KR20040086769A - 웨이퍼, 노광 마스크, 마크 검출 방법과 노광방법 - Google Patents

웨이퍼, 노광 마스크, 마크 검출 방법과 노광방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼와 노광 마스크간의 갭을 수정할 뿐만 아니라 정렬의 정확도를 향상시킬 수 있도록 하는 웨이퍼, 노광 마스크, 정렬마크의 검출방법과 노광방법이 제공된다. 정렬용 검사광을 발생시켜 근접노광동안 노광 표면에서 산란되도록 하는 에지를 가진 정렬마크(웨이퍼 마크)를 갖는 웨이퍼가 제공된다.
웨이퍼 마크는 도트 패턴군에 의해 특징화되는데, 이는 소정의 방향으로 배열되는 도트 패턴들로 이루어진다. 도트 패턴군은 배열간격 P2로 방향 X로 도트 패턴을 배열함에 의해 형성된다. 배열간격 P2는 도트 패턴의 배열간격 P1보다 넓다. 게다가, 노광 마스크가 제공되는데, 이는 웨이퍼 마크의 것과 유사한 형상을 가지고, 마스크 마크와 같이 정렬마크를 가지는 유사한 근접노광에서 사용된다.

Description

웨이퍼, 노광 마스크, 마크 검출 방법과 노광방법{WAFER, EXPOSURE MASK, METHOD OF DETECTING MARK AND METHOD OF EXPOSURE}
본 발명은 근접노광용으로 사용되는 정렬마크를 가진 웨이퍼, 노광마스크, 정렬마크의 검출방법과 노광방법에 관한 것이다.
오늘날 광학 석판술(lithography)은 반도체 장치 생산의 석판술 처리에서 주류이다. 파장 193㎚ ArF 엑시머 레이저광소스로 사용되던 이전의 0.09㎛ 세대 노광장치는 질량생산(mass production)에서 실행된다. 그러나, 다음 65㎚세대에서는, 2 kV 저에너지 전자빔을 사용하여 1X 확대 근접노광을 가능케 한 LEEPL(저에너지 전자빔 근접투사 석판술; low energy laser beam proximity projection lithography))이 석판술 처리에서 주요기술 중하나이다.
상술한 LEEPL에서처럼, 노광마스크에 근접하게 웨이퍼를 배치함으로써 수행되는 근접노광에서는 SLA(분산된-광 정렬; scattered-light alignment)가 웨이퍼와 노광마스크의 정렬에서 채택된다.
관련된 도 3 확대도에서 도시된 바와 같이, 도트 패턴(5)이 소정의 방향으로 배열된(예를 들면, 도의 방향 X) 정렬마크(마스크 마크(7), 웨이퍼 마크(7'))는 각각 노광마스크(1)의 표면(1a)상과 웨이퍼(3)의 노광표면(3a)상에 제공된다. 이러한 마스크 마크(7)와 웨이퍼 마크(7')는, 노광마스크(1)가 웨이퍼(3)의 노광표면(3a)에 근접하게 배치될 때에, 도트 패턴(5)이 동일한 방향으로 정렬되는 소정의 배열상태로 도트 패턴(5)이 배열되도록 웨이퍼(3)의 노광표면(3a)상과 노광마스크(1)의 표면(1a)상에 모두 배열된다. 예를 들면, 마스크 마크(7)가 웨이퍼 마크(7')와 같은 배열상태에서는 웨이퍼 마크(7') 두 개 사이의 절반에서 배열되고, 이때 도트 패턴(5)은 방향 X로 4열로 배열된다. 게다가, 이러한 마스크 마크(7)와 웨이퍼 마크(7')는 각 방향에서 웨이퍼(3)의 노광표면(3a)과 노광마스크(1)의 표면(1a)의 복수의 부분에 배열된다.
도 4에 도시된 바와 같이, SLA방법을 채택한 노광장치는 마스크 스테이지 둘레의 복수의 부분상(도에 도시안됨)에 광소스(21)와, 반미러(half mirror)(22), 렌즈(23)와 영상검출기(24)를 포함하는 검사 광학계를 가진다. 각각의 검사 광학계는 광소스(21)에서 방출된 검사광(H)이 마스크 스테이지상의 노광마스크(1)의 표면(1A)으로 기울어진 방향으로부터 입사되도록 형성된다. 게다가, 반미러(22)와 렌즈(23)를 통하여 검사광(H)은 노광마스크(1)를 통하여 웨이퍼(3)의 노광표면(3a)으로 입사된다. 노광마스크(1)상의 웨이퍼(3), 웨이퍼(11)와 도트패턴(5)의 에지에서 발생되는 산란광은 영상검출기(24)에 의해 검출된다. 상술한 바와 같이 구성되는 검사광학계는, 소정의 상태에서 정렬되어 있는 노광마스크(1)와 웨이퍼(3)의 마스크 마크(7)와 웨이퍼 마크(7')가 각각 배치되어 있는 위치에 대응하여 제공된다. 게다가, 검사 광학계는 검사광(H)에 대한 입사면이 도트 패턴(5)의 상술한 배열방향(도에서 방향 X)에 평행하도록 구성된다. 예를 들면, 일본 특허공보 제 2955668호를 보라.
정렬이 수행되는 때, 마스크 마크(7)와 웨이퍼 마크(7')로부터 나온 검사광(H)의 분산광은 각 부분에 배치된 검사 광학계에 의해 영상신호처럼 검출된다. 도 3으로 상술한 바와 같이, 만일 노광마스크(1)와 웨이퍼(3)가 소정의 상태로 배열되면, 마스크 마크(7)는 두 개의 웨이퍼 마크(7')사이에 절반에서 배치된다. 따라서, 도 5a에 도시된 바와 같이, 세 개의 피트가 도트 패턴(5)의 배열방향에 수직인 방향으로 측정되는 영상 신호의 신호 강도(51)에서 마스크 마크(7)와 웨이퍼 마크(7')의 배열위치와 대응하여 관측된다. 따라서, X-Y 성분, θ성분과노광마스크(1)와 웨이퍼(3)간의 확대 성분이 이러한 피크의 위치로부터 검출된다.
또한, 도 4로 상술한 바와 같이, 검사광(H)은 검사광(H)의 입사면이 도트 패턴(5)의 상술한 배열방향에 평행하도록 경사방향으로부터 노광마스크(1)와 웨이퍼(3)로 입사된다. 따라서, 초점면(FS)은 노광마스크(1)와 웨이퍼(3)를 경사지게 가로지르고(cross), 영상신호에서의 초점위치는 노광마스크(1)와 웨이퍼(3)간의 갭(G)의 크기에 대응하는 양으로 도트 패턴(5)의 배열방향(도 3의 겹파선으로 도시됨)으로 이동된다. 도 5b에서 도시된 바와 같이, 웨이퍼 마크(7')의 측면에 있는 초점위치(FP1)와 마스크 마크(7)의 측면에 있는 초점위치(FP2)는 도트 패턴(5)의 배열방향으로 신호 강도의 미분(differentiation)-처리에 의해 검출된다. 노광마스크(1)와 웨이퍼간의 갭(G)은 이러한 초점 위치(FP1)와 (FP2)로부터 검출된다.
그러나, 상술한 SLA방법에서, 예컨대 마스크 마크와 웨이퍼 마크와 같은 정렬 마크의 영상은, 노광 마스크측면과 웨이퍼 측면 모두가 동시에 검출되며, 자동 게인 컨트롤이 적용된다. 따라서, 만일 양 신호 강도의 차가 커지면, 검출의 정확도는 불충분한 작동 신호강도때문에 감소하게 된다. 특히, 웨이퍼 측면에서 정렬마크의 신호강도가 웨이퍼 처리에 따라 변화할 수 있기 때문에 웨이퍼 측면에서의 정렬마크의 신호강도를 노광마스크 측면에서의 정렬마크의 것과 대략 동일한 강도까지 향상시키는 것이 바람직하다. 또한, 최근에는 웨이퍼와 노광마스크간의 갭이 노광의 정확도를 보장함에 있어서 결정적인 역할을 수행한다. 따라서, 웨이퍼와 노광마스크간의 갭의 검출정확도를 더 향상시키는 것이 바람직하다.
상기 관점에서, 웨이퍼와 노광마스크간의 갭의 정정을 포함하는 정렬의 정확도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼, 노광마스크, 정렬마크의 검출방법, 및/또는 노광방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 측면에 따라서, 그것의 노광측면상에 정렬마크를 가진 웨이퍼가 제공되며, 그것은 근접노광에서 정렬산란의 검사광을 만들어내는 에지를 가진다. 특히, 웨이퍼는 정렬마크의 구성으로 특징화된다. 즉, 정렬마크는 도트 패턴군을 복수 가지도록 구성된다. 각각의 도트 패턴군은 소정의 방향으로 배열된 복수의 도트 패턴을 가지도록 구성된다. 또한, 복수의 도트 패턴군은 도트 패턴군간의 간격을 가지고 소정의 방향으로 배열되며, 간격은 도트 패턴간의 간격보다 넓다.
이러한 구성을 가진 웨이퍼에서, 정렬동안 검사광 산란을 만드는 에지는 정렬마크를 형성하는 도트 패턴에 의해 제공된다. 또한, 노광 표면상에는, 각각의 도트 패턴군이 소정의 방향으로 배열된 도트 패턴으로부터 형성된다. 게다가, 도트 패턴군은 사이에 간격을 가지고 전술한 소정의 방향으로 배열되며, 이는 도트 패턴의 간격보다 넓다. 따라서, 검사광(H)이 경사진 방향으로부터 노광 표면상에 조사되면 그것의 입사면은 도트 패턴의 배열방향과 평행하게 된다. 이러한 에지가 높은 밀도로 배열되면, 검사광이 더 많이 산란되는 더높은 신호강도영역이 도트 패턴의 배열방향으로 주기적으로 발생된다. 따라서, 더높은 신호강도의 부분에서는, 웨이퍼의 정렬마크를 검출하는 강도가 적절한 값으로 강화될 수 있다.또한, 신호강도는 검사광의 초점위치의 근처에서 주기적으로 변화한다. 즉, 초점위치의 근처에서 신호강도의 변화가 강화되고 초점위치의 검출정확도가 향상될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따라, 정렬마크를 가지는 노광마스크, 정렬마크의 검출방법, 및/또는 노광방법이 제공된다.
본 발명의 이러한 또는 다른 목적, 특징과 이점이 수반되는 도면에서 설명되는 바와 같이, 후술할 그것의 바람직한 실시예의 상세한 기술의 측면에서 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 웨이퍼에 제공되는 정렬마크의 구성을 도시하는 다이아그램이다;
도 2는 본 발명의 실시예에 따라 웨이퍼에 제공되는 정렬마크의 구성의 다른 예를 도시하는 다이아그램이다;
도 3은 관련 기술의 하나를 설명하는 다이아그램이다;
도 4는 SLA방법에서 검사 광학계를 설명하는 다이아그램이다;
도 5는 SLA방법에서 신호처리를 설명하는 그래프이다.
이하, 본 발명의 실시예가 도면을 참조하여 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따를 웨이퍼에서 정렬마크를 도시하는 확대도이다. 도 1에 도시된 웨이퍼(11)는 '발명이 속하는 기술분야 및 그 분야의 종래 기술'의 부분에서 설명되는 바와 같이 근접노광에서 SLA방법의 사용에 의해 정렬된다. 노광표면(11a)에는 이하 구성을 가진 정렬마크(13)(이하, 웨이퍼 마크로 언급됨)가 제공된다.
웨이퍼 마크(13)는 소정의 방향으로 복수의 열로 배열된 도트 패턴군(15a)으로 형성된다. 도트 패턴군(15a)은 동일한 소정의 방향으로 배열된 복수의 도트 패턴(15)으로 구성된다.
각각의 도트 패턴(15)은 도트 패턴(15)의 배열방향(본 실시예의 방향 X)으로 소정의 길이(L)를 가지고 방향(X)에 대하여 수직방향으로 소정의 폭(W)을 갖는 양각 또는 음각의 직사각형 패턴이다. 각각의 도트 패턴군(15a)은 상술한 도트 패턴(15)으로 형성된다. 도트 패턴군에서, 복수의 도트 패턴(15)은 소정의 배열간격(P1)으로 소정의 방향(X)으로 배열된다. 예를 들면, 본 실시예에서 도트 패턴군(15a)은 폭(W)=2.0㎛이고 길이(L)=0.5㎛인 세 개의 도트 패턴(15)이 배열간격(P1)=0.2㎛에서 배열방향 (X)(길이(L)의 방향)으로 배열되는 것처럼 구성된다.
또한, 웨이퍼 마크(13)는 배열간격(P2)에서 도트 패턴(15)의 배열방향(X)을 따라 배열되는 복수의 도트 패턴군(15a)으로 형성된다. 배열간격(P2)은 도트 패턴(15)의 배열간격과 도트 패턴(15)의 길이(L)양자보다 넓다. 여기서, 예컨대 웨이퍼 마크(13)는 배열간격(P2)=2㎛로 구성된다. 또한, 배열간격(P2)으로 방향(X)으로 배열된 도트 패턴군(15a)의 열은 방향(Y)의 세 개의 열로 형성된다. 예를 들어, 도트 패턴군(15a)의 방향(X)의 간격은 대략 0.2㎛이다.
선택적으로, 상술한 웨이퍼 마크(13)는 슬릿(slit)(S)이 관련기술에서 웨이퍼 마크의 도트 패턴의 각각에 제공되는 구성이 될 수도 있다.
상술한 노광표면(11a)상에 웨이퍼 마크(13)를 배열하는 상태는 관련기술에서 웨이퍼 마크의 구성과 유사하다. 예를 들어, 도 3을 참조하여 설명된 구성에서 두 개의 웨이퍼 마크(7')는 각 실시예중 하나에서 설명된 구성을 가지는 웨이퍼 마크(13)로 대체된다. 또한, 이러한 웨이퍼 마크(13)는, 예컨대 각 방향으로(방향 (X), 방향 (Y))웨이퍼(11)의 노광측면(11a)상의 복수의 위치에 배열된다.
상술한 웨이퍼 마크(13)를 가지는 웨이퍼(11)에 근접노광하기 위해, 관련기술에서처럼 SLA방법에 따른 정렬이 실행된다. 즉, 관련기술에서와 동일한 마스크 마크를 가진 노광마스크는, 노광장치 상에 배치되는 웨이퍼(11)의 노광측면(11a)에 근접하여 소정의 상태로 배치된다. 마스크 마크와 웨이퍼마크(13)로부터 나온 검사광(H)의 산란광은 노광마스크 주위의 각각의 부분에 배열된 검사광학계에 의해 영상신호와 같이 검출된다. 검사에서, 검사광(H)이 산란되게 만드는 에지는 웨이퍼 마크(13)를 형성하는 도트 패턴(15)에 의해 제공된다.
상술한 구성을 갖는 웨이퍼 마크(13)에서 도트 패턴군(15a)은, 그것의 각각이 소정의 방향(X)으로 배열된 도트 패턴(15)으로 형성되며, 배열간격(P2)으로 소정의 방향(X)으로 배열되는데, 이 간격은 도트 패턴(15)의 배열간격(P1)보다 넓다. 따라서, 만일 검사광(H)이 아래쪽으로 경사진 방향으로 노광측면(11a)에 조사되면 그것의 입사면은 도트 패턴의 배열방향(X)에 대하여 평행하게 된다. 이런 에지가 높은 밀도로 배열되면, 검사광이 더 많이 산란되는 지점에서 더높은 신호강도의 부분이 도트 패턴의 배열방향(X)으로 주기적으로 발생한다.
따라서, 더높은 신호강도의 부분에서, 웨이퍼의 정렬마크를 검출하는 강도는 적절한 값으로 강화될 수 있다. 따라서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 도트 패턴(5)의 배열방향에 수직인 방향으로 신호강도(52)는 노광마스크 측면에서 마스크 마크와 웨이퍼 마크의 사용에 의해 대략 동일한 레벨까지 증가될 수 있어서, 웨이퍼와 노광마스크간의 X-Y성분, θ성분과 확대성분에서 잘못된 정렬을 검출하는 정확도를 향상시킬 수 있다.
또한, 배열방향(X)의 신호강도는 웨이퍼 마크(13)의 초점위치의 근처에서 주기적으로 변화한다. 도 5b에 예시한 바와 같이, 도트 패턴(5)의 배열방향의 신호강도의 미분계수값(52)은 웨이퍼 마크의 초점위치(FP1)근처의 더작은 범위 내에서 크게 변화할 수 있어서, 초점위치(FP1)의 검출정확도를 향상시키게 된다. 따라서, 웨이퍼와 노광마스크간의 갭(G)의 검출정확도는 향상될 수 있다.
상기의 결과와 같이, SLA방법에서 정렬에 있어서의 웨이퍼와 노광마스크간의 갭을 제어하는 것을 포함하는 정렬 정확도를 향상시키는 것이 가능하다.
상술한 실시예에서, 싱글 도트 패턴군(15a)이 세 개의 도트 패턴(15)으로 형성되는 경우에 대하여 기술된다. 그러나, 본 발명은 상술한 실시예에만 한정되지 않는다. 선택적으로, 도 2에서 예시한 바와 같이, 싱글 도트 패턴(15)은 네 개 또는 그 이상의 도트 패턴(15)으로 형성될 수 있으며, 또는 두 개의 도트 패턴(15)으로 형성될 수도 있다. 이 경우에, 신호 강도는 도트 패턴(15)의 길이를 더 짧게 함으로써 향상될 수 있으며, 또한 배열 간격(P1)을 더 좁게 만들어서 향상될 수도 있다.
또한, 상술한 신호 강도의 주기는 배열방향(X)과 배열 간격(P2)에 따라 변화한다. 따라서, 초점위치의 검출정확도는 미분계수의 웨이브폼이 더 샤프하게되는 방법으로(즉, 점을 분리하는 해상능이 보증됨)노광 마스크와 웨이퍼간의 갭크기에 따라 배열간격(P2)을 적절히 설정함으로써 더 향상될 수 있다.
선택적으로, 상술한 구성을 가지는 웨이퍼 마크(13)는 노광마스크의 정렬마크(마스크 마크)의 경우와 같이, 노광마스크로 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 3을 참조하여 상술한 구성을 가지는 마스크 마크(7)는 웨이퍼 마크(정렬 마크)(13)로 대체되어 마스크 마크로 사용될 수 있다. 따라서, 노광마스크 상에 이러한 마스크 마크를 채용함으로써, SLA방법으로 정렬하는 동안 노광 마스크상의 신호강도가 강화될 수 있다. 따라서, 만일 웨이퍼의 노광 표면이 높은 반사력을 가진물질로 형성된다면, 마스크 마크의 신호강도는 웨이퍼 마크의 레벨과 동일하거나 실질적으로 동일한 수치까지 향상될 수 있다. 더구나, 마스크 마크의 초점위치의 검출정확도를 향상하는 것이 가능하기 때문에, 웨이퍼와 노광마스크간의 갭(G)의 검출정확도는 웨이퍼 마크와 결합하여 이러한 마스크 마크를 사용함으로써 더욱 향상될 수 있다.
상술한 바와 같이, SLA방법에 따른 정렬에서, 본 발명의 실시예의 웨이퍼, 노광마스크, 정렬마크의 검출방법과 노광방법에 따르면, X-Y성분, θ성분과 확대 성분에서 검출편향(굴곡);deviation)의 신호강도를 강화시키는 것이 가능하며, 노광마스크와 웨이퍼간의 갭을 검출하는 초점신호의 검출정확도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 노광마스크와 웨이퍼간의 갭제어를 포함하는 정렬정확도를 향상시키는 것이 가능하다.
청구되는 항이나 동일성의 범위 내라면 설계상의 요구와 다른 인자에 따라 다양한 변형, 조합, 서브-조합과 변경이 일어날 수 있다는 것이 기술분야에서의 기술에 의해 이해되어야 할 것이다.
본 발명과 같은 구성을 가진 웨이퍼에서, 정렬 동안 검사광 산란을 만드는 에지는 정렬마크를 형성하는 도트 패턴에 의해 제공된다. 또한, 노광 표면상에는, 각각의 도트 패턴군이 소정의 방향으로 배열된 도트 패턴으로부터 형성된다. 게다가, 도트 패턴군은 사이에 간격을 가지고 전술한 소정의 방향으로 배열되며, 이는 도트 패턴의 간격보다 넓다. 따라서, 검사광(H)이 경사진 방향으로부터 노광 표면상에 조사되면 그것의 입사면은 도트 패턴의 배열방향과 평행하게 된다. 이러한 에지가 높은 밀도로 배열되면, 검사광이 더 많이 산란되는 더높은 신호강도영역이 도트 패턴의 배열방향으로 주기적으로 발생된다. 따라서, 더높은 신호강도의 부분에서는, 웨이퍼의 정렬마크를 검출하는 강도가 적절한 값으로 강화될 수 있다. 또한, 신호강도는 검사광의 초점위치의 근처에서 주기적으로 변화한다. 즉, 초점위치의 근처에서 신호강도의 변화가 강화되고 초점위치의 검출정확도가 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따라, 정렬마크를 가지는 노광마스크, 정렬마크의 검출방법, 및/또는 노광방법이 제공된다.
상술한 바와 같이, SLA방법에 따른 정렬에서, 본 발명의 실시예의 웨이퍼, 노광마스크, 정렬마크의 검출방법과 노광방법에 따르면, X-Y성분, θ성분과 확대 성분에서 검출편향(굴곡);deviation)의 신호강도를 강화시키는 것이 가능하며, 노광마스크와 웨이퍼간의 갭을 검출하는 초점신호의 검출정확도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 노광마스크와 웨이퍼간의 갭제어를 포함하는 정렬정확도를 향상시키는 것이 가능하다.

Claims (20)

  1. 웨이퍼에 있어서,
    노광 동안 정렬용 검사광을 산란시키는 에지를 가지는 정렬마크를 노광 표면상에 정렬 마크를 가지도록 구성되며;
    상기 정렬 마크는 복수의 도트 패턴군을 가지도록 구성되고, 각각의 도트 패턴군은 소정의 방향으로 정렬되는 복수의 도트 패턴을 가지도록 구성되며;
    복수의 도트 패턴군은 도트 패턴군사이에서 간격을 가지고 소정의 방향으로 배열되며, 간격은 도트 패턴간의 간격보다 넓은 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 도트 패턴은 근접노광을 수행함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 도트 패턴은 양각 또는 음각의 직사각형 패턴인 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 도트 패턴은 소정의 방향으로 복수의 열로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 정렬마크는 각각의 방향으로 복수의 부분에서 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼.
  6. 정렬용 검사광을 산란시키는 에지를 갖는 정렬마크를 표면상에 갖도록 구성되며;
    상기 정렬마크는 복수의 도트 패턴군을 가지도록 구성되며,
    상기 도트 패턴군 각각은 소정의 방향으로 배열된 복수의 도트 패턴을 갖도록 구성되고,
    상기 복수의 도트 패턴군은 상기 도트 패턴군간의 간격으로 소정의 방향으로 배열되고, 상기 간격은 상기 도트 패턴간의 간격보다 넓은 것을 특징으로 하는 노광마스크.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 도트 패턴은 소정의 방향으로 복수의 열로 형성되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 정렬마크는 각각의 방향으로 복수의 부분에 배치되는 것을 특징으로 하는 노광마스크.
  9. 노광마스크로 노광 전에 검사광이 웨이퍼의 표면에서 정렬마크상에 입사하고 산란되는 방법으로 웨이퍼의 표면에 정렬용 검사광을 조사하는 단계로 구성되며,
    상기 노광마스크는 정렬마크를 가지고, 정렬마크는 복수의 도트 패턴군을 가지도록 구성되며, 상기 도트 패턴군 각각은 소정의 방향으로 배열된 복수의 도트 패턴을 갖도록 구성되고, 또한 상기 복수의 도트 패턴군은 상기 도트 패턴군간의 간격으로 소정의 방향으로 배열되며,
    상기 간격이 도트 패턴간의 간격보다 넓고,
    상기 웨이퍼의 상기 정렬마크가 상기 노광마스크의 상기 도트 패턴의 것과 동일한 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 정렬마크의 검출방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    정렬용 상기 검사광은 비스듬한 방향으로 상기 노광마스크와 상기 웨이퍼상에 입사되는 것을 특징으로 하는 정렬마크의 검출방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 검사광은 상기 검사광의 입사면이 상기 도트 패턴의 배열방향과 평행한 방식으로 비스듬한 방향으로부터 노광표면에 조사되는 것을 특징으로 하는 정렬마크의 검출방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 노광은 근접노광인 것을 특징으로 하는 정렬마크의 검출방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 산란된 검사광의 검출은 도트 패턴의 배열방향을 따라 신호강도의 미분계수-처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 정렬마크의 검출방법.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 검사광의 더강한 산란을 가진 더높은 신호강도의 피크가 배열된 도트 패턴의 상기 방향으로 주기적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 정렬마크의 검출방법.
  15. 노광마스크의 표면상의 정렬마크에서 정렬용 검사광 산란을 야기시켜 정렬을 수행하는 단계와,
    노광마스크를 통해 웨이퍼의 노광을 수행하는 단계로 이루어지고,
    상기 노광마스크는 정렬마크를 갖도록 구성되고, 정렬마크는 복수의 도트 패턴군을 갖도록 구성되며, 각각의 상기 도트 패턴군은 소정의 방향으로 배열된 복수의 도트 패턴을 갖도록 구성되고, 또한 상기 복수의 도트 패턴군은 상기 도트 패턴군간에 간격으로 소정의 방향으로 배열되며, 상기 간격은 상기 도트 패턴간의 간격보다 넓은 것을 특징으로 하는 노광방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 정렬용 검사광은 비스듬한 방향으로 웨이퍼와 노광마스크 상에 입사되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 검사광은 상기 검사광의 입사광이 상기 도트 패턴의 상기 정렬방향에 평행한 방식으로 비스듬한 방향으로부터 노광표면에 조사되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 노광은 근접노광인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 산란된 검사광의 검출은 도트 패턴의 상기 배열방향을 따라 신호 강도의 미분계수-처리에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  20. 제 15항에 있어서,
    상기 검사광의 더강한 산란을 가진 더높은 신호 강도의 피크가 배열된 도트 패턴의 상기 방향으로 주기적으로 배열되는 것을 특징으로 하는 노광방법.
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