KR20050032184A - 웨이퍼의 세정방법 및 장치 - Google Patents

웨이퍼의 세정방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20050032184A
KR20050032184A KR1020030068198A KR20030068198A KR20050032184A KR 20050032184 A KR20050032184 A KR 20050032184A KR 1020030068198 A KR1020030068198 A KR 1020030068198A KR 20030068198 A KR20030068198 A KR 20030068198A KR 20050032184 A KR20050032184 A KR 20050032184A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
bath
ultrapure water
cleaning
injection nozzle
Prior art date
Application number
KR1020030068198A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100523610B1 (ko
Inventor
박성후
Original Assignee
동부아남반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부아남반도체 주식회사 filed Critical 동부아남반도체 주식회사
Priority to KR10-2003-0068198A priority Critical patent/KR100523610B1/ko
Publication of KR20050032184A publication Critical patent/KR20050032184A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100523610B1 publication Critical patent/KR100523610B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 세정방법 및 장치에 관한 것으로서, 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 배스(110)내로 상기 웨이퍼(W)를 로딩하여 웨이퍼회전용 모터의 구동에 의해 복수의 회전샤프트(120)와 지지롤러(130)가 회전함으로써 상기 웨이퍼(W)를 회전시키는 단계(S10)와, 상기 웨이퍼(W)가 회전시 상기 제어부(170)가 밸브(171)를 제어하여 공정조건에 따라 분사노즐(140)로부터 상기 웨이퍼(W) 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시키는 단계(S20)와, 상기 웨이퍼(W) 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시키는 단계(S20)에서 상기 웨이퍼(W)를 수작업으로 외부로 꺼내기 위해 상기 배스(110)를 개방하기 전에 상기 분사노즐(140)로부터 초순수를 분사시킴과 아울러 상기 분사노즐(140)을 회전시켜서 상기 배스(110) 내부를 세정시키는 단계(S30)를 포함하는 것으로서, 본 발명은 웨이퍼를 회전시킴과 아울러 불산 등과 같은 케미컬 또는 초순수를 분사하여 세정시 회전 위치로부터 이탈된 웨이퍼를 작업자에 의해 원위치시키거나 외부로 인출하기 위하여 배스를 개방하기 전에 배스 내부를 초순수로 세정하여 인체에 해로운 케미컬을 제거함으로써 작업자가 케미컬로 인해 발생되는 해로운 가스를 흡입하거나 케미컬과의 접촉에 의해 부상을 입는 것을 방지하는 효과를 가지고 있다.

Description

웨이퍼의 세정방법 및 장치{METHOD FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR WAFER AND APPARATUS THEREOF}
본 발명은 웨이퍼의 세정방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼를 회전시킴과 아울러 불산 등과 같은 케미컬 또는 초순수를 분사하여 세정시 회전 위치로부터 이탈된 웨이퍼를 작업자에 의해 원위치시키거나 외부로 인출시 배스 내부를 초순수로 세정하여 인체에 해로운 케미컬을 제거토록 하는 웨이퍼의 세정방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 확산 공정, 식각 공정, 화학기상증착 공정, 세정 공정 등 다양한 단위 공정을 실시함으로써 제조된다.
반도체 소자를 제조하기 위한 단위공정 중에서 가장 기본적인 세정 공정은 반도체 소자를 제조하기 위해서 실시되는 여러 단계의 공정에서 웨이퍼에 부착된 각종 오염물질을 제거하기 위한 공정이다.
한편, 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing; "CMP"라고도 함) 공정시 사용되는 세정 시스템은 케미컬을 이용한 케미컬 세정, 초순수를 이용한 린스 세정, 그리고 드라이 공정 등을 각각 수행하는 여러 개의 모듈로 이루어져 있으며, 이들 중에는 웨이퍼 표면에 불산 등과 같은 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사함으로써 웨이퍼를 세정하는 장치가 포함된다.
종래의 웨이퍼 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사함으로써 웨이퍼를 세정하는 장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래의 기술에 따른 웨이퍼의 세정장치를 도시한 정단면도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 기술에 따른 웨이퍼의 세정장치(10)는 웨이퍼(W)가 내측으로 로딩되는 배스(bath: 11)와, 배스(11)내의 하부에 전후로 회전가능하게 수평되게 설치됨과 아울러 지지롤러(13)가 각각 끼워지는 복수의 회전샤프트(12)와, 배스(11)내의 상부에 설치되는 분사노즐(14)을 포함한다.
배스(11)는 상측에 커버(11a)에 의해 개폐되는 출입구(미도시)가 형성되고, 하측에 내측의 케미컬 또는 초순수를 배출하기 위한 배출구(11b)가 형성되며, 출입구를 통해 웨이퍼(W)가 내.외측으로 로딩/언로딩되고, 내측의 하부와 상부에 각각 복수의 회전샤프트(12)와 분사노즐(14)이 설치된다.
회전샤프트(12)는 지지롤러(13)의 지지홈(13a)에 의해 하측 에지부분이 지지되는 웨이퍼(W)를 회전시키며, 배스(11)의 외측에 설치된 웨이퍼회전용 모터(미도시)의 회전력을 전달하는 기어박스(12a)에 기계적으로 결합되어 회전력을 제공받는다.
분사노즐(14)은 웨이퍼(W)의 양측면 각각에 불산 등의 케미컬 또는 초순수를 분사하도록 두 개로 이루어지며, 각각은 바(bar) 형상을 가지며, 일측에 일정 간격으로 복수의 분사구(14a)가 형성된다.
이와 같은 종래의 웨이퍼의 세정장치(10)는 출입구를 통해 배스(11) 내측으로 웨이퍼(W)가 로딩되어 수직으로 세워진 상태로 복수의 지지롤러(13)의 지지홈(13a)에 지지되면 출입구에 커버(11a)가 결합됨으로써 내측이 밀폐된다.
배스(11) 내측이 밀폐되면 웨이퍼회전용 모터(미도시)의 구동에 의해 회전샤프트(12)가 회전을 하게 됨으로써 지지롤러(13)의 지지홈(13a)에 지지된 웨이퍼(W)는 회전하게 되며, 회전하는 웨이퍼(W) 표면을 향하여 정해진 공정조건에 따라 분사노즐(140)로부터 불산 등과 같은 케미컬 또는 초순수가 분사된다.
이러한 종래의 웨이퍼의 세정장치(10)는 웨이퍼(W)를 세워서 회전시킴으로써 웨이퍼(W) 표면을 따라 케미컬 또는 초순수가 흘러 내리게 됨으로써 웨이퍼(W) 표면에 부착된 이물질의 제거에 탁월하다.
그러나, 웨이퍼(W)가 지지롤러(13)의 지지홈(13a)으로부터 이탈되는 경우가 빈번하게 발생하며, 이 경우 작업자는 커버(11a)를 분리 후 웨이퍼(W)를 지지롤러(13)의 지지홈(13a)에 원위치시키거나 외부로 인출시키게 되는데, 이 때, 작업자가 배스(11) 내부에 존재하는 불산 등과 같은 케미컬에 의해 발생되는 유해가스를 흡입시 매우 해로울 뿐만 아니라 작업자가 강산인 불산 등과 같은 케미컬과의 접촉시 신체에 부상을 초래하는 문제점을 가지고 있었다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼를 회전시킴과 아울러 불산 등과 같은 케미컬 또는 초순수를 분사하여 세정시 회전 위치로부터 이탈된 웨이퍼를 작업자에 의해 원위치시키거나 외부로 인출하기 위하여 배스를 개방하기 전에 배스 내부를 초순수로 세정하여 인체에 해로운 케미컬을 제거함으로써 작업자가 케미컬로 인해 발생되는 해로운 가스를 흡입하거나 케미컬과의 접촉에 의해 부상을 입는 것을 방지하는 웨이퍼의 세정방법 및 장치를 제공하는데 있다.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 발명은, 웨이퍼의 세정방법에 있어서, 배스내로 상기 웨이퍼를 로딩하여 웨이퍼회전용 모터의 구동에 의해 복수의 회전샤프트와 지지롤러가 회전함으로써 상기 웨이퍼를 회전시키는 단계와, 상기 웨이퍼가 회전시 상기 제어부가 밸브를 제어하여 공정조건에 따라 분사노즐로부터 상기 웨이퍼 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시키는 단계와, 상기 웨이퍼 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시키는 단계에서 상기 웨이퍼를 수작업으로 외부로 꺼내기 위해 상기 배스를 개방하기 전에 상기 분사노즐로부터 초순수를 분사시킴과 아울러 상기 분사노즐을 회전시켜서 상기 배스 내부를 세정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 웨이퍼의 세정장치에 있어서, 커버에 의해 개폐되는 출입구를 통해 웨이퍼가 로딩/언로딩되는 배스와, 상기 웨이퍼를 지지하는 지지롤러가 각각 결합되며, 상기 배스내의 하측에 설치되어 상기 웨이퍼를 회전시키는 복수의 회전샤프트와, 상기 배스내의 상부에 모터의 구동에 의해 회전가능하게 설치되며, 외부로부터 케미컬 또는 초순수를 공급받아 상기 웨이퍼 표면에 케미컬 또는 초순수를 분사하는 분사노즐과, 상기 분사노즐에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 공급하는 밸브를 제어하는 제어부와, 상기 배스 내부 벽면을 초순수로 세정하기 위하여 상기 분사노즐을 회전시키도록 상기 모터를 구동시킴과 동시에 상기 분사노즐로부터 초순수가 분사되도록 상기 제어부로 신호를 출력하는 스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정방법을 도시한 흐름도이고, 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치의 내부를 도시한 사시도이고, 도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치의 요부를 도시한 측단면도이고, 도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치를 도시한 블록도이고, 도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치의 작동을 도시한 정단면도이다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 세정방법은 웨이퍼(W)를 회전시키는 단계(S10)와, 회전하는 웨이퍼(W) 표면에 불산(HF) 등과 같은 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시키는 단계(S20)와, 배스(110) 내부를 세정시키는 단계(S30)를 포함한다.
웨이퍼(W)를 회전시키는 단계(S10)는 출입구를 통해 배스(110)내로 상기 웨이퍼(W)를 로딩하여 지지롤러(130)에 지지되도록 하고, 배스(110)의 출입구를 커버(112)로 밀폐시킨 다음 웨이퍼회전용 모터(미도시)의 구동에 의해 복수의 회전샤프트(120)와 지지롤러(130)가 회전함으로써 상기 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
웨이퍼(W)는 수평되게 위치하도록 클램핑되어 회전되거나 도 3 또는 도 6에서 나타낸 바와 같이 그 표면에 존재하는 이물질이 표면을 따라 흘러내려서 제거되도록 세워진 상태로 회전된다.
웨이퍼(W)가 회전하면 제어부(170)가 밸브(171)를 제어하여 공정조건에 따라 분사노즐(140)로부터 상기 웨이퍼(W) 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시킨다(S20).
웨이퍼(W) 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시키는 단계(S20)에서 상기 웨이퍼(W)를 수작업으로 외부로 꺼내기 위해 상기 배스(110)를 개방하기 전에 상기 분사노즐(140)로부터 초순수를 분사시킴과 아울러 상기 분사노즐(140)을 회전시켜서 상기 배스(110) 내부를 세정시킨다(S30).
웨이퍼(W)가 회전시 회전 위치로부터 이탈되면 작업자는 웨이퍼(W)를 다시 원위치시키거나 외측으로 인출하여 웨이퍼(W) 표면의 상태를 확인하기 위하여 출입구를 개방시키게 되는데, 출입구 개방 전에 분사노즐(140)로부터 초순수가 분사되도록 함과 아울러 분사노즐(140)을 회전시켜서(S30), 배스(110)의 내부 벽면을 초순수로 세정시킴으로써 배스(110)의 내부에 존재하는 인체에 해로운 불산 등과 같은 케미컬을 제거시킨다.
본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치(100)는, 도 3 내지 도 5에서 나타낸 바와 같이, 내측에서 웨이퍼(W)의 세정이 실시되는 배스(110)와, 웨이퍼(W)를 지지하는 지지롤러(130)가 각각 억지 끼워져서 배스(110)내의 하측에 설치되는 복수의 회전샤프트(120)와, 회전샤프트(120)에 의해 회전하는 웨이퍼(W)를 향해 케미컬 또는 초순수를 분사함과 아울러 배스(110) 내측에 회전가능하게 설치되는 분사노즐(140)과, 분사노즐(140)에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 공급시키는 제어부(170)와, 분사노즐(140)을 회전시킴과 아울러 분사노즐(140)로부터 초순수가 분사되도록 하는 스위칭부(160)를 포함한다.
배스(110)는 상측과 하측에 커버(112)에 의해 개폐되는 출입구(미도시)와 케미컬 또는 초순수를 배출시키기 위한 배출구(113)가 각각 형성되고, 출입구를 통해 웨이퍼(W)가 내.외측으로 로딩/언로딩되며, 내측의 하부와 상부에 각각 복수의 회전샤프트(120)와 분사노즐(140)이 회전가능하게 설치된다.
회전샤프트(120)는 외주면을 따라 지지홈(131)이 형성되는 지지롤러(130)가 외측에 각각 끼워지며, 지지롤러(130)의 지지홈(131)에 의해 하측 에지부분이 지지되는 웨이퍼(W)를 회전시키기 위하여 배스(110)의 외측에 설치된 웨이퍼회전용 모터(미도시)의 회전력을 전달하는 기어박스(121)에 기계적으로 결합되어 회전력을 제공받는다.
분사노즐(140)은 회전샤프트(120)의 지지롤러(130)에 의해 지지되어 회전하는 웨이퍼(W)의 양측면 각각에 불산 등과 같은 케미컬 또는 초순수를 각각 분사하도록 두 개로 이루어지고, 각각은 바(bar) 형상을 가지며, 일측에 일정 간격으로 복수의 분사구(141)가 형성되고, 회전시에도 불산공급부(180)로부터 공급되는 불산 등과 같은 케미컬과 초순수 공급부(190)로부터 공급되는 초순수를 원활하게 공급받도록 일측에 결합되는 유니온 로터리(union rotary: 141)에 의해 배스(110)의 일측면에 회전가능하게 설치된다.
유니온 로터리(141)는 일측에 기밀을 유지하는 상태로 회전가능하게 결합되는 공급관(141a)을 통해 분사노즐(140)로 케미컬 또는 초순수를 공급한다.
분사노즐(140)은 모터(150)의 구동에 의해 회전하며, 모터(150)로부터 회전력을 공급받도록 모터(150)의 회전축에 연결되는 제 1 기어(151)와 기어결합되는 제 2 기어(152)가 유니온 로터리(141) 외주면에 형성된다.
모터(150)는 배스(110)의 외측면에 결합되는 하우징(111) 내측의 지지부재(111b)에 고정된다.
하우징(111)은 배스(110)의 외측면에 형성되는 걸림턱(115)에 결합되도록 일측에 플랜지(111a)가 형성된다.
제어부(170)는 분사노즐(140)에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 공급하도록 제어하며, 이를 위해 불산공급부(180)와 초순수공급부(190)로부터 공급되는 불산과 같은 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 공급하도록 이들의 공급경로상에 설치되는 밸브(171)를 제어하며, 스위칭부(160)로부터 신호를 수신시 분사노즐(140)로 초순수가 공급되도록 밸브를 제어한다.
밸브(171)는 불산공급부(180)와 초순수공급부(190)마다 설치되거나 도 5에서와 같이 3방향 밸브임이 바람직하다.
스위칭부(160)는 작업자의 조작에 의해 온(on)/오프(off)되고, 온(on)시 분사노즐(140)을 회전시키기 위하여 전원공급부(161)로부터 모터(150)에 전원이 인가되도록 함과 동시에 분사노즐(140)로부터 초순수가 분사되도록 제어부(170)로 신호를 출력한다.
이와 같은 구조로 이루어진 웨이퍼의 세정방법 및 장치의 작용은 다음과 같이 이루어진다.
출입구를 통해 배스(110) 내측으로 웨이퍼(W)가 로딩되어 수직으로 세워진 상태로 복수의 지지롤러(130)의 지지홈(131)에 지지되면 출입구에 커버(112)가 결합됨으로써 내측이 밀폐되며, 웨이퍼회전용 모터(미도시)의 구동에 의해 회전샤프트(120)가 회전하여 지지롤러(130)의 지지홈(131)에 지지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
웨이퍼(W)가 회전시 분사노즐(140) 각각으로부터 주어진 공정조건에 따라 제어부(170)가 밸브(171)를 제어함으로써 웨이퍼(W)의 표면에 불산 등과 같은 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시킨다.
웨이퍼(W)의 세정중에 웨이퍼(W)가 분사되는 케미컬 또는 초순수의 분사 압력이나 회전력의 불균형으로 인해 회전 위치로부터 이탈되면 작업자가 이탈된 웨이퍼(W)를 집어서 지지롤러(130)의 지지홈(131)으로 원위치시키거나 외부로 인출하여 손상 여부를 확인하게 되는데, 이 때, 작업자는 불산 등과 같은 유해한 케미컬로부터 보호되기 위하여 배스(110)의 커버(112)를 개방시키기 전에 스위칭부(160)를 동작시킴으로써 분사노즐(140)을 회전시키는 모터(150)에 전원이 인가되도록 함과 아울러 분사노즐(140)이 초순수를 분사하도록 제어부(170)로 신호를 출력한다.
모터(150)에 전원공급부(161)로부터 전원이 인가되면 분사노즐(140)은 제 1 및 제 2 기어(151,152)에 의해 회전력을 전달받는 로터리 유니온(141)에 의해 배스(110) 내부에서 회전하게 되며, 분사노즐(140)은 제어부(170)에 의해 제어되는 밸브(171)의 동작에 의해 초순수공급부(190)로부터 초순수를 공급받는다.
그러므로, 도 6에서 나타낸 바와 같이, 분사노즐(140)이 회전하면서 배스(110) 내부 측면에 초순수를 분사하게 됨으로써 배스(110) 내부에 존재하는 불산과 같은 유해한 케미컬을 제거하여 작업자가 케미컬로 인해 발생되는 해로운 가스를 흡입하거나 케미컬과의 접촉에 의해 부상을 입는 것을 방지한다.
한편, 배스(110)의 내부 벽면에 대한 세정을 마치면 분사노즐(140)은 분사구(141)가 웨이퍼(W) 표면을 향하는 상태로 복귀된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정방법 및 장치는 웨이퍼를 회전시킴과 아울러 불산 등과 같은 케미컬 또는 초순수를 분사하여 세정시 회전 위치로부터 이탈된 웨이퍼를 작업자에 의해 원위치시키거나 외부로 인출하기 위하여 배스를 개방하기 전에 배스 내부를 초순수로 세정하여 인체에 해로운 케미컬을 제거함으로써 작업자가 케미컬로 인해 발생되는 해로운 가스를 흡입하거나 케미컬과의 접촉에 의해 부상을 입는 것을 방지하는 효과를 가지고 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정방법 및 장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
도 1은 종래의 기술에 따른 웨이퍼의 세정장치를 도시한 정단면도이고,
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정방법을 도시한 흐름도이고,
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치의 내부를 도시한 사시도이고,
도 4는 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치의 요부를 도시한 측단면도이고,
도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치를 도시한 블록도이고,
도 6은 본 발명에 따른 웨이퍼의 세정장치의 작동을 도시한 정단면도이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
110 : 배스 120 : 회전샤프트
130 : 지지롤러 131 : 지지홈
140 : 분사노즐 141 : 로터리 유니온
142 : 분사구 150 : 모터
160 : 스위칭부 170 : 제어부
171 : 밸브

Claims (3)

  1. 웨이퍼의 세정방법에 있어서,
    배스(110)내로 상기 웨이퍼(W)를 로딩하여 웨이퍼회전용 모터의 구동에 의해 복수의 회전샤프트(120)와 지지롤러(130)가 회전함으로써 상기 웨이퍼(W)를 회전시키는 단계(S10)와,
    상기 웨이퍼(W)가 회전시 상기 제어부(170)가 밸브(171)를 제어하여 공정조건에 따라 분사노즐(140)로부터 상기 웨이퍼(W) 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시키는 단계(S20)와,
    상기 웨이퍼(W) 표면에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 분사시키는 단계(S20)에서 상기 웨이퍼(W)를 수작업으로 외부로 꺼내기 위해 상기 배스(110)를 개방하기 전에 상기 분사노즐(140)로부터 초순수를 분사시킴과 아울러 상기 분사노즐(140)을 회전시켜서 상기 배스(110) 내부를 세정시키는 단계(S30)
    를 포함하는 웨이퍼의 세정방법.
  2. 웨이퍼의 세정장치(100)에 있어서,
    커버(112)에 의해 개폐되는 출입구를 통해 웨이퍼(W)가 로딩/언로딩되는 배스(110)와,
    상기 웨이퍼(W)를 지지하는 지지롤러(130)가 각각 결합되며, 상기 배스(110)내의 하측에 설치되어 상기 웨이퍼(W)를 회전시키는 복수의 회전샤프트(120)와,
    상기 배스(110)내의 상부에 모터(150)의 구동에 의해 회전가능하게 설치되며, 외부로부터 케미컬 또는 초순수를 공급받아 상기 웨이퍼(W) 표면에 케미컬 또는 초순수를 분사하는 분사노즐(140)과,
    상기 분사노즐(140)에 케미컬 또는 초순수를 선택적으로 공급하는 밸브(171)를 제어하는 제어부(170)와,
    상기 배스(110) 내부 벽면을 초순수로 세정하기 위하여 상기 분사노즐(120)을 회전시키도록 상기 모터(150)를 구동시킴과 동시에 상기 분사노즐(120)로부터 초순수가 분사되도록 상기 제어부(170)로 신호를 출력하는 스위칭부(160)
    를 포함하는 웨이퍼의 세정장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 분사노즐(140)은,
    상기 배스(110)내에 복수로 설치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 세정장치.
KR10-2003-0068198A 2003-10-01 2003-10-01 웨이퍼의 세정방법 및 장치 KR100523610B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0068198A KR100523610B1 (ko) 2003-10-01 2003-10-01 웨이퍼의 세정방법 및 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0068198A KR100523610B1 (ko) 2003-10-01 2003-10-01 웨이퍼의 세정방법 및 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050032184A true KR20050032184A (ko) 2005-04-07
KR100523610B1 KR100523610B1 (ko) 2005-10-24

Family

ID=37236757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0068198A KR100523610B1 (ko) 2003-10-01 2003-10-01 웨이퍼의 세정방법 및 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100523610B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744221B1 (ko) * 2005-12-27 2007-07-30 동부일렉트로닉스 주식회사 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적연마공정
CN109227359A (zh) * 2018-10-19 2019-01-18 清华大学 化学机械抛光系统及方法、晶圆的后处理单元

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100744221B1 (ko) * 2005-12-27 2007-07-30 동부일렉트로닉스 주식회사 화학적 기계적 연마장치와 이를 이용한 화학적 기계적연마공정
CN109227359A (zh) * 2018-10-19 2019-01-18 清华大学 化学机械抛光系统及方法、晶圆的后处理单元

Also Published As

Publication number Publication date
KR100523610B1 (ko) 2005-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI283020B (en) Single wafer type substrate cleaning method and apparatus
JP4005326B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101236810B1 (ko) 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 그리고 그의 처리 방법
KR20100045802A (ko) 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
JP2005109523A (ja) 半導体ウエハ等のポッド洗浄乾燥装置
KR101017102B1 (ko) 습식 기판 세정 장치 및 그 세정 방법
KR100523610B1 (ko) 웨이퍼의 세정방법 및 장치
JP3341727B2 (ja) ウエット装置
JP2004047714A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法
JP2001070861A (ja) 液処理方法及び液処理装置
KR100871821B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3441304B2 (ja) 基板処理装置および方法
JPH10172945A (ja) ウエハー洗浄装置
JPH07297155A (ja) 基板処理装置
KR20080009838A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2943053B2 (ja) 部品洗浄装置
JPH01199431A (ja) ウェハキャリア洗浄装置
KR200211252Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 현상장치
JP2001338903A (ja) 液処理方法及び液処理装置
KR20000037583A (ko) 반도체 웨이퍼 세정장치
JP3000378U (ja) タンク洗浄装置
KR100529604B1 (ko) 웨이퍼 세정장치 및 세정방법
CN219778838U (zh) 一种晶圆后处理装置
KR200241404Y1 (ko) 화학적 기계적 연마장치
KR100802301B1 (ko) 배스의 자동 도어장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100915

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee