KR20040086649A - 캐패시터를 구비하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 스토리지 노드 콘택 패드에 전기적으로 연결된 패드 형상의 스토리지 노드; 및상기 패드 형상의 스토리지 노드 상에 배열된 컵 형상의 스토리지 노드를 포함하는 반도체 캐패시터의 하부 전극.
- 제 1 항에 있어서, 상기 컵 형상의 스토리지 노드가 원 실린더 스택(OCS) 캐패시터인 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터의 하부 전극.
- 제 1 항에 있어서, 상기 컵 형상의 스토리지 노드는 정사각형, 원형 또는 타원형의 평면 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터의 하부 전극.
- 제 1 항에 있어서, 상기 패드 형상의 스토리지 노드 및 상기 컵 형상의 스토리지 노드 사이의 높이비가 0.9:1인 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터의 하부 전극.
- 제 1 항에 있어서, 상기 패드 형상의 스토리지 노드가 박스 타입의 스토리지 노드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터의 하부 전극.
- 제 1 항에 있어서, 상기 패드 형상의 스토리지 노드가 고형체 실린더 형상의(solid cylinder-shaped) 스토리지 노드를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 캐패시터의 하부 전극.
- 반도체 기판;상기 반도체 기판 상에 형성되며, 콘택 패드를 포함하는 층간 절연막; 및스토리지 노드 패드에 전기적으로 연결된 패드 형상의 스토리지 노드 및 상기 패드 형상의 스토리지 노드 상에 배열된 컵 형상의 스토리지 노드를 포함하며, 상기 콘택 패드에 전기적으로 연결된 캐패시터 하부 전극을 포함하는 반도체 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 패드 형상의 스토리지 노드가 박스 타입 스토리지 노드 또는 고형체 실린더 타입의 스토리지 노드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 7 항에 있어서, 상기 패드 형상의 스토리지 노드는 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 기판 상에 콘택 패드를 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 콘택 패드 상에 패드 형상의 스토리지 노드를 형성하는 단계; 및상기 패드 형상의 스토리지 노드 상에 컵 형상의 스토리지 노드를 형성하여캐패시터 하부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서, 상기 패드 형상의 스토리지 노드를 형성하는 단계는,상기 콘택 패드 상에 식각 저지막 및 제1 희생막을 형성하는 단계;상기 제1 희생막에 제1 스토리지 노드 개구를 형성하는 단계; 및상기 제1 스토리지 노드 개구에 상기 패드 형상의 스토리지 노드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제1 스토리지 노드 개구에 상기 패드 형상의 스토리지 노드를 형성하는 단계는,상기 제1 스토리지 노드 개구에 형성된 결과물 상부에 도전성 물질을 증착하는 단계; 및상기 도전성 물질을 평탄화하여 상기 패드 형상의 스토리지 노드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 컵 형상의 스토리지 노드를 형성하는 단계는,상기 제1 희생막 및 상기 패드 형상의 스토리지 노드 상에 제2 희생막을 형성하는 단계;상기 제2 희생막에 제2 스토리지 노드 개구를 형성하는 단계; 및상기 제2 스토리지 노드 개구에 상기 컵 형상의 스토리지 노드를 형성하는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 컵 형상의 스토리지 노드 상부에 제3 희생막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서, 상기 반도체 장치의 다른 캐패시터 하부 전극들과 상기 캐패시터 하부 전극을 분리시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 반도체 기판 상에 콘택 패드를 포함하는 층간 절연막을 형성하는 단계;상기 층간 절연막 상에 식각 저지막을 형성하는 단계;상기 식각 저지막 상에 제1 희생막을 형성하는 단계;상기 제1 희생막에 제1 스토리지 노드 개구를 형성하는 단계;상기 제1 스토리지 노드 개구에 패드 형상의 스토리지 노드를 형성하는 단계;상기 패드 형상의 스토리지 노드 및 상기 식각 저지막 상에 제2 희생막을 형성하는 단계;상기 패드 형상의 스토리지 노드 상의 제2 희생막에 제2 스토리지 노드를 형성하는 단계;상기 제2 스토리지 노드 개구에 컵 형상의 스토리지 노드를 형성하는 단계;및상기 제1 희생막 및 상기 제2 희생막을 제거하여 캐패시터 하부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제1 희생막에 상기 제1 스토리지 노드 개구를 형성하는 동안 상기 식각 저지막이 식각 종료점으로서 기능하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 패드 형상의 스토리지 노드가 박스 타입의 스토리지 노드인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 컵 형상의 스토리지 노드가 정사각형, 원형 또는 타원형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 캐패시터 하부 전극을 형성하기 위하여 상기 제1 희생막 및 상기 제2 희생막을 제거하는 단계는, 평탄화 공정 또는 에치백 공정을 이용하여 상기 캐패시터 하부 전극을 다른 캐패시터 하부 전극들과 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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