KR20050069590A - 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 듀얼 다마신 배선 형성 방법은, 배선하고자 하는 하부 금속막 위에 식각 정지막 및 금속간 절연막을 순차적으로 형성하는 단계와, 금속간 절연막을 관통하여 식각 정지막의 일부 표면을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계와, 비아홀을 채우는 희생막을 형성하는 단계와, 금속간 절연막 및 희생막의 일부를 제거하여 트랜치를 형성하는 단계와, 비아홀을 채우는 희생막을 제거하여 트랜치 및 비아홀을 통해 식각 정지막의 일부 표면이 노출되도록 하는 단계와, 폴리머가 발생되지 않도록 하는 온도에서 폴리머가 발생되지 않도록 하는 식각 가스를 사용한 플라즈마 식각 공정으로 식각 정지막의 노출 부분을 제거하는 단계와, 하부 금속막에 컨택되도록 트랜치 및 비아홀 내에 확산 방지막을 형성하는 단계와, 그리고 확산 방지막 위에 상부 금속막을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 배선 형성 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비아 컨택 저항이 열화되지 않도록 하는 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법에 관한 것이다.
최근 전기적 특성이 알루미늄(Al)이나 텅스텐(W)보다 좋은 구리(Cu) 배선이 도입되면서, 구리에 대한 건식 식각의 어려움을 극복하기 위한 듀얼 다마신(dual damascene) 공정이 널리 사용되고 있다. 이 듀얼 다마신 공정에 따르면, 비아홀 및 트랜치를 먼저 형성한 후 비아홀 및 트랜치 내부를 구리막으로 채운다.
도 1 내지 도 3은 이와 같은 종래의 듀얼 다마신 배선 형성 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
먼저 도 1을 참조하면, 배선하고자 하는 하부 금속막(100) 위의 식각 정지막(110) 위에 금속간 절연막(120)을 형성한다. 그리고 이 금속간 절연막(120) 위에 비아홀 형성용 마스크막 패턴을 형성하고, 이 비아홀 형성용 마스크막 패턴을 이용하여 비아홀(130)을 형성한다. 다음에 상기 비아홀 형성용 마스크막 패턴을 제거하고, 다시 트랜치 형성용 마스크막 패턴을 형성한다. 그리고 이 트랜치 형성용 마스크막 패턴을 이용하여 트랜치(140)를 형성한다. 비아홀(130) 및 트랜치(140)가 형성되면, 하부 금속막(100) 위의 식각 정지막(110) 일부 표면이 노출된다.
다음에 도 2를 참조하면, 식각 정지막(110)의 노출 부분을 제거하기 위한 건식 식각 공정을 수행한다. 이때 식각 가스로서 CxFy 가스를 사용하는데, 이 경우 하부 금속막(100)의 노출 표면과 금속간 절연막(120)의 측면에는 폴리머(150)들이 만들어진다.
다음에 도 3을 참조하면, 노출된 하부 금속막(100)에 접촉되도록 비아홀(130) 및 트랜치(140)내에 확산 방지막(160)을 형성하고, 비아홀(130) 및 트랜치(140) 내부가 완전히 채워지도록 확산 방지막(160) 위에 상부 금속막(170)을 형성한다. 다음에 통상의 평탄화 공정을 수행하면 도시된 바와 같은 듀얼 다마신 배선이 완성된다.
그런데 이와 같은 종래의 듀얼 다마신 배선 형성 방법에 의하면, 상기 식각 정지막(110)의 일부를 제거하는 과정에서 발생한 폴리머(150)들이 후속의 세정 공정 등에 의해서 완전히 제거되지 않으며, 그 결과 비아 컨택 저항이 증대되도록 하는 원인으로 작용한다. 더욱이 수분이 흡수되는 경우 하부 금속막이 부식되도록 하는 원인으로도 작용할 수도 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 식각 정지막 제거시 폴리머가 발생되지 않도록 하여 비아 컨택 저항이 낮아지지 않도록 하는 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법은, 배선하고자 하는 하부 금속막 위에 식각 정지막 및 금속간 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 금속간 절연막을 관통하여 상기 식각 정지막의 일부 표면을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계; 상기 비아홀을 채우는 희생막을 형성하는 단계; 상기 금속간 절연막 및 희생막의 일부를 제거하여 트랜치를 형성하는 단계; 상기 비아홀을 채우는 희생막을 제거하여 상기 트랜치 및 비아홀을 통해 상기 식각 정지막의 일부 표면이 노출되도록 하는 단계; 폴리머가 발생되지 않도록 하는 온도에서 폴리머가 발생되지 않도록 하는 식각 가스를 사용한 플라즈마 식각 공정으로 상기 식각 정지막의 노출 부분을 제거하는 단계; 상기 하부 금속막에 컨택되도록 상기 트랜치 및 비아홀 내에 확산 방지막을 형성하는 단계; 및 상기 확산 방지막 위에 상부 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 플라즈마 식각 공정은 CF4/CHF3/CH3 및 불활성 가스를 사용하여 수행하는 것이 바람직하다. 이 경우 상기 불활성 가스는 아르곤(Ar) 가스인 것이 바람직하다.
상기 플라즈마 식각 공정시 온도는 0-40℃가 유지되도록 하는 것이 바람직하다.
상기 식각 정지막은 질화막인 것이 바람직하다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.
도 4 내지 도 8은 본 발명에 따른 듀얼 다마신 배선 형성 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 배선하고자 하는 하부 금속막(200) 위에 식각 정지막(210) 및 금속간 절연막(220)을 순차적으로 형성한다. 하부 금속막(200)은 구리(Cu)막이며, 식각 정지막(210)은 질화막으로 형성한다. 다음에 금속간 절연막(220) 위에 비아홀 형성용 마스크막 패턴(310)을 형성한다. 이 비아홀 형성용 마스크막 패턴(310)은 포토레지스트막 패턴으로 형성하며, 금속간 절연막(220)의 일부 표면을 노출시키는 개구부를 갖는다. 다음에 이 비아홀 형성용 마스크막 패턴(310)을 식각 마스크로 한 식각 공정으로 금속간 절연막(220)의 노출 부분을 제거하여 식각 정지막(210)의 일부 표면을 노출시키는 비아홀(230)을 형성한다.
다음에 도 5를 참조하면, 상기 비아홀 형성용 마스크막 패턴(310)을 제거한 후에, 상기 비아홀(230) 내부가 채워지도록 희생막(320)을 형성한다. 이 희생막(320)은 후속 단계에서 용이하게 제거할 수 있는 막으로 형성하는 것이 바람직한데, 일 예로 포토레지스트막으로 형성할 수 있다.
다음에 도 6을 참조하면, 희생막(320)에 대한 에치백(etch-back) 공정을 수행하여 금속간 절연막(220)의 상부 표면을 노출시킨다. 그리고 금속간 절연막(220) 위에 트랜치 형성용 마스크막 패턴(330)을, 예컨대 포토레지스트막 패턴으로 형성한다. 다음에 이 트랜치 형성용 마스크막 패턴(330)을 식각 마스크로 한 식각 공정으로 금속간 절연막(220) 및 희생막(320)의 일부를 제거하여 트랜치(240)를 형성한다.
다음에 도 7을 참조하면, 상기 비아홀(230)을 채우는 희생막(320)을 제거하여 트랜치(240) 및 비아홀(230)을 통해 식각 정지막(210)의 일부 표면이 노출되도록 한다. 희생막(330)은 통상의 애싱(ashing) 공정을 수행하여 제거할 수 있으며, 이때 트랜치 형성용 마스크막 패턴(330)도 함께 제거될 수 있다.
다음에 폴리머가 발생되지 않도록 하는 온도에서 폴리머가 발생되지 않도록 하는 식각 가스를 사용한 플라즈마 식각 공정으로 식각 정지막(210)의 노출 부분을 제거한다. 상기 플라즈마 식각 공정은 탄소(C) 성분이 가능한 한 작은 가스, 예컨대 CF4/CHF3/CH3 가스와 및 아르곤(Ar) 가스와 같은 불활성 가스를 사용하여 수행한다. 그리고 상기 플라즈마 식각 공정시 웨이퍼를 지지하는 척(chuck)의 온도는 대략 0-40℃가 유지되도록 한다. 상기 온도는 폴리머가 생성되더라도 비아홀(230)내에서 부착되지 않고 증발(vaporization)되도록 한다.
다음에 도 8을 참조하면, 하부 금속막(200)에 컨택되도록 트랜치(240) 및 비아홀(230) 내에 확산 방지막(260)을 형성한다. 그리고 비아홀(230) 및 트랜치(240) 내부를 채우도록 확산 방지막(260) 위에 상부 금속막(270)을 형성한다. 상부 금속막(270)도 구리막으로 형성한다. 다음에 통상의 평탄화 공정을 수행하여 금속간 절연막(220)의 상부면이 노출되도록 하면, 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선이 만들어진다.
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법에 의하면, 식각 정지막을 제거하기 위한 식각 공정을 탄소(C) 성분이 적은 가스를 사용하고 동시에 폴리머 발생을 억제하는 온도에서 수행함으로써 폴리머의 발생을 최소화할 수 있고, 이에 따라 비아 컨택 저항이 감소되지 않도록 하여 소자의 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
도 1 내지 도 3은 종래의 듀얼 다마신 배선 형성 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명에 따른 듀얼 다마신 배선 형성 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
Claims (5)
- 배선하고자 하는 하부 금속막 위에 식각 정지막 및 금속간 절연막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 금속간 절연막을 관통하여 상기 식각 정지막의 일부 표면을 노출시키는 비아홀을 형성하는 단계;상기 비아홀을 채우는 희생막을 형성하는 단계;상기 금속간 절연막 및 희생막의 일부를 제거하여 트랜치를 형성하는 단계;상기 비아홀을 채우는 희생막을 제거하여 상기 트랜치 및 비아홀을 통해 상기 식각 정지막의 일부 표면이 노출되도록 하는 단계;폴리머가 발생되지 않도록 하는 온도에서 폴리머가 발생되지 않도록 하는 식각 가스를 사용한 플라즈마 식각 공정으로 상기 식각 정지막의 노출 부분을 제거하는 단계;상기 하부 금속막에 컨택되도록 상기 트랜치 및 비아홀 내에 확산 방지막을 형성하는 단계; 및상기 확산 방지막 위에 상부 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 플라즈마 식각 공정은 CF4/CHF3/CH3 및 불활성 가스를 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 불활성 가스는 아르곤(Ar) 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 플라즈마 식각 공정시 온도는 0-40℃가 유지되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 형성 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 식각 정지막은 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 듀얼 다마신 배선 방법.
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