JP2003297736A - 遮光手段を用いた露光装置および露光方法 - Google Patents
遮光手段を用いた露光装置および露光方法Info
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Abstract
を従来に比べ大幅に縮小する。 【解決手段】 任意の露光領域を露光するための露光装
置において、露光領域Aを露光するための所定のビーム
幅Wbhを有する露光ビームBの照射装置(L)、露光
領域の形状に対応しており、少なくとも露光ビームのビ
ーム幅Wbhに相当する幅を有する遮光板(Sh1、S
h2)、遮光平面SD内において遮光板(Sh1,Sh
2)を駆動することにより露光ビームBの一部を遮断
し、露光領域A以外の領域に当該露光ビームが到達する
ことを阻止する駆動装置を備える。また、露光ビームB
の光軸に垂直な軸が遮光平面SD上のいずれかの軸方向
と所定の角度θをなしている場合に、当該遮光平面SD
上の軸方向における遮光板の幅Wsvを少なくとも当該
遮光平面SD上の軸方向におけるビーム幅Wbvの略1
/cosθ倍に設定する。
Description
して露光を行うホログラフィック露光装置に係り、特
に、ホログラムマスクの一部を露光する用途に適する露
光装置および露光方法に関する。
いて、TIR(Total Internal Ref
lection:全内部反射)型ホログラフィック露光
技術が注目されてきている。この露光技術は、ホログラ
ムマスクに対し所望のパターンを記録する記録工程と、
このホログラムマスクに再生光を照射して半導体パター
ン用のフォトレジストを感光する露光工程とからなる。
に対応したマスクパターン(元レチクル)にレーザー光の
記録ビームを照射して回折光を生じさせ、ホログラムマ
スクの記録面に射出する。一方、ホログラムマスクの記
録面に対し一定の角度でホログラムマスクの裏側から参
照光を照射し、元レチクルからの回折光と干渉させる。
これによってホログラムマスクの記録面に干渉パターン
を生じさせこれをホログラム記録面に記録させる。
ログラムマスクを置いて、記録時と反対方向から再生光
である露光ビームを照射し、フォトレジスト上に元のパ
ターンを再現した回折光を結像させてフォトレジストを
露光する。
ムはホログラムマスク全面を走査するように作られてい
た。ホログラムマスクの一部の領域のみを露光させるた
めに、従来はホログラムマスクほどの大きさのある遮光
板を用いていた。 或いは、露光ビームの走査範囲を調
節してホログラムマスクの一部の領域のみを露光させて
いた。
複数の露光領域を同一のホログラムマスク上に形成する
ためには、露光量の均一性を確保するために、図6
(a)に示すように、各露光領域A〜Eの周囲に緩衝領
域を設ける必要があった。
光可能にする場合には、大きな遮光板を使わなければな
らず露光装置のサイズを非常に大きくしなければならな
かった。すなわち、ホログラムマスク上の任意の位置に
ある露光領域に対して完全な遮光を実現するためには、
その露光領域の四周をそれぞれ覆う必要がある。それぞ
れの遮光板は露光領域がホログラムマスク上の偏った位
置にある場合に対応させるために少なくともホログラム
マスク程度の大きさは必要がある。そして任意の位置に
ある露光領域を囲むためには少なくとも4枚のホログラ
ムマスク程度の面積の遮光板を用いる必要があった。特
に、露光領域がホログラムマスクに対し比較的大きい場
合には遮光板が広がる範囲がホログラムマスクの3倍の
幅の範囲に及んでいた。この問題はホログラムマスクの
サイズが大きくなるほど顕著になっていた。
発明は高密度で異なる露光領域を形成することができ、
かつ、装置全体のサイズを小さくするために好適な構成
を有する露光装置および露光方法を提供することを目的
とする。
の露光装置において、露光領域を露光するための所定の
ビーム幅を有する露光ビームの照射装置と、露光領域の
形状に対応しており、少なくとも露光ビームのビーム幅
に相当する幅を有する遮光板と、所定の遮光平面内にお
いて遮光板を駆動することにより露光ビームの一部を遮
断し、露光領域以外の領域に当該露光ビームが到達する
ことを阻止する駆動装置と、を備える露光装置である。
形状、例えば四方形をしている場合、遮光板は、少なく
とも露光領域の辺の数に対応する数だけ設けられ、各々
が辺に対応しており、各々の辺の延在方向における露光
可能領域の幅を超える長さを有し、かつ、少なくとも露
光ビームのビーム幅を有する。
トリソグラフィ法の露光に適用できる。
な軸が遮光平面上のいずれかの軸方向と所定の角度θを
なしている場合に、当該遮光平面上の軸方向における遮
光板の幅Wsを少なくとも当該遮光平面上の軸方向にお
けるビーム幅Wbの略1/cosθ倍に設定してある。
平面内における領域の境界から当該遮光平面内における
ビーム幅の略1/2に相当する幅を加えた領域を超えな
い範囲で露光ビームの中心点を移動させる。
に垂直な軸が遮光平面上のいずれかの軸方向と所定の角
度θをなしている場合に、露光領域に対応する当該遮光
平面内における領域の境界から当該遮光平面上の軸方向
におけるビーム幅Wbの略1/cosθ倍の略1/2も
相当する幅を加えた領域を超えない範囲で露光ビームの
中心点を移動させる。
ための露光方法において、所定のビーム幅を有する露光
ビームの一部を遮断し、露光領域以外の領域に当該露光
ビームが到達することを阻止するために、少なくともビ
ーム幅に相当する幅を有する遮光板を任意の遮光平面内
において露光領域の形状に対応させて複数移動させるス
テップと、露光領域に対応する遮光平面内における領域
の境界から当該遮光平面内におけるビーム幅の略1/2
に相当する幅を加えた領域を超えない範囲で露光ビーム
の中心点を移動させて露光するステップと、を備える露
光方法である。
光軸に垂直な軸が遮光平面上のいずれかの軸方向と所定
の角度θをなしている場合に、露光領域に対応する当該
遮光平面内における領域の境界から当該遮光平面上の軸
方向におけるビーム幅Wbの略1/cosθ倍の略1/
2も相当する幅を加えた領域を超えない範囲で露光ビー
ムの中心点を移動させる。
形状、例えば四方形をしている場合、本発明は、所定の
ビーム幅を有する露光ビームの一部を遮断し、露光領域
以外の領域に当該露光ビームが到達することを阻止する
ために、少なくともビーム幅に相当する幅を有する遮光
板を任意の遮光平面内において露光領域の形状に対応さ
せて複数移動させるステップと、露光領域に対応する遮
光平面内における領域の境界から当該遮光平面内におけ
るビーム幅の略1/2に相当する幅を加えた領域を超え
ない走査範囲で露光ビームの中心点を移動させて露光す
るステップと、を備える露光方法である。
光軸に垂直な軸が遮光平面上のいずれかの軸方向と所定
の角度θをなしている場合に、露光領域に対応する当該
遮光平面内における領域の境界から当該遮光平面上の軸
方向におけるビーム幅Wbの略1/cosθ倍の略1/
2も相当する幅を加えた領域を超えない走査範囲で露光
ビームの中心点を移動させる。
の境界上に露光ビームの中心点を位置させるステップ
と、露光ビームが安定した後に第1方向に当該露光ビー
ムを走査させるステップと、露光ビームの中心点が走査
範囲の他端に達した場合に、所定距離だけ露光ビームを
第2方向に移動させ、当該他端に達する前の走査方向と
は逆の方向に当該露光ビームを走査させるステップと、
露光ビームの中心点が走査範囲の終端に達した場合に露
光を終了させるステップと、を備える。
図面を参照しながら説明する。 (実施形態1)本発明の実施形態1は、本発明のホログ
ラフィック露光装置において、45度の角度で入射され
る再生光のホログラムマスクへの投影線に垂直な方向
(すなわち図1における水平方向)に走査して露光する
ための露光方法に関する。
明する。図2にTIR型ホログラフィック露光装置の全
体構成図を示す。
ジ220を備えるステージ装置222、第1情報処理装
置230、距離測定光学系240、膜厚測定光学系25
0、光源260、第2情報処理装置270、露光光源2
80、露光光源駆動装置282、および本発明に係る遮
光装置110により構成される。
2が形成された被露光基板210を真空チャック等でス
テージ220上に保持して、少なくとも上下方向(Z方
向)へのステージ220の位置調整が可能に構成されて
いる。
び膜厚測定光学系250の測定用光ビームを射出可能に
構成されている。距離測定光学系240は、ビームスプ
リッタ、シリンドリカルレンズ、光センサ、誤差信号検
出器等を備え、ホログラム記録面202と被露光基板上
に塗布された感光性材料膜表面214との距離を調整し
て露光時のフォーカスを制御することが可能に構成され
ている。第1情報処理装置230は、距離測定光学系2
40により計測されたホログラム記録面と被露光基板上
に形成された感光性材料膜表面との距離に基づいてフォ
ーカスが適正となるようにステージ220の位置を設定
するように構成されている。膜厚測定光学系250は、
ビームスプリッタ、フォトデテクタ、増幅器、A/D変
換器等を備え、被露光基板210上に形成された感光性
材料膜212の膜厚を測定するための構成を備えてい
る。第2情報処理装置270は、本発明の駆動装置に係
り、露光光源280から照射される露光ビームが遮光装
置110で規定される適正な露光領域内を走査するよう
に露光光源280を移動させるとともに、膜厚測定光学
系250により出力された感光性材料膜212の膜厚の
相対値に基づいて露光の光量を制御するように構成され
ている。露光光源280は、本発明の照明装置に係り、
ホログラムマスク200のホログラム記録面202に露
光ビームを照射可能に構成されている。露光光源駆動装
置282は、本発明の駆動装置に係り、この露光光源2
80を移動して被露光基板210上の所望の露光領域を
走査して露光するように構成されている。また当該露光
装置は、被露光基板210に対向する面に、所定のレチ
クルパターンに対応した干渉パターンが記録されている
ホログラムマスク200を装着したプリズム201を備
えている。
り、シャッターS(Sv1、Sv2、Sh1、Sh2;
Sh1、Sh2は図2に図示せず)、第3情報処理装置
100、およびシャッター駆動装置102を備える。
ボンやクロム)が塗布された金属等の光を遮断しうる短
冊状部材であり、それぞれが独立してあるいは連動して
移動可能になっている。第3情報処理装置100は、内
部に露光領域の位置情報が記憶されており、遮光平面S
P内におけるシャッターの位置を当該位置情報に基づい
て計算したり、または、予め遮光平面SP内におけるシ
ャッターの位置情報を格納している。シャッター駆動装
置102は、モータと機構部品の組み合わせによって、
公知の機構技術によって第3情報処理装置100からの
制御信号に基づいて、各シャッターSを遮光平面SP内
の任意の位置に配置することが可能になっている。
示す。図1は、シャッターSを含む遮光平面SPとプリ
ズムPおよびホログラムマスクHMの位置関係がどのよ
うになっているかを明らかにした三面図である。図1に
示すように、本実施形態においては、ホログラムマスク
HM上の露光領域Aが方形であるため、その四辺に対応
した4枚のシャッターSを遮光板として用いている。こ
のシャッターは、露光領域Aの辺の数に対応する数だけ
設けられる。一つのシャッターが露光領域Aにおける遮
光を行うように対応づけられている。シャッターの幅
は、少なくとも対応する辺の延在方向における露光可能
領域、すなわちホログラムマスクHMの幅を超える長さ
を有する。
くとも露光装置Lから射出された露光ビームBのビーム
幅Wbhを有する。さらに、いずれかのシャッターSが
露光ビームBの光軸に垂直な軸が遮光平面SD上のいず
れかの軸方向と所定の角度θをなしている場合、遮光平
面SD上の軸方向における幅Wsvが少なくとも遮光平
面SD上の軸方向におけるビーム幅Wbvの略1/co
sθ倍になるように設定してある。上記関係を式で示す
と、 Wsh ≧ Wbh …(1) Wsv ≧ Wbv/cosθ …(2) 式(1)は、露光ビームBの光軸に垂直な軸と平行な面
(θ=0)を有するシャッター、すなわち cosθ = cos 0°= 1 の場合を意味しているため、式(2)が一般式と考えら
れる。式(1)や(2)で与えられる幅をシャッターが
有している場合、遮光平面SD上で露光ビームBが最大
でその幅分シャッター上にはみ出したときでも露光ビー
ムを遮断し続けられることになる。露光ビームBには光
の強度にむらがあり、均一な光を露光領域全体に照射す
るためには、最大でこのようにはみ出た位置まで露光ビ
ームBが移動させる必要がある。したがって、ここで規
定される幅をシャッターが備えていることが、均一な露
光を可能にする遮光板の大きさの条件となるのである。
装置では再生光の入射角が45°であるため、式(2)
はさらに Wsv ≧ Wbv/cos45°=√2・Wbv …(3) となり、露光ビームBの光軸が遮光平面SDと最大角を
なす方向の幅を、遮光平面SDを通過するビーム幅Wb
vの√2倍とする必要がある。
本実施形態における露光方法を説明する。図4に、遮光
平面SD上に露光領域Aを投射した場合の露光投射領域
DAに対する露光ビームBの走査の順序の説明図を示
す。本実施形態では、図1における水平方向h、すなわ
ち露光ビームの光軸に垂直な軸が遮光平面SDと平行な
方向に走査をしていく例を示している。当該露光装置で
は、遮光平面SD上において露光投射領域DAの周囲
に、本発明で規定された走査範囲SAが設定され、露光
ビームBの中心点はこの走査範囲SAの内部で移動する
ようになっている。
ターンに対応した干渉縞がホログラム記録面202に記
録されているホログラムマスク200がプリズム201
に貼り合わせられているものとする。そのホログラムマ
スク200は特定の露光領域Aのみを露光するため、そ
の露光領域Aの位置情報が第3情報処理装置100に格
納されているものとする。
光領域Aに関する位置情報を読み出し、遮光平面SD上
の露光投射領域DAの位置情報を確定し、遮光平面上で
どのように各シャッターSを配置すればよいかを計算す
る(S10)。遮光平面SD上における各シャッターの
配置を予め記憶させてそれを読み出すようにしてもよ
い。次いでこの遮光平面SD上における露光投射領域D
Aを囲むシャッター配置となるような制御信号をシャッ
ター駆動装置102に供給して、シャッターSh1,S
h2,Sv1,Sv2を移動させる(S11)。この結
果、シャッターSは図4における露光投射領域DAの周
囲を覆うように駆動され、露光ビームが走査した場合に
ホログラムマスク200上の露光領域DAのみに光が照
射される。
源駆動装置282を制御して露光ビームが初期位置を照
射するように露光装置280を移動させる(S12)。
露光ビームは出力直後は出力が安定していない場合があ
るため、まず露光投射領域DAの範囲外で出力が安定す
るまで待機させる必要がある。このために、ステップS
12では露光投射領域DAの原点(X0,Y0)の外側
であってシャッターSから露光ビームが漏れない初期位
置(Xb、Yb)に露光装置280を移動させる。例え
ば図4のように走査順序が定められているものとする
と、露光ビームの中心点の初期位置(Xb、Yb)は、 (X0、Y0−Wbh/2) (Wbhは水平方向に対
応した実際の露光ビーム幅) となる。
源280に電力を供給して露光ビームを射出させる(S
13)。露光ビームが安定した光になるまで待ってから
(S14:N)、露光光源駆動装置282を制御して、
第1方向、すなわち水平方向hに露光ビームを走査させ
る(S15)。
る場合には(S16:N)水平方向(+h)の移動を継
続し(S15)、露光ビームの中心点が走査範囲SAの
他端に達した場合には(S16:Y)、所定距離だけ露
光ビームを第2方向に移動させる(S17)。この移動
させる距離は、露光領域において同一箇所を走査する回
数に関係し、露光の強さに関係する。このため、この移
動距離は、所望のホログラムマスクの露光量、露光ビー
ムの強度、感光性材料の感度等の条件に応じて定める。
の方向に当該露光ビームを走査させる(S18)。そし
て走査範囲内SAに露光ビームの中心点がある場合には
(S19:N)水平方向(−h)の移動を継続する(S
18)。
に達する毎に(S19:Y)、その位置が走査の終了位
置であるか否かを調べ、走査が完了していない限り(S
20:N)、第2方向の移動(S21)と第1方向への
移動(S15〜)等のステップを繰り返す。
Aが総て均一に露光される。
マスク上に形成するためには、露光量の均一性を確保す
るために、図6(a)に示すように、各露光領域A〜E
の周囲に緩衝領域を設ける必要があった。これに対し、
本実施形態によれば、シャッターが任意の露光領域ごと
に移動して露光可能とするので、従来必要であった緩衝
領域を設ける必要がない。このため例えば図6(b)に
示すように異なる露光領域を隣接させることができるた
め、高密度のホログラムマスクの露光が可能になる。
に要求される最小限の形状の条件を満たした露光装置を
提供できるので、露光装置のサイズを大幅に縮小するこ
とが可能である。
ける露光手順においてシャッターで遮光される領域を有
効に利用するので露光領域内に均一な露光量を提供する
ことができる。
が任意の露光領域の露光のために移動可能に構成されて
いるので、緩衝領域を設けることなく、高密度で複数の
露光領域を隣接させることができる。 (実施形態2)本発明の実施形態2は、実施形態1と同
様なホログラフィック露光装置において、45度の角度
で入射される再生光のホログラムマスクへの投影線に平
行な方向(すなわち図1における垂直方向)に走査して
露光する場合に適する露光方法に関する。
いては実施形態1と同様であるため、その説明を省略す
る。
3に示す実施形態1におけるフローチャートとほぼ同様
である。ただし露光ビームの走査順序が異なる。図5
に、本実施形態2における露光投射領域DAに対する露
光ビームの走査の順序の説明図を示す。図5に示すよう
に、本実施形態2では、図1における垂直方向v、すな
わち露光ビームの光軸の遮光平面SDへの投射軸に平行
な方向に走査をしていく例を示している。
DAの周囲に、本発明で規定された走査範囲SAが設定
され、露光ビームの中心点はこの走査範囲SAの内部で
移動するようになっている。実施形態1とは異なり、本
実施形態2では、図1の垂直方向に露光投射領域SDを
超えて積極的に露光ビームを配置していくため、露光投
射領域SDから垂直方向における露光ビームの幅の1/
cosθ、すなわち√2倍の幅だけ露光投射領域SDよ
り大きく走査範囲SAが設定されている。
する。実施形態1と同様に、露光処理の前提として、所
定のレチクルパターンに対応した干渉縞がホログラム記
録面202に記録されているホログラムマスク200が
プリズム201に貼り合わせられているものとする。そ
のホログラムマスク200は特定の露光領域Aのみを露
光するため、その露光領域Aの位置情報が第3情報処理
装置100に格納されているものとする。
光領域Aに関する位置情報を読み出し、遮光平面SD上
の露光投射領域DAの位置情報を確定し、遮光平面上で
どのように各シャッターSを配置すればよいかを計算す
る(S10)。遮光平面SD上における各シャッターの
配置を予め記憶させてそれを読み出すようにしてもよ
い。次いでこの遮光平面SD上における配置になるよう
な制御信号をシャッター駆動装置102に供給して、シ
ャッターSh1,Sh2,Sv1,Sv2を移動させる
(S11)。この結果、シャッターSは図5における露
光投射領域DAの周囲を覆うように駆動され、露光ビー
ムが走査した場合にホログラムマスク200上の露光領
域DAのみに光が照射されるように配置される。
源駆動装置282を制御して露光ビームが初期位置を照
射するように露光装置280を移動させる(S12)。
本実施形態2では、今度は垂直方向の外側(図5参照)
にこの初期位置を設定する。このときの露光ビームの中
心点の初期位置(Xb、Yb)は、 (X0、Y0−Wbh/(2cosθ)) =(X0、
Y0−Wbh/√2) となる。
源280に電力を供給して露光ビームを射出させる(S
13)。露光ビームが安定した光になるまで待ってから
(S14:N)、露光光源駆動装置282を制御して、
第1方向、今度は垂直方向vに露光ビームを走査させる
(S15)。
る場合には(S16:N)水平方向(+v)の移動を継
続し(S15)、露光ビームの中心点が走査範囲SAの
他端に達した場合には(S16:Y)、所定距離だけ露
光ビームを第2方向(今度は水平方向(−h))に移動
させる(S17)。この移動させる距離は、露光領域に
おいて同一箇所を走査する回数に関係し、露光の強さに
関係する。このため、この移動距離は、露光ビームの強
度、感光性材料の感度等の条件に応じて定める。
の方向に当該露光ビームを走査させる(S18)。そし
て走査範囲内SAに露光ビームの中心点がある場合には
(S19:N)水平方向(−v)の移動を継続する(S
18)。
に達する毎に(S19:Y)、その位置が走査の終了位
置であるか否かを調べ、走査が完了していない限り(S
20:N)、第2方向の移動(S21)と第1方向への
移動(S15〜)等のステップを繰り返す。
っても、実施形態1と同様に、特定の露光領域Aが総て
均一に露光される。
に要求される最小限の形状の条件を満たした露光装置を
提供できるので、露光装置のサイズを大幅に縮小するこ
とが可能である。
ける露光手順においてシャッターで遮光される領域を有
効に利用するので露光領域内に均一な露光量を提供する
ことができる。
が任意の露光領域の露光のために移動可能に構成されて
いるので、緩衝領域を設けることなく、高密度で複数の
露光領域を隣接させることができる。 (その他の変形例)本発明は、上記各実施形態に限定さ
れることなく種々に変更して適用することが可能であ
る。
ク露光装置における応用例を示したが、これに限定され
ることなく本発明は他の露光方法に利用することが可能
である。
シャッター数を4枚としたが、辺の数は3あるいは5以
上にしてもよい。その際、少なくとも露光ビームの遮光
平面に対する投射軸方向に幅方向成分を有するシャッタ
ーについて、その幅をビーム幅の略1/cosθ倍すれ
ばよい。このような応用によって、三角形や五角形以上
の多角形の露光領域を露光することも可能である。
冊状にしたが、曲線の辺を備えたシャッター、例えば半
円形等のシャッター形状を備えていてもよい。露光ビー
ムの遮光平面に対する投射軸方向にシャッターの幅をそ
の角度θに応じて広げればよい。このような応用によっ
て、曲線で囲まれた露光領域を露光することも可能であ
る。
する必要はなく、螺旋状や放射状の走査軌跡で露光領域
を露光してもよい。いずれの応用においても、露光ビー
ムの中心点が本発明の走査範囲を超えないようにするこ
とが好ましい。ただしシャッターの幅が臨界値より大き
い場合にはこの限りではない。
に要求される条件を満たした最小限の大きさの遮光板を
提供するので、任意の露光領域を露光する露光装置のサ
イズを従来に比べ大幅に縮小することが可能である。
領域の露光のために移動可能に構成されているので、緩
衝領域を設けることなく、高密度で複数の露光領域を隣
接させることができる。
の構成図である。
チャートである。
説明する遮光平面の説明図である。
説明する遮光平面の説明図である。
組み合わせ例であり、(b)は本発明で露光可能なホロ
グラムマスクの露光領域組み合わせ例である。
板) Wsv 垂直方向の遮光板の幅 Wsh 水平方向の遮光板の幅 Wbv 垂直方向のビーム幅 Wbh 水平方向のビーム幅 SP 遮光平面 L 露光光源 A〜E ホログラムマスクにおける露光領域 HM ホログラムマスク P プリズム 100 第3情報処理装置 102 シャッター駆動装置 200 ホログラムマスク 201 プリズム
Claims (13)
- 【請求項1】 任意の露光領域を露光するための露光装
置において、 前記露光領域を露光するための所定のビーム幅を有する
露光ビームの照射装置と、 前記露光領域の形状に対応しており、少なくとも前記露
光ビームのビーム幅に相当する幅を有する遮光板と、 所定の遮光平面内において前記遮光板を駆動することに
より前記露光ビームの一部を遮断し、前記露光領域以外
の領域に当該露光ビームが到達することを阻止する駆動
装置と、を備える露光装置。 - 【請求項2】 前記遮光板は、前記露光ビームの光軸に
垂直な軸が前記遮光平面上のいずれかの軸方向と所定の
角度θをなしている場合に、当該遮光平面上の軸方向に
おける前記遮光板の幅Wsを少なくとも当該遮光平面上
の軸方向における前記ビーム幅Wbの略1/cosθ倍
に設定してある、請求項1に記載の露光装置。 - 【請求項3】 前記駆動装置は、前記露光領域に対応す
る前記遮光平面内における領域の境界から当該遮光平面
内における前記ビーム幅の略1/2に相当する幅を加え
た領域を超えない範囲で前記露光ビームの中心点を移動
させる、請求項1に記載の露光装置。 - 【請求項4】 前記駆動装置は、前記露光ビームの光軸
に垂直な軸が前記遮光平面上のいずれかの軸方向と所定
の角度θをなしている場合に、前記露光領域に対応する
当該遮光平面内における領域の境界から当該遮光平面上
の前記軸方向における前記ビーム幅Wbの略1/cos
θ倍の略1/2も相当する幅を加えた領域を超えない範
囲で前記露光ビームの中心点を移動させる、請求項2に
記載の露光装置。 - 【請求項5】 任意の露光領域を露光するための露光装
置において、 前記露光領域を露光するための所定のビーム径を有する
露光ビームの照射装置と、 少なくとも前記露光領域の辺の数に対応する数だけ設け
られ、各々が前記辺に対応しており、各々の辺の延在方
向における前記露光可能領域の幅を超える長さを有し、
かつ、少なくとも前記露光ビームのビーム幅を有する遮
光板と、 所定の遮光平面内において複数の前記遮光板を駆動する
ことにより前記露光ビームの一部を遮断し、前記露光領
域以外の領域に当該露光ビームが到達することを阻止す
る駆動装置と、を備える露光装置。 - 【請求項6】 前記遮光板は、前記露光ビームの光軸に
垂直な軸が前記遮光平面上のいずれかの軸方向と所定の
角度θをなしている場合に、当該遮光平面上の軸方向に
幅方向が一致している遮光板の幅Wsを少なくとも当該
遮光平面上の軸方向における前記ビーム幅Wbの略1/
cosθ倍に設定してある、請求項5に記載の露光装
置。 - 【請求項7】 前記駆動装置は、前記露光領域に対応す
る前記遮光平面内における領域の境界から当該遮光平面
内における前記ビーム幅の略1/2に相当する幅を加え
た領域を超えない範囲で前記露光ビームの中心点を移動
させる、請求項5に記載の露光装置。 - 【請求項8】 前記駆動装置は、前記露光ビームの光軸
に垂直な軸が前記遮光平面上のいずれかの軸方向と所定
の角度θをなしている場合に、前記露光領域に対応する
当該遮光平面内における領域の境界から当該遮光平面上
の前記軸方向における前記ビーム幅Wbの略1/cos
θ倍の略1/2も相当する幅を加えた領域を超えない範
囲で前記露光ビームの中心点を移動させる、請求項6に
記載の露光装置。 - 【請求項9】 任意の露光領域を露光するための露光方
法において、 所定のビーム幅を有する露光ビームの一部を遮断し、前
記露光領域以外の領域に当該露光ビームが到達すること
を阻止するために、少なくとも前記ビーム幅に相当する
幅を有する遮光板を任意の遮光平面内において前記露光
領域の形状に対応させて複数移動させるステップと、 前記露光領域に対応する前記遮光平面内における領域の
境界から当該遮光平面内における前記ビーム幅の略1/
2に相当する幅を加えた領域を超えない範囲で前記露光
ビームの中心点を移動させて露光するステップと、を備
える露光方法。 - 【請求項10】 前記露光するステップは、前記露光ビ
ームの光軸に垂直な軸が前記遮光平面上のいずれかの軸
方向と所定の角度θをなしている場合に、前記露光領域
に対応する当該遮光平面内における領域の境界から当該
遮光平面上の前記軸方向における前記ビーム幅Wbの略
1/cosθ倍の略1/2も相当する幅を加えた領域を
超えない範囲で前記露光ビームの中心点を移動させる、
請求項9に記載の露光方法。 - 【請求項11】 任意の露光領域を露光するための露光
方法において、 所定のビーム幅を有する露光ビームの一部を遮断し、前
記露光領域以外の領域に当該露光ビームが到達すること
を阻止するために、少なくとも前記ビーム幅に相当する
幅を有する遮光板を任意の遮光平面内において前記露光
領域の形状に対応させて複数移動させるステップと、 前記露光領域に対応する前記遮光平面内における領域の
境界から当該遮光平面内における前記ビーム幅の略1/
2に相当する幅を加えた領域を超えない走査範囲で前記
露光ビームの中心点を移動させて露光するステップと、
を備える露光方法。 - 【請求項12】 前記露光するステップは、前記露光ビ
ームの光軸に垂直な軸が前記遮光平面上のいずれかの軸
方向と所定の角度θをなしている場合に、前記露光領域
に対応する当該遮光平面内における領域の境界から当該
遮光平面上の前記軸方向における前記ビーム幅Wbの略
1/cosθ倍の略1/2も相当する幅を加えた領域を
超えない走査範囲で前記露光ビームの中心点を移動させ
る、請求項11に記載の露光方法。 - 【請求項13】 前記露光するステップは、 前記走査範囲の境界上に前記露光ビームの中心点を位置
させるステップと、 前記露光ビームが安定した後に第1方向に当該露光ビー
ムを走査させるステップと、 前記露光ビームの中心点が前記走査範囲の他端に達した
場合に、所定距離だけ前記露光ビームを第2方向に移動
させ、当該他端に達する前の走査方向とは逆の方向に当
該露光ビームを走査させるステップと、 前記露光ビームの中心点が前記走査範囲の終端に達した
場合に露光を終了させるステップと、を備える、請求項
11に記載の露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002103065A JP2003297736A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 遮光手段を用いた露光装置および露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002103065A JP2003297736A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 遮光手段を用いた露光装置および露光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003297736A true JP2003297736A (ja) | 2003-10-17 |
Family
ID=29389137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002103065A Withdrawn JP2003297736A (ja) | 2002-04-04 | 2002-04-04 | 遮光手段を用いた露光装置および露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003297736A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7352442B2 (en) | 2003-03-17 | 2008-04-01 | Seiko Epson Corporation | Aligner, exposing method, method for manufacturing thin-film transistor, display device, and electronic device using shading means |
CN107490856A (zh) * | 2017-10-12 | 2017-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 遮光结构和激光设备 |
-
2002
- 2002-04-04 JP JP2002103065A patent/JP2003297736A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7352442B2 (en) | 2003-03-17 | 2008-04-01 | Seiko Epson Corporation | Aligner, exposing method, method for manufacturing thin-film transistor, display device, and electronic device using shading means |
CN107490856A (zh) * | 2017-10-12 | 2017-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 遮光结构和激光设备 |
CN107490856B (zh) * | 2017-10-12 | 2023-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 遮光结构和激光设备 |
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