KR200241404Y1

KR200241404Y1 - 화학적 기계적 연마장치

Info

Publication number: KR200241404Y1
Application number: KR2020010012499U
Authority: KR
Inventors: 허승녕
Original assignee: 아남반도체 주식회사
Priority date: 2001-04-30
Filing date: 2001-04-30
Publication date: 2001-10-12

Abstract

본 고안은 화학적 기계적 연마장치에 관한 것으로서, 내부 저면에 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)이 각각 마련됨과 아울러 내부 측면에 수위감지센서(131)가 부착되는 터브(130)가 상측에 형성되는 본체(100)와; 제 1 플래튼(110)의 상측에 반도체웨이퍼(W)를 장착하는 폴리싱하우징(210)이 구비되며, 폴리싱하우징(210)을 제어부(230)의 제어신호에 따라 구동하는 구동수단(240)에 의해 회전 및 왕복운동시키거나 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시키는 폴리싱아암(220)이 구비되는 폴리싱헤드(200)로 이루어진 화학적 기계적 연마장치에 있어서, 제 1 플래튼(110)과 제 2 플래튼(120) 사이에 설치되며, 수위감지센서(131)에 초순수를 분사하는 제 1 분사구(410)와, 제 1 및 제 2 플래튼(210,220)의 측면에 각각 초순수를 분사하는 제 2 분사구(420)와, 상방향으로 초순수를 분사하는 제 3 분사구(430)로 이루어지는 분사부(400)와; 분사부(400)의 제 3 분사구(430)로 초순수가 공급되는 경로상에 설치되는 제어밸브(500)와; 폴리싱하우징(210)이 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시 제어밸브(500)로 밸브개방신호를 출력하는 밸브제어부(600)를 포함하는 것으로서, 반도체웨이퍼를 클리닝 전에 폴리싱아암에 잔존하는 슬러리를 제거하여 클리싱시 슬러리에 의해 반도체웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 효과가 있다.

Description

화학적 기계적 연마장치{APPARATUS FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING}

본 고안은 화학적 제거가공과 기계적 제거가공이 하나의 가공방법으로 혼합한 연마장치인 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing) 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체웨이퍼를 폴리싱후 최종 클리싱시 슬러리에 의해 반도체웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생되는 것을 방지하고, 제 1 및 제 2 플래튼의 측면에 부착된 슬러리를 완전히 제거하는 화학적 기계적 연마장치에 관한 것이다.

반도체소자를 제조하는 공정에서 반도체웨이퍼상에는 단차를 갖는 구조물이 형성된다. 그리고 층간의 절연과 이러한 구조물이 형성된 결과면의 전면을 평탄화하기 위한 목적으로 층간절연막(ILD; Interlayer Dielectric)을 형성하는데, 층간절연막을 형성한 직후에는 층간절연막 아래의 구조물이 갖는 표면형태 즉, 단차가 그대로 층간절연막에도 나타난다. 따라서 층간절연막 또는 평탄화 목적의 물질층을 형성한 후에는 평탄화 공정을 실시한다.

최근에는 반도체웨이퍼가 대구경화됨에 따라 반도체웨이퍼의 넓어진 면을 평탄화하기 위해서 화학적인 제거가공과 기계적인 제거가공을 하나의 가공방법으로 혼합한 화학적 기계적 연마(Chemical-Mechanical Polishing) 공정이 널리 이용되고 있다. 화학적 기계적 연마 공정이란 단차를 가진 반도체웨이퍼 표면을 폴리싱패드 위에 밀착시킨 후 연마제와 화학물질이 포함된 슬러리(slurry)를 반도체웨이퍼와 폴리싱패드 사이에 주입시켜 반도체웨이퍼의 표면을 평탄화시키는 방식이다.

도 1은 종래의 화학적 기계적 연마장치의 평면도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다. 종래의 화학적 기계적 연마장치는, 내부 저면에 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)이 각각 마련됨과 아울러 내부 측면에 수위감지센서(131)가 부착되는 터브(tub;130)가 상측에 형성되는 본체(100)와, 제 1 플래튼(110)의 상측에 반도체웨이퍼(W)를 장착하는 폴리싱하우징(210)이 구비되며 폴리싱하우징(210)을 제어부(미도시 됨)의 제어신호에 따라 구동하는 구동수단(미도시 됨)에 의해 회전 및 왕복운동시키거나 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시키는 폴리싱아암(220)이 구비되는 폴리싱헤드(200)와, 제 1 플래튼(110)과 제 2 플래튼(120) 사이에 위치하며 수위감지센서(131)와 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)의 측면에 초순수를 분사하는 분사노즐(300)로 구성된다.

본체(100)는 상측으로 일정한 공간을 가지는 터브(130)가 형성되고, 이 터브(130)의 내부 저면에는 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)이 마련되며, 제 1 플래튼(110)과 제 2 플래튼(120) 사이에는 후술하는 분사노즐(300)이 위치한다.

제 1 플래튼(110)과 제 2 플래튼(120)의 사이에는 초순수를 배수하는 배수구(140)가 형성되어 있는데, 배수구(140)가 슬러리로 인해 막힘으로써 초순수가 배수되지 않을 경우 터브(130)의 외측으로 초순수가 넘쳐 흐르게 된다. 이를 방지하기 위해 터브(130)의 내부 측면에는 수위감지센서(131)가 부착되어 있다.

제 1 플래튼(110)은 그 상면에 폴리싱패드(111)가 부착되며, 그 하측에는 미도시된 모터에 연결된 제 1 회전축(112)이 연결되어 모터의 회전에 의해 단순한 회전운동을 한다.

제 1 플래튼(110)에 이웃하는 제 2 플래튼(120) 역시 본체(100)의 터브(130)내측에 마련되고, 그 상면에 슬러리제거패드(121)가 부착되며, 그 하측에는 제 1 플래튼(110)과 마찬가지로 미도시 된 모터에 연결된 제 2 회전축(122)이 연결되어 있다.

폴리싱헤드(200)는 제 1 플래튼(110)의 상측에 구비되는 폴리싱하우징(210)과, 폴리싱하우징(210)의 상측에 결합되는 폴리싱아암(220)으로 구성된다.

폴리싱하우징(210)은 그 하측에 반도체웨이퍼(W)를 흡착 지지하는 미도시된 웨이퍼척과 웨이퍼흡착패드가 구비되며, 웨이퍼척과 웨이퍼흡착패드의 외주면에 반도체웨이퍼(W)가 폴리싱 중에 이탈하는 것을 방지하는 리테이너링(retainer ring;211)이 구비된다.

폴리싱아암(220)은 제어부(미도시 됨)로부터 정해진 작업에 따라 출력되는 제어신호에 의해 구동하는 구동수단(미도시 됨)에 의해 동작한다. 따라서, 폴리싱아암(220)은 구동수단에 의해 폴리싱하우징(210)을 회전 및 왕복운동시키거나 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시킨다.

분사노즐(300)은 터브(130)의 저면중 제 1 플래튼(110)과 제 2 플래튼(120) 사이에 설치되며, 미도시된 초순수저장탱크로부터 펌프의 펌핑에 의해 공급된 초순수를 수위감지센서(131)와 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)의 측면에 분사함으로써 이들에 부착된 슬러리를 제거한다.

이와 같은 구조로 이루어진 종래의 화학적 기계적 연마장치의 동작은 다음과 같다.

반도체웨이퍼(W)가 장착된 폴리싱하우징(210)은 제 1 플래튼(110)의 폴리싱패드(111)의 상면에 위치하고, 제어부로부터 정해진 공정에 따라 출력되는 제어신호에 의해 구동하는 구동수단에 의해 폴리싱아암(220)은 폴리싱하우징(210)을 일정 압력으로 폴리싱패드(111)에 밀착시킴과 아울러 회전 및 왕복운동시킴으로써 반도체웨이퍼(W)의 표면을 폴리싱한다.

이 때 반도체웨이퍼(W)의 표면과 폴리싱패드(111) 사이에는 슬러리가 공급되는데, 폴리싱 작업후에는 반도체웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 슬러리를 제거하기 위해 폴리싱아암(220)은 폴리싱하우징(210)을 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시키고, 폴리싱 작업을 수행한 반도체웨이퍼(W)의 표면이 슬러리제거패드(121)에 소정 압력으로 밀착되도록 함과 아울러 회전 및 왕복운동시킨다.

한편, 터브(130)의 내측면에 설치된 수위감지센서(131)는 제어부에 연결되어 있고, 터브(130) 내의 수위가 일정 수치 이상일 경우 감지신호를 출력하며, 출력된 감지신호를 수신한 제어부는 경보 내지는 화학적 기계적 연마장치의 동작을 정지시키게 된다.

분사노즐(300)은 초순수를 분사하여 수위감지센서(131)에 부착된 슬러리를 제거함으로써 수위감지센서(131)가 오동작을 일으키는 것을 방지할 뿐만 아니라 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)의 측면에도 초순수를 분사함으로써 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)의 측면에 부착된 슬러리를 묽게 하여 배수구(140)를 통해 배수토록 한다.

이상과 같이, 종래의 화학적 기계적 연마장치는 반도체웨이퍼가 제 1 플래튼에서 폴리싱 후 바로 제 2 플래튼으로 이동해서 초순수로 클리닝을 하게 되어 있는데, 이로 인해 폴리싱 공정시 공급된 슬러리가 반도체웨이퍼의 표면에 남아 있어 제 2 플래튼에서 클리싱시 반도체웨이퍼의 표면에 스크래치를 발생시켜 수율을 저하시키는 원인이 된다.

또한, 제 1 및 제 2 플래튼의 측면에 부착된 슬러리를 완전하게 제거하기 위해서는 제 1 및 제 2 플래튼의 측면에 골고루 초순수를 분사시켜야 하나 종래의 분사노즐로는 제 1 및 제 2 플래튼의 측면에 부착된 슬러리를 완전하게 제거하지 못함으로 인해 공정을 마친후 별도로 제 1 및 제 2 플래튼에 부착된 슬러리를 제거해야 하는 번거로움이 있다.

본 고안은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 반도체웨이퍼를 폴리싱후 슬러리를 제거하기 위한 클리닝 전에 폴리싱아암 및 반도체웨이퍼의 표면에 잔존하는 슬러리를 일차적으로 제거함으로써 클리싱시 슬러리에 의해 반도체웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생되는 것을 방지하고, 폴리싱 및 클리닝 공정이 진행되는 동안 제 1 및 제 2 플래튼의 측면에 부착된 슬러리를 완전하게 제거함으로써 장비의 청결유지가 용이한 화학적 기계적 연마장치를 제공하는데 있다.

이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은, 내부 저면에 제 1 및 제 2 플래튼이 각각 마련됨과 아울러 내부 측면에 수위감지센서가 부착되는 터브(tub)가 상측에 형성되는 본체와; 제 1 플래튼의 상측에 반도체웨이퍼를 장착하는 폴리싱하우징이 구비되며, 폴리싱하우징을 제어부의 제어신호에 따라 구동하는 구동수단에 의해 회전 및 왕복운동시키거나 제 1 플래튼으로부터 제 2 플래튼으로 이동시키는 폴리싱아암이 구비되는 폴리싱헤드로 이루어진 화학적 기계적 연마장치에 있어서, 제 1 플래튼과 제 2 플래튼 사이에 설치되며, 수위감지센서에 초순수를 분사하는 제 1 분사구와, 제 1 및 제 2 플래튼의 측면에 각각 초순수를 분사하는 제 2 분사구와, 상방향으로 초순수를 분사하는 제 3 분사구로 이루어지는 분사부와; 분사부의 제 3 분사구로 초순수가 공급되는 경로상에 설치되는 제어밸브와; 폴리싱헤드의 폴리싱하우징이 제 1 플래튼으로부터 제 2 플래튼으로 이동시 제어밸브로 밸브개방신호를 출력하는 밸브제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

분사부(400)는 제 1 분사구(410)가 일단에 분사노즐로 형성되고, 제 2 분사구(420)가 양측면에 길이방향으로 각각 복수의 분사노즐로 형성되며, 제 3 분사구(430)가 상측면에 길이방향으로 복수의 분사노즐로 형성되는 것을 특징으로 한다.

도 1은 종래의 화학적 기계적 연마장치의 평면도,

도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도,

도 3은 본 고안에 따른 화학적 기계적 연마장치의 평면도,

도 4는 본 고안에 따른 화학적 기계적 연마장치의 제어 블럭도,

도 5는 본 고안에 따른 화학적 기계적 연마장치의 분사부의 사시도이다.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >

100 : 본체 110 : 제 1 플래튼

120 : 제 2 플래튼 130 : 터브(tub)

131 : 수위감지센서 200 : 폴리싱헤드

210 : 폴리싱하우징 220 : 폴리싱아암

230 : 제어부 240 : 구동부

400 : 분사부 410 : 제 1 분사구

420 : 제 2 분사구 430 : 제 3 분사구

500 : 제어밸브 600 : 밸브제어부

이하, 본 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.

도 1 및 도 2와 동일한 부분에 대해서는 동일부호를 부여하기로 하겠다.

도 3은 본 고안에 따른 화학적 기계적 연마장치의 평면도이고, 도 4는 본 고안에 따른 화학적 기계적 연마장치의 제어 블럭도이다. 도시된 바와 같이, 화학적 기계적 연마장치는 본체(100)와, 폴리싱헤드(200)와, 분사부(400)와,제어밸브(500)와, 밸브제어부(600)로 구성된다.

본체(100)는 상측으로 일정한 공간을 가지는 터브(130)가 형성되고, 이 터브(130)의 내부 저면에는 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)이 마련되며, 제 1 플래튼(110)과 제 2 플래튼(120) 사이에는 분사부(400)가 위치한다.

또한, 터브(130)의 저면중 제 1 플래튼(110)과 제 2 플래튼(120)의 사이에는 초순수를 배수하는 배수구(140)가 형성되어 있으며, 터브(130)의 내부 측면에는 수위감지센서(131)를 부착하여 배수구(140)가 슬러리로 인해 막혀서 초순수가 제대로 배수되지 않게 됨으로써 터브(130)의 외측으로 초순수가 넘치는 것을 사전에 감지한다.

제 1 플래튼(110)은 그 상면에 폴리싱패드(111)가 부착되며, 그 하측에는 미도시된 모터에 기계적으로 연결된 제 1 회전축(112)이 형성되며, 모터의 회전에 의해 단순한 회전운동을 한다.

제 1 플래튼(110)에 이웃하는 제 2 플래튼(120)은 그 상면에 슬러리제거패드(121)가 부착되며, 그 하측에는 제 1 플래튼(110)과 마찬가지로 미도시된 모터에 기계적으로 연결된 제 2 회전축(122)이 형성되며, 모터의 회전에 의해 단순한 회전운동을 한다.

폴리싱헤드(200)는 제 1 플래튼(110)의 상측에 구비되며 반도체웨이퍼(W)를 장착하는 폴리싱하우징(210)과, 폴리싱하우징(210)을 회전 및 왕복운동시키거나 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시키는 폴리싱아암(220)으로 구성된다.

폴리싱하우징(210)은 그 하측에 반도체웨이퍼(W)를 흡착 지지하는 미도시된 웨이퍼척과 웨이퍼흡착패드가 구비되며, 웨이퍼척과 웨이퍼흡착패드의 외주면에 반도체웨이퍼(W)가 폴리싱중에 이탈하는 것을 방지하는 리테이너링(retainer ring;211)이 구비된다.

폴리싱아암(220)은 폴리싱하우징(210)의 상측에 결합하며, 제어부(230)의 정해진 공정에 따라 출력되는 제어신호에 따라 구동하는 구동수단(240)에 의해 폴리싱하우징(210)을 회전 및 왕복운동시키거나 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시킨다.

분사부(400)는 수위감지센서(131)에 초순수를 분사하는 제 1 분사구(410)와, 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)의 측면에 각각 초순수를 분사하는 제 2 분사구(420)와, 상방향으로 초순수를 분사하는 제 3 분사구(430)로 구성된다.

이러한 분사부(400)는 도 5에서와 같이, 제 1 분사구(410)가 일단에 분사노즐로 형성되고, 제 2 분사구(420)가 양측면에 길이방향으로 각각 복수의 분사노즐로 형성되며, 제 3 분사구(430)가 상측면에 길이방향으로 복수의 분사노즐로 형성됨이 바람직하다.

따라서, 제 2 분사구(420)의 복수의 분사노즐(421)로부터 초순수가 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)의 측면에 광범위하게 분사됨으로써 이들에 부착된 슬러리를 완전하게 제거하며, 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)으로부터 분리된 슬러리는 초순수와 함께 배수구(140)를 통하여 신속하게 배수된다.

제 3 분사구(430)의 복수의 분사노즐(431)로부터 분사되는 초순수는 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동하는 폴리싱하우징(210)의 하측과 폴리싱하우징(210)에 장착된 반도체웨이퍼(W)의 하면에 광범위하게 분사됨으로써 이들에 부착된 슬러리를 효과적으로 제거할 수 있다.

그리고, 제 1 분사구(410), 제 2 분사구(420) 및 제 3 분사구(430)는 일체로 형성됨으로써 분사부(400)의 설치면적을 최소화할 수 있으며, 용이하게 설치할 수 있다.

한편, 분사부(500)는 그 타단에 초순수가 공급되는 공급튜브(440,450)가 연결되는데, 이러한 공급튜브(440,450)는 제 1 및 제 2 분사구(410,420)로 초순수가 공급되는 공급튜브(440)와, 제 3 분사구(430)로 초순수가 공급되는 공급튜브(450)로 각각 나뉘어져 있다. 이는 제 1 및 제 2 분사구(410,420)는 공정진행중에 초순수를 분사하는 반면, 제 3 분사구(430)는 폴리싱아암(210)이 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동중에만 초순수를 분사하기 때문이다.

제어밸브(500)는 제 3 분사구(430)로 초순수가 공급되는 경로상에 설치되어 제 3 분사구(430)의 초순수 분사를 제어한다. 이러한 제어밸브(500)는 일예로 솔레노이드밸브임이 바람직하며, 밸브제어부(600)에 의해 제어된다.

밸브제어부(600)는 폴리싱헤드(200)의 폴리싱하우징(210)이 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시 제어밸브(500)에 밸브개방신호를 출력한다. 즉, 밸브제어부(600)는 제어부(230)가 폴리싱아암(220)에 의해 폴리싱하우징(210)을 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시키는 제어신호를 구동수단(240)에 출력시 이 제어신호를 감지하여 밸브개방신호를 출력한다.

이와 같은 구조로 이루어진 본 고안에 따른 화학적 기계적 연마장치의 동작은 다음과 같다.

제어부(230)로부터 소정의 공정에 따라 출력되는 제어신호에 의해 구동하는 구동수단(240)에 의해 폴리싱아암(220)이 구동된다. 폴리싱아암(220)은 우선, 반도체웨이퍼(W)가 장착된 폴리싱하우징(210)을 제 1 플래튼(110)의 폴리싱패드(111)의 상면에 위치토록 하고 일정 압력으로 반도체웨이퍼(W)를 폴리싱패드(111)의 상면에 밀착시킴과 아울러 폴리싱하우징(210)을 회전 및 왕복운동시킴으로써 반도체웨이퍼(W)의 표면을 폴리싱한다.

반도체웨이퍼(W) 표면의 폴리싱중에는 반도체웨이퍼(W)의 표면과 폴리싱패드(111) 사이에 슬러리가 공급되며, 반도체웨이퍼(W)의 폴리싱작업이 완료되면 반도체웨이퍼(W)의 표면에 잔존하는 슬러리를 제거하기 위해 폴리싱아암(220)은 폴리싱하우징(210)을 제 2 플래튼(120)으로 이동시킨다.

이 때, 밸브제어부(600)는 제어부(230)가 폴리싱아암(220)에 의해 폴리싱하우징(210)을 제 1 플래튼(110)으로부터 제 2 플래튼(120)으로 이동시키는 제어신호를 출력시 이 제어신호를 감지하여 밸브개방신호를 출력한다.

출력된 밸브개방신호는 제어밸브(500)가 수신받아 밸브를 개방하고, 이로 인해 제 3 분사구(430)는 그 상측으로 통과하는 폴리싱하우징(210) 및 이에 장착된 반도체웨이퍼(W)의 하면을 향하여 초순수를 분사하여 이들에 부착된 슬러리를 제거한다.

따라서, 폴리싱하우징(210) 및 반도체웨이퍼(W)는 제 1 플래튼(110)으로부터제 2 플래튼(120)으로 이동중에 일차적으로 슬러리가 제거된 후에 제 2 플래튼(120)으로 이동되어 최종적으로 슬러리를 제거하는 클리닝을 수행하게 된다.

이로 인해, 최종 클리닝시 반도체웨이퍼(W)의 표면에 부착된 슬러리로 인해 반도체웨이퍼(W)의 표면에 스크래치(scratch)가 발생하는 것을 방지하게 된다.

한편, 제 1 및 제 2 분사구(410,420)sms 공정진행중에 수위감지센서(131)와 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)의 측면에 각각 초순수를 분사하여 슬러리를 제거하는데, 이 때 제 2 분사구(420)는 분사부(400)의 양측에 형성된 복수의 분사노즐(421)로부터 초순수를 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)의 측면에 광범위하게 분사함으로써 제 1 및 제 2 플래튼(110,120)에 부착된 슬러리를 완전히 제거함으로써 항상 장비 내의 청결상태를 유지토록 한다.

상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 화학적 기계적 연마장치는 반도체웨이퍼를 폴리싱후 슬러리를 제거하기 위한 클리닝 전에 폴리싱아암 및 반도체웨이퍼의 표면에 잔존하는 슬러리를 일차적으로 제거함으로써 최종 클리싱시 슬러리에 의해 반도체웨이퍼의 표면에 스크래치가 발생되는 것을 방지하고, 폴리싱 및 클리닝 공정이 진행되는 제 1 및 제 2 플래튼의 측면에 부착된 슬러리를 완전하게 제거함으로써 장비의 청결유지가 용이한 효과를 가지고 있다.

이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 화학적 기계적 연마장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 고안의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.

Claims

내부 저면에 제 1 및 제 2 플래튼이 각각 마련됨과 아울러 내부 저면에 수위감지센서가 부착되는 터브(tub)가 상측에 형성되는 본체와; 상기 제 1 플래튼의 상측에 반도체웨이퍼를 장착하는 폴리싱하우징이 구비되며, 상기 폴리싱하우징을 제어부의 제어신호에 따라 구동하는 구동수단에 의해 회전 및 왕복운동시키거나 상기 제 1 플래튼으로부터 상기 제 2 플래튼으로 이동시키는 폴리싱아암이 구비되는 폴리싱헤드로 이루어진 화학적 기계적 연마장치에 있어서,

상기 제 1 플래튼과 상기 제 2 플래튼 사이에 설치되며, 상기 수위감지센서에 초순수를 분사하는 제 1 분사구와, 상기 제 1 및 제 2 플래튼의 측면에 각각 초순수를 분사하는 제 2 분사구와, 상방향으로 초순수를 분사하는 제 3 분사구로 이루어지는 분사부와;

상기 분사부의 제 3 분사구로 초순수가 공급되는 경로상에 설치되는 제어밸브와;

상기 폴리싱헤드의 폴리싱하우징이 상기 제 1 플래튼으로부터 상기 제 2 플래튼으로 이동시 상기 제어밸브로 밸브개방신호를 출력하는 밸브제어부;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치.
제 1 항에 있어서, 상기 분사부는 상기 제 1 분사구가 일단에 분사노즐로 형성되고, 상기 제 2 분사구가 양측면에 길이방향으로 각각 복수의 분사노즐로 형성되며, 상기 제 3 분사구가 상측면에 길이방향으로 복수의 분사노즐로 형성되는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마장치.