KR20050063642A - 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 감압 화학 기상 증착(RPCVD)법을 이용하여 실리콘 기판 상에 응력이 완화된 실리콘-게르마늄 완충층(Relaxed SiGe buffer layer)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 소정의 게르마늄 조성 기울기를 갖는 조성 변화층을 형성하는 단계와, 상기 조성 변화층 상에 소정의 게르마늄 조성을 갖는 제 1 조성 일정층을 형성한 후 열처리하는 단계와, 상기 제 1 조성 일정층을 소정 두께 제거하여 표면을 평탄화하는 단계와, 상기 제 1 조성 일정층 상에 제 2 조성 일정층을 형성하여 상기 조성 변화층과 상기 조성 일정층으로 이루어진다. 비교적 얇은 두께를 가지며, 표면 전위 밀도가 낮고, 벌크 실리콘과 유사한 표면 거칠기를 갖는 충분히 응력이 완화된 실리콘-게르마늄 완충층을 형성하므로써 실리콘 기반 MOSFET 소자나 MODFET 소자에서 긴장된 실리콘 혹은 실리콘-게르마늄 채널을 형성할 수 있어 현재의 소자보다 채널 전도 및 고주파 특성이 우수한 소자의 제작이 가능해진다.
Description
본 발명은 실리콘-게르마늄(SiGe) 완충층 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘과 실리콘-게르마늄 이종 접합을 이용하는 모듈레이션 도핑 전계효과 트랜지스터(Modulation Doped Field Effect Transistor; MODFET)나 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; MOSFET)의 제조에 적용할 수 있는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법에 관한 것이다.
지난 수 년간 실리콘과 실리콘-게르마늄 이종 접합 구조의 소자에 대한 연구가 진행되었다. 연구 결과에 따르면 실리콘-게르마늄 단결정 위에 형성되는 인장적으로 긴장된 실리콘 채널(Tensily strained Si channel)에서의 전자 이동도(Electron mobility)는 벌크 실리콘(Bulk Si)층에서보다 매우 높고, 게르마늄의 함량이 높은 압축적으로 긴장된 실리콘-게르마늄(Compressively strained SiGe)층에서의 정공 이동도(Hole mobility)는 실리콘층에서보다 5배 이상 빠른 것으로 알려졌다. 따라서 이를 실리콘 기반의 소자에 적용하면 고이동도, 고속의 소자를 구현할 수 있을 것으로 판단된다.
실리콘-게르마늄의 양자우물 구조를 이용하는 실리콘과 실리콘-게르마늄 이종 접합 구조에서 주요한 변수인 격자 변형률 f 는 하기의 수학식 1과 같이 정의될 수 있다.
여기서, a sub 는 기판의 격자상수, a
layer 는 증착된 층의 격자상수를 나타낸다.
실리콘과 게르마늄 상에서의 격자 변형률(f) 값은 4.2% 이며, 게르마늄의 농도 별로 각기 다른 평형 임계 두께(t
c ) 값을 갖는다. 게르마늄의 농도가 증가할수록 t
c 값은 작아진다. t
c 이하의 두께에서는 격자 구조가 정방형으로의 탄성 변형(elastic deformation)을 통해 안정상으로 존재하나, 그 이상의 두께에서는 불일치 전위(misfit dislocation)의 생성에 필요한 에너지가 증착된 실리콘-게르마늄의 탄성 변형 에너지보다 작게 되어 불일치 전위에 의한 응력 완화 현상이 일어난다. t
c 값은 증착 온도뿐만 아니라 핵생성 자리나 전위의 전파 메커니즘에 의해 좌우된다.
응력이 완화된 실리콘-게르마늄 완충층의 상부에는 실리콘 혹은 실리콘-게르마늄 에피층 및 능동 소자가 성장되기 때문에 실리콘-게르마늄 완충층은 다음과 같은 조건을 만족해야 한다.
첫째, 불일치 전위에 의한 응력이 충분히 완화되어야 한다.
둘째, 완충층의 표면이 매끄러워야 한다. 물결 무늬의 거친 표면은 운반자의 산란으로 인해 전도도가 감소한다.
셋째, 응력이 완화되면서 생기는 불일치 전위가 완충층 표면으로 전파되지 않아야 한다. 표면으로 전파된 전위는 그 위에 형성되는 능동 소자에서 결함으로 작용하여 소자의 특성을 저하시키거나 전류 누설을 발생시킨다.
마지막으로, 상용화를 위해서는 완충층을 얇은 두께로 형성하여 수율을 증가시킬 수 있어야 한다.
현재까지 실리콘-게르마늄 완충층에 대한 많은 연구가 보고되었으나, 상기한 조건들을 만족하는 실리콘-게르마늄 완충층의 형성이 어렵기 때문에 완충층을 적용한 소자에 관한 보고는 많지 않은 실정이다. 실리콘-게르마늄 완충층 성장 연구에 따르면 게르마늄의 조성 변화에 의한 성장법이 가장 우수한 특성을 나타낸다. 조성 변화 성장법은 크게 원하는 게르마늄 조성이 될 때까지 일정하게 혹은 단계별(5~20%Ge/um)로 게르마늄의 조성 기울기를 증가시키는 단계와, 원하는 조성을 일정하게 유지하면서 수 um 의 두께로 증착하는 단계로 구분된다.
불일치 전위는 실리콘 기판과 실리콘-게르마늄 사이의 계면에만 제한되지 않고 조성 변화층 전반에 걸쳐 존재한다. 그러므로 응력 완화가 충분히 이루어지고 전위들 간의 상호 작용으로 브랜치가 형성되도록 하여 조성 일정층으로 전위가 전파되지 않도록 제한해야 하는데, 조성 변화 성장법을 이용하면 수 um 이상의 두께가 필요하기 때문에 증착 시간이 길어져 수율 측면에서 손실이 매우 클 뿐만 아니라 표면의 거칠기도 수십 nm 정도로 매우 거칠어져 실제 소자의 적용에 어려움이 있다.
이러한 단점을 극복하기 위해 실리콘-게르마늄 완충층을 얇은 두께로 성장시킬 수 있는 여러 가지 방법들이 제시되었다. 대부분의 경우 계면에 임의로 결함을 형성하여 불일치 전위 형성의 소스로 작용하도록 하는데, 대표적인 예로서, 저온 실리콘 에피층을 형성하는 방법, 이온 주입법을 이용하는 방법, Sb 등의 첨가제를 첨가하는 방법 등이 있다.
저온 에피 성장법은 400℃ 부근의 저온에서 MBE 법을 이용해 실리콘이나 실리콘-게르마늄 단결정막을 성장하는 경우 임계 두께 이상에서는 비정질로 성장하고 임계 두께 이하에서도 보이드에 의한 결함이 발생되도록 한다. 발생된 결함이 불일치 전위의 소스가 되어 응력 완화가 진행되도록 함으로써 완충층을 얇은 두께로 성장시킬 수 있다. 하지만 이 방법도 저온 실리콘층을 MBE 법으로 성장시켜야 하므로 실제 소자에 적용하기 어렵다.
이온 주입법은 실리콘-게르마늄 완충층을 성장시키기 전에 수소나 게르마늄 이온을 주입하거나 혹은 완충층 성장 후에 이온을 주입하고 열처리한다. 실리콘 기판에 점결함을 임의로 발생시켜 이를 불일치 전위 생성의 소스로 작용하도록 함으로써 응력이 완화되고 결함이 형성된 실리콘 기판으로 전위가 전파되어 완충층의 두께를 감소시킬 수 있다. 그러나 이 방법 역시 만족할 만한 결과를 얻지는 못한다.
상기 방법들 외에 최근에는 절연체 매몰 실리콘(silicon-on-insulator) 상에 실리콘-게르마늄층을 형성하고자 하는 연구도 활발히 진행되고 있다.
따라서 본 발명은 소자에 적용 가능한 조건들을 만족하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 비교적 얇은 두께, 감소된 표면 전위 밀도 그리고 벌크 실리콘과 유사한 표면 거칠기를 갖는 응력이 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 실리콘 기판 상에 소정의 게르마늄 조성 기울기를 갖는 조성 변화층을 형성하는 단계와, 상기 조성 변화층 상에 소정의 게르마늄 조성을 갖는 제 1 조성 일정층을 형성한 후 열처리하는 단계와, 상기 제 1 조성 일정층을 소정 두께 제거하여 표면을 평탄화하는 단계와, 상기 제 1 조성 일정층 상에 제 2 조성 일정층을 형성하여 상기 조성 변화층과 상기 조성 일정층으로 이루어지는 실리콘-게르마늄 완충층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 조성 변화층은 실리콘-게르마늄 증착 단계 및 불일치 전위 증가를 위한 열처리 단계를 통해 형성하며, 상기 증착 및 열처리 단계를 소정 횟수만큼 반복 진행하는 것을 특징으로 한다.
상기 열처리는 RPCVD 장비의 특징인 복사열을 이용하여 900 내지 1000℃ 에서 실시하며, 소스 가스가 공급되지 않는 상태에서 실시하는 것을 특징으로 한다.
상기 조성 변화층은 600 내지 650℃에서 RPCVD법으로 증착하며, 상기 게르마늄 조성 기울기는 하부로부터 상부로 점차 증가하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 조성 일정층의 게르마늄 조성은 상기 조성 변화층의 최종 게르마늄 조성과 동일하며, 상기 2 조성 일정층의 게르마늄 조성은 상기 제 1 조성 일정층의 게르마늄 조성과 동일하거나 낮은 것을 특징으로 한다.
상기 제 1 조성 일정층의 표면을 평탄화한 후 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하기 위한 것이 아니며, 본 발명의 일 예로서 제시된다.
도 1은 본 발명에 따른 실리콘-게르마늄 완충층을 적용한 실시예로서, 실리콘 기반의 모스 트랜지스터를 개략적으로 도시한다.
실리콘 기판(100) 상에 조성 변화층(Graded Si1-XGeX layer; 110a)과 조성 일정층(Constant Si1-YGeY layer; 110b)으로 이루어지는 실리콘-게르마늄 완충층(110)이 형성된다. 상기 실리콘-게르마늄 완충층(110) 상에는 모스 트랜지스터의 게이트(G)가 형성되고, 게이트(G) 양측부의 실리콘-게르마늄 완충층(110)에는 소오스(S) 및 드레인(D)이 형성되며, 상기 게이트(G) 하부의 상기 실리콘-게르마늄 완충층(110) 상부에 인장적으로 긴장된 실리콘 채널(120)이 형성된다.
상기 게르마늄 조성 변화층(110a)은 도 2에 도시된 바와 같이 다 단계로 증착하는데, 0 에서부터 조성 일정층(110b)의 게르마늄 조성인 Y 까지 일정한 조성 기울기를 가지도록 n 회에 걸쳐 불연속적으로 증착하며, 1회의 게르마늄 조성 변화층(110a) 증착 후에는 급속 열처리(111a-1, 111a-2 … 111a-n)를 실시간 진행한다. 상기 게르마늄 조성 변화층(110a)은 감압 화학 기상 증착(RPCVD) 장비 등을 이용하여 증착할 수 있으며, 600~650℃ 부근의 저온에서 게르마늄의 소스 가스인 저메인(GeH4) 가스의 유량을 증가시키면서 선형적으로 게르마늄 조성을 변화시킬 수 있다. 또한, 상기 급속 열처리는 RPCVD 장비의 특징인 복사열을 이용하여 1000℃ 근처 예를 들어, 900 내지 1000℃ 에서 실시할 수 있다. 상기 게르마늄 조성 변화층(110a)의 두께는 200nm 정도 즉, 전체 실리콘-게르마늄 완충층(110) 두께의 20% 정도가 되도록 하는 것이 바람직하며, 상기 급속 열처리 횟수는 Y의 조성에 따라 결정될 수 있으나, 대략 5%의 게르마늄 조성 변화 시마다 1회의 열처리를 실시하는 것이 바람직하다. 상기와 같이 1회의 게르마늄 조성 변화층(110a) 증착시 마다 실시간 열처리하는 경우 100%Ge/um 정도의 게르마늄 조성 기울기를 가질 때 응력 완화가 충분이 이루어지는 것을 실험을 통해 확인할 수 있었다.
도 3은 상기 조성 변화층(110a)을 형성하기 위한 증착 및 열처리 단계를 도식적으로 나타낸다.
600 내지 650℃에서의 증착 및 900 내지 1000℃에서의 열처리 단계를 반복적으로 진행한다. 증착 단계에서는 소스 가스(GeH4/SiH4)의 플로우 비(Flow rate)를 점차적으로 증가시키며, 열처리 단계에서는 소스 가스(GeH4/SiH4)가 주입되지 않도록 한다. 할로겐 램프에 의한 복사열을 이용하는 RPCVD의 특성을 이용하면 300℃/min 의 급속한 램핑 속도로 수 분동안 열처리할 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 열처리에 의해 응력이 완화되는 과정을 설명하기 위한 개략도이다.
도 4a를 참조하면, 실리콘 기판(100) 상에 제 1 조성 변화층(110a-1)을 증착한다. 실리콘과의 격자상수 차이에 의해 계면에서 불일치 전위가 발생하여 응력 완화가 다소 진행되나 실리콘-게르마늄막의 탄성 변형도 잔존하게 된다.
도 4b를 참조하면, 1차 고온 열처리를 실시하여 불일치 전위 발생에 필요한 에너지를 공급함으로써 불일치 전위가 증가되고 응력 완화가 더욱 진행된다.
도 4c를 참조하면, 1차 고온 열처리된 상기 제 1 조성 변화층(110a-1) 상에 제 2 조성 변화층(110a-2)을 형성하고 2차 고온 열처리를 실시한다.
본 발명은 조성 변화층을 증착한 후 고온 열처리를 통해 각 층마다 응력 완화가 진행되도록 하여 불일치 전위가 조성 변화층(110a) 전반에 존재하게 함으로써 비교적 얇은 두께로도 응력 완화가 충분히 이루어도록 한다. 상기와 같은 고온 열처리는 다음 단계의 조성 변화층 형성 전에 실리콘-게르마늄층의 막질을 개선하여 불일치 전위가 다음 단계의 조성 변화층으로 전파되는 것을 제한한다.
상기 조성 변화층(110a) 형성을 위한 고온 열처리가 실제로 조성 일정층의 응력 완화에 기여하였는 지를 확인하기 위해 열처리한 샘플과 열처리하지 않은 샘플에 대해 각각 DXRD rocking curve 분석을 실시하였다. 도 5a 및 도 5b는 측정된 응력 완화 정도를 도시한 그래프로서, 측정 결과 열처리한 경우 96.5% (도 5a), 열처리하지 않은 경우 70.6% (도 5b)의 응력 완화 정도를 나타내었다. 고온 열처리를 통해 응력 완화가 더욱 진행된 것을 확인하였다.
도 6a는 열처리하지 않은 경우의 실리콘-게르마늄 완충층의 TEM 단면 사진으로서, 표면이 매끄럽지 못하고 조성 변화층(110a) 전반에 걸쳐 불일치 전위(71)가 보이지만, 일부의 전위(72)가 조성 일정층(110b)을 통해 표면으로 전파되는 것을 확인할 수 있다.
도 6b는 본 발명에 따라 열처리한 실리콘-게르마늄 완충층의 TEM 단면 사진으로서, 표면이 매끄럽고 조성 변화층(110a) 전반에 걸쳐 불일치 전위(71)가 존재하는 것을 확인할 수 있다.
상기와 같이 원하는 게르마늄 조성 기울기를 가지도록 조성 변화층(110a)을 형성한 후 상기 조성 변화층(110a) 상에 조성 일정층(110b)을 형성한다. 도 7a 내지 도 7c는 상기 조성 일정층(110b)의 형성 과정을 설명하기 위한 단면을 도시한다.
도 7a를 참조하면, 상기와 같은 과정을 통해 실리콘 기판(100) 상에 게르마늄 조성 변화층(110a)을 형성한다. 600℃ 정도의 저온에서 상기 게르마늄 조성 변화층(110a) 상에 조성 일정층(110b-1)을 증착한 후 잔류 응력을 완화하고 후속 열공정에 의한 안정성을 확보하기 위하여 1100℃의 고온에서 한 시간 정도 열처리한다. 상기 조성 일정층(110b-1)은 후속 평탄화 공정의 마진을 확보하기 위해 대략 1um 정도의 두께로 형성한다.
도 7b를 참조하면, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 평탄화 공정으로 상기 조성 일정층(110b-1)의 표면을 500nm 정도 연마하여 표면의 거칠기를 0.5nm 정도의 벌크 실리콘 수준으로 개선한다.
도 7c를 참조하면, 상기 조성 일정층(110b-1)의 표면에 존재하는 이물질을 SC1 세정법으로 제거하고, 다시 표준 세정법으로 세정한다. 이 후 상기 조성 일정층(110b-1) 상에 조성 일정층(110b-2)을 300nm 두께로 증착한다. 상기 조성 일정층(110b-2) 증착시 게르마늄의 조성은 상기 조성 일정층(110b-1)과 동일하게 하거나 1Ge% 정도 다소 낮게 하여 미세하게 잔류하는 응력도 모두 제거되도록 한다.
도 8a는 CMP 평탄화 공정 전 상기 조성 일정층(110b-1)의 AFM 측정 사진이며, 도 8b는 상기 조성 일정층(110b-2) 증착 후의 TEM 단면 사진이다.
도 8a는 CMP 평탄화 공정을 실시하기 전 상기 조성 일정층(110b-1)의 표면을 도시하는데, RMS 값이 38.2nm 로 소자에 적용이 어려운 정도이다.
도 8b는 표면 거칠기를 개선하고 표면으로 전파되는 전위를 제어하기 위해 CMP 평탄화 공정을 진행한 후 조성 일정층(110b-2)을 증착한 상태의 TEM 단면 사진이다. 도 8a에 비해 매끄러운 표면을 갖는 것을 확인할 수 있고, 표면으로의 전위의 전파가 보이지 않는다.
CMP 공정 전에는 표면 거칠기가 38.2nm (도 8a)이었으나, CMP 공정 후에는 0.5nm가 되었다. 조성 일정층(110b-2)을 증착한 후에는 1.26nm(도 8b)로 다소 증가하였으나 소자 적용이 가능할 정도로 매끄러운 표면 거칠기를 갖는 것을 확인하였다. 또한, CMP 평탄화 공정 후의 표면 세정이 효과적으로 이루어진 것을 알 수 있으며, TEM 단면 사진 및 SECCO 식각법을 통한 광학 현미경 분석 사진으로 표면으로 전파되는 전위 밀도가 104/cm2 이하인 것을 알 수 있었다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.
상술한 바와 같이 본 발명은 산업적으로 양산성을 갖는 감압 화학 기상 증착(RPCVD) 법을 이용하여 비교적 얇은 두께를 가지며, 표면 전위 밀도가 낮고, 벌크 실리콘과 유사한 표면 거칠기를 갖는 충분히 응력이 완화된 실리콘-게르마늄 완충층을 형성한다. 본 발명에 따른 실리콘-게르마늄 완충층을 실리콘 기반 MOSFET 소자나 MODFET 소자에 적용하면 긴장된 실리콘 혹은 실리콘-게르마늄 채널을 형성할 수 있으므로 현재의 소자보다 채널 전도 및 고주파 특성이 우수한 소자의 제작이 가능해진다.
도 1은 본 발명에 따른 실리콘-게르마늄 완충층이 적용된 실리콘 기반 모스 트랜지스터의 개략적인 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 게르마늄 조성 변화층의 형성 과정을 설명하기 위한 단면도.
도 3은 증착 시간에 따른 게르마늄 조성 변화 및 열처리 조건을 도시한 그래프.
도 4a 내지 도 4c는 열처리에 의해 응력이 완화되는 과정을 설명하기 위한 개략도.
도 5a 및 도 5b는 열처리한 게르마늄 조성 변화층 및 열처리하지 않은 게르마늄 조성 변화층의 응력 완화 정도 측정 결과를 도시한 그래프.
도 6a 및 도 6b는 열처리하지 않은 실리콘-게르마늄 완충층 및 열처리한 실리콘-게르마늄 완충층의 TEM 단면 사진.
도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 따른 조성 일정층의 형성 과정을 설명하기 위한 단면도.
도 8a 및 도 8b는 본 발명에 따른 CMP 평탄화 공정 전과 조성 일정층 증착 후의 표면 AFM 사진.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
71, 72: 불일치 전위
110: 실리콘-게르마늄 완충층
110a, 110a-1, 110a-2, … 110a-n: 게르마늄 조성 변화층
110b, 110b-1, 110b-2: 게르마늄 조성 일정층
120: 실리콘 채널
Claims (9)
- 실리콘 기판 상에 소정의 게르마늄 조성 기울기를 갖는 조성 변화층을 형성하는 단계와,상기 조성 변화층 상에 소정의 게르마늄 조성을 갖는 제 1 조성 일정층을 형성한 후 열처리하는 단계와,상기 제 1 조성 일정층을 소정 두께 제거하여 표면을 평탄화하는 단계와,상기 제 1 조성 일정층 상에 제 2 조성 일정층을 형성하여 상기 조성 변화층과 상기 조성 일정층으로 이루어지는 실리콘-게르마늄 완충층을 형성하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 조성 변화층은 실리콘-게르마늄 증착 단계 및 불일치 전위 증가를 위한 열처리 단계를 통해 형성하며, 상기 증착 및 열처리 단계를 소정 횟수만큼 반복 진행하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 열처리는 RPCVD 장비의 특징인 복사열을 이용하여 900 내지 1000℃ 에서 실시하며, 소스 가스가 공급되지 않는 상태에서 실시하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 조성 변화층은 600 내지 650℃에서 RPCVD법으로 증착하며, 상기 게르마늄 조성 기울기는 하부로부터 상부로 점차 증가하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 게르마늄 조성 기울기는 50 ~ 200%Ge/um 인 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 조성 일정층의 게르마늄 조성은 상기 조성 변화층의 최종 게르마늄 조성과 동일하며, 상기 2 조성 일정층의 게르마늄 조성은 상기 제 1 조성 일정층의 게르마늄 조성과 동일하거나 낮은 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 평탄화는 CMP 공정으로 이루는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 조성 일정층의 표면을 평탄화한 후 표면을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 세정은 SC-1 세정 및 표준 세정법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| US11/018,647 US20050196925A1 (en) | 2003-12-22 | 2004-12-22 | Method of forming stress-relaxed SiGe buffer layer |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040016498A KR20050063642A (ko) | 2003-12-22 | 2004-03-11 | 응력 완화된 실리콘-게르마늄 완충층 형성 방법 |
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| KR (1) | KR20050063642A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8188512B2 (en) | 2008-12-03 | 2012-05-29 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Growth of germanium epitaxial thin film with negative photoconductance characteristics and photodiode using the same |
| KR101852767B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2018-04-27 | 전북대학교산학협력단 | 템플레이트 에피 기판 및 이의 제조방법 |
-
2004
- 2004-03-11 KR KR1020040016498A patent/KR20050063642A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
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