KR20050040716A

KR20050040716A - 콘택트의 제조방법, 그 방법에 의해 제조된 콘택트 및 그콘택트를 구비하는 검사장치 또는 전자기기

Info

Publication number: KR20050040716A
Application number: KR1020040083942A
Authority: KR
Inventors: 하가츠요시; 미우라코우스케; 요리타준
Original assignee: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Priority date: 2003-10-27
Filing date: 2004-10-20
Publication date: 2005-05-03
Also published as: US20050088192A1; JP2005156522A; CN1611949A; TW200521441A

Abstract

본 발명은, 나선형 스프링구조를 가지는 기둥형상의 콘택트이며, 전자기기 또는 검사장치의 볼록형상 전극에 바짝 댐으로써, 볼록형상 전극의 형상에 따라서 변형하고, 볼록형상 전극과 전기적으로 도통하는 콘택트의 제조방법으로서, 금형에 의해 수지주형을 형성하는 공정과, 수지주형에 금속재료로 이루어지는 층을 전기주조에 의해 형성하는 공정을 포함하는 콘택트의 제조방법이다. 이 방법에 의해, 대전류를 도통시킬 수 있는 신뢰성이 높은 검사용 또는 접속용 콘택트를 저비용으로 제공하는 것을 특징으로 한 것이다.

Description

콘택트의 제조방법, 그 방법에 의해 제조된 콘택트 및 그 콘택트를 구비하는 검사장치 또는 전자기기{METHOD OF MANUFACTURING CONTACT, CONTACT MADE BY THE METHOD, AND INSPECTION EQUIPMENT OR ELECTRONIC EQUIPMENT HAVING THE CONTACT}

본 발명은, IC 또는 LSI 등으로 이루어지는 전자기기의 전극에 바짝 대어서, 전극으로부터 전기신호를 끄집어내기 위해서 사용하는 콘택트에 관한 것이다. 또, 이러한 콘택트를 구비하는 검사장치 및 전자기기에 관한 것이다.

IC 또는 LSI 등으로 이루어지는 전자기기의 전기적 도통 등을 검사하기 위해서, 전자기기의 전극에 콘택트를 바짝 대고, 전극으로부터 콘택트를 통해서 전기적 신호를 끄집어낼 목적으로, 검사용 소켓이 사용된다. 또, 전자기기의 랜드전극에 콘택트를 접속하고, 콘택트를 통해서 전자기기와의 전기적 도통을 유지할 목적으로 커넥터가 사용된다. 검사용 소켓 및 커넥터에는, 접속하는 전자기기의 전극의 수에 대응한 수의 콘택트가 설치되지만, 전자기기에 있어서의 전극의 고밀도화에 대응하여, 검사용 소켓 및 커넥터에 설치되는 콘택트도 고밀도화가 요구되고 있다.

이러한 콘택트에는, 예를 들면, BGA(ball grid array)용의 콘택트로서, 볼형상 전극에 접촉하기 전은 평면형상의 나선(소용돌이)형상을 나타내고, 볼형상 전극과의 접촉에 의해, 볼형상 전극의 형상에 대응하여 나선이 변형하는 콘택트가 알려져 있다(특개2002-175859호 공보 참조). 이 콘택트에 의하면, 전극의 고밀도화에 대응할 수 있고, 볼형상 전극을 변형시키는 일없이 도통을 확보하는 것이 가능하여, 신뢰성이 높다고 서술하고 있다.

나선형상 콘택트를 이용하는 경우, 볼형상 전극의 선단부분에는, 나선의 휨의 양이 적어서, 선단부분으로부터 간격이 벌어짐에 따라서 휨의 양이 커진다. 이 때문에, 나선형 콘택트의 가장 휨의 양이 큰 근원부근의 굴곡응력이 가장 커져서, 볼형상 전극의 고밀도화에 수반하여, 신뢰성이 저하한다. 이러한 문제를 해소하기 위해서, 전자기기측의 전극형상을 원뿔, 삼각뿔, 사각뿔 등의 뿔꼴로 하는 방법이 알려져 있다(특개2003-78078호 공보 참조).

또, 고속신호의 처리회로에 있어서의 전압의 저하를 억제하고, 전자기기의 소형화 및 전극의 고밀도화에 수반하는 신뢰성의 저하를 방지하는 방법으로서, 나선형 콘택트의 근방에 콘덴서를 매설하여, 나선형 콘택트와 콘덴서를 접속하는 방법이 알려져 있다(특개2003-149293호 공보 참조). 또한, 이러한 나선형 콘택트를 절연기판의 양면에 설치함으로써, 고밀도실장이 가능하여, 고주파 전기특성이 개선된다고 서술하고 있다.

이들의 나선형 콘택트는, 파장 200㎚정도의 자외선(UV)을 이용하는 리소그래피법에 도금법을 조합한 방법, 레이저가공, 에칭 또는 펀칭법 등에 의해 제조된다. 그러나, UV를 이용하는 리소그래피법, 레이저가공, 에칭 또는 펀칭 등의 방법에서는, 두께 20㎛정도이하의 나선형 콘택트밖에 얻어지지 않기 때문에, 애스펙트비가 작다. 따라서, 접속신뢰성이 높은 콘택트를 얻기 위해서, 스트로크(나선형의 휨의 양)를 크게 하려고 하면, 스프링이 가늘어지기 때문에, 0.5A이상의 대전류를 도통시킬 수 없다.

또, 애스펙트비가 작기 때문에, 나선형의 소용돌이수가 적게 되어, 스트로크를 크게 하려고 하면 접촉하중이 작아지고, 접촉하중을 크게 하려고 하면 스트로크가 작아진다. 따라서, 접속신뢰성이 낮은 나선형 콘택트밖에 얻어지지 않는다. 또한, 나선형 콘택트, 비어(VIA)부착 중계기판 등, 부품점수가 많아서, 부품비용이 증가하고, 조립에 얼라인먼트를 필요로 하여, 조립비용도 증가하기 때문에, 콘택트의 비용이 증가된다.

본 발명은, 상기의 문제점을 감아해서 이루어진 것이며, 대전류를 도통시킬 수 있는 신뢰성이 높은, 검사용 또는 접속용 콘택트를 저비용으로 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 콘택트의 제조방법은, 나선형 스프링구조를 가지는 기둥형상의 콘택트이며, 전자기기 또는 검사장치의 볼록형상 전극에 바짝 댐으로써, 볼록형상 전극의 형상에 따라서 변형하여, 볼록형상 전극과 전기적으로 도통하는 콘택트의 제조방법으로서, 금형에 의해 수지주형을 형성하는 공정과, 수지주형에 금속재료로 이루어지는 층을 전기주조에 의해 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 콘택트의 제조방법의 다른 양태는, X선 리소그래피에 의해 수지주형을 형성하는 공정과, 수지주형에 금속재료로 이루어지는 층을 전기주조에 의해 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

이러한 제조방법에서는, 금속재료로 이루어지는 층의 두께가, 외주부분에서 중심부분으로 가까워짐에 따라서 얇아지도록, 금속재료로 이루어지는 층의 한 쪽 면 또는 양면을 절삭하는 공정을 구비하는 양태로 해도 된다. 절삭공정은, 방전가공에 의해 실시해도 된다. 또, 절삭가공 후의 금속재료로 이루어지는 층의 한 쪽 면 또는 양면이, 구면 또는 회전포물면에 접하도록 절삭하는 양태로 해도 된다.

본 발명의 콘택트는, 이러한 방법에 의해 제조되고, 니켈(Ni) 또는 Ni합금으로 이루어지는 것으로 해도 된다. 또, 본 발명의 접속도체는, 콘택트를 양끝에 구비하고, 양끝의 콘택트의 사이에, 콘택트의 스프링이 스트로크하는 공간을 가져도 된다. 예를 들면, 양끝의 콘택트의 사이에 링을 가지는 접속도체, 또는 외주부분에서 중심부분으로 가까워짐에 따라서 얇아지도록 절삭한 2개의 콘택트로 이루어지는 접속도체로 해도 된다.

접속도체는, 콘택트와 콘택트, 또는, 콘택트와 링이, 접합되는 일없이 접속되는 양태로 해도 되고, 이들을 접합해도 된다. 접합할 때는, 초음파접합, 저항접합 또는 전자파접합을 해도 되고, 접합되는 요소와 공정(共晶)을 만들기 쉬운 재료로 이루어지는 층을 접합면에 형성한 후, 접합하는 양태로 해도 된다. 또, 전자기기 혹은 검사장치의 볼록형상 전극과의 접촉저항이 낮은 재료로 이루어지는 층을 콘택트 위에 형성하고, 콘택트와 공정을 만들기 쉬운 재료로 이루어지는 층을 링 위에 형성한 후, 접합하는 양태로 해도 된다.

본 발명의 검사장치는, 이러한 접속도체를 기판의 절연성 관통구멍 내에 구비하는 소켓을 가지고, 랜드그리드어레이 배치의 반도체의 검사에 사용해도 된다. 한편, 본 발명의 전자기기는, 이러한 접속도체를 기판의 절연성 관통구멍 내에 구비하는 커넥터를 가지고, 랜드전극에 접속해도 된다.

본 발명에 의하면, 대전류를 도통시킬 수 있는 신뢰성이 높은, 검사용 또는 접속용 콘택트를 저비용으로 제공할 수 있다.

이하, 첨부도면을 참조하면서 본 발명에 의한 콘택트의 실시의 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 도면의 설명에서 동일한 요소에는, 동일한 부호를 붙여서, 중복하는 설명을 생략한다.

(콘택트)

본 발명의 콘택트의 전형적인 예를 도 1에 표시한다. 도 1에 표시하는 바와 같이, 본 발명의 콘택트는, 나선형 스프링구조를 가지는 기둥형상체이며, 반도체의 검사용 소켓 또는 실장용 커넥터 등의 부품으로서 사용한다. 검사용 소켓의 부품으로서 사용하는 경우의 예를 도 2에 표시한다. 도 2(a)에 표시하는 예에서는, 검사용 소켓은, 반도체(LSI)(25)의 전기적 도통 등의 검사를 하기 위해서, LSI(25)와, 측정장치의 변압기(28)의 사이에 끼워서 사용한다.

검사용 소켓은, 기판의 절연성 관통구멍 내에 접속도체를 가진다. 접속도체는, 검사장치의 볼록형상 전극에 접속하여, 전기적인 도통을 얻기 위해서 사용되고, 접속도체 상호간의 전기적 절연성을 확보하기 위해서, 접속도체는, 기판의 절연성 관통구멍 내에 형성한다. 접속도체는, 본 발명의 콘택트를 양끝에 구비하고, 양끝의 콘택트의 사이에, 콘택트의 스프링이 스트로크하는 공간을 가진다. 예를 들면, 도 2(a)에 표시하는 바와 같이, 전기적으로 절연성의 기판(22) 내에, 2개의 콘택트(21a, 21c)와, 링(21b)을 가지고, 링(21b)은 2개의 콘택트(21a, 21c)의 사이에 삽입된다. 2개의 콘택트(21a, 21c)와, 링(21b)이, 본 예에서는, 접속도체를 구성한다. 검사장치의 변압기(28) 상에 있는 볼록형상 전극(27)을, 검사용 소켓의 콘택트(21c)에 바짝 대면, 콘택트(21c)는, 볼록형상 전극(27)의 형상에 따라서 변형한다.

콘택트(21c)가 변형한 상태의 확대도가, 도 2(b)이다. 도 2(b)에 표시하는 바와 같이, 볼록형상 전극(27)을 콘택트(21c)에 바짝 댐으로써, 볼록형상 전극(27)의 형상에 따라서, 콘택트(21c)는 변형한다. 콘택트는, 나선형 스프링구조를 가지기 때문에, 콘택트(21c)와 볼록형상 전극(27)과의 사이에서는 일정한 접촉하중이 생기고 있다. 링(21b)에 의해, 인접하는 콘택트(21a, 21c)가 스트로크할 수 있는 공간이 확보되어서, 콘택트끼리의 접촉이 방지된다. 또, 링(21b)을 이용함으로써, 고가인 스루홀(through hall)전극기판을 이용할 필요가 없어져서, 대폭적인 비용절감을 도모할 수 있다. 기판(22)의 상하에는, 상부덮개시트(24)와 하부덮개시트(23)가 형성되고, 콘택트(21a, 21c)와, 링(21b)이 기판(22)으로부터 탈락하지 않도록 하기 위해서, 각 시트에 형성되는 구멍은, 콘택트의 바깥지름보다도 작게 하고 있다.

LSI(25) 상의 볼록형상 전극(26)을, 콘택트(21a)에 바짝 댔을 때도 마찬가지로, 콘택트(21a)는, 볼록형상 전극(26)의 형상에 따라서 변형한다. 이것에 의해, LSI(25)로부터의 전기신호는, 볼록형상 전극(26)에서, 절연성기판(22) 내를, 순차적으로, 콘택트(21a), 링(21b), 콘택트(21c), 볼록형상 전극(27), 검사장치의 변압기(28)로 전달하여, LSI(25)와 변압기(28)와의 사이에서 전기적인 도통이 얻어진다.

본 발명의 콘택트를 이용하면, LSI의 전극과 검사장치의 전극을 직접 연결할 수 있어서, 접속거리가 짧기 때문에, 고주파전류 및 대전류를 용이하게 도통시킬 수 있고, 전극의 고밀도화에 대응하기 쉬운 점에서도 유리하다. 따라서, 본 발명의 콘택트는, 랜드그리드어레이 배치의 반도체 등을 대상으로 하는 검사장치용 소켓의 콘택트로서 유용하다. 마찬가지로, 본 발명의 콘택트는, 휴대전화 등의 통신기기 또는 퍼스널 컴퓨터 등의 전자기기의 랜드전극에 접속하는 커넥터의 콘택트로서 유용하다.

본 발명의 콘택트를 긴쪽방향으로 절단했을 때의 단면도를 도 7에 표시한다. 도 7(a)에는, 콘택트의 나선형 스프링의 두께가 균일한 예를 표시한다. 한편, 도 7(b)~도 7(d)에는, 콘택트의 나선형 스프링의 두께가, 외주부분에서 중심부분으로 가까워짐에 따라서 얇아지는 예를 표시한다. 나선형 스프링은, 중심으로 갈수록 곡률반지름이 작아지기 때문에, 나선형 스프링의 두께 및 폭이 동일할 때는, 중심부분일수록 강성이 커진다. 그러나, 콘택트의 나선형 스프링의 두께를 중심부분일수록 얇게 함으로써, 어느 위치에서나 강성을 균일하게 할 수 있어서, 볼록형상 전극의 형상에 따라서 스프링 전체를 효율적으로 동작시킬 수 있게 된다. 나선형 스프링의 폭을, 중심부분일수록 짧게 함으로써도, 강성을 균일하게 할 수 있지만, 그와 같은 나선형 스프링은, 외주부분이 굵어져 버려, 감은 수가 적게 되어서, 스트로크가 작아진다고 하는 결점이 생긴다. 따라서, 중심부분일수록 두께를 얇게 하는 본 발명의 양태가 보다 바람직하다.

콘택트의 나선형 스프링의 두께가, 외주부분에서 중심부분으로 가까워짐에 따라서 얇아지는 콘택트를 사용하는 검사용 소켓의 예를 도 8에 표시한다. 도 8(a)에 표시하는 바와 같이, 이 검사용 소켓은, 전기절연성기판(82) 내에, 2개의 콘택트(81a, 81c)를 구비하고, 기판(82)의 상하에, 상부덮개시트(84)와 하부덮개시트(83)를 형성하고 있지만, 도 2의 예와 달리, 2개의 콘택트(81a, 81c)의 사이에 링이 형성되어 있지 않다. 접속도체로서, 나선형 스프링의 두께가 외주부분에서 중심부분으로 가까워짐에 따라서 얇아지는 콘택트를 2개 사용함으로써, 도 8(b)에 표시하는 바와 같이, 검사장치의 변압기(88) 상의 볼록형상 전극(87)과 반도체(LSI)(85) 상의 볼록형상 전극(86)에 끼울 때, 인접하는 콘택트가 스트로크하기 위한 공간을 확보할 수 있다. 따라서, 인접하는 콘택트가 스트로크하기 위해서 링을 형성할 필요가 없어져서, 부품점수가 적고, 조립도 용이해지는 점에서 바람직하다. 또, 링을 제외함으로써, 더욱 더 접속거리를 단축할 수 있어서 고주파전류 및 대전류를 접속하는데 있어서 유리하게 된다.

콘택트와 전극과의 확실한 접촉이 얻어지는 점에서, 검사장치 또는 전자기기의 전극은, 볼록형상의 것을 이용한다. 볼록형상 전극에는, 예를 들면, BGA의 볼전극 또는 도금에 의해 형성한 범프전극이 있다. 도 1에는, 긴쪽방향으로 수직인 평면에서 절단했을 때의 형상이, 대략 원형인 예를 표시하지만, 본 발명의 콘택트는, 반드시 단면이 원형인 경우에 한정하지 않고, 볼록형상 전극의 형상 등에 맞춰서, 타원형 혹은 원둘레의 일부가 일그러진 것 같은 형상, 삼각형, 사각형 등의 다각형으로 할 수 있다. 또, 다각형은, 정다각형뿐만 아니라, 변의 길이가 다르게 되는 양태가 포함된다. 도 6에, 콘택트의 긴쪽방향으로 수직인 평면에서 절단했을 때의 형상이 원형인 경우의 각종의 양태를 표시한다. 모두 본 발명에 포함된다. 도 6(a)에는, 한 개의 가로대로 이루어지는 예를 표시한다. 도 6(b)와 도 6(c)에는, 두 개의 가로대로 이루어지는 예를 표시한다. 도 6(b)의 예에서는, 선단부가 연결되어 있지 않지만, 도 6(c)의 예에서는, 선단부가 중심부분에서 연결되어 있다.

(콘택트의 제조방법)

본 발명의 콘택트의 제조방법은, X선 리소그래피에 의해 수지주형을 형성하는 공정과, 수지주형에 금속재료로 이루어지는 층을 전기주조에 의해 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 방법에 의해, 대전류를 도통시킬 수 있는 신뢰성이 높은 검사용 또는 접속용 콘택트를 저비용으로 제공할 수 있다. 본 발명의 제조방법에서는, 높은 애스펙트비를 가지는 콘택트가 얻어지기 때문에, UV(파장 200㎚)보다 단파장인 X선(파장 0.4㎚)을 사용하지만, X선 중에서도 지향성이 높기 때문에, 싱크로트론방사의 X선(이하, 「SR광」이라고 함)을 사용하는 양태가 바람직하다. SR광을 이용하는 LIGA(Lithographie Galvanoformung Abformung)프로세스는, 폭이 넓은 리소그래피가 가능하며, 수 1OO㎛의 높이의 금속미세구조체를 미크론오더의 고정밀도에서 대량으로 제조할 수 있는 점에서 유리하다.

X선과 전기주조를 조합한 방법에 의해 제조함으로써, 도 1에 표시하는 바와 같은, 애스펙트비(b/a)가 2이상의 콘택트를 용이하게 제조할 수 있고, 애스펙트비가 30이상의 콘택트의 제조도 가능하다. 높은 애스펙트비가 얻어지기 때문에, 스프링의 폭 a를 얇게 해도 두께 b를 두껍게 할 수 있고, 접촉하중이 커서, 접촉신뢰성이 높은 콘택트의 제조가 가능하며, 또, 0.5A이상의 큰 허용전류를 확보할 수 있다. 또한, 스프링의 폭 a를 얇게 할 수 있기 때문에, 나선형의 소용돌이수를 많이 할 수 있어서 스프링의 스트로크가 큰 나선형 스프링을 제조할 수 있고, 스트로크를 크게 해도 접촉하중은 저하하지 않는다. 구체적으로는, 나선형의 소용돌이수가 2이상의 콘택트를 용이하게 제조할 수 있고, 스트로크를 높이기 위해서, 소용돌이수가 4이상의 콘택트를 제조하는 것도 가능하다. 또, 스트로크가 100㎛이상이고, 접촉하중이 0.03N이상의 콘택트도 용이하게 제조할 수 있고, 접촉하중을 0.lN이상으로 할 수도 있다.

판형상체를 감아올리는 등의 기계가공에 의해 나선형 콘택트를 제조하려고 해도, 콘택트의 미세화에는 한계가 있으며, 작은 것이라도, 두께 b가 1000㎛, 바깥지름 D가 500㎛~1000㎛정도의 크기로 되어서, 이 사이즈로는, 반도체의 고밀도실장에의 대응이 어렵다. 또, 정밀한 콘택트를 정확하게, 재현성 좋게, 대량으로 제조하는 것이 곤란하다. 본 발명에 의하면, 두께 b가 50㎛~500㎛, 바깥지름 D가 100㎛~500㎛의 콘택트를, 정밀하고 또한 정확하게, 재현성 좋게, 용이하게 제조할 수 있기 때문에, 전자기기의 고밀도실장에 대응할 수 있다. 또한, 리소그래피와 전기주조를 조합한 제조방법에 의하기 때문에, 미세구조체를 일체 형성할 수 있고, 부품점수를 줄여서, 부품비용 및 조립비용을 저감할 수 있다.

본 발명의 제조방법은, 도 4(a)에 표시하는 바와 같이, 도전성기판(41) 위에 수지층(42)을 형성한다. 도전성기판으로서 예를 들면, Cu, Ni, 스테인리스강철 등으로 이루어지는 금속제 기판, Ti, Cr 등의 금속재료를 스퍼터링한 Si제 기판 등을 이용한다. 수지층에는, 폴리메타크릴산메틸(PMMA) 등의 폴리메타크릴산에스테르를 주성분으로 하는 수지재료, 또는 X선에 감수성을 가지는 화학증폭형 수지재료 등을 이용한다. 수지층의 두께는, 형성하려고 하는 콘택트의 두께에 맞춰서 임의로 설정할 수 있으며, 예를 들면 50㎛~500㎛으로 할 수 있다.

다음에, 수지재료(42) 위에 마스크(43)를 배치하여, 마스크(43)를 통해서 X선(44)을 조사한다. X선으로서는, SR광이 바람직하다. 마스크(43)는, 콘택트의 패턴에 따라서 형성한 X선 흡수층(43a)과, 투광성베이스(43b)로 이루어진다. 투광성베이스(43b)에는, 질화실리콘, 다이아몬드, Si, Ti 등을 이용한다. 또, X선 흡수층(43a)에는, Au, W, Ta 등의 중금속 또는 그 화합물 등을 이용한다. X선(44)의 조사에 의해, 수지층(42) 중, 수지층(42a)은, 노광되어서 변질되지만, 수지층(42b)은, X선 흡수층(43a)에 의해 노광되지 않는다. 이 때문에, 현상에 의해, X선(44)에 의해 변질된 부분만이 제거되어서, 도 4(b)에 표시하는 바와 같은 수지주형(42b)이 얻어진다.

다음에, 전기주조를 실시하여, 도 4(c)에 표시하는 바와 같이, 수지주형(42b)에 금속재료(45)를 퇴적한다. 전기주조란, 금속이온용액을 이용해서 도전성기판 위에 금속재료로 이루어지는 층을 형성하는 것을 말한다. 도전성기판(41)을 도금전극으로서 전기주조를 실시함으로써, 수지주형(42b)에 금속재료(45)를 퇴적할 수 있다. 수지주형의 기공부분이 메워질 정도로 금속재료를 퇴적하는 경우, 퇴적한 금속재료층으로부터, 최종적으로 본 발명의 콘택트를 얻을 수 있다. 또, 수지주형의 높이를 초과하여, 수지주형 위에도 금속재료를 퇴적하면, 수지주형 및 기판을 제거함으로써, 기공부분을 가지는 금속미세구조체가 얻어지고, 얻어진 구조체를 금형으로서, 후술하는 바와 같이, 본 발명의 콘택트를 제조할 수 있다. 금속재료에는, Ni, Cu, 또는 그들의 합금 등을 이용하지만, 콘택트의 내마모를 높이는 점에서, Ni 또는 NiMn 등의 Ni합금이 바람직하다.

전기주조 후, 연마 또는 연삭에 의해 소정의 두께로 가지런히 한 후(도 4(d)), 도 4(e)에 표시하는 바와 같이, 웨트 에칭 또는 플라스마 에칭에 의해 수지주형(42b)을 제거한다. 계속해서, 산 혹은 알칼리에 의해 웨트 에칭하고, 또는 기계적으로 가공해서 도전성기판(41)을 제거하면, 도 4(f)에 표시하는 바와 같은 금속미세구조체가 얻어진다. 다음에, 150℃~350℃에서, 2시간~48시간의 가열처리를 실시함으로써, 스프링특성을 부여하여, 도 1에 표시하는 바와 같은 본 발명의 콘택트를 얻는다. 얻어지는 콘택트에는, 전자기기 또는 검사장치의 볼록형상 전극과의 접촉저항이 낮은 재료로 이루어지는 층을 형성하면, 전자기기 등의 볼록형상 전극과의 전기적인 도통성을 높일 수 있다. 접촉저항이 낮은 재료로서는, 귀금속 또는 귀금속의 합금이 있으며, 구체적으로는, Au, Rh, Ag, Ru, Pt, 혹은 Pd, 또는 이들의 합금이다. 예를 들면, 두께 0.05㎛~1㎛의 Au코트를 실시함으로써, 전자기기 등과의 전기적 도통성을 높일 수 있다.

상술한 금속재료층으로 이루어지는 금속미세구조체의 두께는, 외주부분에서 중심부분으로 가까워짐에 따라서 얇아지도록, 한 쪽 면 또는 양면을 절삭가공하는 양태가 바람직하다. 예를 들면, 한 쪽 면 또는 양면이, 구면 또는 회전포물면에 접하도록 가공하면 매우 적합하다. 도 7(b)와 도 7(c)에는, 한 쪽 면가공에 의해 중심부분일수록 두께를 얇게 한 예를 표시한다. 도 7(b)의 예에서는, 가공면이 구면(71)에 접하고 있다. 또, 도 7(c)의 예에서는, 가공면이 회전포물면(72)에 접하고 있다. 도 7(d)의 예에서는, 양면가공에 의해 중심부분일수록 두께를 얇게 해서, 양면이 구면(73)에 접하고 있다. 이와 같은 절구형상의 오목부분은, 방전가공, 기계가공 또는 에칭 등에 의해 형성할 수 있지만, 정확한 가공이 가능한 점에서, 방전가공이 바람직하다. 방전가공은, 예를 들면, 방전가공에 사용하는 전극의 선단부를, 반구형상 또는 회전포물면형상으로 가공하여, 상술한 방법에 의해 콘택트를 제조할 때는, 전기주조 후, 에칭에 의해 수지주형을 제거하기 전(도 4(d), 도 5(f)), 또는 제거한 후에(도 4(e), 도 5(g)), 기판 위의 금속층을, 선단부가공을 한 전극에 의해 깎아 내는 양태가 바람직하다. 전극형을 이용해서, 여러 개를 일괄적으로 가공할 수도 있다. 또, 기판으로부터 금속층을 떼어내고 나서, 마찬가지로 가공해서, 양면가공할 수도 있다.

다음에, 콘택트로부터 검사용 소켓을 제조하는 방법을 도 3에 표시한다. 실장용 커넥터도 동일한 방법에 의해 제조할 수 있다. 우선, 도 3(a)에 표시하는 바와 같이, 검사하는 반도체의 전극에 대응한 위치에, 수용하는 콘택트의 바깥지름에 맞춰서, 기판(32)에 관통구멍을 형성한다. 계속해서, 마찬가지로, 전극의 배치에 대응한 위치에, 수용하는 콘택트의 바깥지름보다 작은 구멍을 형성한 하부덮개시트(33)를, 기판(32)에 맞붙인다. 그 후, 도 3(b)에 표시하는 바와 같이, 기판(32)의 관통구멍에, 콘택트(31c)와, 링(31b)과, 콘택트(31a)를, 이 순서로 끼워 맞춘다. 링(31b)은, 콘택트(31a, 31c)와 동일한 금속미세구조체이기 때문에, 콘택트와 동일한 방법에 의해 제조하는 양태가 바람직하다. 그 후, 하부덮개시트(33)와 동일한 상부덮개시트(34)를 기판(32)에 붙이면, 도 3(c)에 표시하는 바와 같은 본 발명의 검사용 소켓이 얻어진다. 기판(32), 하부덮개시트(33) 및 상부덮개시트(34)는, 전기절연성을 가지는 재료, 예를 들면, 폴리이미드수지 또는 일반의 섬유강화수지(FRP) 등에 의해 형성한다.

검사용 소켓 또는 실장용 커넥터의 제조방법은, 도 3에 표시하는 방법에 한정되는 것은 아니지만, 도 3에 표시하는 제조방법은, 접속도체의 구성요소인 콘택트 및 링을 순서대로 기판의 관통구멍 내에 끼워 맞추는 것만으로, 층구조를 가지는 접속도체를 용이하게 제조할 수 있어서, 조립비용이 낮고, 정밀도가 높은 점에서 바람직하다. 이러한 접속도체는, 접속도체의 구성요소끼리를 접합하고 있지 않기 때문에, 검사대상물에의 접촉하중에 의해 접속도체 내의 전기적 도통이 확보된다.

한편, 접속도체의 구성요소를 접합해 두면, 안정된 도통을 확보할 수 있는 점에서, 보다 바람직하다. 접합은, 콘택트의 스프링특성을 손상시키지 않는 점에서, 초음파접합, 저항접합 또는 전자파접합이 매우 적합하다.

초음파접합은, 도 9(a)에 표시하는 바와 같이, Si 등으로 이루어지는 기판(91) 위에 고정용의 지그(92)를 설치하여, 지그(92) 내에 접속도체를 구성하는 요소(93)를 적층하고, 단자(94)를 개재시켜서 화살표의 방향으로 가압하면서 초음파를 인가한다. 인가한 초음파에 의한 진동에너지가, 접속도체를 구성하는 요소(93)의 접합면에 있는 산화피막 등을 파괴하고, 그 결과, 활성화한 금속원자가 결합한다. 이 때문에, 접합하는 금속의 용해온도보다 낮은 온도로 접합하여, 잔류응력이 작은 점에서 유리하다.

초음파접합할 때에 가압조건은, 접합면에 있어서의 산화피막 등을 충분히 파괴하는 점에서, 1GPa이상이 바람직하고, 5GPa이상이 보다 바람직하다. 또, 접합하는 콘택트 또는 링의 재질 등에 의해서 다르지만, 이들의 구성요소의 변형을 회피하는 점에서, 20GPa이하가 바람직하고, 15GPa이하가 보다 바람직하다. 초음파는, 효율적으로 접합하는 관점에서, 15kHz~30kHz의 초음파를 O.1ms~1Oms 인가하는 것이 매우 적합하다.

저항접합은, 도 9(b)에 표시하는 바와 같이, 도전성의 기판(91) 위에 절연성의 지그(92)를 설치하여, 지그(92) 내에 접속도체를 구성하는 요소(93)를 적층하고, 전극(95)을 개재시켜서 화살표의 방향으로 가압하면서 전압을 인가한다. 전류에 의한 저항발열로, 접속도체를 구성하는 요소(93)의 접합부분의 온도를 상승시켜서, 가압 하에서, 접합한다. 저항접합은, 20Mpa이하에서 가압하고, 0.0lA ∼ 50A의 전류를, 0.01ms~1Oms 인가하는 것이 바람직하다.

전자파접합은, 도 9(c)에 표시하는 바와 같이, 기판(91) 위에 지그(92)를 설치하여, 지그(92) 내에 접속도체를 구성하는 요소(93)를 적층하고, 막대(96)를 개재시켜서 화살표의 방향으로 가압하면서 전자파(97)를 조사한다. 접속도체를 구성하는 요소(93) 또는 접합면에 형성하는 공정재료에 고유의 흡수파장의 전자파를 조사함으로써, 접합부분의 온도를 상승시켜서, 가압 하에서, 접합한다. 예를 들면, 콘택트 및 링이 Ni로 이루어지는 경우, 또는 접합면에 형성하는 공정재료가 Au 또는 땜납(solder)인 경우에는, 1MPa~40MPa로 가압하고, 0.1㎚~560㎚의 전자파를, 1ms~1OOOOms 조사하는 것이 바람직하다.

도 9에서는, 접속도체가, 2개의 콘택트와, 그 사이에 링을 가지는 경우를 예시하지만, 접속도체가 2개의 콘택트로 이루어지는 경우도 마찬가지로 접합할 수 있다.

콘택트 또는 링 등, 접합되는 요소와 공정을 만들기 쉬운 재료로 이루어지는 층을 접합면에 형성해 두면, 저에너지로도 접합이 가능해져서, 접합 시의 변형 및 위치어긋남을 억제할 수 있는 점에서 바람직하다. 접합되는 요소에는, Ni 또는 Ni합금이 바람직하게 사용되기 때문에, 공정을 만들기 쉬운 재료로서는, Au 또는 Sn이 매우 적합하다. Au 또는 Sn은, 코팅에 의해 접합면에 형성할 수 있다. 예를 들면, 전자기기 또는 검사장치의 볼록형상 전극과의 접촉저항이 낮은 재료로 이루어지는 층을 콘택트 위에 형성하고, 콘택트와 공정을 만들기 쉬운 재료로 이루어지는 층을 링 위에 형성한 후, 접합하면, 전기적인 도통성을 한층 더 높일 수 있다.

본 발명의 콘택트의 제조방법의 다른 양태는, 금형에 의해 수지주형을 형성하는 공정과, 수지주형에 금속재료로 이루어지는 층을 전기주조에 의해 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 방법에 의해서도, X선 리소그래피에 의해 수지주형을 형성하는 상술한 제조방법과 마찬가지로, 대전류를 도통시킬 수 있는 신뢰성이 높은 검사용 또는 접속용 콘택트를 저비용으로 제조할 수 있다. 또, 금형에 의해 제조하는 본 발명의 방법에 의하면, 동일한 금형을 이용하여, 콘택트의 대량생산이 가능하여, 유리하다.

이러한 제조방법은, 도 5(a)에 표시하는 바와 같이, 볼록부분을 가지는 금형(52)을 이용해서, 프레스 또는 사출성형 등의 몰드에 의해, 도 5(b)에 표시하는 바와 같은 오목형상의 수지주형(53)을 형성한다. 수지재료로서는, 폴리메타크릴산메틸 등의 아크릴수지, 폴리우레탄수지, 폴리옥시메틸렌 등의 폴리아세탈수지 등의 열가소성 수지를 이용한다. 금형(52)은, 본 발명의 콘택트와 동일한 금속미소구조체이기 때문에, X선 리소그래피법과 전기주조를 조합한 상술한 방법에 의해 제조하는 양태가 바람직하다.

다음에, 수지주형(53)의 상하를 반전시킨 후, 도 5(c)에 표시하는 바와 같이, 도전성기판(51)에 붙인다. 계속해서, 도 5(d)에 표시하는 바와 같이, 수지주형(53)을 연마해서, 수지주형(53a)을 형성한다. 그 후의 공정은, 상술한 바와 동일하며, 전기주조에 의해 수지주형(53a)에 금속재료(55)를 퇴적해서(도 5(e)), 두께를 조정하고(도 5(f)), 수지주형(53a)을 제거해서(도 5(g)), 도전성기판(51)을 제거하면, 도 5(h)에 표시하는 바와 같은 금속미세구조체가 얻어지고, 그 후, 스프링특성을 부여하여, 도 1에 표시하는 바와 같은 본 발명의 콘택트를 얻는다. 얻어지는 콘택트로부터 상술한 바와 동일한 방법에 의해, 검사장치용 소켓 또는 전자기기용 커넥터가 얻어진다. 링은, 콘택트와 마찬가지로, 금형에 의해 수지주형을 형성하는 공정과, 수지주형에 금속재료로 이루어지는 층을 전기주조에 의해 형성하는 공정을 거쳐서 제조할 수 있고, 전기적인 도통성을 높이기 위해서, 두께 0.05㎛ ∼ 1㎛의 Au코트를 실시하는 양태가 바람직하다.

실시예 1

우선, 도 4(a)에 표시하는 바와 같이, 도전성기판(41) 위에 수지층(42)을 형성했다. 도전성기판으로서는, Ti를 스퍼터링한 Si제 기판을 이용했다. 수지층을 형성하는 재료는, 메타크릴산메틸과 메타크릴산과의 공중합체를 이용하고, 수지층의 두께는, 150㎛로 했다.

다음에, 수지층(42) 위에 마스크(43)를 배치하고, 마스크(43)를 통해서 X선(44)을 조사했다. X선으로서는, SR장치에 의한 SR광을 조사했다. 마스크(43)는, 콘택트의 패턴으로 이루어지는 X선 흡수층(43a)을 가지는 것을 사용하고, 마스크(43)를 구성하는 투광성베이스(43b)는, 질화실리콘으로 이루어지고, X선 흡수층(43a)은, 질화텅스텐으로 이루어지는 것을 이용했다.

X선(44)의 조사 후, 메틸이소부틸케톤에 의해 현상하고, X선(44)에 의해 변질된 부분을 제거하여, 도 4(b)에 표시하는 바와 같은 수지주형(42b)을 얻었다. 다음에, 전기주조를 실시하여, 도 4(c)에 표시하는 바와 같이, 수지주형(42b)의 기공부분에 금속재료(45)를 퇴적했다. 금속재료는 Ni를 이용했다. 전기주조 후, 도 4(d)에 표시하는 바와 같이, 연마해서 표면의 凸凹를 제거하고 나서, 도 4(e)에 표시하는 바와 같이, 산소플라스마에 의해 수지주형(42b)을 제거하고, 계속해서 KOH수용액에 의해 웨트 에칭을 하여, 도전성기판(41)을 제거하면, 도 4(f)에 표시하는 바와 같은, 관통상태의 금속미세구조체가 얻어졌다.

다음에, 금속미세구조체를, 열처리한 후, 두께 0.1㎛의 Au코팅을 하면, 도 1에 표시하는 바와 같은, 나선형 스프링구조의 기둥형상체인 본 발명의 콘택트가 얻어졌다. 이 콘택트는, 바깥지름 D가 120㎛, 두께 b가 100㎛, 스프링의 두께 a가 1O㎛이며, 애스펙트비(b/a)는 1O이었다. 또, 나선형의 소용돌이수가 3.5회전, 스프링의 스트로크가 40㎛이었다. 한편, 콘택트와 동일한 방법에 의해, 바깥지름이 120㎛, 두께가 100㎛의 링을 제조했다.

계속해서, 도 3(a)에 표시하는 바와 같이, 검사하는 반도체(LSI)의 전극의 위치에 대응해서 관통구멍을 형성한 기판(32)에 하부덮개시트(33)를 맞붙였다. 기판(32)은, 재질이 폴리이미드수지이며, 두께가 300㎛의 것을 이용하여 직경이 120㎛의 관통구멍을 형성했다. 또, 하부덮개시트(33)는, 재질이 폴리이미드수지이며, 두께가 20㎛의 것을 이용하여 기판(32)의 관통구멍의 위치에 맞춰서, 직경 1OO㎛의 구멍을 형성했다.

다음에, 도 9(a)에 표시하는 바와 같이, Si제의 기판(91) 위에, 고정용의 지그(92)를 설치하여, 지그(92)의 기공부분에 콘택트, 링과 콘택트를 차례로 적층하고, 단자(94)를 개재시켜서, 5GPa로 가압하면서, 20kHz의 초음파를 1ms 인가하여, 접합했다. 얻어진 접속도체를, 상술한 폴리이미드수지제 기판의 관통구멍에 끼워 맞추고, 하부덮개시트와 동일한 상부덮개시트를 맞붙여서, 본 발명의 검사용 소켓을 얻었다. 얻어진 검사용 소켓을, 도 2(a)에 표시하는 바와 같이, 검사장치의 변압기(28)와, 피검사체인 LSI(25)의 사이에 끼워서, 화살표의 방향으로 70mN의 압력으로 바짝 대면, 볼형상의 볼록형상 전극의 형상에 따라서, 콘택트는 변형하고, 나선형 스프링의 부가세력에 의해, LSI(25)의 볼록형상 전극(26)과, 변압기(28) 상의 볼록형상 전극(27)과의 사이에서 전기적 도통이 얻어지고, 얻어진 전기신호에 의거해서 LSI의 검사를 실시할 수 있었다. 본 실시예에서는, 콘택트의 바깥지름 D는 120㎛으로 소경이며, 전자기기의 고밀도실장에 대응할 수 있음을 알게 되었다.

실시예 2

실시예 1에 있어서의 초음파접합 대신에, 저항접합에 의해 접속도체를 형성한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서, 검사용 소켓을 제조했다. 저항접합은, 도 9(b)에 표시하는 바와 같이, 도전성의 기판(91) 위에 절연성의 지그(92)를 설치하여, 지그(92) 내에 접속도체를 구성하는 요소(93)를 적층하고, 전극(95)을 개재시켜서 화살표의 방향으로, 7MPa로 가압하면서, 40A의 전류를 0.5ms 인가해서 실시했다.

얻어진 접속도체를, 실시예 1과 마찬가지로, 폴리이미드수지제 기판의 관통구멍에 끼워 맞추고, 하부덮개시트와 동일한 상부덮개시트를 맞붙여서, 본 발명의 검사용 소켓을 얻었다. 얻어진 검사용 소켓을, 도 2(a)에 표시하는 바와 같이, 검사장치의 변압기(28)와 피검사체인 LSI(25)의 사이에 끼워서, 화살표의 방향으로 70mN의 압력으로 바짝 대면, 볼형상의 볼록형상 전극의 형상에 따라서, 콘택트는 변형하고, 나선형 스프링의 부가세력에 의해, LSI(25)의 볼록형상 전극(26)과 변압기(28) 상의 볼록형상 전극(27)과의 사이에서 전기적 도통이 얻어지고, 얻어진 전기신호에 의거해서 LSI의 검사를 실시할 수 있었다.

실시예 3

실시예 1에 있어서의 초음파접합 대신에, 전자파접합에 의해 접속도체를 형성한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서, 검사용 소켓을 제조했다. 전자파접합은, 도 9(c)에 표시하는 바와 같이, 기판(91) 위에 지그(92)를 설치하여, 지그(92) 내에 접속도체를 구성하는 요소(93)를 적층하고, 막대(96)를 개재시켜서 화살표의 방향으로 20MPa로 가압하면서 0.4㎚의 전자파(97)를 500ms 조사해서 실시했다.

얻어진 접속도체를, 실시예 1과 마찬가지로, 폴리이미드수지제 기판의 관통구멍에 끼워 맞추고, 하부덮개시트와 동일한 상부덮개시트를 맞붙여서, 본 발명의 검사용 소켓을 얻었다. 얻어진 검사용 소켓을, 실시예 1과 마찬가지로, 검사장치와 피검사체의 사이에 끼워서, 바짝 대면, 볼형상의 볼록형상 전극의 형상에 따라서, 콘택트는 변형하고, 나선형 스프링의 부가세력에 의해, LSI와 변압기와의 사이에서 전기적 도통이 얻어지고, 얻어진 전기신호에 의거해서 LSI의 검사를 실시할 수 있었다.

이번 개시된 실시의 형태 및 실시예는, 모든 점에서 예시로서 제한적인 것은 아님을 고려해야 한다. 본 발명의 범위는, 상기한 설명이 아니고 특허청구의 범위에 의해서 표시되고, 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.

본 발명에 의하면, 대전류를 도통시킬 수 있는 신뢰성이 높은, 염가의 콘택트를 구비하는 검사장치 또는 전자기기를 제공할 수 있다.

도 1은, 본 발명의 콘택트의 사시도

도 2(a)는, 본 발명의 콘택트를 검사용 소켓의 부품으로서 사용하는 경우의 사용양태를 설명하는 단면도

도 2(b)는, 도 2(a)의 콘택트를 검사용 소켓의 부품으로서 사용하는 경우에서, 콘택트가 변형한 상태의 확대도

도 3(a)~도 3(c)는, 본 발명의 콘택트로부터 검사용 소켓을 제조하는 방법을 표시하는 공정도

도 4(a)~도 4(f)는, 본 발명의 콘택트의 제조방법을 표시하는 공정도

도 5(a)~도 5(h)는, 본 발명의 콘택트의 다른 양태의 제조방법을 표시하는 공정도

도 6(a)~도 6(c)는, 본 발명의 콘택트를 긴쪽방향으로 수직인 면에서 절단했을 때의 단면도

도 7(a)~도 7(d)는, 본 발명의 콘택트를 긴쪽방향으로 절단했을 때의 단면도

도 8(a)는, 본 발명의 콘택트를 검사용 소켓의 부품으로서 사용하는 경우의 사용양태를 설명하는 단면도

도 8(b)는, 도 8(a)의 콘택트를 검사용 소켓부품으로서 사용하는 경우에서, 검사장치의 변압기 상의 볼록형상 전극과 반도체(LSI) 상의 볼록형상 전극에 끼워서 사용하는 양태를 설명하는 단면도

도 9(a)~도 9(c)는, 본 발명의 콘택트와 링의 접합방법을 표시하는 모식도

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

21a, 21c, 31a, 31c: 콘택트 21b, 31b: 링

22, 32: 기판 23, 33: 하부덮개시트

24, 34: 상부덮개시트 25: 반도체(LSI)

26, 27: 볼록형상 전극 28: 변압기

41, 91: 도전성기판 42: 수지층

43: 마스크 43a: X선 흡수층

43b: 투광성베이스 44: X선

45: 금속재료 52: 금형

53: 오목형상 수지주형 71, 73: 구면

72: 회전포물면 92: 지그

94: 단자 96: 막대

97: 전자파

Claims

나선형 스프링구조를 가지는 기둥형상의 콘택트이며, 전자기기 또는 검사장치의 블록형상 전극에 바짝 댐으로써, 상기 볼록형상 전극의 형상에 따라서 변형하여, 볼록형상 전극과 전기적으로 도통하는 콘택트의 제조방법으로서,

금형에 의해 수지주형을 형성하는 공정과,

상기 수지주형에 금속재료로 이루어지는 층을 전기주조에 의해 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택트의 제조방법.
나선형 스프링구조를 가지는 기둥형상의 콘택트이며, 전자기기 또는 검사장치의 블록형상 전극에 바짝 댐으로써, 상기 볼록형상 전극의 형상에 따라서 변형하여, 볼록형상 전극과 전기적으로 도통하는 콘택트의 제조방법으로서,

X선 리소그래피에 의해 수지주형을 형성하는 공정과,

상기 수지주형에 금속재료로 이루어지는 층을 전기주조에 의해 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 콘택트의 제조방법.
제 1항 또는 제 2항에 있어서,

금속재료로 이루어지는 상기 층의 두께가, 외주부분에서 중심부분으로 가까워짐에 따라서 얇아지도록, 상기 층의 한 쪽 면 또는 양면을 절삭하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 콘택트의 제조방법.
제 3항에 있어서,

상기 공정은, 방전가공에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 콘택트의 제조방법.
제 3항 또는 제 4항에 있어서,

절삭 후의 금속재료로 이루어지는 상기 층의 한 쪽 면 또는 양면이, 구면 또는 회전포물면에 접하도록 절삭하는 것을 특징으로 하는 콘택트의 제조방법.
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 콘택트는, 니켈 또는 니켈합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 콘택트의 제조방법.
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 콘택트.
콘택트를 양끝에 구비하는 접속도체로서, 양끝의 콘택트의 사이에, 콘택트의 스프링이 스트로크하는 공간을 가지는 것을 특징으로 하는 접속도체.
제 8항에 있어서,

양끝의 콘택트의 사이에 링을 가지는 것을 특징으로 하는 접속도체.
제 8항에 있어서,

제 3항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 2개의 콘택트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 접속도체.
제 8항에 있어서,

콘택트와 콘택트, 또는 콘택트와 링이, 접합되는 일없이 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 접속도체.
제 8항에 있어서,

콘택트와 콘택트, 또는 콘택트와 링이, 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 접속도체.
제 12항에 있어서,

초음파접합 또는 저항접합 또는 전자파접합되어 있는 것을 특징으로 하는 접속도체.
제 12항 또는 제 13항에 있어서,

접합되는 요소와 공정(共晶)을 형성하기 쉬운 재료로 이루어지는 층을 접합면에 형성한 후, 접합하는 것을 특징으로 하는 접속도체.
제 14항에 있어서,

전자기기 또는 검사장치의 볼록형상 전극과의 접촉저항이 낮은 재료로 이루어지는 층을 콘택트 위에 형성하고, 콘택트와 공정을 형성하기 쉬운 재료로 이루어지는 층을 링 위에 형성한 후, 접합하는 것을 특징으로 하는 접속도체.
제 8항에 기재된 접속도체를 기판의 절연성 관통구멍 내에 구비하는 소켓으로서, 랜드그리드어레이 배치의 반도체의 검사에 사용하는 것을 특징으로 하는 검사용 소켓.
제 16항에 기재된 소켓을 구비하는 것을 특징으로 하는 검사장치.
제 8항에 기재된 접속도체를 기판의 절연성 관통구멍 내에 구비하는 커넥터로서, 랜드전극에 접속하는 것을 특징으로 하는 커넥터.
제 18항에 기재된 커넥터를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자기기.