KR20040087419A - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제조비용을 절감 할 수 있도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치에 관한 것이다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는 스캔전극들을 구동시키기 위한 집적회로와, 집적회로로 서스테인 전압을 공급하기 위한 에너지 회수회로와, 셋업 기간동안 집적회로로 상승 램프파형을 공급하기 위한 셋업 공급부와, 셋다운 기간동안 집적회로로 하강 램프파형을 공급하기 위한 셋다운 공급부와, 셋업 공급부와 셋다운 공급부 사이에 설치되는 스위치와, 셋다운 기간동안 집적회로로 공급되는 전압에 대응하여 스위치의 절환상태를 제어하기 위한 스위치 제어부를 구비한다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 및 방법{Method and Apparatus for Driving Plasma Display Panel}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 및 방법에 관한 것으로 특히, 제조비용을 절감 할 수 있도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 및 방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel : 이하 "PDP"라 함)은 He+Xe 또는 Ne+Xe 가스의 방전시 발생하는 147nm의 자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 문자 또는 그래픽을 포함한 화상을 표시하게 된다. 이러한 PDP는 박막화와 대형화가 용이할 뿐만 아니라 최근의 기술 개발에 힘입어 크게 향상된 화질을 제공한다. 특히, 3전극 교류 면방전형 PDP는 방전시 표면에 축적된 벽전하를 이용하여 방전에 필요한 전압을 낮추게 되며, 방전에 의해 발생되는 스퍼터링으로부터 전극들을 보호하기 때문에 저전압 구동과 장수명의 장점을 가진다.
도 1을 참조하면, 3전극 교류 면방전형 PDP의 방전셀은 상부기판(10) 상에 형성되어진 스캔전극(30Y) 및 서스테인전극(30Z)과, 하부기판(18) 상에 형성되어진 어드레스전극(20X)을 구비한다.
스캔전극(30Y)과 서스테인전극(30Z) 각각은 투명전극(12Y,12Z)과, 투명전극(12Y,12Z)의 선폭보다 작은 선폭을 가지며 투명전극의 일측 가장자리에 형성되는 금속버스전극(13Y,13Z)을 포함한다. 투명전극(12Y,12Z)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide : ITO)로 상부기판(10) 상에 형성된다. 금속버스전극(13Y,13Z)은 통상 크롬(Cr) 등의 금속으로 투명전극(12Y,12Z) 상에 형성되어 저항이 높은 투명전극(12Y,12Z)에 의한 전압강하를 줄이는 역할을 한다. 스캔전극(30Y)과 서스테인전극(30Z)이 형성된 상부기판(10)에는 상부 유전체층(14)과 보호막(16)이 적층된다. 상부 유전체층(14)에는 플라즈마 방전시 발생된 벽전하가 축적된다. 보호막(16)은 플라즈마 방전시 발생된 스퍼터링으로부터 상부 유전체층(14)을 보호하고 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다. 보호막(16)으로는 통상 산화마그네슘(MgO)이 이용된다.
어드레스전극(20X)은 스캔전극(30Y) 및 서스테인전극(30Z)과 교차되는 방향으로 형성된다. 어드레스전극(20X)이 형성된 하부기판(18) 상에는 하부 유전체층(22)과 격벽(24)이 형성된다. 하부 유전체층(22)과 격벽(24)의 표면에는 형광체층(26)이 형성된다. 격벽(24)은 어드레스전극(20X)과 나란하게 형성되어 방전셀을 물리적으로 구분하며, 방전에 의해 생성된 자외선과 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다. 형광체층(26)은 플라즈마 방전시 발생된 자외선에 의해 여기·발광되어 적색, 녹색 또는 청색 중 어느 하나의 가시광선을 발생하게 된다. 상/하부기판(10,18)과 격벽(24) 사이에 마련된 방전셀의 방전공간에는 방전을 위한 He+Xe 또는 Ne+Xe 등의 불활성 혼합가스가 주입된다.
이러한 3전극 교류 면방전형 PDP는 화상의 계조(Gray Level)를 구현하기 위하여 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누어 구동하고 있다. 각 서브필드는 다시 방전을 균일하게 일으키기 위한 리셋 기간, 방전셀을 선택하기 위한 어드레스 기간 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간으로 나뉘어진다. 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 프레임 기간(16.67ms)은 도 2와 같이 8개의 서브필드들(SF1내지SF8)로 나누어지게 된다. 8개의 서브 필드들(SF1내지SF8) 각각은 리셋기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다. 각 서브필드의 리셋기간 및 어드레스 기간은 각 서브필드마다 동일한 반면에, 서스테인 기간 및 그 방전횟수는 각 서브필드에서 2n(단, n=0,1,2,3,4,5,6,7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 각 서브필드에서 서스테인 기간이 달라지게 되므로 화상의 계조를 구현할 수 있게 된다.
이와 같은 PDP의 구동방법은 어드레스 방전에 의해 선택되는 방전셀의 발광여부에 따라 선택적 쓰기(Selective writing) 방식과 선택적 소거(Selective erasing) 방식으로 대별된다.
선택적 쓰기방식은 리셋기간에 전화면을 끈 후, 어드레스 기간에 선택된 방전셀들을 켜게 된다. 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택된 방전셀들의 방전을 유지시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
이와 같은 선택적 쓰기방식에서는 스캔펄스(Scan pulse)의 폭을 비교적 넓게(예를 들어 3μs) 설정하여 방전셀 내에 충분한 벽전하가 형성되도록 한다. 하지만, 스캔펄스(Scan pulse)의 폭이 넓게 설정되면 어드레스 기간이 넓게 설정되고, 휘도에 기여하는 서스테인 기간이 상대적으로 좁게 설정되는 문제점이 있다.
선택적 소거방식은 리셋기간에 전화면을 쓰기 방전시켜 전화면을 켠 후에, 어드레스 기간에 선택된 방전셀들을 끄게 된다. 이어서, 서스테인 기간에는 어드레스 방전에 의해 선택되지 않은 방전셀들만을 서스테인 방전시킴으로써 화상을 표시하게 된다.
이와 같은 선택적 소거방식에서는 스캔펄스(Scan pulse)의 폭을 비교적 좁게(예를 들어 1μs) 설정하여 방전셀 내에서 소거방전을 일으키도록 한다. 즉, 선택적 소거방식에서는 좁은 폭을 가지는 스캔펄스(Scan pulse)를 인가함으로써 어드레스기간을 짧게 설정할 수 있고, 이에 따라 휘도에 기여하는 서스테인 기간에 비교적 많은 시간을 할당할 수 있다. 하지만, 선택적 소거방식은 비표시기간인 리셋기간에 전화면이 켜지게 되므로 콘트라스트가 낮은 단점이 있다.
이와 같은 선택적 쓰기 및 소거방식의 단점을 극복하기 위하여 도 3과 같이 선택적 쓰기 및 선택적 소거방식을 조합한 방법이 제안되었다.
도 3을 참조하면, 한 프레임은 적어도 하나 이상의 서브필드를 포함하는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)와, 적어도 하나 이상의 서브필드를 포함하는 선택적 소거 서브필드(ESF)를 포함한다.
선택적 쓰기 서브필드(WSF)는 m(단, m은 0보다 큰 양의 정수) 개의 서브필드들(SF1 내지 SFm)을 포함한다. m 번째 서브필드(SFm)를 제외한 제1 내지 제m-1 서브필드들(SF1 내지 SFm-1) 각각은 전화면의 셀들에 일정한 양의 벽전하를 균일하게 형성하기 위한 리셋기간, 쓰기방전을 이용하여 온셀들(on-cells)을 선택하는 선택적 쓰기 어드레스 기간(이하, 쓰기 어드레스기간), 선택된 온셀에 대하여 서스테인 방전을 일으키는 서스테인 기간 및 서스테인 방전 후 셀 내의 벽전하를 소거시키기 위한 소거기간으로 나뉘어진다.
선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 마지막 서브필드인 제m 서브필드(SFm)는 리셋기간, 쓰기 어드레스기간 및 서스테인 기간으로 나뉘어진다. 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 리셋기간, 쓰기 어드레스 기간 및 소거기간은 각 서브필드(SF1 내지 SFm)마다 동일한 반면에 서스테인 기간은 미리 설정된 휘도 가중치가 동일하거나 다르게 설정될 수 있다.
선택적 소거 서브필드(ESF)는 n-m(단, n은 m 보다 큰 양의 정수) 개의 서브필드들(SFm+1 내지 SFn)을 포함한다. 제m+1 내지 제n 서브필드들(SFm+1 내지 SFn) 각각은 소거방전을 이용하여 오프셀(off-cell)을 선택하기 위한 선택적 소거 어드레스기간(이하, "소거 어드레스 기간"이라 한다) 및 온셀들에 대하여 서스테인 방전을 일으키기 위한 서스테인기간으로 나뉘어진다. 선택적 소거 서브필드(ESF)의 서브필드들(SFm+1 내지 SFn)에 있어서 소거 어드레스 기간은 동일하게 설정되고 서스테인기간은 휘도 상대비에 따라 동일하게 설정되거나 상이하게 설정될 수 있다.
이와 같은 도 3에 도시된 구동방법에서는 m개의 서브필드를 선택적 쓰기방식으로 구동하고, n-m개의 서브필드를 선택적 소거방식으로 구동함으로써 어드레스기간을 짧게 설정함과 아울러 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 다시 말하여, 한 프레임이 짧은 스캔펄스(Scan pulse)를 가지는 선택적 소거 서브필드를 포함함으로써 충분한 서스테인 기간을 확보할 수 있다. 그리고, 한 프레임이 리셋기간을 포함하지 않는 선택적 소거 서브필드를 포함함으로써 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 의하여 구동파형을 공급하기 위한 스캔 구동장치를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 종래의 PDP의 스캔 구동장치는 에너지 회수회로(40), 드라이브 집적회로(52), 셋업 공급부(42), 셋다운 공급부(47), 제 1 및 제 2부극성 스캔전압 공급부(46,48), 스캔기준전압 공급부(50)와, 셋업 공급부(42)와 드라이브 집적회로(52) 사이에 접속되는 제 7스위치(Q7) 및 셋업 공급부(42)와 에너지 회수회로(40) 사이에 접속되는 제 6스위치(Q6)를 구비한다.
드라이브 집적회로(52)는 푸쉬풀 형태로 접속되며 에너지 회수회로(40), 셋업 공급부(42), 셋다운 공급부(47), 제 1 및 제 2부극성 스캔전압 공급부(46,48) 및 스캔기준전압 공급부(50)로부터 전압신호가 입력되는 제 14 및 제15스위치들(Q14,Q15)로 구성된다. 제 14 및 제 15스위치들(Q14,Q15) 사이의 출력라인은 스캔전극라인들 중 어느 하나에 접속된다.
에너지 회수회로(40)는 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)으로부터 회수되는 에너지를 충전하기 위한 외부 커패시터(C1)와, 외부 커패시터(C1)와 드라이브 집적회로(52) 사이에 접속되는 인덕터(L1)와, 인덕터(L1)와 외부 커패시터(C1) 사이에 병렬로 접속되는 제 1스위치(Q1), 제 1다이오드(D1), 제 2다이오드(D2) 및 제 2스위치(Q2)를 구비한다.
이와 같은 에너지 회수회로(40)의 동작과정을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 외부 커패시터(C1)에는 Vs/2 전압이 충전되어 있다고 가정한다. 제 1스위치(Q1)가 턴-온되면 외부 커패시터(C1)에 충전된 전압은 제 1스위치(Q1), 제 1다이오드(D1), 인덕터(L), 제 6스위치(Q6)의 내부다이오드 및 제 7스위치(Q7)를 경유하여 드라이브 집적회로(52)에 공급되고, 드라이브 집적회로(52)는 자신에게 공급된 전압을 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)으로 공급한다. 이때, 인덕터(L1)는 PDP 방전셀의 정전용량(C)과 함께 직렬 LC 공진회로를 구성하게 되므로 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)에는 Vs의 전압이 공급된다.
이후, 제 3스위치(Q3)가 턴-온된다. 제 3스위치(Q3)가 턴-온되면 서스테인 전압(Vs)이 제 6스위치(Q6)의 내부다이오드, 제 7스위치(Q7)를 경유하여 드라이브 집적회로(52)로 공급된다. 드라이브 집적회로(52)는 자신에게 공급된 서스테인 전압을 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급한다. 서스테인전압(Vs)에 의해 스캔전극라인(Y1 내지 Ym) 상의 전압레벨은 서스테인전압(Vs)을 유지하고, 이에 따라 방전셀들에서 서스테인 방전이 일어나게 된다.
방전셀들에서 서스테인 방전이 일어난 후 제 2스위치(Q2)가 턴-온된다. 제 2스위치(Q2)가 턴-온되면 스캔전극라인(Y1 내지 Ym), 드라이브 집적회로(52), 제 7스위치(Q7)의 내부다이오드, 제 6스위치(Q6), 인덕터(L1), 제 2다이오드(D2) 및 제 2스위치(Q2)를 경유하여 무효전력외 외부 커패시터(C1)로 회수된다. 즉, 외부 커패시터(C1)에 PDP로부터의 에너지가 회수된다. 이어서, 제 4스위치(Q4)가 턴-온되어 스캔전극라인(Y1 내지 Ym) 상의 전압을 기저전위(GND)로 유지한다.
이렇게 에너지 회수회로(40)는 PDP로부터 에너지를 회수한 다음, 회수된 에너지를 이용하여 스캔전극라인(Y1 내지 Ym) 상에 전압을 공급함으로써 셋업기간과 서스테인기간의 방전시에 과도한 소비전력을 줄이게 된다.
제 1부극성 스캔전압 공급부(46)는 제 2노드(n2)와 쓰기 스캔전압원(-Vw) 사이에 접속된 제 11스위치(Q11)를 구비한다. 제 11스위치(Q11)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 어드레스기간 동안 도시되지 않은 타이밍 콘트롤러로부터 공급되는 제어신호에 응답하여 절환됨으로써 쓰기 스캔전압(-Vw)을 드라이브 집적회로(52)로 공급한다.
제 2부극성 스캔전압 공급부(48)는 제 2노드(n2)와 소거 스캔전압원(-Ve) 사이에 접속되는 제 12 및 제 13스위치(Q12,Q13)를 구비한다. 제 12 및 제 13스위치(Q12,Q13)는 선택적 소거 서브필드(ESF)의 어드레스기간 동안 도시되지 않은 타이밍 콘트롤러로부터 공급되는 제어신호에 응답하여 절환됨으로써 소거 스캔전압(-Ve)을 드라이브 집적회로(52)로 공급한다.
스캔기준전압 공급부(50)는 기준전압원(Vsc)과 제 2노드(n2) 사이에 접속되는 제 3커패시터(C3)와, 기준전압원(Vsc)과 제 2노드(n2) 사이에 접속되는 제 8스위치(Q8) 및 제 9스위치(Q9)를 구비한다. 제 8스위치(Q8) 및 제 9스위치(Q9)는 선택적 쓰기 및 소거 어드레스 기간동안 타이밍 콘트롤러로부터 공급되는 제어신호에 의하여 절환되면서 기준전압원(Vsc)의 전압을 드라이브 집적회로(52)로 공급한다. 제 3커패시터(C3)는 제 2노드(n2)에 인가되는 전압과 기준전압원(Vsc)의 전압값을 합하여 제 8스위치(Q8)로 공급한다.
셋다운 공급부(47)는 제 2노드(n2)와 쓰기 스캔전압(-Vw) 사이에 접속되는 제 10스위치(Q10)를 구비한다. 셋다운 공급부(47)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 리셋기간에 포함되는 셋다운 기간동안 드라이브 집적회로(52)로 공급되는 전압을 쓰기 스캔전압(-Vw)까지 기울기를 가지고 서서히 하강시킨다.(여기서, 쓰기 스캔전압(-Vw)이 셋다운 전압원으로 이용된다.)
셋업 공급부(42)는 셋업 전압원(Vst)과 제 1노드(n1) 사이에 접속된 제 1다이오드(D1) 및 제 5스위치(Q5)와, 셋업 전압원(Vst)과 애너지 회수회로(40) 사이에 설치되는 제 2커패시터(C2)를 구비한다. 제 1다이오드(D1)는 제 2커패시터(C2)로부터 셋업 전압원(Vst) 쪽으로 흐르는 역방향 전류를 차단한다. 제 2커패시터(C2)는 에너지 회수회로(40)로부터 공급되는 서스테인 전압(Vs)과 셋업 전압원(Vst)의 전압값을 합하여 제 5스위치(Q5)로 공급한다. 제 5스위치(Q5)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 리셋기간동안 도시되지 않은 제어신호에 응답하여 절환됨으로써 셋업전압을 제 1노드(n1)로 공급한다.
리셋기간동안 셋업 및 셋다운전압이 생성되는 과정을 도 5를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 5에서 제 2커패시터(C2)에는 셋업 전압원(Vst)의 전압이 충전되어 있다고 가정한다. 그리고 제 5스위치(Q5)의 턴-온시점에 에너지 회수회로(40)로부터 제 1노드점(n1)으로 서스테인 전압(Vs)이 공급된다고 가정한다.
도 5를 참조하면, 먼저 셋업기간동안 제 5스위치(Q5) 및 제 7스위치(Q7)가 턴-온된다. 이때, 에너지 회수회로(40)로부터 서스테인 전압(Vs)이 공급된다. 에너지 회수회로(40)로부터 공급된 서스테인 전압(Vs)은 제 6스위치(Q6)의 내부 다이오드, 제 7스위치(Q7) 및 드라이브 집적회로(52)를 경유하여 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 공급된다. 따라서, 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들의 전압은 Vs로 급격히 상승된다.
한편, 제 2커패시터(C2)의 부극성단자로 Vs의 전압이 공급되기 때문에 제 2커패시터(C2)는 Vs+Vst의 전압을 제 5스위치(Q5)로 공급한다. 제 5스위치(Q5)는 자신의 앞단에 설치된 제 1가변저항(VR1)에 의하여 채널폭이 조절되면서 제 2커패시터(C2)로부터 공급되는 전압을 소정기울기를 가지고 제 1노드점(n1)으로 공급한다. 제 1노드점(n1)으로 소정기울기를 가지고 인가되는 전압은 제 7스위치(Q7) 및 드라이브 집적회로(52)를 경유하여 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 공급된다. 이때, 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 상승 램프파형(Ramp-up)이 공급된다.
스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 상승 램프파형(Ramp-up)이 공급된 후 제 5스위치(Q5)는 턴-오프된다. 제 5스위치Q5)가 턴-오프되면 에너지 회수회로(40)로부터 공급되는 Vs의 전압만이 제 1노드점(n1)에 인가되고, 이에 따라 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들의 전압은 Vs로 급격히 하강한다.
이후, 셋다운 기간에 제 7스위치(Q7)가 턴-오프됨과 아울러 제 10스위치(Q10)가 턴-온된다. 제 10스위치(Q10)는 자신의 앞단에 설치된 제 2가변저항(VR2)에 의하여 채널폭이 조절되면서 제 2노드(n2)의 전압을 쓰기 스캔전압(-Vw)(또는 셋다운 전압원)으로 소정의 기울기를 가지고 하강시킨다. 이때, 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 하강 램프파형(Ramp-down)이 공급된다.
셋업 공급부(42) 및 셋다운 공급부(47)는 이와 같은 과정을 반복하면서 리셋기간동안 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 상승 램프파형(Ramp-up) 및 하강 램프파형(Ramp-down)을 공급한다. 하지만, 이와 같은 종래의 구동장치에서는 제 1노드(n1) 및 제 2노드(n2)에 각각 인가되는 전압의 전압차가 크게 발생되기 때문에 높은 내압을 가지는 제 7스위치(Q7)를 사용함으로써 제조비용이 상승한다는 문제점이 있다.
여기서, 제 7스위치(Q7)는 제 6스위치(Q6)와 서로 다른 방향의 내부 다이오드를 구비하여 제 2노드(n2)에 인가되는 전압이 제 6스위치(Q6)의 내부다이오드 및 제 4스위치(Q4)의 내부 다이오드를 경유하여 기저전위(GND)로 공급되는 것을 방지하게 된다. 한편, 셋다운 기간동안 제 1노드(n1)에는 Vs의 전압이 인가되고, 제 2노드(n2)에는 쓰기 스캔전압(-Vw)이 인가되게 된다. 여기서, Vs의 전압이 대략 180V로 설정되고 쓰기 스캔전압(-Vw)이 -70V로 설정된다면 제 7스위치(Q7)는 대략 250V(실제 구동전압 마진을 감안하여 300V) 정도의 내압을 가져야 한다. 즉, 종래에는 제 7스위치(Q7)로 높은 내압을 가지는 스위칭소자를 설치하여야 하기 때문에 제조비용이 상승되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 제조비용을 절감 할 수 있도록 한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 및 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 3전극 교류 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀 구조를 나타내는 사시도.
도 2는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 한 프레임을 나타내는 도면.
도 3은 한 프레임에 선택적 쓰기 및 선택적 소거 방식의 서브필드가 포함되어 있는 종래의 다른 실시예에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 한 프레임을 나타내는 도면.
도 4는 종래의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치를 나타내는 도면.
도 5는 도 4에 도시된 구동장치에서 리셋파형을 공급하는 과정을 나타내는 도면.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치를 나타내는 도면.
도 7은 도 6에 도시된 구동장치에서 리셋파형을 공급하는 과정을 나타내는 도면.
도 8은 도 6에 도시된 스위치 제어부를 상세히 나타내는 회로도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 상부기판 12Y,12Z : 투명전극
13Y,13Z : 버스전극 14,22 : 유전체층
16 : 보호막 18 : 하부기판
20X : 어드레스전극 24 : 격벽
26 : 형광체층 30Y : 스캔전극
30Z : 서스테인전극 40,60 : 에너지 회수회로
42,62 : 셋업 공급부 50,70 : 스캔기준전압 공급부
46,48,66,68 : 부극성 스캔전압 공급부
52,72 : 집적회로 64 : 스위치 제어부
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는 스캔전극들을 구동시키기 위한 집적회로와, 집적회로로 서스테인 전압을 공급하기 위한 에너지 회수회로와, 셋업 기간동안 집적회로로 상승 램프파형을 공급하기 위한 셋업 공급부와, 셋다운 기간동안 집적회로로 하강 램프파형을 공급하기 위한 셋다운 공급부와, 셋업 공급부와 셋다운 공급부 사이에 설치되는 스위치와, 셋다운 기간동안 집적회로로 공급되는 전압에 대응하여 스위치의 절환상태를 제어하기 위한 스위치 제어부를 구비한다.
상기 스위치제어부는 셋업기간과 셋다운 기간의 일부기간동안 스위치를 턴-온시킨다.
상기 스위치제어부는 셋다운 기간에 집적회로로 공급되는 전압이 대략 기저전위 미만으로 떨어질 때 스위치를 턴-오프 시킨다.
상기 스위치제어부는 스위치의 양단전압이 차가 최대 기저전위로부터 하강램프파형의 최하전압으로 설정되도록 스위치를 절환시킨다.
상기 스위치제어부는 집적회로로 공급되는 전압을 감지하기 위하여 적어도 둘 이상 설치되는 분압저항들과, 분압저항들에서 분압된 전압값과 대략 기저전위를 입력받아 스위치를 제어하기 위한 비교기를 구비한다.
상기 비교기는 상기 분압저항들로부터 입력된 전압값이 기저전위 이상일때 스위치를 턴-온시키고, 그 외의 경우에는 스위치를 턴-오프 시킨다.
상기 스위치제어부는 분압저항들중 어느 하나와 병렬로 설치되는 제너 다이오드를 추가로 구비한다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치는 스캔전극들을 구동시키기 위한 집적회로와, 집적회로로 서스테인 전압을 공급하기 위한 에너지 회수회로와, 셋업 기간동안 집적회로로 상승 램프파형을 공급하기 위한 셋업 공급부와, 셋다운 기간동안 집적회로로 하강 램프파형을 공급하기 위한 셋다운 공급부와, 셋업 공급부와 셋다운 공급부 사이에 설치되는 스위치와, 셋다운 기간동안 집적회로로 공급되는 전압에 대응하여 스위치의 절환상태를 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러를 구비한다.
상기 타이밍 콘트롤러는 셋업기간과 셋다운 기간의 일부기간동안 스위치를 턴-온시킨다.
상기 타이밍 콘트롤러는 셋다운 기간에 집적회로로 공급되는 전압이 대략 기저전위 미만으로 떨어질 때 스위치를 턴-오프 시킨다.
상기 타이밍 콘트롤러는 스위치의 양단전압이 차가 최대 기저전위로부터 하강 램프파형의 최하전압으로 설정되도록 스위치를 절환시킨다.
본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 셋업 공급부에서 셋업기간동안 스캔전극들로 상승 램프파형을 공급하는 단계와, 셋다운 공급부에서 셋다운 기간동안 스캔전극들로 하강 램프파형을 공급하는 단계와, 셋업기간 및 셋다운기간동안 스캔전극들로 공급되는 전압에 대응되어 셋업 공급부 및 셋다운 공급부 사이에 설치되는 스위치의 동작을 제어하는 단계를 포함한다.
상기 스위치는 셋업기간동안 턴-온됨과 아울러 셋다운기간의 일부기간동안 턴-온된다.
상기 스위치는 하강 램프파형의 전압이 대략 기저전위 미만으로 떨어질 턴-오프된다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하 도 6내지 도 8를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 스캔 구동장치를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 PDP의 스캔 구동장치는 에너지 회수회로(60), 드라이브 집적회로(72), 셋업 공급부(62), 셋다운 공급부(67), 제 1 및 제 2부극성 스캔전압 공급부(66,68), 스캔기준전압 공급부(70)와, 셋업 공급부(62)와 드라이브 집적회로(72) 사이에 접속되는 제 7스위치(Q7), 셋업 공급부(62)와 에너지 회수회로(60) 사이에 접속되는 제 6스위치(Q6) 및 제 7스위치(Q7)를 제어하기 위한 스위치 제어부(64)를 구비한다.
드라이브 집적회로(72)는 푸쉬풀 형태로 접속되며 에너지 회수회로(60), 셋업 공급부(62), 셋다운 공급부(67), 제 1 및 제 2부극성 스캔전압 공급부(66,68) 및 스캔기준전압 공급부(70)로부터 전압신호가 입력되는 제 14 및 제 15스위치들(Q14,Q15)로 구성된다. 제 14 및 제 15스위치들(Q14,Q15) 사이의 출력라인은 스캔전극라인들 중 어느 하나에 접속된다.
에너지 회수회로(60)는 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)으로부터 회수되는 에너지를 충전하기 위한 외부 커패시터(C1)와, 외부 커패시터(C1)와 드라이브 집적회로(72) 사이에 접속되는 인덕터(L1)와, 인덕터(L1)와 외부 커패시터(C1) 사이에 병렬로 접속되는 제 1스위치(Q1), 제 1다이오드(D1), 제 2다이오드(D2) 및 제 2스위치(Q2)를 구비한다.
이와 같은 에너지 회수회로(60)의 동작과정을 설명하면 다음과 같다. 먼저, 외부 커패시터(C1)에는 Vs/2 전압이 충전되어 있다고 가정한다. 제 1스위치(Q1)가 턴-온되면 외부 커패시터(C1)에 충전된 전압은 제 1스위치(Q1), 제 1다이오드(D1), 인덕터(L), 제 6스위치(Q6)의 내부다이오드 및 제 7스위치(Q7)를 경유하여 드라이브 집적회로(52)에 공급되고, 드라이브 집적회로(72)는 자신에게 공급된 전압을 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)으로 공급한다. 이때, 인덕터(L1)는 PDP 방전셀의 정전용량(C)과 함께 직렬 LC 공진회로를 구성하게 되므로 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)에는 Vs의 전압이 공급된다.
이후, 제 3스위치(Q3)가 턴-온된다. 제 3스위치(Q3)가 턴-온되면 서스테인 전압(Vs)이 제 6스위치(Q6)의 내부다이오드, 제 7스위치(Q7)를 경유하여 드라이브 집적회로(72)로 공급된다. 드라이브 집적회로(72)는 자신에게 공급된 서스테인 전압을 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)에 공급한다. 서스테인전압(Vs)에 의해 스캔전극라인(Y1 내지 Ym) 상의 전압레벨은 서스테인전압(Vs)을 유지하고, 이에 따라 방전셀들에서 서스테인 방전이 일어나게 된다.
방전셀들에서 서스테인 방전이 일어난 후 제 2스위치(Q2)가 턴-온된다. 제 2스위치(Q2)가 턴-온되면 스캔전극라인(Y1 내지 Ym), 드라이브 집적회로(72), 제 7스위치(Q7)의 내부다이오드, 제 6스위치(Q6), 인덕터(L1), 제 2다이오드(D2) 및 제 2스위치(Q2)를 경유하여 무효전력외 외부 커패시터(C1)로 회수된다. 즉, 외부 커패시터(C1)에 PDP로부터의 에너지가 회수된다. 이어서, 제 4스위치(Q4)가 턴-온되어 스캔전극라인(Y1 내지 Ym) 상의 전압을 기저전위(GND)로 유지한다.
이렇게 에너지 회수회로(60)는 PDP로부터 에너지를 회수한 다음, 회수된 에너지를 이용하여 스캔전극라인(Y1 내지 Ym) 상에 전압을 공급함으로써 셋업기간과 서스테인기간의 방전시에 과도한 소비전력을 줄이게 된다.
제 1부극성 스캔전압 공급부(66)는 제 2노드(n2)와 쓰기 스캔전압원(-Vw) 사이에 접속된 제 11스위치(Q11)를 구비한다. 제 11스위치(Q11)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 어드레스기간 동안 도시되지 않은 타이밍 콘트롤러로부터 공급되는 제어신호에 응답하여 절환됨으로써 쓰기 스캔전압(-Vw)을 드라이브 집적회로(72)로 공급한다.
제 2부극성 스캔전압 공급부(68)는 제 2노드(n2)와 소거 스캔전압원(-Ve) 사이에 접속되는 제 12 및 제 13스위치(Q12,Q13)를 구비한다. 제 12 및 제 13스위치(Q12,Q13)는 선택적 소거 서브필드(ESF)의 어드레스기간 동안 도시되지 않은 타이밍 콘트롤러로부터 공급되는 제어신호에 응답하여 절환됨으로써 소거 스캔전압(-Ve)을 드라이브 집적회로(72)로 공급한다.
스캔기준전압 공급부(70)는 기준전압원(Vsc)과 제 2노드(n2) 사이에 접속되는 제 3커패시터(C3)와, 기준전압원(Vsc)과 제 2노드(n2) 사이에 접속되는 제 8스위치(Q8) 및 제 9스위치(Q9)를 구비한다. 제 8스위치(Q8) 및 제 9스위치(Q9)는 선택적 쓰기 및 소거 어드레스 기간동안 타이밍 콘트롤러로부터 공급되는 제어신호에 의하여 절환되면서 기준전압원(Vsc)의 전압을 드라이브 집적회로(72)로 공급한다. 제 3커패시터(C3)는 제 2노드(n2)에 인가되는 전압과 기준전압원(Vsc)의 전압값을 합하여 제 8스위치(Q8)로 공급한다. 제 2다이오드(D2)는 제 3커패시터(C2)에 인가되는 전압이 기준전압원(Vsc) 쪽으로 공급되는 것을 방지한다.
셋다운 공급부(67)는 제 2노드(n2)와 쓰기 스캔전압(-Vw) 사이에 접속되는 제 10스위치(Q10)를 구비한다. 셋다운 공급부(67)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 리셋기간에 포함되는 셋다운 기간동안 드라이브 집적회로(72)로 공급되는 전압을 쓰기 스캔전압(-Vw)까지 기울기를 가지고 서서히 하강시킨다.(여기서, 쓰기 스캔전압(-Vw)이 셋다운 전압원으로 이용된다.)
셋업 공급부(62)는 셋업 전압원(Vst)과 제 1노드(n1) 사이에 접속된 제 1다이오드(D1) 및 제 5스위치(Q5)와, 셋업 전압원(Vst)과 애너지 회수회로(60) 사이에설치되는 제 2커패시터(C2)를 구비한다. 제 1다이오드(D1)는 제 2커패시터(C2)로부터 셋업 전압원(Vst) 쪽으로 흐르는 역방향 전류를 차단한다. 제 2커패시터(C2)는 에너지 회수회로(60)로부터 공급되는 서스테인 전압(Vs)과 셋업 전압원(Vst)의 전압값을 합하여 제 5스위치(Q5)로 공급한다. 제 5스위치(Q5)는 선택적 쓰기 서브필드(WSF)의 리셋기간동안 도시되지 않은 제어신호에 응답하여 절환됨으로써 셋업전압을 제 1노드(n1)로 공급한다.
스위치 제어부(64)는 리셋기간동안 제 2노드점(n2)에 인가되는 전위에 대응하여 제 7스위치(Q7)를 제어한다. 다시 말하여, 스위치 제어부(64)는 리셋기간동안 제 2노드점(n2)에 대략 기저전위(GND)가 인가될 때까지 제 7스위치(Q7)의 턴-온상태를 유지한다. 이와 같은 스위치 제어부(64)의 상세한 구성 및 동작과정을 후술하기로 한다.
도 7은 리셋기간에 상승 램프파형 및 하강 램프파형을 생성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 스위칭동작과정을 나타내는 타이밍도이다.
먼저, 제 2커패시터(C2)에는 셋업 전압원(Vst)의 전압이 충전되고, 제 5스위치(Q5)의 턴-온시점에 에너지 회수회로(40)로부터 제 1노드점(n1)으로 서스테인 전압(Vs)이 공급된다고 가정한다.
도 7을 참조하면, 먼저 셋업기간동안 제 5스위치(Q5) 및 제 7스위치(Q7)가 턴-온된다. 이때, 에너지 회수회로(60)로부터 서스테인 전압(Vs)이 공급된다. 에너지 회수회로(60)로부터 공급된 서스테인 전압(Vs)은 제 6스위치(Q6)의 내부 다이오드, 제 7스위치(Q7) 및 드라이브 집적회로(72)를 경유하여 스캔전극라인(Y1 내지Ym)들로 공급된다. 따라서, 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들의 전압은 Vs로 급격히 상승된다.
한편, 제 2커패시터(C2)의 부극성단자로 Vs의 전압이 공급되기 때문에 제 2커패시터(C2)는 Vs+Vst의 전압을 제 5스위치(Q5)로 공급한다. 제 5스위치(Q5)는 자신의 앞단에 설치된 제 1가변저항(VR1)에 의하여 채널폭이 조절되면서 제 2커패시터(C2)로부터 공급되는 전압을 소정기울기를 가지고 제 1노드점(n1)으로 공급한다. 제 1노드점(n1)으로 소정기울기를 가지고 인가되는 전압은 제 7스위치(Q7) 및 드라이브 집적회로(72)를 경유하여 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 공급된다. 이때, 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 상승 램프파형(Ramp-up)이 공급된다.
스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 상승 램프파형(Ramp-up)이 공급된 후 제 5스위치(Q5)는 턴-오프됨과 아울러 제 6스위치(Q6)가 턴-온된다. 제 6스위치(Q6)가 턴-온되면 제 1노드점(n1)에 에너지 회수회로(60)로부터 공급되는 Vs의 전압이 인가된다. 이때, 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들의 전압은 Vs로 급격히 하강한다.
이후, 셋다운 기간에 제 6스위치(Q6)가 턴-오프됨과 아울러 제 10스위치(Q10)가 턴-온된다. 그리고, 셋다운 기간의 일부기간, 예를 들어 제 2노드(n2)가 대략 기저전위(GND) 이상의 전압을 가질때까지 제 7스위치(Q7)는 턴-온상태를 유지한다. 즉, 스위치 제어부(64)는 제 2노드(n2)의 전위를 체크하여 제 2노드(n2)의 전위가 기저전위(GND) 이상의 전압을 가질때 제 7스위치(Q7)를 턴-온상태로 유지하고, 제 2노드(n2)의 전위가 기저전위(GND) 미만의 전압을 가질때 제 7스위치(Q7)를 턴-오프 시킨다. 한편, 본 발명에서는 스위치 제어부(64) 없이 도시되지 않은 타이밍 콘트롤러의 제어에 의하여 제 7스위치(Q7)를 절환시킬 수 있다. 그리고, 셋다운 기간에 에너지 회수회로(60)는 Vs의 전압을 공급하지 않는다.
제 10스위치(Q10)는 자신의 앞단에 설치된 제 2가변저항(VR2)에 의하여 채널폭이 조절되면서 제 2노드(n2)의 전압을 쓰기 스캔전압(-Vw)(또는 셋다운 전압원)으로 소정의 기울기를 가지고 하강시킨다. 이때, 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 하강 램프파형(Ramp-down)이 공급된다. 여기서, 제 7스위치(Q7)가 턴-온상태를 유지하기 때문에 제 1노드(n2)의 전압은 제 2노드(n2)의 전압과 동일하게 유지된다.
이후, 제 2노드(n2)의 전압이 대략 기저전위(GND)를 가질 때 스위치 제어부(64)(또는 타이밍 콘트롤러)는 제 7스위치(Q7)를 턴-오프 시킨다. 따라서, 제 1노드(n1)는 기저전위(GND)를 유지하고, 제 2노드(n2)는 스캔전압(-Vw)(또는 셋다운 전압원)으로 하강된다.
실제, 리셋기간동안 셋업 공급부(62), 셋다운 공급부(66) 및 스위치 제어부(64)는 상기와 같은 과정을 반복하면서 스캔전극라인(Y1 내지 Ym)들로 상승 램프파형(Ramp-up) 및 하강 램프파형(Ramp-down)을 공급한다. 한편, 본 발명에서는 낮은 내압을 가지는 제 7스위치(Q7)가 이용될 수 있다. 다시 말하여, 리셋기간동안 제 1노드(n1) 및 제 2노드(n2)의 최대 전압차가 -Vw(예를 들어 -70V)로 설정되기 때문에 낮은 내압을 가지는 스위치를 이용하여 제 7스위치(Q7)를 구성할 수 있고, 이에 따라 제조비용을 절감할 수 있다.
도 8은 스위치 제어부의 상세 구성을 나타내는 도면이다.
도 8을 참조하면, 스위치 제어부(64)는 제 2노드(n2)와 기저전압원(GND) 사이에 직렬로 설치되는 제 1 내지 제 3분압저항(R1 내지 R3)들과, 제 2분압저항(R3)과 기저전압원(GND) 사이에 제 3분압저항(R3)과 병렬로 설치되는 제너 다이오드(ZD)와, 기준 전압원(Vcc)과 기저전압원(GND) 사이에 직렬로 설치되는 제 4 및 제 5분압저항(R4,R5)과, 제 3분압저항(R3) 및 제 5분압저항(R5)에 인가되는 전압을 비교하여 제어신호를 생성하기 위한 비교기(74)를 구비한다.
제 1 내지 제 3분압저항(R1 내지 R3)은 제 2노드(n2)의 전압을 분압한다. 제너 자이오드(ZD)는 제 3분압저항(R3)에 부극성의 전압이 인가되었을 때 비교기(74)로 소정의 정격전압이 인가되도록 한다. 제 4 및 제 5분압저항(R4,R5)는 기준 전압원(Vcc)의 전압을 분압한다. 여기서, 제 4 및 제 5분압저항(R4,R5)의 저항값은 제 5분압저항(R5)에 대략 기저전위(GND)의 전압이 인가되도록 설정된다.
비교기(74)는 제 3분압저항(R3) 및 제 5분압저항(R5)에 인가되는 전압값을 체크하여 제 7스위치(Q7)를 제어한다. 여기서, 비교기(74)는 제 3분압저항(R3)에 인가되는 전압이 제 5분압저항(R5)에 인가되는 전압값보다 높은 전압값을 가질 때 제 7스위치(Q7)를 턴-온시키고, 제 3분압저항(R3)에 인가되는 전압이 제 5분압저항(R5)에 인가되는 전압값보다 낮은 전압값을 가질 때 제 7스위치(Q7)를 턴-오프시킨다.
동작과정을 설명하면, 먼저 제 2노드점(n2)에 정극성의 전압이 인가되는 경우 제 3분압저항(R3)에 정극성의 전압이 유도된다. 이때, 제 5분압저항(R5)에 인가되는 전압보다 제 3분압저항(R3)에 인가되는 전압이 높게 설정되기 때문에 비교기(74)는 제 7스위치(Q7)의 턴-온상태를 유지한다. 이후, 제 2노드점(n2)에 부극성의 전압이 인가되는 경우 제 3분압저항(R3)에는 소정의 부극성 전압이 유도된다. 이때, 제 5분압저항(R5)에 인가되는 전압이 제 3분압저항(R3)에 인가되는 전압보다 높게 설정되기 때문에 비교기(74)는 제 7스위치(Q7)를 턴-오프시킨다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치 및 방법에 의하면 리셋기간동안 에너지 회수회로 및 드라이브 접직회로 사이에 설치된 스위치의 양단전압을 동시에 하강시킴으로써 낮은 내압을 가지는 스위치를 사용할 수 있고, 이에 따라 제조비용을 절감할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (14)

  1. 스캔전극들을 구동시키기 위한 집적회로와,
    상기 집적회로로 서스테인 전압을 공급하기 위한 에너지 회수회로와,
    셋업 기간동안 상기 집적회로로 상승 램프파형을 공급하기 위한 셋업 공급부와,
    셋다운 기간동안 상기 집적회로로 하강 램프파형을 공급하기 위한 셋다운 공급부와,
    상기 셋업 공급부와 셋다운 공급부 사이에 설치되는 스위치와,
    상기 셋다운 기간동안 상기 집적회로로 공급되는 전압에 대응하여 상기 스위치의 절환상태를 제어하기 위한 스위치 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 스위치제어부는 상기 셋업기간과 상기 셋다운 기간의 일부기간동안 상기 스위치를 턴-온시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 스위치제어부는 상기 셋다운 기간에 상기 집적회로로 공급되는 전압이대략 기저전위 미만으로 떨어질 때 상기 스위치를 턴-오프 시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 스위치제어부는 상기 스위치의 양단전압이 차가 최대 기저전위로부터 상기 하강 램프파형의 최하전압으로 설정되도록 상기 스위치를 절환시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 스위치제어부는
    상기 집적회로로 공급되는 전압을 감지하기 위하여 적어도 둘 이상 설치되는 분압저항들과,
    상기 분압저항들에서 분압된 전압값과 대략 기저전위를 입력받아 상기 스위치를 제어하기 위한 비교기를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 비교기는 상기 분압저항들로부터 입력된 전압값이 상기 기저전위 이상일때 상기 스위치를 턴-온시키고, 그 외의 경우에는 상기 스위치를 턴-오프 시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 스위치제어부는 상기 분압저항들중 어느 하나와 병렬로 설치되는 제너 다이오드를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  8. 스캔전극들을 구동시키기 위한 집적회로와,
    상기 집적회로로 서스테인 전압을 공급하기 위한 에너지 회수회로와,
    셋업 기간동안 상기 집적회로로 상승 램프파형을 공급하기 위한 셋업 공급부와,
    셋다운 기간동안 상기 집적회로로 하강 램프파형을 공급하기 위한 셋다운 공급부와,
    상기 셋업 공급부와 셋다운 공급부 사이에 설치되는 스위치와,
    상기 셋다운 기간동안 상기 집적회로로 공급되는 전압에 대응하여 상기 스위치의 절환상태를 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 타이밍 콘트롤러는 상기 셋업기간과 상기 셋다운 기간의 일부기간동안 상기 스위치를 턴-온시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 타이밍 콘트롤러는 상기 셋다운 기간에 상기 집적회로로 공급되는 전압이 대략 기저전위 미만으로 떨어질 때 상기 스위치를 턴-오프 시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 타이밍 콘트롤러는 상기 스위치의 양단전압이 차가 최대 기저전위로부터 상기 하강 램프파형의 최하전압으로 설정되도록 상기 스위치를 절환시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동장치.
  12. 셋업 공급부에서 셋업기간동안 스캔전극들로 상승 램프파형을 공급하는 단계와,
    셋다운 공급부에서 셋다운 기간동안 상기 스캔전극들로 하강 램프파형을 공급하는 단계와,
    상기 셋업기간 및 셋다운기간동안 상기 스캔전극들로 공급되는 전압에 대응되어 상기 셋업 공급부 및 셋다운 공급부 사이에 설치되는 스위치의 동작을 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 스위치는 상기 셋업기간동안 턴-온됨과 아울러 상기 셋다운기간의 일부기간동안 턴-온되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 스위치는 상기 하강 램프파형의 전압이 대략 기저전위 미만으로 떨어질 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
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