KR20050054955A - 다층 구조막 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

제1 베이스 결정층(33)은 서로 인접하는 결정립으로 구성된다. 제2 베이스 결정층(34)은 제1 베이스 결정층(33)보다 큰 막 두께로 제1 베이스 결정층(33)의 표면상에 넓어진다. 제2 베이스 결정층(34)은 제1 베이스 결정층(33)의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성된다. 제1 및 제2 베이스 결정층(33, 35)에서는 미세하고 균일한 결정립이 확립된다. 게다가, 제1 및 제2 베이스 결정층(33, 35)에는 충분한 막 두께가 확보될 수 있다. 마찬가지로, 제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)에서는 미세하고 균일한 결정립이 확립된다. 또한, 제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)에는 충분한 막 두께가 확보될 수 있다.

Description

다층 구조막 및 그 제조 방법 {MULTILAYER STRUCTURE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}

본 발명은 예컨대 하드디스크(HD)라는 자기 기록 매체에 사용될 수 있는 다층 구조막 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 자기 기록 매체는 기판의 표면을 따라 소정 막 두께로 넓어지는 배향 제어용 베이스층과, 이 베이스층의 표면에 소정 막 두께로 넓어지는 기록 자성층을 구비한다. 베이스층의 작용으로 기록 자성층에서는 결정의 배향이 실현된다. 자화 용이축은 소정 방향으로 정렬된다.

베이스층이나 기록 자성층의 형성에 있어서 스퍼터링법이 이용된다. 스퍼터링법의 실시에 앞서 기판이 가열된다. 가열된 기판 상에 베이스층용 금속 원자가 하강하여 주입된다. 가열의 작용으로 퇴적과 동시에 금속 원자는 결정립을 형성한다. 계속해서 베이스층의 표면에는 기록 자성층용 금속 원자가 하강하여 주입된다. 에피택셜 성장에 기초하여 베이스층의 표면을 따라 자성 결정립이 형성된다.

가열된 기판 상에서 베이스층이나 기록 자성층은 소정 막 두께까지 퇴적된다. 베이스층이나 기록 자성층에서는 기판의 열에 기초하여 결정립들은 불규칙하게 합체한다. 합체에 기초하여 결정립은 비대해진다. 기록 자성층에서는 자성 결정립의 미세화 및 균일화는 실현될 수 없다.

도 1은 자기 기록 매체 구동 장치의 일실시예 즉 하드디스크 구동 장치(HDD)의 내부 구조를 개략적으로 도시한 평면도.

도 2는 자기 디스크의 구조를 도시한 확대 수직 단면도.

도 3은 자기 디스크의 구조를 상세히 도시한 확대 수직 단면도.

도 4는 기판의 표면에 보강층을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 기판의 확대 부분 단면도.

도 5는 보강층의 표면에 배향 제어층을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 기판의 확대 부분 단면도.

도 6은 배향 제어층의 표면에 제1 베이스 결정층을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 기판의 확대 부분 단면도.

도 7은 제1 베이스 결정층의 표면에 제2 베이스 결정층을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 기판의 확대 부분 단면도.

도 8은 제2 베이스 결정층의 표면에 제1 자성 결정층을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 기판의 확대 부분 단면도.

도 9는 제1 자성 결정층의 표면에 제2 자성 결정층을 형성하는 공정을 개략적으로 도시한 기판의 확대 부분 단면도.

도 10은 X선 회절에 기초하여 결정립의 배향성을 특정한 그래프.

도 11은 제1 베이스 결정층의 막 두께와 자기 디스크 특성의 관계를 도시한 그래프.

도 12는 제2 베이스 결정층의 막 두께와 자기 디스크 특성의 관계를 도시한 그래프.

도 13은 X선 회절에 기초하여 결정립의 배향성을 특정한 그래프.

도 14는 제1 자성 결정층의 막 두께와 자기 디스크 특성의 관계를 도시한 그래프.

도 15는 X선 회절에 기초하여 결정립의 배향성을 특정한 그래프.

도 16은 X선 회절에 기초하여 결정립의 배향성을 특정한 그래프.

본 발명은 상기 실상을 감안하여 이루어진 것으로, 확실하게 결정립의 미세화 및 균일화를 도모할 수 있는 다층 구조막 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면, 대상물의 표면에 제1 원자군을 퇴적시키는 공정과, 퇴적된 제1 원자군에 열을 가하여 제1 다결정층을 형성하는 공정과, 제1 다결정층 표면에 제2 원자군을 퇴적시켜, 제1 다결정층보다 큰 막 두께를 갖는 제2 다결정층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법이 제공된다.

이상과 같은 제조 방법에 따르면, 제1 원자군의 퇴적에 있어서 제1 원자의 마이그레이션은 확실하게 저지된다. 제1 원자군은 다층 구조막 전체에 대하여 현저하게 작은 막 두께로 퇴적함으로써, 제1 원자군의 결정화에 있어서 개개의 결정립의 미세화 및 균일화가 달성된다. 그 후, 다시 마이그레이션이 억제되면서 충분한 막 두께까지 제2 원자군의 퇴적이 실시되기 때문에, 제2 다결정층에는 미세하고 균일한 결정립이 확보될 수 있다. 결정립의 비대화는 확실하게 막을 수 있다.

이상과 같은 다층 구조막의 제조에 있어서, 제1 및 제2 원자군은 Ti로 구성될 필요가 있다. 기타, 제1 및 제2 원자군에는 Co 및 Cr을 함유하는 합금이 이용될 수 있다. 또한, 제1 원자군의 퇴적에서부터 제2 원자군의 퇴적까지 진공 상태가 유지될 필요가 있다.

본 발명의 다층 구조막의 제조 방법은 추가로 제2 다결정층의 표면에 제3 원자군을 퇴적시키는 공정과, 퇴적한 제3 원자군에 열을 가하여 제3 다결정층을 형성하는 공정과, 제3 다결정층의 표면에 제4 원자군을 퇴적시켜, 제3 다결정층보다 큰 막 두께를 갖는 제4 다결정층을 형성하는 공정을 구비하여도 좋다. 이와 같은 다층 구조막의 제조에 있어서, 제1 원자군의 퇴적에서부터 제4 원자군의 퇴적까지 진공 상태가 유지될 필요가 있다.

이상과 같은 제조 방법에 따르면, 제3 원자군의 퇴적에 있어서 제3 원자의 마이그레이션은 확실하게 저지된다. 제3 원자군은 다층 구조막 전체에 대하여 현저히 작은 막 두께로 퇴적함으로써, 제3 원자군의 결정화에 있어서 개개의 결정립의 미세화 및 균일화가 달성된다. 그 후, 다시 마이그레이션이 억제되면서 충분한 막 두께까지 제4 원자군의 퇴적이 실시되기 때문에, 제4 다결정층에는 미세하고 균일한 결정립이 확보될 수 있다. 결정립의 비대화는 확실하게 막을 수 있다.

이상과 같은 제조 방법에서는, 제1 원자군의 퇴적에 앞서 대상물의 표면에 소정 배향으로 정렬되는 결정립으로 구성되는 배향 제어층이 형성되어도 좋다. 배향 제어층에서는 결정립은 소정 배향으로 정렬된다. 배향 제어층 상에 제1 및 제2 다결정층이 형성된다. 제1 및 제2 다결정층에서는 결정립의 배향이 확실하게 정렬될 수 있다.

본 발명에 따르면, 서로 인접하는 결정립으로 구성되는 제1 다결정층과, 제1 다결정층과 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하고, 제1 다결정층보다 큰 막 두께로 제1 다결정층의 표면에 펼쳐지는 제2 다결정층을 구비하며, 제2 다결정층은 제1 다결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막이 제공된다. 이러한 다층 구조막에서는, 제1 및 제2 다결정층에서는 미세하고 균일한 결정립이 확립된다. 또한, 제1 및 제2 다결정층에는 충분한 막 두께가 확보될 수 있다.

이상과 같은 다층 구조막에서는, 제1 및 제2 다결정층은 Ti로 구성될 필요가 있다. 기타, 제1 및 제2 다결정층에는 Co 및 Cr을 함유하는 합금이 이용될 수 있다.

다층 구조막은 표면에서 상기 제1 다결정층을 받아내고, 소정 배향으로 정렬되는 결정립으로 구성되는 배향 제어층을 더 구비하여도 좋다. 배향 제어층의 결정립은 소정 배향으로 정렬되기 때문에, 제1 다결정층에서는 결정립의 결정 배향이 확실하게 정렬될 수 있다. 제2 다결정층은 제1 다결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성되기 때문에, 제2 다결정층에서는 결정의 배향이 충분히 정렬될 수 있다.

이상과 같은 다층 구조막은 예컨대 자기 디스크라는 자기 기록 매체에서 이용될 수 있다. 자기 기록 매체는 서로 인접한 결정립으로 구성되는 비자성의 제1 베이스 결정층과, 제1 베이스 결정층과 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하고, 제1 베이스 결정층보다 큰 막 두께로 제1 베이스 결정층의 표면에 펼쳐지는 비자성의 제2 베이스 결정층과, 제2 베이스 결정층의 표면에 펼쳐지는 자성층을 구비할 필요가 있다. 이 때, 제2 베이스 결정층은 제1 베이스 결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성될 필요가 있다.

이와 같은 자기 기록 매체에서는, 제1 및 제2 베이스 결정층에서는 미세하고 균일한 결정립이 확립된다. 또한, 제1 및 제2 베이스 결정층에는 충분한 막 두께가 확보될 수 있다. 자성층의 자화 용이축은 기판의 표면에 직교하는 수직 방향으로 높은 정밀도로 정렬될 수 있다. 자기 정보의 독출에 있어서 높은 S/N비가 확보된다.

전술한 자기 기록 매체에서는, 자성층은 제2 베이스 결정층의 표면을 따라 서로 인접하는 결정립으로 구성되는 제1 자성 결정층과, 제1 자성 결정층과 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하고, 제1 자성 결정층보다 큰 막 두께로 제1 자성 결정층의 표면에 펼쳐지는 제2 자성 결정층을 구비하며, 제2 자성 결정층은 제1 자성 결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성되어도 좋다.

이러한 자기 기록 매체에서는, 제1 및 제2 자성 결정층에서는 미세하고 균일한 결정립으로 확립된다. 또한, 제1 및 제2 자성 결정층에는 충분한 막 두께가 확보될 수 있다. 제1 및 제2 자성 결정층의 자화 용이축은 기판의 표면에 직교하는 수직 방향으로 높은 정밀도로 정렬될 수 있다. 자기 정보의 독출에 있어서 높은 S/N비가 확보된다.

또한, 자기 기록 매체는 비자성의 베이스 결정층과, 베이스 결정층의 표면을 따라 서로 인접하는 결정립으로 구성되는 제1 자성 결정층과, 제1 자성 결정층과 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하고, 제1 자성 결정층보다 큰 막 두께로 제1 자성 결정층의 표면에 펼쳐지는 제2 자성 결정층을 구비하여도 좋다. 이 때, 제2 자성 결정층은 제1 자성 결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성될 필요가 있다.

이러한 자기 기록 매체에서는, 전술한 바와 같이, 제1 및 제2 자성 결정층에서는 미세하고 균일한 결정립이 확립된다. 자기 정보의 독출에 있어서 높은 S/N비가 확보된다.

이상과 같은 자기 기록 매체는 소위 수직 자기 기록 매체로서 구성될 필요가 있다. 이 때, 전술한 자성층이나 제1 및 제2 자성 결정층에서는 표면에 직교하는 수직 방향으로 자화 용이축이 확립될 필요가 있다. 이와 같은 수직 자기 기록 매체는 표면에서 베이스 결정층을 받아내는 비자성층과, 표면에서 비자성층을 받아내고, 표면에 평행하게 규정되는 방향으로 자화 용이축을 갖는 보강층을 더 구비하여도 좋다.

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 실시예를 설명한다.

도 1은 자기 기록 매체 구동 장치의 일실시예 즉 하드디스크 구동 장치(HDD; 11)의 내부 구조를 개략적으로 도시한다. 이 HDD(11)는 예컨대 평평한 직방체의 내부 공간을 구획하는 상자형 케이스 본체(12)를 구비한다. 수용 공간에는 자기 기록 매체로서의 1장 이상의 자기 디스크(13)가 수용된다. 자기 디스크(13)는 소위 수직자기 기록 매체로 구성된다. 자기 디스크(13)는 스핀들 모터(14)의 회전축에 장착된다. 스핀들 모터(14)는 예컨대 7200 rpm이나 10000 rpm의 고속도로 자기 디스크(13)를 회전시킬 수 있다. 케이스 본체(12)에는 케이스 본체(12) 사이에서 수용 공간을 밀폐하는 덮개 즉 커버(도시되지 않음)가 결합된다.

수용 공간에서는, 수직 방향으로 연장되는 지지축(15)에 헤드 액츄에이터(16)가 장착된다. 헤드 액츄에이터(16)는 지지축(15)으로부터 수평 방향으로 연장되는 강체의 액츄에이터 아암(17)과, 이 액츄에이터 아암(17)의 선단에 부착되어 액츄에이터 아암(17)으로부터 전방으로 연장되는 탄성 서스펜션(18)을 구비한다. 주지하는 바와 같이, 탄성 서스펜션(18)의 선단에서는, 소위 짐벌 스프링(도시되지 않음)의 작용으로 부상 헤드 슬라이더(19)는 외팔보 지지된다. 부상 헤드 슬라이더(19)에는 자기 디스크(13)의 표면을 향해 탄성 서스펜션(18)으로부터 압압력이 작용한다. 자기 디스크(13)가 회전하면, 자기 디스크(13)의 표면에서 생성되는 기류의 작용으로 부상 헤드 슬라이더(19)에는 부력이 작용한다. 탄성 서스펜션(18)의 압압력과 부력과의 조화로 자기 디스크(13)의 회전 중에 비교적으로 높은 강성으로 부상 헤드 슬라이더(19)는 계속해서 부상할 수 있다.

부상 헤드 슬라이더(19)에는, 주지하는 바와 같이, 자기 헤드 즉 전자 변환 소자(도시되지 않음)가 탑재된다. 이 전자 변환 소자는, 예컨대, 스핀 밸브막이나 터널 접합막의 저항 변화를 이용하여 자기 디스크(13)로부터 정보를 독출하는 거대 자기 저항 효과 소자(GMR)나 터널 접합 자기 저항 효과 소자(TMR)라는 독출 소자와, 박막 코일 패턴으로 생성되는 자계를 이용하여 자기 디스크(13)에 정보를 기록하는 단자극 헤드라는 기록 소자(도시되지 않음)로 구성될 필요가 있다.

부상 헤드 슬라이더(19)의 부상 중에, 헤드 액츄에이터(16)가 지지축(15) 둘레로 회전하면, 부상 헤드 슬라이더(19)는 반경 방향으로 자기 디스크(13)의 표면을 가로지를 수 있다. 이러한 이동에 기초하여 부상 헤드 슬라이더(19)상의 독출 기록 헤드는 자기 디스크(13)상의 원하는 기록 트랙에 위치 결정된다. 헤드 액츄에이터(16)의 회전은 예컨대 보이스 코일 모터(VCM)라는 구동원(21)의 작용을 통하여 실현될 필요가 있다. 주지하는 바와 같이, 복수 장의 자기 디스크(13)가 케이스 본체(12) 내에 삽입되는 경우에는, 인접하는 자기 디스크(13)들 사이에서 2개의 액츄에이터 아암(17) 즉 2개의 부상 헤드 슬라이더(19)가 배치된다.

도 2는 자기 디스크(13)의 단면 구조를 상세히 도시한다. 이 자기 디스크(13)는 지지체로서의 기판(23)과, 이 기판(23)의 표리면으로 넓어지는 다층 구조막(24)을 구비한다. 기판(23)은, 예컨대, 디스크 형태의 Si 본체(25)와, Si 본체(25)의 표리면으로 넓어지는 비정질의 SiO₂막(26)으로 구성될 필요가 있다. 단, 기판(23)에는 유리 기판이나 알루미늄 기판이 이용되어도 좋다. 다층 구조막(24)에 자기 정보가 기록된다. 다층 구조막(24)의 표면은 예컨대 다이아몬드형 카본(DLC)막이라는 보호막(27)이나, 예컨대 퍼플루오로폴리에테르(PFPE)막이라는 윤활막(28)으로 피복된다.

도 3에 도시된 바와 같이, 다층 구조막(24)은 기판(23)의 표면에 펼쳐지는 보강층(31)을 구비한다. 보강층(31)은 예컨대 FeTaC막이나 NiFe막이라는 연자성체로 구성될 필요가 있다. 여기서는, 예컨대 막 두께 300 ㎚ 정도의 FeTaC막이 이용되면 좋다. 보강층(31)에서는, 기판(23)의 표면에 평행하게 규정되는 방향으로 자화 용이축이 확립된다.

보강층(31)의 표면에는 배향 제어층(32)이 넓어진다. 배향 제어층(32)은 소정 배향으로 정렬되는 결정립으로 구성된다. 배향 제어층(32)에는 예컨대 MgO막이라는 비자성체가 이용되면 좋다. 여기서는, 예컨대 막 두께 16.7 ㎚ 정도의 MgO막이 이용되면 좋다. Mg0막에서는 결정입자의 (100)면은 소정 방향으로 우선 배향된다.

다층 구조막(24)은 배향 제어층(32)의 표면을 따라 넓어지는 제1 다결정층 즉 제1 베이스 결정층(33)을 구비한다. 제1 베이스 결정층(33)은 서로 인접하는 결정립으로 구성된다. 제1 베이스 결정층(33)에는 예컨대 막 두께 0.3∼0.4 ㎚ 정도의 Ti막이 이용되면 좋다.

다층 구조막(24)은 제1 베이스 결정층(33)보다 큰 막 두께로 제1 베이스 결정층(33)의 표면에 펼쳐지는 제2 다결정층 즉 제2 베이스 결정층(34)을 구비한다. 제2 베이스 결정층(34)은 제1 베이스 결정층(33)의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성된다. 제1 베이스 결정층(33)과 제2 베이스 결정층(34) 사이에는 에피택셜 성장이 확립된다. 제2 베이스 결정층(34)에는 제1 베이스 결정층(33)과 적어도 부분적으로 동일한 원소가 함유될 필요가 있다. 여기서는, 제2 베이스 결정층(34)에는 예컨대 막 두께 2.0∼5.0 ㎚ 정도의 Ti막이 이용되면 좋다.

제2 베이스 결정층(34)의 표면에는 제1 다결정층 즉 제1 자성 결정층(35)이 넓어진다. 제1 자성 결정층(35)은 제2 베이스 결정층(34)의 표면을 따라 서로 인접하는 결정립으로 구성된다. 제1 자성 결정층(35)에는 예컨대 Co 및 Cr을 함유하는 합금이 이용되면 좋다. 여기서는, 제1 자성 결정층(35)에는 예컨대 막 두께 0.5∼1.7 ㎚ 정도의 CoCrPt막이 이용되면 좋다. 제1 자성 결정립(35)에서는 결정립의 (001)면은 소정 방향으로 우선 배향된다.

다층 구조막(24)은 제1 자성 결정층(35)보다 큰 막 두께로 제1 자성 결정층(35)의 표면에 펼쳐지는 제2 다결정층 즉 제2 자성 결정층(36)을 구비한다. 제2 자성 결정층(36)은 제1 자성 결정층(35)의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성된다. 제1 자성 결정층(35)과 제2 자성 결정층(36) 사이에는 에피택셜 성장이 확립된다. 제2 자성 결정층(36)에는 제1 자성 결정층(35)과 적어도 부분적으로 동일한 원소가 함유될 필요가 있다. 여기서는, 제2 자성 결정층(34)에는 예컨대 막 두께 5.8∼7.5 ㎚ 정도의 CoCrPt막이 이용되면 좋다. 제2 자성 결정층(36)에서는 결정입자의 (001)면은 소정 방향으로 우선 배향된다. 제2 자성 결정층(36)에서는, 기판(23)의 표면에 직교하는 수직 방향으로 자화 용이축이 정렬된다. 제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)에 자기 정보가 기록된다.

제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)에서는 미세하고 균일한 결정립이 확립된다. 자기 정보의 독출에 있어서 천이 노이즈가 충분히 저감될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)에는 충분한 막 두께가 확보될 수 있다. 제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)의 자화 용이축은 기판(31)의 표면에 직교하는 수직 방향으로 높은 정밀도로 정렬될 수 있다. 자기 정보의 독출에 있어서 높은 S/N비가 확보된다.

다음에 자기 디스크(13)의 제조 방법을 상세히 설명한다. 우선, 디스크 형태의 기판(23)이 준비된다. 기판(23)은 스퍼터링 장치에 장착된다. 스퍼터링 장치의 챔버 내에는 진공 환경이 확립된다. 챔버 내에서 기판(23)의 표면에는 다층 구조막(32)이 형성된다. 형성 방법의 상세한 내용은 후술된다. 그 후, 다층 구조막(24)의 표면에는 보호막(27)이 적층 형성된다. 적층 형성에 있어서 예컨대 CVD법(화학적 기상 증착법)이 이용된다. 보호막(27)의 표면에는 윤활막(28)이 도포된다. 도포에 있어서 기판(23)은 예컨대 퍼플루오로폴리에테르를 함유하는 용액에 침지하면 좋다.

스퍼터링 장치에서는 FeTaC 타겟이 준비된다. 도 4에 도시된 바와 같이, FeTaC 타겟으로부터 진공 환경 하에서 기판(23)의 표면에 Fe 원자나 Ta 원자, C 원자가 하강하여 주입된다. 소위 RF(고주파) 스퍼터링이 실시된다. 기판(23)의 표면에 Fe 원자나 Ta 원자, C 원자가 퇴적된다. Fe 원자나 Ta 원자, C 원자의 퇴적에 있어서 챔버 내에서는 실온이 유지된다. 이렇게 해서 기판(23)의 표면에는 막 두께300 ㎚ 정도의 보강층(31) 즉 FeTaC막(41)이 형성된다.

다음에, 스퍼터링 장치에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 진공 환경 하에서 FeTaC막(41)의 표면에 MgO가 하강하여 주입된다. 스퍼터링 장치 내에서는 기판(23)은 상온(소위 실온)으로 유지된다. 이렇게 해서 FeTaC막(41)의 표면에는 막 두께 16.7 ㎚ 정도로 배향 제어층(32) 즉 MgO막(42)이 적층 형성된다. MgO막(42)의 퇴적에 있어서 챔버 내에서는 실온이 유지되는 결과, MgO막(42)에서는 비자성 결정립의(100)면이 소정 방향으로 우선 배향된다.

그 후, 스퍼터링 장치에서는 Ti 타겟이 준비된다. 도 6에 도시된 바와 같이, Ti 타겟으로부터 진공 환경 하에서 MgO막(42)의 표면에 제1 원자군 즉 Ti 원자가 하강하여 주입된다. MgO막(42)의 표면에 Ti 원자가 퇴적된다. Ti 원자의 퇴적에 있어서 기판(23)의 온도는 200℃ 이하로 설정된다. 챔버 내에서는 예컨대 실온이 유지될 필요가 있다. 이러한 온도의 설정에 기초하면, 기판(23) 상에서 Ti 원자의 마이그레이션이 저지된다. MgO막(42)의 표면에는 막 두께 0.4 ㎚ 정도의 Ti막(43)이 형성된다. 이 때, Ti막(43)에서는 결정립은 충분히 확립되지 않는다.

이렇게 해서 MgO막(42)의 표면에 형성된 Ti막(43)에는 열처리가 실시된다. Ti막(43)은 진공 환경 하에서 350℃의 열에 노출된다. 열처리는 1분간에 걸쳐 지속된다. 기판(23)은 예컨대 적외선이라는 방사열에 노출될 필요가 있다. 이러한 가열에 기초하여 Ti막(43)에서는 결정화가 야기된다. MgO막(42)에 따르면, Ti막(43)에서는 결정의 배향은 충분히 정렬될 수 있다. Ti막(43)에서는 미세하면서 균일한 결정립이 형성된다. 이렇게 해서 MgO막(42)의 표면에는 제1 다결정층 즉 제1 베이스 결정층(33)이 형성된다.

그 후, Ti막(43)의 표면에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 진공 환경 하에서 제2 원자군 즉 Ti 원자가 하강하여 주입된다. 전술한 바와 같이, Ti막(43)의 표면에는 Ti 원자가 다시 퇴적된다. Ti 원자의 퇴적에 있어서 기판(23)의 온도는 전술한 바와 같이 200℃ 이하로 설정된다. 이렇게 해서 에피택셜 성장에 기초하여 Ti막(43)의 개개의 결정립으로부터 미세하면서 균일한 결정립이 형성된다. 이렇게 해서 Ti막(43)의 표면에는 막 두께 3.6 ㎚ 정도의 Ti막(44)이 형성된다. 그 후, Ti막(44)에는 전술과 같은 조건으로 열처리가 행해져도 좋다. 이렇게 해서 제1 베이스 결정층(33)보다 큰 막 두께를 갖는 제2 다결정층 즉 제2 베이스 결정층(34)이 형성된다.

그 후, 스퍼터링 장치에서는 CoCrPt 타겟이 준비된다. 도 8에 도시된 바와 같이, CoCrPt 타겟으로부터 진공 환경 하에서 Ti막(44)의 표면에 제3 원자군 즉 Co 원자나 Cr 원자, Pt 원자가 하강하여 주입된다. Ti막(44)의 표면에 Co 원자나 Cr 원자, Pt 원자가 퇴적된다. Co 원자나 Cr 원자, Pt 원자의 퇴적에 있어서 기판(23)의 온도는 전술한 바와 같이 200℃ 이하로 설정된다. 에피택셜 성장에 기초하여 Ti막(44)의 개개의 결정립으로부터 미세하면서 균일한 결정립이 형성된다. Ti막(44)의 표면에는 막 두께 1.7 ㎚ 정도의 CoCrPt막(45)이 형성된다.

이렇게 해서 Ti막(44)의 표면에 형성된 CoCrPt막(45)에 열처리가 행해진다. CoCrPt막(45)은 진공 환경 하에서 350℃의 열에 노출된다. 열처리는 1분간에 걸쳐 지속된다. 기판(23)은 예컨대 적외선이라는 방사열에 노출될 필요가 있다. 이러한 가열에 기초하여 CoCrPt막(45)의 결정립에서는 결정화가 더욱 야기된다. CoCrPt막(45)에서는 미세하면서 균일한 결정립이 형성된다. 이렇게 해서 Ti막(44)의 표면에는 제3 다결정층 즉 제1 자성 결정층(35)이 형성된다.

그 후, CoCrPt막(45)의 표면에는, 도 9에 도시된 바와 같이, 진공 환경 하에서 제4 원자군 즉 Co 원자나 Cr 원자, Pt 원자가 하강하여 주입된다. 전술한 바와 같이, CoCrPt막(45)의 표면에는 Co 원자나 Cr 원자, Pt 원자가 다시 퇴적된다. Co 원자나 Cr 원자, Pt 원자의 퇴적에 있어서 전술한 바와 같이 기판(23)의 온도는 200℃ 이하로 설정된다. 에피택셜 성장에 기초하여 CoCrPt막(45)의 개개의 결정립으로부터 미세하면서 균일한 결정립이 형성된다. 이렇게 해서 CoCrPt막(45)의 표면에는 막 두께 5.8 ㎚ 정도의 CoCrPt막(46)이 형성된다. 그 후, CoCrPt막(46)에는 전술한 바와 같은 조건으로 열처리가 행해져도 좋다. 이렇게 해서 제1 자성 결정층(35)보다 큰 막 두께를 갖는 제4 다결정층 즉 제2 자성 결정층(36)이 형성된다.

또, 전술한 스퍼터링 실시에 있어서, 챔버 내에서는, 제1 원자군의 퇴적에서 제4 원자군의 퇴적까지, 즉, Ti막(43)의 형성에서부터 CoCrPt막(46)의 형성까지 진공 상태가 유지된다. 단, 전술한 바와 같은 미세한 결정립으로 구성되는 베이스 결정층(33, 34)의 형성에 있어서 적어도 Ti막(43)의 형성에서부터 Ti막(44)의 형성까지 진공 상태가 유지될 필요가 있다. 마찬가지로, 전술한 바와 같은 미세한 결정립으로 구성되는 자성 결정층(35, 36)의 형성에 있어서 적어도 CoCrPt막(45)의 형성에서부터 CoCrPt막(46)의 형성까지 진공 상태가 유지될 필요가 있다.

이상과 같은 자기 디스크(13)의 제조 방법에 따르면, 최초의 Ti막(43)의 퇴적에 있어서 Ti 원자의 마이그레이션은 확실하게 저지된다. Ti막(43)의 막 두께는 베이스층 전체의 막 두께에 비하여 현저하게 작게 설정되기 때문에, Ti막(43)의 결정화에 있어서 개개의 결정립의 미세화 및 균일화가 달성된다. 그 후, 다시 마이그레이션이 억제되면서 충분한 막 두께까지 Ti 원자의 퇴적이 실시되기 때문에, Ti막(44)에는 미세하고 균일한 결정립이 확보될 수 있다. 결정립의 비대화는 확실하게 막을 수 있다.

마찬가지로, 최초의 CoCrPt막(45)의 퇴적에 있어서 Co 원자나 Cr 원자, Pt 원자의 마이그레이션은 확실하게 저지된다. CoCrPt막(45)의 막 두께는 자성층 전체의 막 두께에 비하여 현저하게 작게 설정되기 때문에, CoCrPt막(45)의 결정화에 있어서 개개의 결정립의 미세화 및 균일화가 달성된다. 그 후, 다시 마이그레이션이 억제되면서 충분한 막 두께까지 Co 원자, Cr 원자 및 Pt 원자의 퇴적이 행해지기 때문에, CoCrPt막(46)에는 미세하고 균일한 결정립이 확보될 수 있다. 결정립의 비대화는 확실하게 막을 수 있다. 또한, Ti막(43, 44)의 작용으로 CoCrPt막(45, 46)의 결정 배향은 확실하게 정렬된다.

본 발명자는 제1 및 제2 베이스 결정층(33, 34)의 기능을 검증하였다. 검증에 있어서, 본 발명자는 전술한 제조 방법에 기초하여 기판(31)의 표면에 차례로 막 두께 0.4 ㎚의 Ti막(43) 및 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막(44)을 적층 형성하였다. Ti막(44)의 표면에는 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 이렇게 해서 제1 실시예가 준비되었다. X선 회절에 기초하여 CoCrPt막의 결정 배향이 관찰되었다.

이 때, 본 발명자는 제1 내지 제3 비교예를 준비하였다. 제1 비교예에서는, 기판(31)의 표면에 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막 및 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 스퍼터링에 의해 차례로 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 제2 비교예에서는, 마찬가지로, 기판(31)의 표면에 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막 및 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 스퍼터링에 의해 차례로 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 또한, CoCrPt막의 퇴적에 앞서 Ti막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 제3 비교예에서는, 마찬가지로, 기판(31)의 표면에 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막 및 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 스퍼터링에 의해 차례로 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 또한, Ti막의 퇴적 직전에 기판(31)에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 제1 내지 제3 비교예에서 X선 회절에 기초하여 CoCrPt막의 결정 배향이 관찰되었다.

도 10에 도시된 바와 같이, 제1 실시예에서는, 어느 쪽 비교예에 비해서도 충분한 비율로 결정의 (002)면이 소정 방향으로 정렬되는 것이 확인되었다. 또한, 제1 실시예에서는 213.3[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 4.3[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 이것에 대하여, 제1 비교예에서는 102.7[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 4.6[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 제2 비교예에서는 102.7[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 5.0[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 제3 비교예에서는 173.8[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 5.2[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 제1 실시예에서는 어느 쪽의 비교예에 비해서도 큰 보자력(Hc)이 확보되었다.

다음에 본 발명자는 전술한 제조 방법에 기초하여 제2 실시예를 준비하였다. 이 제2 실시예에서는, 기판(31)의 표면에 차례로 막 두께 16.7 ㎚의 MgO막(42), 아주 얇은 Ti막(43) 및 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막(44)을 형성하였다. Ti막(44)의 표면에는 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 본 발명자는 Ti막(43)의 막 두께에 따라 복수의 제2 실시예를 준비하였다. 개개의 제2 실시예마다 CoCrPt막의 보자력(Hc) 및 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 도 11로부터 밝혀진 바와 같이, 어느 쪽의 경우라도 Ti막(43)의 형성에 기초하여 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)을 높일 수 있는 것이 확인되었다. Ti막(43)의 막 두께가 0.3 ㎚∼0.36 ㎚의 범위로 설정되면, 양호한 보자력(Hc) 및 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 관찰되었다.

다음에 본 발명자는 전술한 제조 방법에 기초하여 제3 실시예를 준비하였다. 이 제3 실시예에서는, 기판(31)의 표면에 차례로 막 두께 16.7 ㎚의 MgO막(42), 막 두께 0.36 ㎚의 Ti막(43) 및 소정의 막 두께의 Ti막(44)이 형성되었다. Ti막(44)의 표면에는 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 본 발명자는 Ti막(44)의 막 두께에 따라 복수의 제3 실시예를 준비하였다. 개개의 제3 실시예마다 CoCrPt막의 보자력(Hc) 및 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 도 12로부터 밝혀진 바와 같이, Ti막(44)의 막 두께가 3.0 ㎚∼4.0 ㎚의 범위로 설정되면, 양호한 보자력(Hc) 및 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 관찰되었다.

본 발명자는 제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)의 자기 특성을 더 검증하였다. 검증에 있어서, 본 발명자는 기판(31)의 표면에 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막을 적층 형성하였다. Ti막(44)의 표면에는 전술한 제조 방법에 기초하여 차례로 막 두께 1.7 ㎚의 CoCrPt막(45) 및 막 두께 5.8 ㎚의 CoCrPt막(46)이 형성되었다. 이렇게 해서 제4 실시예가 준비되었다. X선 회절에 기초하여 CoCrPt막(45, 46)의 결정 배향이 관찰되었다. 이 때, 본 발명자는 제4 비교예를 준비하였다. 제4 비교예에서는, 기판(31)의 표면에 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막 및 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 스퍼터링에 의해 차례로 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 제4 비교예에서 X선 회절에 기초하여 CoCrPt막의 결정 배향이 관찰되었다.

도 13에 도시된 바와 같이, 제4 실시예에서는 제4 비교예에 비하여 충분한 비율로 결정의 (002)면이 소정의 방향으로 정렬되는 것이 확인되었다. (001)면의 출현이 억제되었다. 또한, 제4 실시예에서는 181.7[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 2.6[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 이것에 대하여, 제4 비교예에서는 102.7[kA/m] 정도의 보자력 Hc 및 4.7[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 제4 실시예에서는 제4 비교예에 비하여 큰 보자력(Hc)이 확보되었다.

다음에 본 발명자는 전술한 제조 방법에 기초하여 제5 실시예를 준비하였다. 이 제5 실시예에서는, 전술한 제조 방법에 기초하여 기판(31)의 표면에 차례로 막 두께 16.7 ㎚의 MgO막(42), 막 두께 0.53 ㎚의 Ti막(43) 및 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막(44), 소정 막 두께의 CoCrPt막(45) 및 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막(46)이 형성되었다. CoCrPt막(46)에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 본 발명자는 CoCrPt막(45)의 막 두께에 따라 복수의 제5 실시예를 준비하였다. 개개의 제5 실시예마다 CoCrPt막(45, 46)의 보자력(Hc) 및 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 도 14로부터 밝혀진 바와 같이, CoCrPt막(45)의 막 두께가 0.5 ㎚∼1.7 ㎚의 범위로 설정되면, 양호한 보자력(Hc) 및 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 관찰되었다.

본 발명자는 배향 제어층(32) 즉 MgO막(42)의 유용성을 더 검증하였다. 검증에 있어서, 본 발명자는 전술한 제조 방법에 기초하여 기판(31)의 표면에 막 두께 11.1 ㎚의 MgO막(42)을 형성하였다. MgO막(42)의 표면에는 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막이 적층 형성되었다. Ti막의 표면에는 전술한 제조 방법에 기초하여 차례로 막 두께 1.7 ㎚의 CoCrPt막(45) 및 막 두께 5.8 ㎚의 CoCrPt막(46)이 형성되었다. CoCrPt막(46)에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 이렇게 해서 제6 실시예가 준비되었다. X선 회절에 기초하여 CoCrPt막(45, 46)의 결정 배향이 관찰되었다. 이 때, 본 발명자는 제5 비교예를 준비하였다. 제5 비교예에서는, 기판(31)의 표면에 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막이 적층 형성되었다. MgO막(42)의 형성은 생략되었다. Ti막의 표면에는 전술한 제조 방법에 기초하여 차례로 막 두께 1.7 ㎚의 CoCrPt막(45) 및 막 두께 5.8 ㎚의 CoCrPt막(46)이 형성되었다. CoCrPt막(46)에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 제5 비교예에서 X선 회절에 기초하여 CoCrPt막(46)의 결정 배향이 관찰되었다. 도 15에 도시된 바와 같이, 제6 실시예에서는 제5 비교예에 비하여 충분한 비율로 결정의 (002)면이 소정 방향으로 정렬되는 것이 확인되었다. (001)면의 출현이 억제되었다. MgO막(42)의 유용성이 실증되었다. 또한, 제6 실시예에서는 181.7[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 3.3[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 이것에 대하여, 제5 비교예에서는 181.7[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 2.6[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 제6 실시예에서는, 제5 비교예와 동일한 보자력(Hc)을 확보하면서 제5 비교예에 비하여 큰 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 확보되었다.

본 발명자는 전술한 제조 방법에 기초하여 제7 실시예를 작성하였다. 이 제7 실시예에서는, 전술한 제조 방법에 기초하여 기판(31)의 표면에 차례로 막 두께16.7 ㎚의 MgO막(42), 막 두께 0.36 ㎚의 Ti막(43), 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막(44), 막 두께 0.59 ㎚의 CoCrPt막(43) 및 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막(44)이 형성되었다. CoCrPt막(44)에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. X선 회절에 기초하여 CoCrPt막(43, 44)의 결정 배향이 관찰되었다.

본 발명자는 마찬가지로 제6 내지 제8 비교예를 준비하였다. 제6 비교예에서는, 기판(31)의 표면에 막 두께 16.7 ㎚의 MgO막(42), 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막 및 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 스퍼터링에 의해 차례로 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 제7 비교예에서는, 전술한 제조 방법에 기초하여 기판(31)의 표면에 막 두께 16.7 ㎚의 MgO막(42), 막 두께 0.36 ㎚의 Ti막(43) 및 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막(44)이 적층 형성되었다. Ti막(44)의 표면에는 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막이 형성되었다. CoCrPt막에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 제8 비교예에서는, 기판(31)의 표면에 막 두께 16.7 ㎚의 MgO막(42) 및 막 두께 3.6 ㎚의 Ti막이 스퍼터링에 의해 차례로 적층 형성되었다. Ti막의 표면에는 전술한 제조 방법에 기초하여 막 두께 0.59 ㎚의 CoCrPt막(43) 및 막 두께 7.5 ㎚의 CoCrPt막(44)이 형성되었다. CoCrPt막(44)에는 350℃에서 1분간의 열처리가 행해졌다. 제6 내지 제8 비교예에서 X선 회절에 기초하여 CoCrPt막의 결정 배향이 관찰되었다.

도 16에 도시된 바와 같이, 제7 실시예에서는, 어느 쪽의 비교예에 비해서도 충분한 비율로 결정의 (002)면이 소정 방향으로 정렬되는 것이 확인되었다. 또한, 제7 실시예에서는 237.0[kA/m] 정도의 보자력 Hc 및 4.6[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 이것에 대하여, 제6 비교예에서는 213.3[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 3.4[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 제7 비교예에서는 205.4[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 3.8[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 제8 비교예에서는 211.7[kA/m] 정도의 보자력(Hc) 및 3.6[㎛·mT] 정도의 잔류 자화막 두께의 곱(tBr)이 측정되었다. 제7 실시예에서는 어느 쪽의 비교예에 비해서도 큰 보자력(Hc)이 확보되었다.

또, 전술한 바와 같은 제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)에서는 기판(31)의 표면에 평행하게 자화 용이축이 정렬되어도 좋다. 이러한 자기 이방성의 확립에 있어서, 전술한 바와 같이, 제1 자성 결정층(35)은 제1 및 제2 베이스 결정층(33, 34) 상에 형성되어도 좋다. 이와 같은 경우에는, 제1 및 제2 자성 결정층(35, 36)이나 제1 및 제2 베이스 결정층(33, 34)의 형성에 있어서 전술한 제조 방법이 이용되면 좋다.

전술한 자기 디스크(13)에서는, 배향 제어층(32) 즉 MgO막(42) 대신에 SiO₂막이라는 분리층이 보강층(31){FeTaC막(41)} 및 제1 베이스 결정층(33){Ti막(43)} 사이에 형성되어도 좋다. 이와 같은 분리층은 제1 베이스 결정층(33)에 대하여 보강층(31)의 영향을 차단할 수 있다. 그 결과, 제1 베이스 결정층(33)에서는 보강층(31)의 영향을 받지 않고서 확실하게 결정 배향이 정렬될 수 있다. 기타, 전술한 자기 디스크(13)에서는 제1 및 제2 베이스 결정층(33, 34)에 Ru가 이용되어도 좋다.

Claims (23)

1. 대상물의 표면에 제1 원자군을 퇴적시키는 공정과, 퇴적된 제1 원자군에 열을 가하여 제1 다결정층을 형성하는 공정과, 제1 다결정층의 표면에 제2 원자군을 퇴적시켜, 제1 다결정층보다 큰 막 두께를 갖는 제2 다결정층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1 원자군은 상기 제2 원자군을 구성하는 원소와 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 원자군은 Ti로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
4. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 원자군은 Co 및 Cr을 함유하는 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 원자군의 퇴적에서부터 제2 원자군의 퇴적까지 진공 상태가 유지되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
6. 제1항에 있어서, 제2 다결정층의 표면에 제3 원자군을 퇴적시키는 공정과, 퇴적된 제3 원자군에 열을 가하여 제3 다결정층을 형성하는 공정과, 제3 다결정층의 표면에 제4 원자군을 퇴적시켜, 제3 다결정층보다 큰 막 두께를 갖는 제4 다결정층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 원자군은 Ti로 구성되고, 상기 제3 및 제4 원자군은 Co 및 Cr을 함유하는 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 제1 원자군의 퇴적에 앞서 대상물의 표면에 소정의 배향으로 정렬되는 결정립으로 구성되는 배향 제어층이 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 배향 제어층은 MgO로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
10. 제9항에 있어서, 제1 원자군의 퇴적에서부터 제4 원자군의 퇴적까지 진공 상태가 유지되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막의 제조 방법.
11. 서로 인접하는 결정립으로 구성되는 제1 다결정층과, 제1 다결정층과 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하고, 제1 다결정층보다 큰 막 두께로 제1 다결정층의 표면에 펼쳐지는 제2 다결정층을 구비하며, 제2 다결정층은 제1 다결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막.
12. 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 다결정층은 Ti로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막.
13. 제11항에 있어서, 상기 제1 및 제2 다결정층은 Co 및 Cr을 함유하는 합금으로 구성되는 것을 특징으로 하는 다층 구조막.
14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 표면에서 상기 제1 다결정층을 수용하고, 소정 배향으로 정렬되는 결정립으로 구성되는 배향 제어층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 다층 구조막.
15. 서로 인접하는 결정립으로 구성되는 비자성의 제1 베이스 결정층과, 제1 베이스 결정층과 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하고, 제1 베이스 결정층보다 큰 막 두께로 제1 베이스 결정층의 표면에 펼쳐지는 비자성의 제2 베이스 결정층과, 제2 베이스 결정층의 표면에 펼쳐지는 자성층을 구비하며, 제2 베이스 결정층은 제1 베이스 결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
16. 제15항에 있어서, 상기 자성층은 표면에 직교하는 수직 방향으로 자화 용이축을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
17. 제16항에 있어서, 표면에서 상기 제1 베이스 결정층을 수용하는 비자성층과, 표면에서 비자성층을 수용하고, 표면에 평행하게 규정되는 방향으로 자화 용이축을 갖는 보강층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
18. 제15항에 있어서, 상기 자성층은 제2 베이스 결정층의 표면을 따라 서로 인접하는 결정립으로 구성되는 제1 자성 결정층과, 제1 자성 결정층과 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하고, 제1 자성 결정층보다 큰 막 두께로 제1 자성 결정층의 표면에 펼쳐지는 제2 자성 결정층을 구비하며, 제2 자성 결정층은 제1 자성 결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
19. 제18항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자성 결정층은 표면에 직교하는 수직 방향으로 자화 용이축을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
20. 제19항에 있어서, 표면에서 상기 제1 베이스 결정층을 수용하는 비자성층과, 표면에서 비자성층을 수용하고, 표면에 평행하게 규정되는 방향으로 자화 용이축을 갖는 보강층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
21. 비자성의 베이스 결정층과, 베이스 결정층의 표면을 따라 서로 인접하는 결정립으로 구성되는 제1 자성 결정층과, 제1 자성 결정층과 적어도 부분적으로 동일한 원소를 함유하고, 제1 자성 결정층보다 큰 막 두께로 제1 자성 결정층의 표면에 펼쳐지는 제2 자성 결정층을 구비하며, 제2 자성 결정층은 제1 자성 결정층의 개개의 결정립으로부터 성장하는 결정립으로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
22. 제21항에 있어서, 상기 제1 및 제2 자성 결정층은 표면에 직교하는 수직 방향으로 자화 용이축을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
23. 제22항에 있어서, 표면에서 상기 베이스 결정층을 수용하는 비자성층과, 표면에서 비자성층을 수용하고, 표면에 평행하게 규정되는 방향으로 자화 용이축을 갖는 보강층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.