KR20050033412A - 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자 및 그제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 기판 상에 다수의 게이트 라인 및 데이터 라인의 교차에 의해 정의되는 복수의 단위화소;상기 단위화소마다 형성되는 구동소자;상기 게이트 라인과 평행하게 형성되는 스토리지 라인;상기 스토리지 라인의 일부가 절개되어 형성되며 상기 스토리지 라인의 하부에 형성되는 액티브층을 노출시키는 개구부;상기 스토리지 라인과 절연층을 사이에 두고 대응하며 상기 대응되는 부분이 금속유도측면결정화된 액티브층을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 개구부는 상기 스토리지 라인과 상기 액티브층이 오버-랩되는 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 개구부는 상기 액티브층과 상기 스토리지 라인이 오버-랩되는 영역의 중앙에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 제 3항에 있어서, 상기 개구부는 상기 스토리지 라인과 액티브층의 오버-랩되는 영역에 복수개 형성되는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 개구부를 포함하는 스토리지 라인과 상기 액티브층이 오버-랩되는 영역의 스토리지 라인의 폭은 금속유도측면결정화 길이의 두배이하인 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 개구부는 장방형인 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 구동소자는 금속유도측면결정화된 채널층을 구비하는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 기판상에 다수의 게이트 라인 및 데이터 라인에 의해 정의되는 복수의 단위화소;상기 단위 단위화소마다 형성되는 구동소자;상기 단위화소마다 형성되는 액티브층;상기 액티브층과 오버-랩되며 상기 게이트 라인과 평행한 스토리지 라인;상기 스토리지 라인에서 분기되며 상기 액티브층과 오버-랩되는 다수의 서브 스토리지 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 제 8항에 있어서, 상기 스토리지 라인 및 서브 스토리지 라인의 폭은 금속유도수평결정화되는 길이의 두배이하가 되는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 제 8항에 있어서, 상기 서브 스토리지 라인의 폭은 상기 구동소자에 형성되는 채널 길이의 두배이하인 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자.
- 기판 상에 액티브층을 형성하는 단계;상기 액티브층상에 제 1 절연층 및 도전층을 형성하는 단계;상기 제 1 절연층 및 상기 도전층을 동시에 패터닝하여 게이트 라인 및 개구부를 포함하는 스토리지 라인을 형성하는 단계;상기 게이트 라인 및 스토리지 라인을 마스크로 적용하여 상기 액티브층 상에 고농도 불순물 이온을 주입하는 단계;상기 게이트 라인 및 개구부를 포함하는 스토리지 라인이 형성된 액티브층상에 금속입자막을 형성하는 단계;상기 금속입자막이 형성된 액티브층을 가열하여 금속유도측면결정화하는 단계;상기 게이트 라인 및 스토리지 라인이 형성된 기판상에 소오스, 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소오스,드레인 전극이 형성된 기판상에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 개구부를 포함하는 스토리지 라인을 형성하는 단계는게이트 라인 및 스토리지 라인이 형성된 기판 상에 감광막을 도포하는 단계;상기 감광막을 노광하는 단계;상기 감광막을 현상하여 상기 스토리지 라인 상에 개구부 패턴을 포함하는 감광막 패턴을 형성하는단계;상기 개구부 패턴을 포함하는 감광막을 마스크로 적용하여 상기 스토리지 라인의 일부를 식각하여 상기 액티브층을 노출시키는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 금속유도측면결정화하는 단계는 상기 액티브층을 퍼니스에서 가열하는 방식, RTA방법에 의해 가열하는 방식 또는 레이저 조사에 의해 가열하는 방식 중 선택하여 상기 액티브층을 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 액티브층상에 형성되는 금속주입막은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 은(Ag), 금(Au), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 안티몬(Sb), 구리(Cu), 코발트(Co), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 카드뮴(Cd), 백금(Pt) 중 어느하나인 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법.
- 제 11항에 있어서, 상기 금속유도측면결정화를 위한 상기 액티브층을 가열하는 단계에서 상기 액티브층 상에 주입된 고농도 불순물 이온이 활성화되는 것을 특징으로 하는 금속유도측면결정화된 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법.
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