KR20040082025A - 차광 수단을 이용한 노광 장치, 노광 방법, 박막트랜지스터의 제조 방법, 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

차광 수단을 이용한 노광 장치, 노광 방법, 박막트랜지스터의 제조 방법, 표시 장치 및 전자 기기 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고밀도로 서로 다른 노광 영역을 형성할 수 있고, 또한, 장치 전체의 사이즈를 작게 하기 위해 적합한 구성을 갖는 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
임의의 노광 영역을 노광하기 위한 노광 장치에 있어서, 노광 영역을 노광하기 위한 소정의 빔 폭(B)을 갖는 노광 빔의 조사 장치(280)와, 적어도 노광 빔의 빔 폭에 상당하는 폭을 갖는 차광판(S)과, 차광판을 구동함으로써 노광 빔의 일부 또는 전부를 차단하고, 노광 영역(DA) 이외의 영역에 노광 빔(B)이 도달하는 것을 저지하는 구동 장치(110)를 구비한다.

Description

차광 수단을 이용한 노광 장치, 노광 방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법, 표시 장치 및 전자 기기{ALIGNER, EXPOSING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE USING SHADING MEANS}
본 발명은 홀로그램을 이용하여 노광을 행하는 홀로그래픽 노광 장치에 관한 것이며, 특히 홀로그램 마스크의 일부를 노광하는 용도에 적합한 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 패터닝 프로세스에서, TIR(Total Internal Reflection: 전체 내부 반사)형 홀로그래픽 노광 기술이 주목을 받고 있다. 이 노광 기술은 홀로그램 마스크에 대하여 원하는 패턴을 기록하는 기록 공정과, 이 홀로그램 마스크에 재생광을 조사하여 반도체 패턴용의 포토레지스트를 감광(感光)하는 노광 공정으로 이루어진다.
기록 공정에서는, 우선 반도체 장치의 패턴에 대응한 마스크 패턴(원레티클(original reticle))에 레이저광의 기록 빔을 조사하여 회절광(回折光)을 발생시키고, 홀로그램 마스크의 기록면에 사출(射出)한다. 한편, 홀로그램 마스크의 기록면에 대하여 일정한 각도로 홀로그램 마스크의 뒤쪽으로부터 참조광을 조사하고, 원레티클로부터의 회절광과 간섭(干涉)시킨다. 이것에 의해, 홀로그램 마스크의 기록면에 간섭 패턴을 발생시키고, 이것을 홀로그램 기록면에 기록시킨다.
노광 공정에서는, 원레티클과 동일한 위치에 홀로그램 마스크를 두어, 기록 시와 반대 방향으로부터 재생광인 노광 빔을 조사하고, 포토레지스트 위에 원래의 패턴을 재현한 회절광을 결상(結像)시켜 포토레지스트를 노광한다.
일반적으로는, 노광 공정에서 사용하는 노광 빔은 홀로그램 마스크 전면(全面)을 주사하도록 만들어져 있다. 그리고, 홀로그램 마스크의 일부의 영역만을 노광시키기 위해, 종래는 홀로그램 마스크만큼의 크기가 있는 차광판을 이용하고 있다. 또는, 노광 빔의 주사 범위를 조절하여 홀로그램 마스크의 일부의 영역만을노광시키고 있다.
그러나, 복수의 노광 영역을 동일한 홀로그램 마스크 위에 형성하기 위해서는, 노광량의 균일성을 확보하기 위해, 도 8의 (a)에 나타낸 바와 같이, 각 노광 영역(A∼E)의 주위에 완충 영역을 마련할 필요가 있었다.
또한, 임의의 형상의 노광 영역에 대해서도 차광 가능하게 할 경우에는, 큰 차광판을 사용해야만 하기 때문에 노광 장치의 사이즈를 매우 크게 해야만 했다. 즉, 홀로그램 마스크 위의 임의의 위치에 있는 노광 영역에 대하여 완전한 차광을 실현하기 위해서는, 그 노광 영역의 사방의 둘레를 각각 덮을 필요가 있다. 각각의 차광판은 노광 영역이 홀로그램 마스크 위의 편중된 위치에 있는 경우에 대응시키기 위해 적어도 홀로그램 마스크 정도의 크기는 필요하다. 그리고, 임의의 위치에 있는 노광 영역을 둘러싸기 위해서는 적어도 4매의 홀로그램 마스크 정도의 면적의 차광판을 이용할 필요가 있다. 특히, 노광 영역이 홀로그램 마스크에 대하여 비교적 클 경우에는 차광판이 넓어지는 범위가 홀로그램 마스크의 3배의 폭 범위에 미치고 있었다. 이 문제는 홀로그램 마스크의 사이즈가 커질수록 현저해진다.
따라서, 본 발명은 고밀도로 서로 다른 노광 영역을 형성할 수 있고, 또한, 장치 전체의 사이즈를 작게 하기 위해 적합한 구성을 갖는 노광 장치 및 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명에서의 구성 원리 설명도.
도 2는 본 발명에서의 동작 원리 설명도.
도 3은 실시예 1에서의 홀로그래픽(holographic) 노광(露光) 장치의 구성도.
도 4는 실시예 1에서의 노광 방법을 설명하는 플로차트.
도 5는 실시예 1에서의 노광 방법에 의한 주사 순서를 설명하는 홀로그램(hologram) 마스크면의 설명도.
도 6은 실시예 2에서의 노광 방법에 의한 주사 순서를 설명하는 홀로그램 마스크면의 설명도.
도 7은 실시예 1에서의 노광 방법을 설명하는 플로차트.
도 8의 (a)는 종래의 노광 장치에서 노광 가능한 노광 영역의 조합 예, 도 8의 (b)는 본 발명에서 노광 가능한 홀로그램 마스크의 노광 영역 조합 예.
도 9는 표시 장치의 접속도.
도 10은 표시 장치의 전자 기기로의 적용 예.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
Sv1, Sv2, Sh1, Sh2 : 셔터(shutter)(차광판)
Wsv : 수직 방향의 차광판의 폭
Wsh : 수평 방향의 차광판의 폭
Wbv : 수직 방향의 빔(beam) 폭
Wbh : 수평 방향의 빔 폭
L : 노광 광원(光源)
SS : 이동 노광계
A∼E : 홀로그램 마스크에서의 노광 영역
HM : 홀로그램 마스크
P : 프리즘
100 : 제 3 정보 처리 장치
102 : 셔터 구동 장치
200 : 홀로그램 마스크
201 : 프리즘,
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 노광 장치는 임의의 노광 영역을 노광하기 위한 노광 장치로서, 노광 영역을 노광하기 위한 소정의 빔 폭을 갖는 노광 빔의 조사 장치와, 노광 영역의 형상에 대응하고 있으며, 적어도 노광 빔의 빔 폭에 상당하는 폭을 갖는 차광판을 구동함으로써 노광 빔의 일부 또는 전부를 차단하고, 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하는 구동 장치를 구비한다.
보다 구체적으로는, 노광 영역이 변으로 둘러싸인 형상, 예를 들어, 사각형을 이루고 있을 경우, 차광판은 적어도 노광 영역의 변의 수에 대응하는 수만큼 설치되고, 각각이 변에 대응하고 있으며, 적어도 노광 빔의 빔 폭에 상당하는 폭 및 높이를 갖는다.
여기서, 노광 대상에 한정은 없으며, 통상의 포토리소그래피법의 노광에 적용할 수 있다.
또한, 상기 노광 장치는 노광 빔의 조사 방향에 대략 수직으로서, 서로 교차하는 2방향 중 어느 한쪽의 방향을 따라 독립적으로 구동하는 복수의 차광판, 및 차광판을 구동하는 구동 장치를 갖는다.
또한, 상기 노광 장치는 노광 빔의 조사 방향에 대략 수직으로서, 서로 교차하는 2방향의 각각의 방향을 따라 독립적으로 구동하는 4매의 차광판, 및 차광판을 구동하는 구동 장치를 갖는다.
또한, 상기 노광 장치는 노광 빔의 조사 방향에 대략 수직으로 이동 가능한 차광판, 및 차광판을 구동하는 구동 장치를 갖는다.
또한, 상기 조사 장치는, 노광 영역에 대응하는 차광 평면 내에서의 영역의경계로부터 상기 차광 평면 내에서의 빔 폭의 대략 1/2에 상당하는 폭을 더한 영역을 초과하지 않는 범위에서 노광 빔의 중심점을 이동시킨다.
또한, 상기 노광 장치에서의 상기 구동 장치는, 노광 빔의 중심점과 노광 영역의 경계와의 거리가 노광 빔 폭의 1/2 이하일 경우에, 노광 영역 내에만 노광 빔이 도달하도록 차광판을 이동시킨다.
또한, 본 발명의 노광 방법은 임의의 노광 영역을 노광하기 위한 노광 방법으로서, 소정의 빔 폭을 갖는 노광 빔의 일부를 차단하고, 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하기 위해, 노광 영역에 대응하는 차광 평면 내에서의 영역의 경계로부터 상기 차광 평면 내에서의 빔 폭의 대략 1/2에 상당하는 폭을 부가한 영역을 초과하지 않는 범위에서 노광 빔의 중심점을 이동시켜 노광하는 주사 제어 과정과, 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하기 위해, 적어도 빔 폭에 상당하는 폭 및 높이를 갖는 차광판을 이동시켜 노광 빔의 일부 또는 전부를 차광하는 차광 제어 과정을 포함한다.
보다 구체적으로는, 노광 영역이 변으로 둘러싸인 형상, 예를 들어, 사각형을 이루고 있을 경우, 소정의 빔 폭을 갖는 노광 빔의 일부 또는 전부를 차단하고, 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하기 위해, 노광 영역에 대응하는 차광 평면 내에서의 영역의 경계로부터 상기 차광 평면 내에서의 빔 폭의 대략 1/2에 상당하는 폭을 부가한 영역을 초과하지 않는 주사 범위에서 노광 빔의 중심점을 이동시켜 노광하는 주사 제어를 구비하는 노광 방법이다.
여기서, 노광하는 스텝은 주사 범위의 경계 위에 노광 빔의 중심점을 위치시키는 스텝과, 노광 빔이 안정된 후에 제 1 방향으로 상기 노광 빔을 주사시키는 스텝과, 노광 빔의 중심점이 주사 범위의 다른쪽 끝에 도달한 경우에 소정 거리만큼 노광 빔을 제 2 방향으로 이동시키고, 상기 다른쪽 끝에 도달하기 전의 주사 방향과는 반대 방향으로 상기 노광 빔을 주사시키는 스텝과, 노광 빔의 중심점이 주사 범위의 종단(終端)에 도달한 경우에 노광을 종료시키는 스텝을 포함한다.
또한, 본 발명의 노광 방법에 있어서는, 주사 제어 과정에서, 제 1 방향으로 주사 중인 노광 빔의 중심이 주사 영역으로부터 상기 영역 이외의 방향으로 상기 노광 빔 폭의 1/2 이내의 거리에 위치하고 있을 경우, 주사 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하지 않도록 상기 주사 속도에 동기(同期)하여 차광판을 이동시키는 차광 제어 스텝을 더 행한다.
또한, 본 발명의 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서는, 감광성 수지 위의 노광 영역에 대하여, 소정의 빔 폭을 갖는 노광 빔의 중심을 노광 영역으로부터 노광 빔 폭의 1/2에 상당하는 폭을 초과하지 않는 주사 범위에서 이동시키는 주사 제어 과정과, 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하기 위해, 적어도 빔 폭에 상당하는 폭 및 높이를 갖는 차광판을 이동시켜 노광 빔의 일부 또는 전부를 차광하는 차광 제어 과정과, 주사 제어 과정과 상기 차광 제어 과정을 거쳐 소정의 패턴이 형성된 감광성 수지를 에칭하여 마스크 패턴을 형성하는 마스크 패턴 형성 과정과, 상기 마스크 패턴을 이용하여, 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 과정을 포함한다.
또한, 본 발명의 표시 장치는, 상기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 표시 장치이다.
또한, 본 발명의 전자 기기는 상기 표시 장치를 구비한다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
(제 1 실시예)
본 발명의 제 1 실시예는, 홀로그래픽 노광 장치에서, 노광 빔이 홀로그램 마스크 위를 수평(또는 가로) 방향(도 1, 도 5의 h방향)으로 주(主)주사를 이루고, 수직(또는 세로) 방향(도 1, 도 5의 v방향)으로 부(副)주사를 이루어 노광을 행하고 있다.
우선, 도 3을 참조하여 홀로그래픽 노광 장치의 구성을 설명한다. 도 3은 TIR형 홀로그래픽 노광 장치의 전체 구성도를 나타내고 있다.
이 노광 장치는 프리즘(201), 스테이지(220)를 구비하는 스테이지 장치(222), 제 1 정보 처리 장치(230), 거리 측정 광학계(240), 막 두께 측정 광학계(250), 광원(260), 제 2 정보 처리 장치(270), 노광 광원(280), 노광 광원 구동 장치(282), 및 본 발명에 따른 차광 장치(110) 등에 의해 구성된다. 또한, 프리즘(201)의, 피(被)노광 기판(210)을 유지하는 스테이지(220)의 탑재면과 대향하는 면에는 소정의 레티클 패턴에 대응한 간섭 패턴을 기록한 홀로그램 마스크(200)가 장착되어 있다.
스테이지 장치(222)는, 감광성 재료막(212)이 형성된 피노광 기판(210)을 진공 척(chuck) 등에 의해 스테이지(220) 위에 유지하여, 적어도 상하 방향(Z방향)으로의 스테이지(220)의 위치 조정이 가능하게 구성되어 있다.
광원(260)은 거리 측정 광학계(240) 및 막 두께 측정 광학계(250)의 측정용 광 빔을 사출 가능하게 구성되어 있다. 거리 측정 광학계(240)는 빔 스플리터(splitter), 실린드리컬 렌즈(cylindrical lens), 광 센서, 오차(誤差) 신호 검출기 등을 구비하고, 홀로그램 기록면(202)과 피노광 기판 위에 도포된 감광성 재료막 표면(214)과의 거리(홀로그램 기록면(202)과 감광성 재료막 표면(214) 사이의 갭)를 조정하여 노광 시의 포커스(focus)를 제어할 수 있게 구성되어 있다.
제 1 정보 처리 장치(230)는, 거리 측정 광학계(240)에 의해 계측(計測)된 홀로그램 기록면(202)과 피노광 기판 위에 형성된 감광성 재료막 표면(214)과의 거리에 의거하여 포커스가 적정해지도록 스테이지(220)의 위치를 설정하게 구성되어 있다. 막 두께 측정 광학계(250)는 빔 스플리터, 포토 디텍터(photo detector), 증폭기, A/D 변환기 등을 구비하고, 피노광 기판(210) 위에 형성된 감광성 재료막(212)의 막 두께를 측정하기 위한 구성을 구비하고 있다.
제 2 정보 처리 장치(270)는 본 발명의 구동 장치에 대응하고 있으며, 노광 광원(280)으로부터 조사되는 노광 빔(B)이 차광 장치(110)에서 규정되는 적정한 노광 영역 내를 주사하도록 노광 광원(280)을 이동시키는 동시에, 막 두께 측정 광학계(250)에 의해 출력된 감광성 재료막(212)의 막 두께의 상대값에 의거하여 노광의 광량(光量)을 제어하도록 구성되어 있다.
노광 광원(280)은 본 발명의 조명 장치에 대응하고 있으며, 홀로그램 마스크(200)의 홀로그램 기록면(202)에 노광 빔(B)을 조사하도록 구성되어 있다. 노광 광원 구동 장치(282)는 본 발명의 구동 장치에 대응하고 있으며, 노광광원(280)을 프리즘(201)의 경사면(203)을 따라 적어도 2방향으로 이동시켜 피노광 기판(210) 위의 원하는 노광 영역을, 예를 들어, 수평 및 수직 방향(도 3의 v방향 및 h방향)으로 주사하여 노광할 수 있게 구성되어 있다. 또한, 노광 광원의 이동 방향은 수평 및 수직 방향에 한정되지 않으며, 서로 교차하는 2방향에 대해서 적절히 설정할 수 있다.
상술한 바와 같이, 노광 장치는 피노광 기판(210)에 대향하는 면에 소정의 레티클 패턴에 대응한 간섭 패턴이 기록되어 있는 홀로그램 마스크(200)를 장착한 프리즘(201)을 구비하고 있다.
차광 장치(110)는 본 발명의 차광판에 대응하고 있으며, 차광판(Sv1, Sv2, Sh1, Sh2)(Sh1, Sh2는 도 1 참조)을 포함하는 셔터(S), 제 3 정보 처리 장치(100), 및 셔터 구동 장치(102)를 구비한다. 셔터(S)를 구성하는 각각의 차광판은 광 차단재(블랙 카본이나 크롬)가 도포된 금속 등의 광을 차단할 수 있는 스트립(strip) 형상 부재이며, 각각이 독립적으로 또는 연동(連動)하여 노광 빔의 조사 방향에 대하여, 수직 또는 대략 수직인 방향에 대하여 이동할 수 있게 되어 있다. 제 3 정보 처리 장치(100)는 내부에 노광 영역의 위치 정보가 기억되어 있고, 셔터의 동작 시기 및 이동 속도를 계산하거나, 또는 미리 이들의 셔터에 관한 제어 정보를 저장하고 있다. 셔터 구동 장치(102)는, 모터와 기구 부품의 조합에 의해, 공지의 기구 기술에 의해 제 3 정보 처리 장치(100)로부터의 제어 신호에 의거하여, 각 셔터(S)를 임의의 이동 속도로 이동시키거나, 임의의 위치에 배치할 수 있게 되어 있다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 노광 방법의 원리를 설명하는 설명도이다. 도 1 및 도 2에서 도 3과 대응하는 부분에는 동일한 부호를 첨부하여, 이러한 부분의 설명을 생략한다.
도 1에는 노광 광원(280)과 셔터(S)를 포함하는 이동 노광계(ME)와 프리즘(201) 및 홀로그램 마스크(200)의 위치 관계가 어떻게 되어 있는지가 도시되어 있다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에서는 홀로그램 마스크(200) 위의 노광 영역(A)이 사각형이기 때문에, 그 4개의 변에 대응한 4매의 차광판(Sv1, Sv2, Sh1, Sh2)을 셔터(S)로서 이용하고 있다. 이 셔터(S)는 노광 영역(A)의 변의 수에 대응하는 수만큼 설치된다. 각 셔터가 노광 영역(A)에서의 대응하는 변의 차광을 행할 수 있게 대응되어 있다. 각 셔터의 폭은 적어도 각 셔터의 배치 방향에 대응하는 노광 빔(B)의 폭을 초과하는 길이를 갖는다. 여기서, 각 셔터(S)의 폭(Wsh) 및 높이(Wsv)는 적어도 노광 장치(280)로부터 사출된 노광 빔(B)의 빔 폭(Wbh) 및 높이(Wbv)를 갖는다. 다음으로, 도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이, 노광 빔(B)이 노광 영역(A)의 변(A4)으로부터 비어져 나온 경우, 셔터(Sv1)가 이동하여 노광 빔(B)을 차단하여, 노광 영역(A)의 변(A4)의 외측에 노광 빔(B)이 조사되지 않게 한다. 또한, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 노광 빔(B)이 노광 영역(A)의 변(A2)으로부터 비어져 나온 경우에는, 셔터(Sv2)가 노광 빔(B)이 노광 영역(A)의 변(A2)의 외측에 조사되지 않게 노광 빔(B)을 차광한다.
마찬가지로, 노광 빔(B)이 노광 영역(A)의 변(A1)으로부터 비어져 나온 경우, 셔터(Sh1)가 노광 빔(B)이 노광 영역(A)의 변(A1)의 외측에 조사되지 않게 이동하여 차광한다. 노광 빔(B)이 노광 영역(A)의 변(A3)으로부터 비어져 나온 경우, 셔터(Sh2)가 노광 빔(B)이 노광 영역(A)의 변(A3)의 외측에 조사되지 않게 이동하여 차광한다.
노광 빔(B)은 광의 강도(强度)에 불균일이 있기 때문에, 노광 영역(A)보다도 노광 빔 폭 Wbh 및 Wbv만큼 넓은 영역을 이동하지 않으면, 노광 영역(A)을 균일한 강도로 조사할 수 없다. 이 요구를 충족시키기 위해, 각 셔터는 노광 빔(B)을 완전히 차광할 필요가 있으며, 여기서 규정된 폭 및 높이를 구비하고 있다.
다음으로, 도 4 및 도 5를 참조하여 상술한 노광 장치를 사용한 노광 동작에 대해서 설명한다. 도 4는 노광 장치의 제어 동작을 설명하는 플로차트이다. 또한, 도 5는 홀로그램 기록면(202) 위에 노광 빔(B)을 투사하는 경우의 노광 투사 영역에 대한 노광 빔(B)의 수평 주사 순서를 설명하는 도면이다.
본 실시예에서는, 도 1에서의 수평 주사 방향(도면 중의 h방향), 즉, 광원 구동 장치(282)에 의해 노광 빔(B)의 광원(280)을 프리즘의 경사면(203)을 승강(昇降)하도록 평행 이동시켜, 홀로그램 기록면(202) 위를 좌우 방향으로 주주사를 행하고, 도 1의 지면(紙面)에 수직 방향(도면 중의 v방향)으로 부주사를 행하여 필요한 범위를 노광하는 예를 나타내고 있다.
상기 노광 장치에서는, 홀로그램 기록면(202) 위에서 노광 투사 영역(DA)의 주위에 본 발명에서 규정된 주사 범위(SA)가 설정되고, 노광 빔(B)의 중심점은 이 주사 범위(SA)의 내부에서 이동하게 되어 있다.
노광 처리의 전제로서, 소정의 레티클 패턴에 대응한 간섭 줄무늬가 홀로그램 기록면(202)에 기록되어 있는 홀로그램 마스크(200)가 프리즘(201)에 접합되어 있는 것으로 한다. 그 홀로그램 마스크(200)는 특정 노광 영역(A)만을 노광하기 때문에, 그 노광 영역(A)의 위치 정보가 제 3 정보 처리 장치(100)에 저장되어 있는 것으로 한다.
우선, 도 4에 나타낸 바와 같이, 제 3 정보 처리 장치(100)는 이 노광 영역(A)에 관한 위치 정보를 판독하고, 홀로그램 기록면(202) 위의 노광 투사 영역(DA)의 위치 정보를 확정하여, 노광 처리 시에 셔터(S(Sh1, Sh2, Sv1, Sv2))가 어떻게 이동하면 되는지를 계산한다(S10). 홀로그램 기록면(202) 위에서의 각 셔터의 배치를 미리 기억시켜 그것을 판독하게 할 수도 있다.
이어서, 셔터 Sh1 및 Sv2가 각각 노광 빔을 완전히 차광하는 제어 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하여 셔터 Sh1 및 Sv2를 초기 위치에 이동시킨다(S11).
다음으로, 제 2 정보 처리 장치(270)는 노광 광원 구동 장치(282)를 제어하여 노광 빔이 초기 위치를 조사하도록 노광 장치(280)를 이동시킨다(S12). 노광 빔은 출력 직후는 출력이 안정되어 있지 않은 경우가 있기 때문에, 우선, 노광 투사 영역(DA)의 범위 외에서 출력이 안정될 때까지 대기시킬 필요가 있다. 이 때문에, 스텝 S12에서는 노광 투사 영역(DA)의 원점 P0(X0, Y0)의 외측으로서 셔터(S)로부터 노광 빔이 누설되지 않는 초기 위치 Pb(Xb, Yb)에 노광 장치(280)를 이동시킨다.
예를 들면, 도 5에 나타낸 바와 같이 주사 순서가 정해져 있는 것으로 하면,노광 빔(B)의 중심점의 초기 위치 Pb(Xb, Yb)는, 초기 위치 Pb(Xb, Yb)=Pb(X0-Wbh/2, Y0-Wbv/2)로 된다. 여기서, Wbh는 수평 방향에 대응한 실제의 노광 빔(B)의 폭이다.
그리고, 제 2 정보 처리 장치(270)는 노광 광원(280)에 전력을 공급하여 노광 빔을 사출시킨다(S13). 노광 빔(B)이 안정된 광으로 될 때까지 대기하고 나서(S14:No), 노광 광원 구동 장치(282)를 제어하여, 제 1 방향, 즉, 수직 방향 v로 거리 Dy만큼 노광 빔을 이동시킨다(S15).
여기서, 노광 빔(B)의 중심 위치가 차광 제어 영역(ASh1(파선 L1, L4, L5, L6으로 둘러싸인 영역)) 내에 있으면(S16:Yes), 셔터(Sh1)의 차광 위치가 노광 빔(B)이 노광 영역(DA) 이외의 위쪽 영역을 조사하지 않는 위치로 되는 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하고, 셔터(Sh1)를 이동시킨다(S17). 동일하게 하여, 노광 빔(B)의 중심 위치가 차광 제어 영역(ASh2(파선 L1, L4, L7, L8로 둘러싸인 범위)) 내에 있으면(S18:Yes), 셔터(Sh2)의 차광 위치가 노광 빔이 노광 영역(DA) 이외의 아래쪽 영역을 조사하지 않는 위치로 되는 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하고, 셔터(Sh2)를 이동시킨다(S19).
다음으로, 노광 광원 구동 장치(282)를 제어하여, 제 2 방향, 즉, 수평 방향 h로 노광 빔을 주사시킨다(S20). 상기 노광 빔(B)의 주사 기간 중에, 노광 빔의 중심 위치가 차광 제어 영역(ASv2(파선L1, L2, L5, L8로 둘러싸인 범위)) 내에 있으면(S21:Yes), 셔터(Sv2)의 차광 위치가 노광 빔이 노광 영역(DA) 이외의 왼쪽 영역을 조사하지 않는 위치로 되는 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하고,셔터(Sv2)를 이동시킨다(S22).
동일하게 하여, 상기 노광 빔의 주사 기간 중에, 노광 빔의 중심 위치가 차광 제어 영역(ASv1(L3, L4, L5, L8로 둘러싸인 범위)) 내에 있으면(S23:Yes), 셔터(Sv1)의 차광 위치가 노광 빔(B)이 노광 영역(DA) 이외의 오른쪽 영역을 조사하지 않는 위치로 되는 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하고, 셔터(Sv1)를 이동시킨다(S24).
노광 빔(B)의 중심점이 주사 범위의 종단에 도달할 때마다 그 위치가 주사의 종료 위치인지의 여부를 조사하고, 주사가 완료되지 않은 한(S25:No), 제 1 방향의 Dy 상당의 부주사 이동(S15) 및 셔터(Sh1, Sh2)에 의한 노광 빔의 차광 제어(S16∼S19)와 제 2 방향으로의 주주사 이동(S20) 및 셔터(Sv1, Sv2)에 의한 노광 빔(B)의 차광 제어(S21∼S24) 스텝을 반복한다. 노광 빔(B)의 중심점이 주사 범위(SA)의 종단에 도달하면 종료한다(스텝 S25:Yes).
이러한 노광 영역 외의 노광을 셔터를 이용하여 차단하는 노광 처리에 의해, 특정 노광 영역(A)을 모두 균일하게 노광하는 것이 가능해진다.
도 8은 본 발명과 비교예의 효과를 대비하여 설명하는 설명도이다. 복수의 노광 영역을 동일한 홀로그램 마스크 위에 형성하기 위해서는, 노광량의 균일성을 확보하기 위해, 도 8의 (a)의 비교예에 나타낸 바와 같이, 각 노광 영역(A∼E)의 주위에 완충 영역을 마련할 필요가 있었다. 이것에 대하여, 본 실시예에 의하면, 셔터(S)가 임의의 노광 영역마다 이동하여 노광 영역을 정확히 획정(劃定)하고, 노광 가능하게 하기 때문에, 종래 필요했던 노광 영역 사이의 완충 영역을 마련할 필요가 없다. 이 때문에, 예를 들어, 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이 서로 다른 노광 영역을 인접시킬 수 있기 때문에, 고밀도의 홀로그램 마스크의 노광이 가능해진다.
상술한 바와 같이, 제 1 실시예에 의하면, 셔터(S)에 요구되는 최소한의 형상 조건을 충족시킨 노광 장치를 제공할 수 있기 때문에, 소형(小形)의 노광 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 본 실시예 1에 의하면, 셔터가 임의의 노광 영역 이외의 영역으로의 노광 빔 조사를 방지할 수 있기 때문에, 완충 영역을 마련하지 않아, 고밀도로 복수의 노광 영역을 인접시킬 수 있다.
(제 2 실시예)
본 발명의 제 2 실시예는, 홀로그래픽 노광 장치에 있어서, 노광 빔이 홀로그램 마스크 위를 수직 방향(도 1, 도 6의 v방향)으로 주주사를 이루고, 수평 방향(도 1, 도 6의 h방향)으로 부주사를 이루어 노광을 행하고 있다. 본 실시예에서의 노광 방법도 도 4에 나타낸 실시예 1에서의 플로차트와 거의 동일하지만, 노광 빔의 주사 순서(주주사 방향, 부주사 방향)가 상이하다. 제 2 실시예의 홀로그래픽 노광 장치의 전체 구성에 대해서는 실시예 1과 동일하기 때문에, 그 설명을 생략한다.
도 6은 제 2 실시예에서의 노광 투사 영역(DA)에 대한 노광 빔(B)의 주사 순서를 설명하는 설명도이다. 도 7은 제 2 실시예의 노광 장치의 제어 동작을 설명하는 플로차트이다.
이 실시예 2에 있어서도, 노광 투사 영역(DA)의 주위에 본 발명에서 규정된 주사 범위(SA)가 설정되고, 노광 빔의 중심점은 이 주사 범위(SA)의 내부에서 이동하게 되어 있다.
실시예 1과 동일하게, 노광 처리의 전제로서, 소정의 레티클 패턴에 대응한 간섭 줄무늬가 홀로그램 기록면(202)에 기록되어 있는 홀로그램 마스크(200)가 프리즘(201)에 접합되어 있다. 그 홀로그램 마스크(200)는 특정 노광 영역(A)만을 노광하기 때문에, 그 노광 영역(A)의 위치 정보가 제 3 정보 처리 장치(100)에 저장되어 있다.
우선, 제 3 정보 처리 장치(100)는, 이 노광 영역(A)에 관한 위치 정보를 판독하고, 홀로그램 기록면(202) 위의 노광 투사 영역(DA)의 위치 정보를 확정하여, 홀로그램 기록면(202) 위에서 어떻게 각 셔터(S)를 이동시키면 되는지를 계산한다(S30). 홀로그램 기록면(202) 위에서의 각 셔터의 이동 순서를 미리 기억시켜 그것을 판독하게 할 수도 있다.
이어서, 셔터 Sh1 및 Sv2가 각각 노광 빔(B)을 완전히 차광하는 제어 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하여 셔터 Sh1 및 Sv2를 이동시킨다(S31).
이어서, 제 2 정보 처리 장치(270)는 노광 광원 구동 장치(282)를 제어하여 노광 빔(B)이 초기 위치 Pb'를 조사하도록 노광 장치(280)를 이동시킨다(S32). 본 실시예에서는, 이번에는 영역(DA)의 왼쪽 외측(도 6 참조)에 이 초기 위치 Pb'를 설정한다. 이 때의 노광 빔의 중심점 초기 위치 Pb'(Xb', Yb')는, Pb'(Xb', Yb')=Pb'(X0'-Wbv/2, Y0'-Wbh/2)로 된다.
그리고, 제 2 정보 처리 장치(270)는 노광 광원(280)에 전력을 공급하여 노광 빔을 사출시킨다(S33). 노광 빔이 안정된 광으로 될 때까지 대기하고 나서(S34:No), 노광 광원 구동 장치(282)를 제어하여, 제 1 방향, 이번에는 수평 방향 h로 Dh만큼 노광 빔을 주사시킨다(S35).
여기서, 노광 빔(B)의 중심 위치가 차광 제어 영역(ASv2(L1, L2, L5, L8)) 내에 있으면(S36:Yes), 셔터(Sh2)의 차광 위치가 노광 빔(bb)이 노광 영역(DA) 이외의 영역을 조사하지 않는 위치로 되는 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하고, 셔터(Sv2)를 이동시킨다(S37).
동일하게 하여, 노광 빔의 중심 위치가 차광 제어 영역(ASv1(L3, L4, L5, L8)) 내에 있으면(S38:Y), 셔터(Sh1)의 차광 위치가 노광 빔(B)이 노광 영역(DA) 이외의 영역을 조사하지 않는 위치로 되는 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하고, 셔터(Sv1)를 이동시킨다(S39).
다음으로, 노광 광원 구동 장치(282)를 제어하여, 제 2 방향, 즉, 수직 방향 v로 노광 빔(B)을 주사시킨다(S40). 노광 빔(B)의 주사 기간 중에, 노광 빔(B)의 중심 위치가 차광 제어 영역(ASh2(L1, L4, L7, L8)) 내에 있으면(S41:Yes), 셔터(Sh2)의 차광 위치가 노광 빔(B)이 노광 영역(DA) 이외의 영역을 조사하지 않는 위치로 되는 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하고, 셔터(Sh2)를 이동시킨다(S42).
동일하게 하여, 상기 노광 빔의 주사 기간 중에, 노광 빔의 중심 위치가 차광 제어 영역(ASh1(L1, L4, L5, L6)) 내에 있으면(S43:Yes), 셔터(Sh1)의 차광 위치가 노광 빔이 노광 영역(DA) 이외의 영역을 조사하지 않는 위치로 되는 신호를 셔터 구동 장치(102)에 공급하고, 셔터(Sh1)를 이동시킨다(S44).
노광 빔의 중심점이 주사 범위의 종단에 도달할 때마다 그 위치가 주사의 종료 위치인지의 여부를 조사하고, 주사가 완료되지 않은 한(S45:N), 제 1 방향의 이동(S35) 및 셔터(Sv2, Sv1)에 의한 노광 빔의 차광 제어(S36∼S39)와 제 2 방향으로의 이동(S40) 및 셔터(Sh2, Sh1)에 의한 노광 빔의 차광 제어(S41∼S44) 스텝을 반복한다.
이러한 처리에 의해, 주사 순서가 상이하여도, 제 1 실시예와 동일하게, 특정 노광 영역(A)이 모두 균일하게 노광된다.
이상, 제 2 실시예에 의하면, 셔터에 요구되는 최소한의 형상 조건을 충족시킨 노광 장치를 제공할 수 있기 때문에, 노광 장치의 사이즈를 대폭으로 축소하는 것이 가능하다.
또한, 본 실시예에 의하면, 셔터가 임의의 노광 영역 이외의 영역으로의 노광 빔 조사를 방지할 수 있기 때문에, 완충 영역을 마련하지 않아, 고밀도로 복수의 노광 영역을 인접시킬 수 있다.
(기타 변형예)
본 발명은 상기 각 실시예에 한정되지 않으며, 다양하게 변경하여 적용할 수 있다.
예를 들면, 상기 실시예에서는 홀로그래픽 노광 장치에서의 응용예를 나타냈지만, 이것에 한정되지 않고, 본 발명은 다른 노광 방법에 이용할 수 있다.
또한, 실시예에서는 노광 영역을 사각형으로 하고, 셔터 수를 4매로 했지만, 변의 수는 3 또는 5 이상으로 할 수도 있다. 이러한 응용에 의해, 삼각형이나 오각형 이상의 다각형 노광 영역을 노광하는 것도 가능하다. 또는, 중앙이 개구된 1매의 차광판을 이용할 수도 있다.
또한, 실시예와 같이 차례로 주사하여 노광할 필요는 없으며, 나선상(螺旋狀)이나 방사상(放射狀)의 주사 궤적으로 노광 영역을 노광할 수도 있다. 모든 응용에 있어서, 노광 빔의 중심점이 본 발명의 주사 범위를 초과하지 않도록 하는 것이 바람직하다. 다만, 셔터의 폭이 임계값보다 클 경우에는 해당되지 않는다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 부분적으로 노광할 경우에 요구되는 조건을 충족시킨 최소한의 크기의 차광판을 제공하기 때문에, 임의의 노광 영역을 노광하는 노광 장치의 사이즈를 종래에 비하여 대폭으로 축소하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 차광판이 임의의 노광 영역의 노광을 위해 이동할 수 있게 구성되어 있기 때문에, 노광 영역의 외측 에지를 명확히 획정할 수 있고, 완충 영역을 마련하지 않아, 고밀도로 복수의 노광 영역을 인접시킬 수 있다.
(본 발명의 노광 방법 및 노광 장치를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법)
다음으로, 본 발명의 노광 방법 및 노광 장치를 이용하여, 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 경우를 응용예로서 설명한다.
박막 트랜지스터는 기판 위에 산화규소막 등의 절연막을 통하여 소스 영역, 드레인 영역, 및 능동층으로 되는 채널 영역을 포함하는 반도체층이 형성된다.
또한, 이 경우, 반도체층으로서 이용되는 것에는, 저온 또는 고온화에 의해비정질 실리콘을 정질화(晶質化)하여 형성되는 다결정 실리콘 박막이나, 결정립을 성장시킴으로써 형성되는 단결정 실리콘 박막 등을 들 수 있으며, 각각 공지의 수법을 이용하여 형성할 수 있다.
이어서, 이 반도체층 위에 게이트 절연막을 형성한 후에, 소정의 게이트용 금속, 예를 들어, 탄탈 또는 알루미늄의 금속 박막을 형성한다. 이 금속 박막 위에 포토레지스트막을 형성하고, 게이트 전극 패턴을 포토레지스트층에 형성한다.
여기서, 게이트 전극 패턴을 형성할 때에, 본 발명의 노광 방법 및 노광 장치에 의해 제조된 마스크 패턴이 이용된다. 즉, 감광성 수지 위의 노광 영역에 대하여, 소정의 빔 폭을 갖는 노광 빔의 중심을 노광 영역으로부터 노광 빔 폭의 1/2에 상당하는 폭을 초과하지 않는 주사 범위에서 이동시키는 주사 제어 과정과, 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하기 위해, 적어도 빔 폭에 상당하는 폭 및 높이를 갖는 차광판을 이동시켜 노광 빔의 일부 또는 전부를 차광하는 차광 제어 과정과, 주사 제어 과정과 상기 차광 제어 과정을 거쳐 소정의 패턴이 형성된 감광성 수지를 에칭하여 마스크 패턴을 형성하는 마스크 패턴 형성 과정과, 이 마스크 패턴을 이용하여, 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 과정이 실행된다.
이것에 의해, 예를 들어, 300×300㎟의 기판 위에, 선 폭이 0.5㎛인 게이트 전극 패턴을 포토레지스트층에 형성할 수 있다. 그리고, 이방성(異方性) 에칭에 의해 포토레지스트층 아래의 금속 박막을 패터닝하고, 게이트 전극을 형성한다.
다음으로, 이 게이트 전극을 마스크로 하여, 도너(donor) 또는억셉터(acceptor)로 되는 불순물 이온을 주입하고, 소스/드레인 영역과 채널 형성 영역을 게이트 전극에 대하여 자기 정합적으로 제작한다. 예를 들면, NMOS 트랜지스터를 제작하기 위해서는, 불순물 원소로서 인(P)을 소정의 농도, 예를 들어, 1×1016㎝-2의 농도로 소스/드레인 영역에 주입한다. 그 후, 적당한 에너지의 인가, 예를 들어, XeCl 엑시머 레이저를 조사 에너지 밀도 200 내지 400mJ/㎠ 정도로 조사하거나, 250℃ 내지 450℃ 정도의 온도에서 열처리함으로써, 불순물 원소의 활성화를 행한다.
그 후, 적절히 공지의 박막 트랜지스터의 제조 방법을 이용하여, 층간절연막, 콘택트 홀, 소스/드레인 배선 등이 형성된다.
이와 같이 제조된 박막 트랜지스터는, 종래의 박막 트랜지스터와 달리, 게이트 전극을 미세하게 형성할 수 있기 때문에, 고출력 전류, 저(低)서브스레시홀드 슬로프(low-subthreshold slope), 저(低)임계 전압, 및 고속 동작 등 SOI 트랜지스터에 필적하는 성능을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 노광 장치 및 노광 방법을 이용하여 제조된 박막 트랜지스터는 표시 장치 및 전자 기기에 적용할 수 있다. 여기서, 「표시 장치」는 전기적 작용에 의해 발광하거나 또는 외부로부터의 광의 상태를 변화시키는 전기 광학 소자를 구비한 장치 일반을 의미하며, 스스로 광을 발하는 것과 외부로부터의 광의 통과를 제어하는 것 양쪽을 포함한다. 예를 들면, 전기 광학 소자로서, 액정 소자, 전기 영동 소자, EL(일렉트로루미네선스) 소자, 전계의 인가에 의해 발생한 전자를 발광판에 인가하여 발광시키는 전자 방출 소자 등을 들 수 있다.
도 9에 본 실시예에서의 표시 장치의 접속도를 나타낸다. 본 실시예의 표시 장치는 각 화소 영역(301)에 전계 발광 효과에 의해 발광 가능한 발광층(OLED), 그것을 구동하기 위한 전류를 기억하는 유지 용량(C)을 구비하고, 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 박막 트랜지스터(T1, T2)를 더 구비하여 구성되어 있다. 드라이버 영역(302)으로부터는 선택 신호선(Vsel)이 각 화소 영역에 공급되어 있다. 드라이버 영역(303)으로부터는 신호선(Vsig) 및 전원선(Vdd)이 각 화소 영역에 공급되어 있다. 선택 신호선(Vsel)과 신호선(Vsig)을 제어함으로써, 각 화소 영역에 대한 전류 프로그램이 실행되고, 발광부(OLED)에 의한 발광이 제어된다.
또한, 상기 구동 회로는 발광 요소에 전계 발광 소자를 사용하는 경우의 회로의 일례이며, 다른 회로 구성도 가능하다. 또한, 발광 요소에 액정 표시 소자를 이용하는 것도 회로 구성을 다양하게 변경함으로써 가능하다.
또한, 본 발명을 적용한 박막 트랜지스터를 갖는 표시 장치(401)는 다양한 전자 기기에 적용할 수 있다. 도 10에 상기 표시 장치의 전자 기기로의 적용예를 예시한다.
도 10의 (a)는 휴대 전화로의 적용예이며, 상기 휴대 전화(410)는 안테나부(411), 음성 출력부(412), 음성 입력부(413), 조작부(414), 및 본 발명의 표시 장치(401)를 구비하고 있다. 이와 같이 본 발명의 표시 장치는 표시부로서 이용할 수 있다.
도 10의 (b)는 비디오 카메라로의 적용예이며, 상기 비디오 카메라(420)는수상부(421), 조작부(422), 음성 입력부(423), 및 본 발명의 표시 장치(401)를 구비하고 있다. 이와 같이 본 발명의 표시 장치는 파인더(finder)나 표시부로서 이용할 수 있다.
도 10의 (c)는 휴대형 퍼스널 컴퓨터로의 적용예이며, 상기 컴퓨터(430)는 카메라부(431), 조작부(432), 및 본 발명의 표시 장치(401)를 구비하고 있다. 이와 같이 본 발명의 표시 장치는 표시부로서 이용할 수 있다.
도 10의 (d)는 헤드 마운트 디스플레이로의 적용예이며, 상기 헤드 마운트 디스플레이(440)는 밴드(441), 광학계 수납부(442) 및 본 발명의 표시 장치(401)를 구비하고 있다. 이와 같이 본 발명의 표시 장치는 화상 표시원으로서 이용할 수 있다.
도 10의 (e)는 리어(rear)형 프로젝터로의 적용예이며, 상기 리어형 프로젝터(450)는 하우징(housing)(451)에 광원(452), 합성 광학계(453), 미러(mirror)(454, 455), 스크린(456), 및 본 발명의 표시 장치(401)를 구비하고 있다. 이와 같이 본 발명의 표시 장치는 화상 표시원으로서 이용할 수 있다.
도 10의 (f)는 프런트(front)형 프로젝터로의 적용예이며, 상기 프런트형 프로젝터(460)는 하우징(462)에 광학계(461) 및 본 발명의 표시 장치(401)를 구비하여, 화상을 스크린(463)에 표시할 수 있게 되어 있다. 이와 같이 본 발명의 표시 장치는 화상 표시원으로서 이용할 수 있다.
본 발명의 표시 장치(401)는 상기 예에 한정되지 않고, 액티브 매트릭스형 표시 장치를 적용 가능한 모든 전자 기기에 적용할 수 있다. 예를 들면, 그 이외에, 표시 기능을 갖는 팩스 장치, 디지털 카메라의 파인더, 휴대형 TV, DSP 장치, PDA, 전자수첩, 전광 게시판, 선전 광고용 디스플레이 등에도 활용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 고밀도로 서로 다른 노광 영역을 형성할 수 있고, 또한 장치 전체의 사이즈를 작게 할 수 있다.

Claims (13)

  1. 임의의 노광(露光) 영역을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 노광 영역을 노광하는 소정의 빔(beam) 폭을 갖는 노광 빔의 조사(照射) 장치와,
    적어도 노광 빔의 빔 폭에 상당하는 폭을 갖는 차광판과,
    상기 차광판을 구동함으로써 상기 노광 빔의 일부 또는 전부를 차단하고, 상기 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하는 구동 장치를 구비하는 노광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 차광판은 적어도 상기 노광 빔 폭과 동일한 폭 및 높이를 갖는 노광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광 빔의 조사 방향에 대략 수직으로서, 서로 교차하는 2방향 중 어느 한쪽의 방향을 따라 독립적으로 구동하는 복수의 차광판, 및 상기 차광판을 구동하는 구동 장치를 갖는 노광 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광 빔의 조사 방향에 대략 수직으로서, 서로 교차하는 2방향의 각각의 방향을 따라 독립적으로 구동하는 4매의 차광판, 및 상기 차광판을 구동하는 구동 장치를 갖는 노광 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 노광 빔의 조사 방향에 대략 수직으로 이동 가능한 차광판, 및 상기 차광판을 구동하는 구동 장치를 갖는 노광 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 조사 장치는 상기 노광 영역으로부터 상기 노광 빔 폭의 1/2에 상당하는 폭을 초과하지 않는 범위에서 상기 노광 빔의 중심점을 이동시키는 노광 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 장치는, 상기 노광 빔의 중심점과 상기 노광 영역의 경계와의 거리가 상기 노광 빔 폭의 1/2 이하일 경우에, 상기 노광 영역 내에만 상기 노광 빔이 도달하도록 상기 차광판을 이동시키는 노광 장치.
  8. 임의의 노광 영역을 노광하는 노광 방법으로서,
    소정의 빔 폭을 갖는 노광 빔의 중심을 상기 노광 영역으로부터 상기 노광 빔 폭의 1/2에 상당하는 폭을 초과하지 않는 주사 범위에서 이동시키는 주사 제어과정과,
    상기 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하기 위해, 적어도 상기 빔 폭에 상당하는 폭 및 높이를 갖는 차광판을 이동시켜 상기 노광 빔의 일부 또는 전부를 차광하는 차광 제어 과정을 포함하는 노광 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 주사 제어 과정은 상기 주사 범위의 경계 위에 노광 빔을 위치시키는 스텝과, 제 1 방향으로 상기 노광 빔을 주사시키는 스텝과, 상기 노광 빔의 중심이 상기 주사 범위의 다른쪽 끝에 도달한 경우에 소정 거리만큼 상기 노광 빔을 제 2 방향으로 이동시키고, 상기 다른쪽 끝에 도달하기 전의 주사 방향과는 반대 방향으로 상기 노광 빔을 주사시키는 스텝과, 상기 노광 빔의 중심점이 상기 주사 범위의 종단(終端)에 도달한 경우에, 노광을 종료시키는 스텝을 구비하는 노광 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 주사 제어 과정에서, 상기 제 1 방향으로 주사 중인 상기 노광 빔의 중심이 상기 주사 영역으로부터 상기 영역 이외의 방향으로 상기 노광 빔 폭의 1/2 이내의 거리에 위치하고 있을 경우, 주사 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하지 않도록 상기 주사 속도에 동기(同期)하여 차광판을 이동시키는 차광 제어 스텝을 더 행하는 노광 방법.
  11. 감광성 수지 위의 노광 영역에 대하여, 소정의 빔 폭을 갖는 노광 빔의 중심을 상기 노광 영역으로부터 상기 노광 빔 폭의 1/2에 상당하는 폭을 초과하지 않는 주사 범위에서 이동시키는 주사 제어 과정과,
    상기 노광 영역 이외의 영역에 상기 노광 빔이 도달하는 것을 저지하기 위해, 적어도 상기 빔 폭에 상당하는 폭 및 높이를 갖는 차광판을 이동시켜 상기 노광 빔의 일부 또는 전부를 차광하는 차광 제어 과정과,
    상기 주사 제어 과정과 상기 차광 제어 과정을 거쳐 소정의 패턴이 형성된 감광성 수지를 에칭하여 마스크 패턴을 형성하는 마스크 패턴 형성 과정과,
    상기 마스크 패턴을 이용하여, 게이트 전극을 형성하는 전극 형성 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 기재된 박막 트랜지스터의 제조 방법에 의해 제조된 박막 트랜지스터를 구비한 표시 장치.
  13. 제 12 항에 기재된 표시 장치를 구비한 전자 기기.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005124468A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-29 Chinsoo Hong A photolitography apparatus and mask for nano meter scale patterning of some arbitrary shapes

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1378854B1 (en) * 2002-07-01 2007-12-26 Mitsubishi Electric Information Technology Centre Europe B.V. Signal statistics determination
JP4168344B2 (ja) * 2004-09-27 2008-10-22 セイコーエプソン株式会社 露光マスクの位置合わせ方法、及び薄膜素子基板の製造方法
JP3972929B2 (ja) * 2004-09-27 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 露光マスクの位置合わせ方法、及び薄膜素子基板の製造方法
JP4764237B2 (ja) * 2006-04-11 2011-08-31 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置
KR100918671B1 (ko) 2008-02-29 2009-09-22 재단법인서울대학교산학협력재단 박막 패터닝 방법
CN102540748B (zh) * 2010-12-22 2014-11-12 上海微电子装备有限公司 投影式斜坡曝光光刻机装置与方法
KR102396288B1 (ko) 2014-10-27 2022-05-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6755472B2 (ja) * 2017-04-17 2020-09-16 株式会社ブイ・テクノロジー 光照射装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4734746A (en) * 1985-06-24 1988-03-29 Nippon Kogaku K. K. Exposure method and system for photolithography
KR950001857B1 (ko) 1990-04-27 1995-03-04 도시바 실리콘 가부시끼가이샤 도전성 실리콘 조성물
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
US6078381A (en) * 1993-02-01 2000-06-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US5854671A (en) * 1993-05-28 1998-12-29 Nikon Corporation Scanning exposure method and apparatus therefor and a projection exposure apparatus and method which selectively chooses between static exposure and scanning exposure
DE69434080T2 (de) * 1993-06-11 2005-10-20 Nikon Corp. Abtastbelichtungsvorrichtung
JPH11233423A (ja) 1998-02-06 1999-08-27 Canon Inc 露光用シャッタおよび露光装置ならびにディバイス製造方法
CN2395299Y (zh) 1999-10-01 2000-09-06 刘忠荣 一种幻灯机遮光器
CN2525562Y (zh) 2002-01-08 2002-12-11 威盛电子股份有限公司 基板曝光装置
JP2003297736A (ja) 2002-04-04 2003-10-17 Seiko Epson Corp 遮光手段を用いた露光装置および露光方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005124468A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-29 Chinsoo Hong A photolitography apparatus and mask for nano meter scale patterning of some arbitrary shapes

Also Published As

Publication number Publication date
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