KR100670146B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 표시 장치에서는 리셋 기간과 어드레스 기간 사이에서 제1 전극에 제1 전압을 인가한 후 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압에서 제3 전압까지 점진적으로 하강시킨다. 이렇게 하면, 리셋 기간에서 불안정한 리셋 동작으로 인해 강방전이 발생할 때 켜지지 않을 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다.
PDP, 전극, 오방전, 소거, 리셋, 약방전, 벽전하, 트랜지스터, 내압

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 3a는 정상적인 리셋 동작에 따른 리셋 기간의 하강 기간 종료 후의 벽 전하 상태를 나타낸 도면이다.
도 3b는 하강 기간에서의 강방전으로 인한 리셋 기간의 하강 기간 종료 후의 벽 전하 상태를 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 주사전극 구동부의 구동 회로를 나타낸 도면이다.
도 5는 오방전 소거 기간에서 도 4에 도시된 구동 회로의 전류 경로를 나타내는 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널(Plasma Display Panel; PDP)을 이용한 표시 장치이다. 이러한 플라즈마 표시 패널에는 그 크기에 따라 수십에서 수백 만개 이상의 화소(방전 셀)가 매트릭스 형태로 배열되어 있다.
이러한 플라즈마 표시 장치의 표시 패널은 한 프레임이 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동된다. 그리고 각 서브필드는 리셋 기간(reset period), 어드레스 기간(address period) 및 유지 기간(sustain period)으로 이루어진다.
리셋 기간은 어드레스 방전을 안정적으로 수행하기 위해 방전 셀의 상태를 초기화하는 기간이며, 어드레스 기간은 복수의 방전 셀 중에서 켜질 셀과 켜지지 않을 셀을 선택하는 기간이다. 그리고 유지 기간은 실제로 화상을 표시하기 위해서 켜질 셀에 대해서 유지 방전을 수행하는 기간이다.
특히, 리셋 기간의 상승 기간에서 Y 전극의 전압을 점진적으로 증가시킨 후, 리셋 기간의 하강 기간에서 Y 전극의 전압을 점진적으로 감소시켜 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 전극 사이 및 주사 전극(Y)과 어드레스 전극(A) 사이에서 미약한 방전(이하, “약 방전”이라 함)을 일으킴으로써 다음의 어드레스 방전을 안정적으로 수행하기 위해 벽 전하를 형성한다. 그런데, 불안전한 리셋 동작으로 인하여 불안정한 방전이 일어날 수 있다. 이러한 불안정한 방전에는 리셋 기간의 상승 기간에 강방전이 일어난 후 주사 전극(Y)의 전압 하강 시에 자기 소거(self-erasing)에 따른 방전이 일어나는 경우, 상승 기간과 하강 기간에 강방전이 일어나는 경우, 그리 고 하강 기간에서 강방전이 일어나는 경우가 있다. 이때, 첫 번째 경우에는 자기 소거에 따라 리셋 기능이 수행되나, 두 번째 및 세 번째의 경우에는 하강 기간에서의 강방전으로 인하여 주사 전극(Y)에 (+) 벽 전하가 형성되고 유지 전극(X)에 (-) 벽 전하가 형성된다. 이때, 주사 전극(Y)과 유지 전극(X)에 형성된 벽 전하들에 의해 형성되는 벽 전압(Vwxy1)이 수학식 1을 만족한다면, 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 없어도 유지 기간에서 유지방전이 일어날 수 있다.
Figure 112005030214773-pat00001
여기서, Vwxy1는 하강 기간에서의 강방전으로 인하여 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이에서 형성되는 벽 전압이며, Vs는 유지 기간에서 인가되는 유지방전 펄스에 의해 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이에서 형성되는 전압차이며, Vf는 주사 전극(Y)과 유지 전극(X) 사이의 방전 개시 전압이다.
이와 같이 리셋 기간의 하강 기간에서 불안정한 리셋 동작으로 인해 강방전이 발생하게 되면 이 강방전으로 인해 오방전이 발생하는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 불안정한 리셋 동작에 의해 발생되는 오방전을 방지할 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 플라즈마 표시 패널, 제어부 및 구동 회로를 포함한다. 플라즈마 표시 패널은 복수의 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하며, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극의 교차하는 지점에 방전 셀이 형성된다. 제어부는 한 프레임을 각각 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간을 포함하는 복수의 서브필드로 나누어 구동되도록 하며, 구동 회로는 상기 리셋 기간과 상기 어드레스 기간 사이에서 상기 제1 전극에 제1 전압을 인가한 후 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압에서 제3 전압까지 점진적으로 하강시킨다.
이때, 상기 구동 회로는, 상기 제1 전압을 공급하는 제1 전원과 상기 제1 전극 사이에 전기적으로 연결되는 제1 트랜지스터, 상기 제3 전압을 공급하는 제2 전원과 상기 제1 전극 사이에 전기적으로 연결되며, 턴온 시에 상기 제1 전극의 전압이 점진적으로 감소하도록 동작하는 제2 트랜지스터, 상기 제1 전극에 제1단이 전기적으로 연결되는 적어도 하나의 인덕터, 그리고 상기 인덕터의 제2단과 상기 제1 전압보다 낮은 제4 전압을 공급하는 전력 회수용 전원 사이에 전기적으로 연결되는 제3 트랜지스터를 포함하며, 상기 리셋 기간과 상기 어드레스 기간 사이에서 상기 제3 트랜지스터를 턴온하여 상기 제1 전극의 전압을 상기 제1 전압에서 제2 전압으로 변경한다.
본 발명의 다른 한 특징에 따르면, 복수의 제1 전극, 복수의 제2 전극 및 상기 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하며, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 상기 제3 전극의 교차 지점에 방전 셀이 형성되는 플 라즈마 표시 장치를 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 리셋 기간에서 복수의 방전 셀을 초기화하는 단계, 상기 리셋 기간을 보조하며, 상기 제1 전극에 제1 전압을 인가한 후, 상기 제1 전극의 전압을 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압에서 제3 전압까지 점진적으로 감소시키는 단계, 어드레스 기간에서 상기 복수의 방전 셀 중 켜질 방전 셀을 선택하는 단계, 그리고 유지 기간에서 상기 선택된 방전 셀을 유지방전시키는 단계를 포함한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우 뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다.
그리고 본 발명에서 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 “형성됨”, “축적됨” 또는 “쌓임”과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
이제 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 대해서 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1을 참조하여 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)을 포함한다. 유지 전극(X1∼Xn)은 각 주사 전극(Y1∼Yn)에 대응해서 형성되어 있다. 그리고 플라즈마 표시 패널(100)은 유지 및 주사 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)이 배열된 기판(도시하지 않음)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 배열된 기판(도시하지 않음)으로 이루어진다. 두 기판은 주사 전극(Y1∼Yn)과 어드레스 전극(A1∼Am) 및 유지 전극(X1∼Xn)과 어드레스 전극(A1∼Am)이 각각 직교하도록 방전 공간을 사이에 두고 대향하여 배치된다. 이때, 어드레스 전극(A1∼Am)과 유지 및 주사 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호, 유지 전극 구동 제어 신호 및 주사 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 각 서브필드는 시간적인 동작 변화로 표현하면 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이루어진다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 어드레스 전극 구동 제어 신호를 수신하여 표시하고자 하는 방전 셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 어드레스 전극에 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 주사 전극 구동 제어 신호를 수신하여 주사 전극(Y)에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 유지 전극 구동 제어 신호를 수신하여 유지 전극(X)에 구동 전압을 인가한다.
다음, 도 2 내지 도 3b를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형에 대해서 상세하게 설명한다. 아래에서는 설명의 편의상 하나의 셀을 형성하는 주사 전극(이하, “Y 전극”이라 함), 유지 전극(이하, “X 전극”이라 함) 및 어드레스 전극(이하, “A 전극”이라 함)에 인가되는 구동 파형에 대해서만 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타내는 도면이다. 도 3a는 정상적인 리셋 동작에 따른 리셋 기간의 하강 기간 종료 후의 벽 전하 상태를 나타낸 도면이고, 도 3b는 하강 기간에서의 강방전으로 인한 리셋 기간의 하강 기간 종료 후의 벽 전하 상태를 나타낸 도면이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 각 서브필드는 리셋 기간, 오방전 소거 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간으로 이 루어진다.
리셋 기간의 상승 기간에서는 X 전극을 0V로 유지한 상태에서 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 도 2에서는 Y 전극의 전압이 램프 형태로 증가하는 것으로 도시하였다. 그러면, Y 전극의 전압이 증가하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이 및 Y 전극과 A 전극 사이에서 약 방전이 일어나면서, Y 전극에는 (-) 벽 전하가 형성되고 X 및 A 전극에는 (+) 벽 전하가 형성된다. 그리고 전극의 전압이 도 2와 같이 점진적으로 변하는 경우에는 셀에 미약한 방전이 일어나면서 외부에서 인가된 전압과 셀의 벽 전압의 합이 방전 개시 전압 상태를 유지하도록 벽 전하가 형성된다. 이러한 원리에 대해서는 웨버(Weber)의 미국등록특허 제5,745,086에 개시되어 있다. 리셋 기간에서는 모든 셀의 상태를 초기화하여야 하므로 Vset 전압은 모든 조건의 셀에서 방전이 일어날 수 있을 정도의 높은 전압이다.
리셋 기간의 하강 기간에서는 X 전극을 Ve 전압으로 유지시킨 상태에서 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면 Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이 및 Y 전극과 A 전극 사이에서 약 방전이 일어나면서 Y 전극에 형성된 (-) 벽 전하와 X 전극 및 A 전극에 형성된 (+) 벽 전하가 소거되어 방전 셀이 초기화된다. 일반적으로 (Vnf-Ve) 전압의 크기는 Y 전극과 X 전극 사이의 방전 개시 전압 근처로 설정된다. 그러면 Y 전극과 X 전극 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되어, 켜지지 않을 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다.
오방전 소거 기간은 불안정한 리셋 동작으로 인해 강방전이 일어나더라도 오방전이 발생하지 않도록 리셋 기간을 보조하는 역할을 수행한다. 이러한 오방전 소거 기간의 제1 기간에서는 X 전극의 전압을 Ve 전압으로 유지한 상태에서 Y 전극에 Vs 전압을 인가하고 제2 기간에서는 Vs 전압보다 낮은 Vs1 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 이렇게 하면, 불안정한 리셋 동작으로 인해 리셋 기간의 하강 기간에서 강방전이 일어나도 어드레스 방전 없이도 유지 기간에서 방전이 일어나는 즉, 오방전을 방지할 수 있게 된다.
구체적으로 설명하면, 리셋 기간의 하강 기간에서 정상적으로 약방전이 수행되면 각 전극들은 도 3a와 같은 벽 전하 상태를 갖게 된다. 이 상태에서는 오방전 소거 기간의 제1 기간에서 Y 전극에 Vs 전압을 인가하여도 방전이 일어나지 않으므로 벽 전하 상태는 하강 기간 종료 후의 벽 전하 상태와 동일해진다. 그런 후에 제2 기간에서 Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이 및 Y 전극과 A 전극 사이에서 약 방전이 일어나면서 Y 전극에 형성된 (-) 벽 전하와 X 전극 및 A 전극에 형성된 (+) 벽 전하가 소거된다.
반면, 리셋 기간의 하강 기간에서 불안정한 리셋 동작으로 인해 강방전이 발생하게 되면 각 전극들은 도 3b와 같은 벽 전하 상태를 갖게 된다. 이 상태에서는 오방전 소거 기간의 제1 기간에서 Y 전극에 Vs 전압을 인가하게 되면 방전이 발생하여 Y 전극에는 (-) 벽 전하가 형성되고 X 전극에는 (+) 벽 전하가 형성된다. 그런 후에 오방전 소거 기간의 제2 기간에서 Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이 및 Y 전극과 A 전극 사이에서 약 방전이 일어나면서 Y 전극에 형성 된 (-) 벽 전하와 X 전극 및 A 전극에 형성된 (+) 벽 전하가 소거된다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따르면, 리셋 기간의 하강 기간에서 강방전이 발생하여도 오방전이 발생하지 않게 된다.
다음으로, 어드레스 기간에서는 방전 셀을 선택하기 위해서 X 전극의 전압을 Ve 전압으로 유지한 상태에서 Y 전극과 A 전극에 순차적으로 VscL 전압을 가지는 주사 펄스 및 Va 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가한다. 그리고 선택되지 않는 Y 전극은 VscL 전압보다 높은 VscH 전압으로 바이어스하고, 켜지지 않을 셀의 A 전극에는 기준 전압을 인가한다. 그러면 Va 전압이 인가된 A 전극과 VscL 전압이 인가된 Y 전극에 의해 형성되는 방전 셀에서 어드레스 방전이 일어나면서 Y 전극에는 (+) 벽 전하가 형성되고 X 전극에는 (-) 벽 전하가 형성된다. 또한 A 전극에도 (-) 벽 전하가 형성된다.
이어서, 유지 기간에서는 Y 전극과 X 전극에 하이 레벨 전압(도 2에서는 Vs 전압)과 로우 레벨 전압(도 2에서는 0V 전압)을 교대로 가지는 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 인가한다. 즉, Y 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극에 0V 전압이 인가되고, X 전극에 Vs 전압이 인가될 때 Y 전극에 0V 전압이 인가된다. 그러면, 어드레스 기간에서 어드레스 방전에 의해 Y 전극과 X 전극 사이에 형성된 벽 전압과 Vs 전압에 의해 Y 전극과 X 전극에서 방전이 일어난다. 이후, Y 전극과 X 전극에 유지 방전 펄스를 인가하는 과정이 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하는 횟수만큼 반복된다.
다음으로, 도 4를 참조하여 오방전 소거 기간의 동작을 위한 구동 회로에 대 해서 상세하게 설명한다. 도 4에서는 유지 전극 구동부(500)의 구동 회로는 생략하고 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로만을 도시하였다. 그리고 아래에서 사용되는 스위칭 소자는 n채널 트랜지스터로 도시하였으며, 바디 다이오드를 가지는 전계 효과 트랜지스터(FET)로 이루어질 수 있으며, 동일 또는 유사한 기능을 하는 다른 스위칭 소자로 이루어질 수 있다. 그리고 X 전극과 Y 전극에 의해 형성되는 용량성 성분을 패널 커패시터(Cp)로 도시하였다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 주사전극 구동부의 구동 회로를 나타낸 도면이다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 주사 전극 구동부(400)는 상승 리셋부(410), 하강 리셋부(420), 주사 구동부(430) 및 유지 방전부(440)를 포함한다.
주사 구동부(430)는 복수의 Y 전극에 각각 연결되는 복수의 선택 회로(431)를 포함하며, 도 4에서는 설명의 편의상 하나의 Y 전극과 하나의 선택 회로(431)만 도시하였다. 그리고 Y 전극과 인접한 X 전극에 의해 형성되는 용량성 성분을 패널 커패시터(Cp)로 도시하였다.
상승 리셋부(410)는 다이오드(Dset), 커패시터(Cset) 및 트랜지스터(Ypp, Yrr)를 포함하며, Y 전극에 Vs 전압부터 Vset 전압까지 점진적으로 상승하는 전압을 인가한다.
커패시터(Cset)는 트랜지스터(Ypp)의 소스와 트랜지스터(Yrr)의 드레인 사이 에 연결되며, 트랜지스터(Ypp)의 드레인과 트랜지스터(Yrr)의 소스는 각각 제2 노드(N2)에 연결되어 있다. 이 때, 커패시터(Cset)는 트랜지스터(Yg)가 턴온될 때 (Vset-Vs) 전압으로 충전되며, 트랜지스터(Yrr)는 턴온 시에 패널 커패시터(Cp)의 전압을 Vset 전압까지 서서히 상승하도록 드레인에서 소스로 미세한 전류가 흐르도록 동작한다. 그리고 다이오드(Dset)는 (Vset-Vs) 전압을 공급하는 전원(Vset-Vs)과 트랜지스터(Yrr)의 드레인과 커패시터(Cset)와의 접점 사이에 연결되어 커패시터(Cset), 다이오드(Dset), 전원(Vset-Vs)으로 향하는 전류 경로를 차단시킨다.
하강 리셋부(420)는 트랜지스터(Ynp, Yfr)를 포함하며, 패널 커패시터(Cp)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강하는 전압을 인가한다.
트랜지스터(Yfr)의 드레인이 제1 노드(N1)에 연결되고 트랜지스터(Yfr)의 소스가 하강 기간의 최종 전압인 Vnf 전압을 공급하는 전원(Vnf)에 연결되어 있다. 그리고 트랜지스터(Yfr)는 턴온 시에 Y 전극의 전압을 Vnf 전압까지 점진적으로 감소하도록 드레인에서 소스로 미세한 전류가 흐르도록 동작한다. 이 때, 트랜지스터(Ynp)는 Vnf 전압이 음의 전압일 때 형성될 수 있는 전원(GND), 트랜지스터(Yg), 트랜지스터(Ypp), 트랜지스터(Ynp), 트랜지스터(Yfr)로 향하는 전류 경로를 차단시킨다.
주사 구동부(430)는 선택 회로(431), 다이오드(Dsch), 커패시터(Csch) 및 트랜지스터(YscL)를 포함하며, Y 전극에 순차적으로 VscL 전압을 인가한다. 일반적으 로 어드레스 기간에서 복수의 Y 전극(Y1∼Yn)을 순차적으로 선택할 수 있도록 각각의 Y 전극(Y1∼Yn)에 선택 회로(431)가 IC 형태로 연결되어 있으며, 이러한 선택 회로(431)를 통하여 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로가 Y 전극(Y1∼Yn)에 공통으로 연결된다.
선택 회로(510)는 트랜지스터(Sch, Scl)를 포함하며, 트랜지스터(Sch)의 소스와 트랜지스터(Scl)의 드레인은 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에 연결되어 있으며, 트랜지스터(Scl)의 소스는 제1 노드(N1)에 연결되어 있다. 커패시터(Csch)는 트랜지스터(sch)의 드레인과 제1 노드(N1) 사이에 연결되고 다이오드(Dsch)는 커패시터(Csch)와 트랜지스터(sch)의 드레인 간 접점과 VscH 전압을 공급하는 전원(VscH) 사이에 연결된다. 그리고 커패시터(Csch)는 트랜지스터(Yg)가 턴온될 때 VscH 전압으로 충전되며 커패시터(Csch)의 제1단이 트랜지스터(Sch)의 드레인에 연결되고 제2단이 제1 노드(N1)에 연결된다. 그리고 트랜지스터(YscL)는 제1 노드(N1)와 VscL 전압을 공급하는 전원(VscL) 사이에 연결되며 선택하고자 하는 방전 셀을 형성하는 Y 전극에 VscL 전압을 공급한다. 즉, 어드레스 기간에서 트랜지스터(Sch)를 턴온하여 선택되지 않는 Y 전극에 VscH 전압을 인가하고, 트랜지스터(scl)을 턴온하여 선택될 Y 전극에 VscL 전압을 인가한다.
유지 방전부(440)는 트랜지스터(Yf, Yf, Ys, Yg), 다이오드(D1, D2) 및 인덕터(L)를 포함하며 제3 노드(N3)에 연결되어 Y 전극에 Vs 전압과 0V 전압을 인가한다. 유지 방전부(440)는 패널 커패시터(Cp)의 전력을 회수하여 재사용하는 전력 회수 회로로서, 트랜지스터(Ys)는 드레인이 Vs 전압을 공급하는 전원(Vs)에 연결되고 소스가 제3 노드(N3)에 연결되며, 트랜지스터(Yg)는 드레인이 제3 노드(N3)에 연결되고 소스가 0V 전압을 공급하는 전원(0)에 연결되어 있다. 그리고 트랜지스터(Yr)의 드레인과 트랜지스터(Yf)의 소스에 전력회수용 커패시터(C1)가 연결된다. 그리고 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극에 제1단이 연결된 인덕터(L)의 제2단이 트랜지스터(Yr)의 소스와 트랜지스터(Yf)의 드레인에 연결된다. 다이오드(D1)는 트랜지스터(Yr)가 바디 다이오드를 가질 경우 패널 커패시터(Cp)의 전압을 증가시키는 상승 경로를 설정하기 위한 것이고 다이오드(D2)는 트랜지스터(Yf)가 바디 다이오드를 가질 경우 Y 전극의 전압을 하강시키는 하강 경로를 설정하기 위한 것이다. 이 때, 트랜지스터(Yr, Yf)가 바디 다이오드를 가지지 않는다면 다이오드(D1, D2)가 제거될 수도 있다. 그리고 인덕터(L), 다이오드(D1) 및 트랜지스터(Yr) 사이의 연결 순서는 바뀔 수 있으며, 마찬가지로 인덕터(L), 다이오드(D2) 및 트랜지스터(Yf) 사이의 연결 순서도 바뀔 수 있다. 예를 들어 인덕터(L)가 트랜지스터(Yr, Yf)의 접점과 전력 회수용 커패시터(C1) 사이에 연결될 수도 있다. 이와 같이 연결된 유지 방전부(440)는 인덕터(L)와 패널 커패시터(Cp)의 공진을 이용하여 Y 전극의 전압을 증가시킨 후 Y 전극에 Vs 전압을 인가하고 인덕터(L)와 패널 커패시터(Cp)의 공진을 이용하여 Y 전극의 전압을 감소시킨 후 Y 전극에 0V 전압을 인가한다.
아래에서는 도 4의 구동 회로를 이용하여 오방전 소거 기간의 동작에 대해서 도 5를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 5는 오방전 소거 기간에서 도 4에 도시된 구동 회로의 전류 경로를 나타 내는 도면이다. 도 4의 구동 회로에서 제3 노드(N3), 제2 노드(N2), 제1 노드(N1) 및 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극으로의 전류 경로는 트랜지스터(Ypp)의 바디 다이오드, 트랜지스터(Ynp) 및 트랜지스터(Scl)의 바디 다이오드를 통하여 형성된다. 또한 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3 노드(N3)로의 전류 경로는 트랜지스터(Scl), 트랜지스터(Ynp)의 바디 다이오드 및 트랜지스터(Ypp)를 통하여 형성된다. 아래에서는 이 두 전류 경로를 “메인 경로”라 하고, 메인 경로가 형성될 때는 트랜지스터(Ypp, Ynp, Scl)는 턴온되어 있다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 오방전 소거 기간의 제1 기간에서는 트랜지스터(Ys)가 턴온되어 트랜지스터(Ys) 및 메인 경로를 통하여 Y 전극에 Vs 전압이 인가된다(①).
오방전 소거 기간의 제2 기간에서는 트랜지스터(Yf)가 턴온된다. 그러면 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 메인 경로, 인덕터(L), 다이오드(D2), 트랜지스터(Yf), 커패시터(C1)를 통하여 LC 공진 회로가 형성된다(②). 따라서, 패널 커패시터(Cp)에 충전되어 있던 전압이 방전되어 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극의 전압이 0V 근처까지 감소한다.
그리고 Y 전극의 0V 근처까지 감소하는 중에 트랜지스터(Yfr)가 턴온되고 트랜지스터(Yf)가 턴오프된다. 그러면 패널 커패시터(Cp)의 Y 전극, 트랜지스터(Scl, Yfr)를 통하여 Y 전극의 전압이 Vnf 전압까지 점진적으로 감소한다(③).
이와 같이 오방전 소거 기간에서 트랜지스터(Yf)를 턴온하여 Y 전극의 전압을 Vs1 전압으로 변경한 후, 트랜지스터(Yfr)를 턴온하여 Y 전극의 전압을 Vnf 전 압까지 감소시키면 앞서 설명한 것처럼 불안정한 리셋 동작으로 인한 오방전을 방지할 수도 있지만, 트랜지스터(Ynp)의 내압을 감소시킬 수도 있게 된다.
즉, 오방전 소거 기간에서 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시키게 되면 트랜지스터(Ynp)의 양단에는 (Vs-Vnf)만큼의 내압이 걸리게 된다. 그런데 오방전 소거 기간에서 Y 전극의 전압을 Vs 전압보다 낮은 Vs1 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시키면 트랜지스터(Ynp)의 양단에는 (Vs1-Vnf)만큼의 내압이 걸리므로 트랜지스터(Ynp)의 내압을 감소시킬 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
본 발명에 의하면, 리셋 기간의 하강 기간에서의 강방전으로 인한 오방전을 방지할 수 있으며, 트랜지스터(Ynp)의 내압을 감소시킬 수 있게 된다.

Claims (7)

  1. 복수의 제1 전극, 복수의 제2 전극을 포함하며, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널,
    한 프레임을 각각 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간을 포함하는 복수의 서브필드로 나누어 구동되도록 하는 제어부, 그리고
    상기 리셋 기간과 상기 어드레스 기간 사이에서, 상기 복수의 제1 전극에 제1 전압을 인가하고, 상기 복수의 제1 전극과 상기 제1 전압보다 낮은 제4 전압을 공급하는 전력 회수용 전원 사이에 연결된 인덕터를 통해 상기 복수의 제1 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 후, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 제3 전압까지 점진적으로 감소시키는 구동 회로
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동 회로는,
    상기 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제1단이 전기적으로 연결되어 있고 상기 복수의 제1 전극에 제2단이 전기적으로 연결되어 있는 제1 트랜지스터,
    상기 제3 전압을 공급하는 제2 전원에 제1단이 전기적으로 연결되어 있고 상기 복수의 제1 전극에 제2단이 전기적으로 연결되어 있으며, 턴온 시에 상기 복수의 제1 전극의 전압이 점진적으로 감소하도록 동작하는 제2 트랜지스터,
    상기 인덕터와 상기 전력 회수용 전원 사이에 전기적으로 연결되는 제3 트랜지스터, 그리고
    상기 제1 트랜지스터의 제2단과 상기 제2 트랜지스터의 제3단 사이에 연결되어 있는 제4 트랜지스터
    를 더 포함하며,
    상기 리셋 기간과 상기 어드레스 기간 사이에서 상기 제3 트랜지스터가 턴온되어 상기 제1 전극의 전압이 상기 제1 전압에서 상기 제2 전압으로 변경되는 플라즈마 표시 장치.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서,
    상기 구동 회로는,
    상기 제1 전극과 상기 제4 전압보다 낮은 제5 전압을 공급하는 제3 전원 사이에 전기적으로 연결되는 제5 트랜지스터, 그리고
    상기 인덕터와 상기 전력 회수용 전원 사이에 연결되어 있는 제6 트랜지스터
    를 더 포함하며,
    상기 유지 기간에서 상기 제6, 제5, 제3 및 제1 트랜지스터를 교대로 턴온하는 플라즈마 표시 장치.
  5. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극을 포함하며, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서,
    리셋 기간에서 복수의 방전 셀을 초기화하는 단계,
    상기 리셋 기간에 후속하는 제1 기간 동안, 상기 복수의 제1 전극에 제1 전압을 인가하는 단계,
    상기 제1 기간에 후속하는 제2 기간 동안, 상기 복수의 제1 전극과 소정 전압을 충전하고 있는 커패시터 사이에 연결된 인덕터를 통하여 상기 복수의 제1 전극에 상기 제1 전압보다 낮은 제2 전압을 인가한 후, 상기 복수의 제1 전극의 전압을 제3 전압까지 점진적으로 감소시키는 단계,
    상기 제2 기간에 후속하는 어드레스 기간에서 상기 복수의 방전 셀 중 켜질 방전 셀을 선택하는 단계, 그리고
    유지 기간에서 상기 선택된 방전 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 선택된 방전 셀을 유지 방전시키는 단계는,
    사익 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극에 상기 제1 전압과 상기 제1 전압보다 낮은 제4 전압을 교대로 가지는 유지방전 펄스를 반대 위상으로 인가하는 단계
    를 포함하며,
    상기 인덕터를 통해 상기 복수의 제1 및 제2 전극의 전압이 각각 상기 제1 전압에서 상기 제2 전압으로 변경되고, 상기 인덕터를 통해 상기 복수의 제1 및 제2 전극의 전압이 각각 상기 제2 전압에서 상기 제1 전압으로 변경되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 복수의 방전 셀을 초기화하는 단계는,
    상기 복수의 제1 전극의 전압을 제5 전압에서 상기 제3 전압까지 점진적으로 감소시키는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
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