KR20050069160A - 반도체의 레서피 변경방법 - Google Patents

반도체의 레서피 변경방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체의 레서피 변경방법에 관한 것으로, 리서피 별로 값이 다르게 파라미터를 설정하는 단계와, 새로운 파라미터를 구하기 위한 계산식 설정 프로그램을 프로그램화하는 단계와, 실행(run)을 로딩할 경우, 해당 실행의 리서피를 인식하고, 실행을 진행하기 이전에 윈도우 입력 창을 오픈(open)하는 단계와, 새로운 데이터가 입력될 경우, 프로그램화된 설정 프로그램 계산식을 적용하여 새로운 데이터에 대응하는 파라미터 값을 산출하며, 산출된 파라미터 값을 통해 리서피의 기존 파라미터를 새로운 파라미터로 변경하기 위한 실행 프로그램을 프로그램화하는 단계를 포함한다. 따라서, 기존 사용자가 직접 아이콘 클릭 및 윈도우 혹은 디렉토리 제어를 통해 수작업 해야하는 번거로움이 있으며, 이 수작업 과정에서 수치 입력의 오류가 발생할 경우, 반도체 공정의 대형 사고의 원인을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체의 레서피 변경방법{METHOD FOR CHANGING A RECIPE IN SEMICONDUCTOR}
본 발명은 반도체의 레서피(Recipe) 변경방법에 관한 것으로, 특히 레서피 내에 새로운 파라미터 변경을 위한 프로그램을 설정하도록 하는 방법에 관한 것이다.
통상적으로, 반도체 공정 과정에서 리서피(recipe)는 여러 가지 파라미터(parameter)로 구성되어 있다.
이러한, 리서피는 셋업(set-up)된 후, 양산 시 공정 컨트롤에 쓰이는 파라미터로서 몇 가지로 한정되어 있다. 그 예로서, 가장 대표적인 파라미터는 두께를 조절하는 시간과, 에칭(etching)하는 시간과, 웨이퍼를 담그는 시간과 관련된 파라미터이다.
상술한 바와 같은 기술은, 반도체 제조 양산 시, 공정 컨트롤을 위해 진행된 출력 데이터를 참조하며 일정한 계산식을 사용하여 새로운 파라미터를 구할 수 있다.
이와 같이, 기존 파라미터에서 새로운 파라미터로 변경할 경우, 몇 번의 아이콘(icon)을 클릭하고, 또한 윈도우(window) 혹은 디렉토리를 열어 기존 파라미터의 수치를 바꾸는 과정을 통해 새로운 파라미터로의 변경을 수행한다.
상술한 기존 과정은, 사용자가 직접 아이콘 클릭 및 윈도우 혹은 디렉토리 제어를 통해 수작업 해야하는 번거로움이 있으며, 이 수작업 과정에서 수치 입력의 오류가 발생할 경우, 반도체 공정의 대형 사고의 원인이 되는 문제점을 갖는다.
이에, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 그 목적은 레서피 내에 새로운 파라미터 변경을 위한 프로그램을 설정하여 데이터 입력 오류를 최소화하도록 하는 반도체의 레서피 변경방법을 제공함에 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에서 반도체의 레서피 변경방법은 리서피 별로 값이 다르게 파라미터를 설정하는 단계와, 새로운 파라미터를 구하기 위한 계산식 설정 프로그램을 프로그램화하는 단계와, 실행(run)을 로딩할 경우, 해당 실행의 리서피를 인식하고, 실행을 진행하기 이전에 윈도우 입력 창을 오픈(open)하는 단계와, 새로운 데이터가 입력될 경우, 프로그램화된 설정 프로그램 계산식을 적용하여 새로운 데이터에 대응하는 파라미터 값을 산출하며, 산출된 파라미터 값을 통해 리서피의 기존 파라미터를 새로운 파라미터로 변경하기 위한 실행 프로그램을 프로그램화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 동작에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체의 레서피 변경방법을 수행하기 위한 블록 구성도로서, 해당 리서피로 이전에 출력된 값과, 새로운 데이터를 입력하기 위한 입력 수단(10)과, 새로운 파라미터를 구하기 위한 계산식 설정 프로그램을 저장 매체(40)에 제공하며, 리서피를 인식하고 해당 리서피로 이전에 출력된 값을 입력할 수 있도록 하는 윈도우 창을 출력부(50)에 제공하며, 새로운 데이터를 입력할 경우, 새로운 파라미터로 변경하기 위한 실행(run) 프로그램을 저장매체에 제공하는 프로그램화를 위한 컨트롤러(20)와, 리서피 별로 값이 다르게 파라미터를 설정하는 파라미터 수행 블록(30)과, 프로그램화를 위한 컨트롤러(20)로부터 제공되는 계산식 설정 프로그램 및 실행 프로그램을 저장하는 저장매체(40)와, 프로그램화를 위한 컨트롤러(20)로부터 제공되는 윈도우 창을 출력하는 출력부(50)를 포함한다.
도 2의 흐름도를 참조하면서, 상술한 구성을 바탕으로, 본 발명에 따른 반도체의 레서피 변경방법에 대하여 상세하게 설명한다.
먼저, 파라미터 수행 블록(30)을 통해 리서피 별로 값이 다르게 파라미터를 설정한다. 그 예로, 리서피"가"의 파라미터를 타겟(target) : 10000으로 설정한다. 여기서, 타겟 파라미터의 값을 리서피 별로 값이 다르게 설정(단계 201)할 수 있다.
즉, 리서피"나"를 타겟 : 500, 그리고, 리서피"다"를 타겟 : 5000 등으로 설정한다.
다음으로, 반도체 장비상의 소프트웨어 기술로서, 프로그램화를 위한 컨트롤러(20)는 새로운 파라미터를 구하기 위한 계산식 설정 프로그램을 저장 매체(40)에 프로그램화(단계 202)하여 저장한다.
즉, 리서피"가"의 파라미터를 수정하기 위한 리서피 변경 작업을 프로그램화하는 것이다.
다시 말해서, 공정 타겟을 맞추기 위해 출력 데이터를 참조로 일정한 계산식을 통해 기존 파라미터에서 새로운 파라미터라는 새로운 입력 값을 구하는 것이다.
일 예로, 타겟 : 10000A이고, 출력 데이터 : 9500A 기존 파라미터 value : 60 sec일 경우, 새로운 파라미터 계산식은, (10000A / 9500A) * A이다.
이후, 프로그램을 위한 컨트롤러(20)는 실행을 로딩할 경우, 해당 실행의 리서피를 인식하고, 또한 해당 리서피로 이전에 출력된 값을 입력할 수 있도록 실행을 진행하기 이전에 윈도우 입력 창을 출력부(50)에 제공하여 오픈(open)한다(단계 203). 여기서, 챔버가 멀티(multi)일 경우, 챔버의 수만큼 윈도우 입력 창을 함께 오픈하며, 레서피에 해당되는 계산식 설정 프로그램 및 실행 프로그램을 수정할 수 있도록 윈도우 입력 창을 오픈한다.
출력부(50)를 통해 출력된 윈도우 입력 창에 입력 수단(10)을 이용하여 새로운 데이터를 입력할 경우, 프로그램화를 위한 컨트롤러(20)는 저장 매체(40)에서 읽어온 프로그램화된 설정 프로그램 계산식을 적용하여 새로운 데이터에 대응하는 파라미터 값을 산출하며, 산출된 파라미터 값을 통해 리서피의 기존 파라미터를 새로운 파라미터로 변경하기 위한 실행 프로그램을 저장 매체(40)에 프로그램화(단계 204)하여 저장한다.
상기와 같이 설명한 본 발명은 레서피 내에 새로운 파라미터 변경을 위한 프로그램을 설정함으로써, 기존 사용자가 직접 아이콘 클릭 및 윈도우 혹은 디렉토리 제어를 통해 수작업 해야하는 번거로움이 있으며, 이 수작업 과정에서 수치 입력의 오류가 발생할 경우, 반도체 공정의 대형 사고의 원인을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체의 레서피 변경방법을 수행하기 위한 블록 구성 도면이며,
도 2는 본 발명에 따른 반도체의 레서피 변경방법에 대한 상세 흐름도이다.

Claims (6)

  1. 반도체의 레서피 변경방법에 있어서,
    상기 리서피 별로 값이 다르게 파라미터를 설정하는 단계와,
    새로운 파라미터를 구하기 위한 계산식 설정 프로그램을 프로그램화하는 단계와,
    실행(run)을 로딩할 경우, 해당 실행의 리서피를 인식하고, 실행을 진행하기 이전에 윈도우 입력 창을 오픈(open)하는 단계와,
    새로운 데이터가 입력될 경우, 상기 프로그램화된 설정 프로그램 계산식을 적용하여 새로운 데이터에 대응하는 파라미터 값을 산출하며, 상기 산출된 파라미터 값을 통해 리서피의 기존 파라미터를 새로운 파라미터로 변경하기 위한 실행 프로그램을 프로그램화하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체의 레서피 변경방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 계산식 설정 프로그램은, 공정 타겟을 맞추기 위해 출력 데이터를 참조로 일정한 계산식을 통해 기존 파라미터에서 새로운 파라미터라는 새로운 입력 값을 구하는 것을 특징으로 하는 반도체의 레서피 변경방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 윈도우 입력 창은, 챔버가 멀티(multi)일 경우, 챔버의 수만큼 윈도우 입력 창을 함께 오픈하는 것을 특징으로 하는 반도체의 레서피 변경방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 레서피 구성은, 파라미터를 사용하는 모든 시스템 및 소프트웨어인 것을 특징으로 하는 반도체의 레서피 변경방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 레서피에 해당되는 계산식 설정 프로그램 및 실행 프로그램을 수정할 수 있도록 윈도우 입력 창을 오픈하는 것을 특징으로 하는 반도체의 레서피 변경방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 챔버가 멀티일 경우, 상기 멀티 챔버에서 각각의 챔버에 대해 리서피를 수정하는 것을 특징으로 하는 반도체의 레서피 변경방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009043008A2 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Lam Research Corporation Methods and arrangement for creating models for fine-tuning recipes

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980066947A (ko) * 1997-01-30 1998-10-15 김광호 반도체 제조 설비의 파라미터 (parameter) 세팅 방법
KR19980067763A (ko) * 1997-02-12 1998-10-15 김광호 반도체 제조용 설비의 공정 제어방법
KR100382021B1 (ko) * 2000-02-03 2003-04-26 가부시끼가이샤 도시바 반도체 장치 제조 방법, 반도체 장치 제조 지원 시스템, 및 반도체 장치 제조 시스템
JP3771435B2 (ja) * 2000-09-27 2006-04-26 大日本スクリーン製造株式会社 レジスト塗布装置、レジスト塗布システムおよび記録媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009043008A2 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Lam Research Corporation Methods and arrangement for creating models for fine-tuning recipes
WO2009043008A3 (en) * 2007-09-28 2009-05-22 Lam Res Corp Methods and arrangement for creating models for fine-tuning recipes
KR101107539B1 (ko) * 2007-09-28 2012-01-31 램 리써치 코포레이션 레시피들을 미세 튜닝하기 위한 모델들을 생성하는 방법 및 장치

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