KR20050039240A - 보호막을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, MgO 보호막의 특성을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판과 제2 기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 제1 전극 및 다수의 제2 전극, 다수의 제1 전극 및 다수의 제2 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층 및 유전체층을 덮어서 형성되는 MgO 보호막을 포함하고, MgO 보호막의 결정 배향면은 (111)면과 (110)면이 혼합되어 이루어지고, MgO 보호막의 입경에 따라 (111)면과 (110)면의 혼합 비율이 상이한 것을 특징으로 한다. 이로써 보호막의 전자방출능력을 향상시키고 플라즈마 디스플레이 패널의 표시 품질을 개선할 수 있다.

Description

보호막을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL PROVIDED WITH AN IMPROVED PROTECTIVE LAYER}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 특성이 개선된 플라즈마 디스플레이 패널 보호막에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 기체 방전 시에 생기는 플라즈마로부터 나오는 빛을 이용하여 문자 또는 그래픽을 표시하는 장치로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전공간에 설치된 두 전극에 소정의 전압을 인가하여 이들 사이에서 플라즈마 방전이 일어나도록 하고, 이 플라즈마 방전 시 발생되는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성한다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이는 크게 교류형(AC type), 직류형(DC type) 및 혼합형(Hybrid type)으로 나누어진다. 도 8은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 분해 사시도이다. 도 8을 참조하면, 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 하부기판(111), 하부기판(111) 위에 형성된 다수의 어드레스 전극(115), 이 어드레스 전극(115)이 형성된 하부기판(111) 위에 형성된 유전체층(119), 이 유전체층(119) 상부에 형성되어 방전거리를 유지시키고 셀간의 크로스 토크(cross talk)를 방지하는 다수의 격벽(123)과 격벽(123) 표면에 형성된 형광체층(125)을 포함한다.
다수의 방전유지전극(117)은 하부기판(111) 상에 형성된 다수의 어드레스 전극(115)과 소정 간격으로 이격되어 직교하도록 상부기판(113) 하부에 형성된다. 그리고 유전체층(121) 및 보호막(127)이 순차적으로 방전유지전극(117)을 덮고 있다. 특히, 보호막(127)으로는 가시광선이 잘 투과될 수 있도록 투명할 뿐만 아니라 유전층 보호 및 2차 전자 방출 성능이 우수한 MgO를 주로 사용하고 있으며, 최근에는 다른 재료로 이루어진 보호막의 연구도 이루어지고 있다.
여기서의 MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널 동작 중의 방전 시 방전가스의 이온충격으로 인한 영향을 완화시킬 수 있는 내스퍼터링 특성을 가져 이온 충돌로부터 유전체층을 보호하고 2차 전자의 방출을 통하여 방전 전압을 낮추는 역할을 하는 투명 보호 박막으로서, 5000~9000Å 두께로 유전체층을 덮어서 형성한다.
MgO 보호막은 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법) 및 졸-겔(sol-gel)법 등을 사용하여 형성하고 있으며, 최근에는 이온 플레이팅(ion plating) 방식이 개발되어 사용되고 있다.
여기서, 전자빔 증착법은 전기장과 자기장으로 가속되어지는 전자빔을 MgO 증착 재료에 충돌시켜 증착 재료를 가열 및 증발시킴으로써 MgO 보호막을 형성하는 방법이다. 스퍼터링법의 경우, 전자빔 증착법에 비하여 보호막이 치밀하며 결정배향에 유리한 특성을 지닌다는 이점이 있지만, 제조 공정시의 단가가 높은 문제점이 있다. 졸-겔법의 경우, 액상으로 MgO 보호막을 제조한다.
상기한 다양한 MgO 보호막의 형성 방식에 대한 대안으로 이온 플레이팅법이 최근 시도되고 있는데, 이온 플레이팅법에서는 증발되는 입자를 이온화하여 성막시킨다. 이온 플레이팅법은 MgO 보호막의 밀착성과 결정성에 대해서 스퍼터링법과 비슷한 특성을 가지지만, 증착을 8nm/s의 고속으로 행할 수 있다는 이점이 있다.
이와 같은 MgO 재료는 단결정 또는 소결체 형태의 것을 사용한다. MgO 단결정 재료의 경우, 증착을 위한 용융 시 냉각 속도에 의한 고용 한계의 차이로 인하여 특정 도펀트(dopant)의 정량제어가 어려운 문제점이 있어서, 제조 시에 특정 도펀트를 정량적으로 첨가한 MgO 소결체 재료를 사용하여 이온 플레이팅 방식으로 MgO 보호막을 제조하고 있다.
MgO 보호막은 방전가스에 접촉되므로 보호막을 구성하는 성분과 막 특성은 방전특성에 크게 영향을 미칠 수 있다. 이 때 MgO 보호막 특성은 성분과 증착 시의 성막 조건에 크게 의존한다. 따라서 목적하는 막 특성 향상에 부합하도록 최적의 보호막 증착 조건을 개발하여 플라즈마 디스플레이의 표시품질을 보다 더 개선하는 최적의 MgO 보호막을 형성하는 것이 절실히 요구된다.
본 발명은 상술한 요구에 따라 제안된 것으로서, 그 목적은 플라즈마 디스플레이 패널에 사용되는 MgO 보호막의 특성을 개선하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막의 특성 개선을 위해 MgO 보호막의 최적 결정 배향면의 비율을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널은, 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판, 제1 기판과 제2 기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 제1 전극 및 다수의 제2 전극, 다수의 제1 전극 및 다수의 제2 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층, 그리고 유전체층을 덮어서 형성되는 MgO 보호막을 포함하고, MgO 보호막의 결정 배향면은 (111)면과 (110)면이 혼합되어 이루어지고, MgO 보호막의 입경에 따라 (111)면과 (110)면의 혼합 비율이 상이한 것을 특징으로 한다.
그리고 보호막의 입경이 50~100nm인 경우, 보호막의 (111)면과 (110)면은 각각 5.5~6.5 : 3.5~4.5의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다.
또한, 보호막의 입경이 100~150nm인 경우, 보호막의 (111)면과 (110)면은 각각 4.5~5.5 : 4.5~5.5의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다.
그리고 보호막의 입경이 150~200nm인 경우, 보호막의 (111)면과 (110)면은 각각 3.0~4.0 : 6.0~7.0의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다.
또한, 보호막의 입경이 200~250nm인 경우, 보호막의 (111)면과 (110)면은 각각 2.5~3.5 : 6.5~7.5의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다.
그리고 보호막의 입경이 250-350nm인 경우, 보호막의 (111)면과 (110)면은 1.5~2.5 : 7.5~8.5의 비율로 혼합되는 것이 바람직하다.
또한, 보호막은 주상 결정 구조를 가지는 것이 바람직하다.
보호막의 입경은 보호막의 증착시 주입하는 수소 및 산소의 분압을 변경하는 것에 의해 조절될 수 있다.
이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판의 사시도이다. 도 1에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상부 부분만을 따로 떼어 도시하고 있다.
도 1에는 기판(13) 상에 다수의 전극(17), 유전체층(21), 보호막(27)이 차례로 형성된 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 상판이 도시되어 있다. 도 1에서는 편의상 이해를 돕기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판을 180° 뒤집어 도시한다. 도 1에 도시하지 않았지만, 플라즈마 디스플레이 패널의 상판과는 별도로 상기 기판(13)에 대응하는 다른 기판에 상기 전극(17)과 수직으로 교차하는 다수의 또다른 전극을 형성하고, 그 위에 유전체층을 덮은 다음 격벽을 형성한 후, 격벽 사이에 형광체층을 도포하여, 플라즈마 디스플레이 패널의 하판을 제조한다.
이와 같이 제조한 플라즈마 디스플레이 패널 상판 및 하판의 가장자리를 프릿으로 도포하여 양 기판을 봉착하고, Ne 나 Xe 등의 방전가스를 주입함으로써 플라즈마 디스플레이 패널을 제조한다.
이와 같이 제조한 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 전극들로부터 구동 전압을 인가받아 이들 전극들 사이에 어드레스 방전을 일으켜서 유전체층에 벽전하를 형성하고, 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들에서 상판에 형성한 한 쌍의 전극에 교반적으로 공급되는 교류 신호에 의하여 이들 전극들간에 서스테인 방전을 일으킨다. 이에 따라 방전셀을 형성하는 방전 공간에 충진된 방전 가스가 여기되고 천이되면서 자외선을 발생시키고, 자외선에 의한 형광체의 여기로 가시광선을 발생시키면서 화상을 구현하게 된다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 펠렛을 이용한 MgO 보호막 형성에 관한 공정을 개략적으로 나타내는 도면으로서, 전극과 유전체층을 차례로 형성한 기판상에 MgO 보호막을 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 전자빔 증착법을 그 일례로 나타내고 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 공정에서는 전기장과 자기장으로 가속되어지는 전자빔을 증착 재료에 충돌시켜 증착 재료를 가열 및 증발시킴으로써 보호막을 형성한다. 이 경우, 전자빔의 에너지를 재료 표면에 집중시켜 고속증착 및 고순도증착을 실행할 수 있다. 도 2는 이러한 보호막의 형성 공정의 일례를 예시한 것에 지나지 않으며, 보호막의 형성 공정이 여기에 한정되는 것은 아니다.
도 2에 나타낸 MgO 보호막(17)의 성막 공정에 있어서는 먼저 기판(13)을 좌측으로부터 우측으로 롤러(21)로 이동시켜 증착실 입구(23)에 로드(load)하면서 MgO 보호막(17)을 증착한 후 증착실 출구(25)측으로 배출한다. 기판(13)에 이상이 있는 경우에는 증착실 입구(23)로부터 기판(13)을 언로드(unload)할 수 있다. 증착실(20)의 내부는 진공으로 형성되어야 하므로 진공 펌프(미도시)가 부착되어 배기를 지속적으로 행하며, 셔터(33)를 이용하여 내외부를 이중 차단하면서 개폐시킨다. 전자총(31)을 작동시켜 자기장 및 전기장을 형성하며, 전자총(31)에서 배출되는 이온을 하부에 위치한 증착재인 MgO 펠렛(27)에 충돌시켜 MgO 펠렛(27)을 상부에 위치한 기판(13)상에 증착시킨다. 증착실(20)의 내부 분위기는 수소 및 산소를 공급하여 조절하되, 그 분압비를 변화시킨다. 또한, MgO 펠렛(27)의 경우, 이온 충돌로 인하여 과열될 우려가 있어서 냉각 장치(29)를 통하여 냉각시키면서 MgO 보호막(17)을 증착한다.
이러한 증착공정으로 제조한 MgO 보호막은 방전가스에 접촉되므로 보호막을 구성하는 성분과 막특성이 방전특성에 크게 영향을 미친다. 특히, MgO 보호막의 경우 방전지연시간과 관계가 있다. 주사전극을 통하여 플라즈마 디스플레이 패널에 구동전압이 인가되는 시간을 주사시간이라고 하며, 주사시간동안 방전이 일어나게 되는데, 현실적으로 구동전압 인가시에 바로 방전이 일어나지 않으며, 방전이 지연되는 바 이를 방전지연시간이라고 한다. 방전지연시간은 다시 형성지연시간과 통계적지연시간으로 나누어진다.
본 발명에서는 플라즈마 디스플레이 패널에 사용하는 MgO 보호막 표면의 결정 배향면을 증착조건변경에 따라 조절하여 이에 따른 방전지연시간을 측정함으로써, 방전지연시간이 최소로 되는 결정 배향면을 분석하고자 하였다. 이를 위하여 본 발명에서는 MgO 보호막(17)을 수소와 산소의 분압비를 변화시켜 증착하면서 결정 배향면의 변화를 관찰하였다. 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 보호막을 산소와 수소의 분압비를 조절하면서 증착하여 다음의 표 1과 같은 결정 배향면이 얻어졌고, 그 결과에 따른 통계적 지연시간은 다음과 같다.
결정 배향면 통계적 지연시간 (nsec)
1 (111) 437~641
2 (110) 285~332
3 (111) & (110) 255~316
4 (200) 462~570
5 (311) 553~682
표 1에 나타난 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널의 MgO 보호막으로서 결정 배향면이 (111)면과 (110)면이 혼합된 경우에 통계적 지연시간이 255~316 nsec 정도로 가장 낮은 것을 알 수 있다. 따라서 주상결정(柱狀結晶) 구조를 가지는 MgO 보호막의 표면을 (111)면 및 (110)면으로 혼합하는 경우, 가장 좋은 방전 특성을 얻을 수 있다는 것을 알 수 있었다.
본 발명은 여기서 더 나아가 산소/수소 분압을 조절하면 (111)면 및 (110)면의 입경을 조절할 수 있고, 입경에 따라 (111)면과 (110)면의 혼합 비율이 달라지는 점을 발견하였다. 예를 들면, 이온 플레이팅 방식으로 MgO 보호막을 증착시 수소를 주입하지 않고 산소만을 주입할 경우, 보호막 표면의 결정 배향면은 (111)면으로 이루어진다. 수소를 점차로 주입하여 산소 및 수소의 분압을 증가시키면, MgO 보호막의 입경이 점점 커지다가 산소와 수소의 분압비가 어느 임계치에 도달하면 결정 배향면 (110)면이 생성되기 시작한다. 그러다가 산소에 대한 수소의 분압비가 임계치 이상으로 커지면 (111)면이 사라지고 결정 배향면은 (110)면으로 이루어진다. 또한, 산소 및 수소의 분압비에 따라 입경도 조절할 수 있다. 상기와 같은 MgO 보호막 형성 공정에서는 입경이 점차적으로 작아지는 것을 관찰할 수 있었다.
이를 좀더 면밀히 관찰하기 위하여 본 발명의 실시예에서는 다음과 같은 실험을 실시하였다. 이하에서는 이러한 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 이러한 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 본 발명의 실시예에서는 주입하는 산소 및 수소의 분압에 의해 MgO 보호막의 입경 및 결정 배향면을 조절하였으나, 이러한 산소 및 수소의 분압을 변수로 조절하는 것은 일 실시예에 불과하며 반드시 산소 및 수소의 분압으로만 배향 결정면의 비율을 조절할 수 있는 것은 아니다.
실시예 1
MgO 펠렛을 MgO 증착실에 넣고 유전체가 형성된 플라즈마 디스플레이 패널에 MgO를 증착시, MgO 보호막이 약 7000Å 정도로 형성되도록 하였다. 증착실 내부의 경우, 기본 압력을 1×10-4 Pa로, 증착 형성시의 압력을 5.3×10-2 Pa로 하였으며, 산소를 100sccm(유량부피단위)로 공급하면서 기판을 200±5℃로 유지하였다. 전류를 390mA, 전압을 -15kV DC로 조절한 전자총을 통하여 전자빔을 조사하여 MgO 보호막을 증착시켰다. 수소 및 산소 분압을 6:1 정도로 조절하면서 MgO 보호막의 입경을 250~350nm로 하였고, 이에 따라 (111) 및 (110)의 혼합비율을 변경시키면서 통계적 지연시간을 측정하였으며 그 결과를 다음의 표 2에 나타낸다.
(111)면 및 (110)면의 혼합비율 통계적 지연시간 (nsec)
1 1:9 351~372
2 2:8 282~295
3 3:7 323~331
4 4:6 325~343
5 5:4 381~404
표 2에 나타낸 바와 같이, MgO 보호막의 입경이 250~350nm인 때 육안으로 관찰시 MgO 보호막의 (111)면과 (110)면의 비가 2:8인 경우, 통계적 지연시간이 가장 짧았다. 좀더 상세한 실험을 통하여 그 최적 혼합비율범위는 1.5~2.5 : 7.5~8.5 임을 확인하였다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 MgO 보호막의 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM) 사진을 나타낸다. 도 3의 SEM 사진에서, 사각형 형상은 결정 배향면 중 (110)면을 나타내고, 삼각형 형상은 (111)면을 나타낸다. 도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 SEM 사진의 일부분으로서, 자세하게 나타나 있지는 않으나 사각형 형상에 가까운 (110)면이 주를 이루고 있는 것을 관찰할 수 있다.
실시예 2
수소 및 산소 분압을 3:1 정도로 조절하면서 MgO 보호막의 입경을 200~250nm로 하였고, 이에 따라 (111) 및 (110)의 혼합비율을 변경시키면서 통계적 지연시간을 측정하였으며 그 결과를 다음의 표 3에 나타낸다. 나머지 조건은 실시예 1과 동일하다.
(111)면 및 (110)면의 혼합비율 통계적 지연시간 (nsec)
1 1:9 403~414
2 2:8 335~346
3 3:7 253~292
4 4:6 282~331
5 5:4 323~334
표 3에 나타낸 바와 같이, MgO 보호막의 입경이 200~250nm인 때 육안으로 관찰시 보호막의 MgO 보호막의 (111)면과 (110)면의 비가 3:7인 경우, 통계적 지연시간이 가장 짧았다. 좀더 상세한 실험을 통하여 최적 혼합비율 범위는 2.5~3.5 : 6.5~7.5 임을 확인하였다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 MgO 보호막 일부의 SEM 사진으로서, 자세하게 나타나 있지는 않으나 사각형 형상에 가까운 (110)면이 주를 이루고 있는 것을 관찰할 수 있다.
실시예 3
수소 및 산소 분압을 2.5:1 정도로 조절하면서 MgO 보호막의 입경을 150~200nm로 하였고, 이에 따라 (111) 및 (110)의 혼합비율을 변경시키면서 통계적 지연시간을 측정하였으며 그 결과를 다음의 표 4에 나타낸다. 나머지 조건은 실시예 1과 동일하다.
(111)면 및 (110)면의 혼합비율 통계적 지연시간 (nsec)
1 1.5:8.5 381~412
2 2.5:7.5 323~332
3 3.5:6.5 271~283
4 4.5:5.5 352~357
5 5.5:6.5 361~383
표 4에 나타낸 바와 같이, MgO 보호막의 입경이 150~200nm인 때 육안으로 관찰시 MgO 보호막의 (111)면과 (110)면의 비가 3.5:6.5인 경우, 통계적 지연시간이 가장 짧았다. 좀더 상세한 실험을 통해 최적 혼합비율 범위는 3.0~4.0 : 6.0~7.0 임을 확인하였다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 MgO 보호막 일부의 SEM 사진으로서, 자세하게 나타나 있지는 않으나 사각형 형상에 가까운 (110)면이 주를 이루고 있으며, 삼각형 형상에 가까운 (111)면은 이보다 좀 적게 포함되어 있는 것을 관찰할 수 있다.
실시예 4
수소 및 산소 분압을 조절하면서 MgO 보호막의 입경을 100~150nm로 하였고, 이에 따라 (111) 및 (110)의 혼합비율을 변경시키면서 통계적 지연시간을 측정하였으며 그 결과를 다음의 표 5에 나타낸다. 나머지 조건은 실시예 1과 동일하다.
(111)면 및 (110)면의 혼합비율 통계적 지연시간 (nsec)
1 3:7 346~372
2 4:6 311~327
3 5:5 263~277
4 6:4 314~333
5 7:3 343~374
표 5에 나타낸 바와 같이, MgO 보호막의 입경이 100~150nm인 때 육안으로 관찰시 MgO 보호막의 (111)면과 (110)면의 비가 5:5인 경우, 통계적 지연시간이 가장 짧았다. 좀더 상세한 실험을 통해 최적 혼합비율 범위는 4.5~5.5 : 4.5~5.5 임을 확인하였다.
도 6은 본 발명의 실시예 4에 따른 MgO 보호막 일부의 SEM 사진으로서, 자세하게 나타나 있지는 않으나 삼각형 형상에 가까운 (111)면과 사각형 형상에 가까운 (110)면이 골고루 섞여서 분포되어 있는 것을 관찰할 수 있다.
실시예 5
수소 및 산소 분압을 조절하면서 MgO 보호막의 입경을 50~100nm로 하였고, 이에 따라 (111) 및 (110)의 혼합비율을 변경시키면서 통계적 지연시간을 측정하였으며 그 결과를 다음의 표 6에 나타낸다. 특히, 수소 분압은 최소로 조절하였다. 나머지 조건은 실시예 1과 동일하다.
(111)면 및 (110)면의 혼합비율 통계적 지연시간 (nsec)
1 4:6 351~381
2 5:5 301~322
3 6:4 253~271
4 7:3 314~326
5 8:2 341~382
표 6에 나타낸 바와 같이, MgO 보호막의 입경이 50~100nm인 때 육안으로 관찰시 MgO 보호막의 (111)면과 (110)면의 비가 6:4인 경우, 통계적 지연시간이 가장 짧았다. 좀더 상세한 실험을 통해 최적 혼합비율 범위는 5.5~6.5 : 3.5~4.5 임을 확인하였다.
도 7은 본 발명의 실시예 5에 따른 MgO 보호막 일부의 SEM 사진으로서, 자세하게 나타나 있지는 않으나 삼각형 형상에 가까운 (111)면이 주로 분포되어 있는 것을 관찰할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에서는 MgO 보호막 표면의 결정 배향면을 (111)면과 (110)면의 혼합으로 이루어지도록 하고, 특정 입경에서의 이들 결정 배향면의 혼합비를 달리함으로써 전자방출능력을 향상시키고 플라즈마 디스플레이 패널의 표시 품질을 개선할 수 있다.
또한, 각 입경 크기에 따라 (111)면과 (110)면의 혼합비를 달리 함으로써 방전특성이 향상되고 주사방전지연(address discharge delay)시간을 단축시킬 수 있다. 이로써 블랙노이즈 발생 현상도 저감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 상판의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 MgO 증착 과정을 나타내는 개략적인 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따라 증착한 MgO 보호막 표면을 주사전자현미경(SEM)으로 관측한 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따라 증착한 MgO 보호막 표면을 주사전자현미경(SEM)으로 관측한 사진이다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따라 증착한 MgO 보호막 표면을 주사전자현미경(SEM)으로 관측한 사진이다.
도 6은 본 발명의 실시예 4에 따라 증착한 MgO 보호막 표면을 주사전자현미경(SEM)으로 관측한 사진이다.
도 7은 본 발명의 실시예 5에 따라 증착한 MgO 보호막 표면을 주사전자현미경(SEM)으로 관측한 사진이다.
도 8은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 분해 사시도이다.

Claims (8)

  1. 서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판;
    상기 제1 기판과 제2 기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 제1 전극 및 다수의 제2 전극;
    상기 다수의 제1 전극 및 상기 다수의 제2 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층; 및
    상기 유전체층을 덮어서 형성되는 MgO 보호막
    을 포함하고,
    상기 MgO 보호막의 결정 배향면은 (111)면과 (110)면이 혼합되어 이루어지고, 상기 MgO 보호막의 입경에 따라 상기 (111)면과 상기 (110)면의 혼합 비율이 상이한 플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 보호막의 입경이 50~100nm인 경우, 상기 보호막의 (111)면과 (110)면은 각각 5.5~6.5 : 3.5~4.5의 비율로 혼합된 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보호막의 입경이 100~150nm인 경우, 상기 보호막의 (111)면과 (110)면은 각각 4.5~5.5 : 4.5~5.5의 비율로 혼합된 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 보호막의 입경이 150~200nm인 경우, 상기 보호막의 (111)면과 (110)면은 각각 3.0~4.0 : 6.0~7.0의 비율로 혼합된 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 보호막의 입경이 200~250nm인 경우, 상기 보호막의 (111)면과 (110)면은 각각 2.5~3.5 : 6.5~7.5의 비율로 혼합된 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 보호막의 입경이 250-350nm인 경우, 상기 보호막의 (111)면과 (110)면은 1.5~2.5 : 7.5~8.5의 비율로 혼합된 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 보호막은 주상결정(柱狀結晶) 구조를 가지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 보호막의 입경은 상기 보호막의 증착시 주입하는 수소 및 산소의 분압에 따라 조절되는 플라즈마 디스플레이 패널.
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