 접속되지 않도록 하기 위해 절연부 (36) 가 제공된다.
전술한 바람직한 실시형태 1 및 2의 반도체 장치 (20 및 30) 의 각각은 두개의 반도체 소자가 병렬로 접속된 회로 구성을 갖는다. 본 발명의 반도체 장치의 회로 구성은 이 구성만으로 한정되지 않고, 병렬로 접속된 반도체 소자의 개수도 선택적이다.
[바람직한 실시형태 3]
도 9 는 도 3 의 반도체 장치 기판으로 부터 제조되는 또 다른 반도체 장치를 도시한다.
반도체 장치 (40) 가 양의 전극 외부 접속 단자 (42) 및 음의 전극 외부 접속 단자 (44) 에 부가하여 MOS 모듈부들 (12 및 14) 이 중간 외부 접속 단자 (48) 를 통하여 외부적으로 접속되는 방식으로 구성된다. 도 10 은 반도체 장치 (40) 의 회로도이다.
반도체 장치 (40) 에서, MOS 모듈부 (12) 의 n-MOSFET (13) 의 제1 소스 전극과 접속된 단자 컨덕터 (17-1) 는 중간 외부 접속 단자 (48) 를 통해 MOS 모듈부 (14) 의 n-MOSFET (15) 의 제2 드레인 전극과 접속된 단자 컨덕터 (18-2) 에 접속된다. 반면, MOS 모듈부 (12) 의 n-MOSFET (13) 의 드레인 전극에 접속된 단자 컨덕터 (16) 을 위한 양의 전극 외부 접속 단자 (42) 및 MOS 모듈부 (14) 의 n-MOSFET (15) 의 소스 전극에 접속된 단자 컨덕터 (19) 를 위한 음의 전극 외부 접속 단자 (44) 는 ,예를 들어, 모듈부들 사이의 직렬 접속를 위해 사용된다.
반도체 장치 기판 (10) 을 외부적으로 접속함으로써, MOS 모듈부 (12) 의 n-MOSFET (13) 과 MOS 모듈부 (14) 의 n-MOSFET (15) 가 직렬로 접속된다. 그러므로, 외부 단자를 통해 모듈들을 외부적으로 접속함으로써 암 구조의 반도체 장치 (40) 가 제조된다. 반도체 장치 (40) 에서 두개의 n-MOSFET (13 및 15) 은 직렬로 접속된다. 그러나, 본 발명에서, 직렬로 접속된 n-MOSFET의 개수는 제한되지 않고 그 개수는 선택적이다.
본 발명에서, 바람직한 실시형태 1 및 2의 반도체 장치들 (20 및 30) 과 같이 n-MOSFET이 병렬로 접속된 회로뿐만 아니라, 바람직한 실시형태 3의 반도체 장치 (40) 와 같이 n-MOSFET이 직렬로 접속된 회로도 구성될 수 있다. 또한, 반도체 장치 (20) 또는 반도체 장치 (30) 및 반도체 장치 (40) 를 반도체 장치들의 한 패키지로서 제조하는 것이 가능하다. 그러므로, 본 발명에서, n-MOSFET이 병렬 또는 직렬로 접속된 회로를 반도체 장치들의 하나의 패키지로서 제조하는 것이 가능하다.
한편, 각각의 바람직한 실시형태의 반도체 장치는 반도체 소자로서, n-MOSFET이 제공된 반도체 모듈을 사용한다. 본 발명에서 사용되는 반도체 모듈에는 n-MOSFET 이외의 다른 반도체 소자가 제공될 수 있다. 본 발명의 반도체 소자는, 예를 들어, p-MOSFET, CMOS-FET (상보성 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터) 등과 같은 FET, IGBT, SIT (정전 유도형 트랜지스터) , 바이폴라 트랜지스터와 같은 트랜지스터,그리고 GTO (게이트 턴-오프 싸이리스터) 와 같은 싸이리스터 등을 포함할수 있다.
한편, 반도체 모듈상에 실장되는 반도체 소자의 개수는 한 개로 한정되지 않고 임의의 개수가 채택될 수 있다. 또한, 모든 반도체 모듈상에 실장된 각각의 반도체 소자의 개수는 동일할 필요가 없으므로 각각의 반도체 모듈 상에 실장된 반도체 소자의 개수가 상이할 수 있다. 또한, 각각의 반도체 모듈상에 실장된 반도체 소자들의 유형도 상이할 수 있다.
본 발명에 따르면, 하나 이상의 반도체 소자를 각각 갖는 반도체 모듈들은 외부 접속 단자를 통해서 병렬 및/또는 직렬로 접속되어 제품 패키지로서 제공된다. 그러므로, 다양한 제품이 반도체 장치들의 패키지로서 제공될 수 있다. 또한 구성 요소 (반도체 모듈) 는 각 제품에서 규격화되어서 각 제품의 생산 비용이 대량 생산 효과에 의해 감소될 수 있다. 또한, 복수의 반도체 모듈내의 반도체 소자가 외부 접속 소자를 통하여 접속되는 제품에서, 개개의 반도체 패키지 제품이 병렬로 접속되는 종래의 제품에 비해 허용 전류 등의 전기적 특성의 부하경감 등이 감소될수 있다. 또한, 상이한 최대 허용 전류를 가지는 크기가 작은 제품의 패키지가 광범위하게 생산될 수 있어, 풍부한 제품 라인업이 사용자에게 제공 될수 있다.
도 1 은 종래의 MOS 모듈의 회로도.
도 2 는 또 다른 종래의 MOS 모듈의 회로도.
도 3 은 반도체 장치 기판의 평면도.
도 4 (a) 는 MOS 모듈부 (12) 의 회로를 도시하고 도 4 (b) 는 MOS 모듈부 (14) 의 회로도.
도 5 는 반도체 장치 기판 상의 2개의 MOS 모듈부을 외부적으로 접속함으로써 생산된 반도체 장치의 평면도.
도 6 은 바람직한 실시형태 1 의 반도체 장치의 회로도.
도 7 은 절연부가 양의 전극 외부 접속 단자와 음의 전극 외부 접속 단자 사이에 제공되도록 하는 방법으로 반도체 장치의 기판으로부터 제작된 반도체 장치의 평면도 (바람직한 실시형태 2) .
도 8 은 도 7 의 선 A-A'를 따른, 바람직한 실시형태 2 의 반도체 장치의 단면.
도 9 는 반도체 장치 기판 상부에 2개의 MOS 모듈부를 외부적으로 접속함으로써 제조되는 또 다른 반도체 장치의 평면도 (바람직한 실시형태 3) .
도 10 은 바람직한 실시형태 3의 반도체 장치의 회로도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10: 반도체 장치 기판 12: MOS 모듈부
13: n-MOSFET 16: 단자 컨덕터
17: 단자 컨덕터 14: MOS 모듈부
15: n-MOSFET 18: 단자 컨덕터
19: 단자 컨덕터 20: 반도체 장치
22: 양의 전극 외부 접속 단자 24: 음의 전극 외부 접속 단자
30: 반도체 장치 32: 양의 전극 외부 접속 단자
34: 음의 전극 외부 접속 단자 36: 절연부
40: 반도체 장치 42: 양의 전극 외부 접속 단자
44: 음의 전극 외부 접속 단자 48: 중간 외부 접속 단자

Claims (10)

  1. 복수의 반도체 소자들을 가지는 반도체 모듈; 및
    상기 반도체 모듈 내의 상기 반도체 소자들의 전극들을 외부적으로 접속하는 외부 접속 단자를 구비하되,
    각각의 상기 반도체 모듈 내의 상기 반도체 소자들은 상기 외부 접속 단자를 통해 병렬 및/또는 직렬로 접속되는, 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 접속 단자는, 상기 반도체 소자들의 제 1 전극들을 외부적으로 접속하는 제 1 외부 접속 단자, 및 상기 반도체 소자들의 제 2 전극들을 외부적으로 접속하는 제 2 외부 접속단자를 구비하는, 반도체 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 외부 접속 단자는 상기 반도체 소자의 제 1 전극과 다른 반도체 소자의 제 2 전극을 외부적으로 접속하는 제 3 외부 접속 단자를 구비하는, 반도체 장치.
  4. 2 이상의 반도체 모듈 내의 반도체 소자의 전극들을 외부 접속 단자를 통해 외부적으로 접속함으로써, 상기 반도체 모듈 내의 반도체 소자들이 병렬 및/또는 직렬로 접속된 반도체 장치를 제조하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    제 1 외부 접속 단자를 통해 상기 반도체 소자의 제 1 전극들을 외부적으로 접속하는 단계; 및
    제 2 외부 접속 단자를 통해 상기 반도체 소자의 제 2 전극들을 외부적으로 접속하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 반도체 모듈의 표면 상에 상기 제 1 외부 접속 단자를 실장하는 단계;
    상기 제 1 외부 접속 단자 상에 절연부를 실장하는 단계; 및
    상기 절연부의 상부 및 상기 반도체 모듈의 표면 상에 상기 제 2 외부 접속 단자를 실장하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 제 4 항에 있어서,
    상기 반도체 소자의 제 1 전극과 다른 반도 체소자의 제 2 전극을 제 3 외부 접속 단자를 통해 외부적으로 접속시키는 것을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 하나 이상의 반도체 소자를 각각 가지는 제 1 및 제 2 반도체 모듈;
    상기 제 1 및 제 2 반도체 모듈을 격납하는 케이스; 및
    각각의 상기 반도체 모듈의 주 전극을 상기 케이스의 외부로 유도하는 복수의 단자 컨덕터를 구비하되,
    상기 제 1 반도체 모듈 및 상기 제 2 반도체 모듈의 상기 단자 컨덕터들은 외부 접속 단자로 인해 병렬 및/또는 직렬로 접속할 수 있는, 반도체 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 외부 접속 단자는, 각각의 반도체 모듈의 제 1 전극들의 단자 컨덕터들을 외부적으로 접속하는 제 1 전극 외부 접속 단자, 및 각각의 상기 반도체 모듈의 제 2 전극의 단자 컨덕터들을 외부적으로 접속하는 제 2 전극 외부 접속 단자를 구비하는, 반도체 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 외부 접속 단자는, 상기 제 1 반도체 모듈의 제 1 전극의 단자 컨덕터와 상기 제 2 반도체 모듈의 제 2 전극의 단자 컨덕터를 외부적으로 접속하는 제 3 외부 접속 단자를 구비하는, 반도체 장치.
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