JP4168344B2

JP4168344B2 - 露光マスクの位置合わせ方法、及び薄膜素子基板の製造方法

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Description

本発明は、ホログラム等の露光技術を使った微細加工に関し、詳しくは、露光マスクと露光対象となる対象体との位置合わせ方法、及びその方法を用いた薄膜素子基板の製造方法に関する。

近年、半導体装置のパターニングプロセスにおいて、ＴＩＲ（ＴｏｔａｌＩｎｔｅｒｎａｌＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ：全内部反射）型ホログラフィック露光技術が注目されている。この露光技術は、ホログラム露光装置を用いて、ホログラムマスクに対し所望のパターンを記録する記録工程と、このホログラムマスクに再生光を照射して半導体パターン用のフォトレジストを感光する露光工程とからなる方法が採用されている。

記録工程では、まず半導体装置のパターンに対応したマスクパターン(元レチクル)にレーザー光の記録ビームを照射して回折光を生じさせ、ホログラムマスクの記録面に射出する。一方、ホログラムマスクの記録面に対し一定の角度でホログラムマスクの裏側から参照光を照射し、元レチクルからの回折光と干渉させる。これによってホログラムマスクの記録面に干渉パターンを生じさせこれをホログラム記録面に記録させる。

露光工程では、元レチクルと同じ位置にホログラムマスクを置いて、記録時と反対方向から再生光である露光ビームを照射し、フォトレジストに元のパターンを再現した回折光を結像させてフォトレジストを露光する。通常、この露光工程において、ホログラムマスクは、露光の対象体となる基板側に形成されたアライメントマークとホログラムマスク側に形成されたアライメントマークとを合わせることで、基板とホログラムマスクとの位置合わせを行う。

従来、複数のホログラムマスクを用いてパターニングを行う場合には、この複数のホログラムマスクの各々に形成された各アライメントマークに対応する位置に、各々アライメントマークが形成された基板を用いてホログラムマスクと基板との位置合わせを行っていた（非特許文献１参照）。

したがって、基板側には、ホログラムマスクの数に対応するアライメントマークが複数必要となり、使用するホログラムマスクの数が多くなるほど、基板側のアライメントマークの数も多くなり、アライメントマークを形成するために基板上に広い面積が必要となるといった問題があった。

このようなホログラム露光装置用ホログラムマスクに組み込むアライメントマークは、デバイス領域と別個に作成するが、作成装置の精度上、デバイス領域及び他のホログラムマスク（他のレイヤ）用のアライメントマークに対し、５ｍｍ程度の間隔を設けて作成する必要がある（図７及び図８参照）。

ここで、図７（ａ）及び（ｂ）は、ホログラム用マスクを作成するためのオリジナルＣｒ製マスク（元レチクル）である第１層目マスク及び第２層目マスクをそれぞれ示す概略平面図である。図７（ａ）に示すように、第１層目マスク１は、中央部に位置する１層目デバイス領域Ｄ１と、四隅の１層目アライメントマークＡ１とが設けられている。また、図７（ｂ）に示すように、第２層目マスク２は、中央部に位置する２層目デバイス領域Ｄ２と、四隅の２層目アライメントマークＡ２とが設けられている。Ａ１とＡ２とはマーク模様が異なっている。

図８（ａ）及び（ｂ）は、ホログラム用マスク（２層目マスク）におけるデバイス領域記録時とアライメントマーク記録時それぞれの工程を示す概略構成図である。図８（ａ）に示すように、デバイス領域記録時には、オリジナルＣｒマスク２の４つのアライメントマークＡ２を遮光板で閉じた状態にして、デバイス領域Ｄ２を介したオブジェクトビームとプリズムを介した参照ビームによってホログラムマスクに記録する。一方、図８（ｂ）に示すように、アライメントマーク記録時には、デバイス領域Ｄ２を遮光板で閉じた状態にして、オリジナルＣｒマスク２の４つのアライメントマークＡ２を介したオブジェクトビームによってホログラムマスクに記録する。ここで作成されたホログラム用マスクでは、アライメントマークとデバイス領域との間がそれぞれ５ｍｍ程度の間隔を設けて作成されている。尚、図示しないが、当該アライメントマークと他のレイヤ用のアライメントマークとを同一マスク上に設ける場合には、両アライメントマークの間もそれぞれ５ｍｍ程度の間隔を設けて作成されることになる。

図９は、従来の露光マスクの位置合わせ方法を説明するための概略構成図である。図９に示すように、従来は、第１層目マスク（Ｌ１）、第２層目マスク（Ｌ２）、・・・第７層目マスク（Ｌ７）のように、露光するマスクが多数の場合、同一のマスクにおけるアライメントマーク間の最小許容間隔を保持する必要性から、基板等の対象体上のアライメントマークが、ＡＬ_2-1、ＡＬ_3-2、ＡＬ_4-3、ＡＬ_5-4、ＡＬ_6-5、ＡＬ_7-6とそれぞれ５ｍｍ程度の間隔をあけて、１回の位置合わせ毎に同一の配置方向に向かって順次設けられていた。尚、図では、説明の便宜上、マスクを重ねて示してあるが、実際の位置合わせは、ホログラムマスクに記録された上層側マークと対象体に記録された下層側マークとの間でマスク毎に行われる。このように露光するマスクが多数に及ぶ場合には、対象体上のデバイス作成可能な領域が著しく減少する。
SID03 Digest, P-40, pp.350-353.

本発明が解決しようとする問題点は、前述した従来技術における問題点である。
そこで、本発明の目的は、同一の露光マスクにおけるアライメントマーク間の最小許容間隔を保ちつつ、対象体のアライメントマークに必要な領域を縮小することのできる露光マスクの位置合わせ方法、これを用いた薄膜素子基板の製造方法を提供することにある。

本発明は、下記１．に示す露光マスクの位置合わせ方法を提供することにより、前記目的を達成したものである。

１．アライメントマークが形成された複数のホログラムマスクを用いて、アライメントマークが形成された露光対象となる対象体にパターン露光を行うに際し、両者のアライメントマークを用いて前記ホログラムマスクと前記対象体との位置合わせを複数回行う露光マスクの位置合わせ方法であって、
少なくとも連続する三回の位置合わせのうち、前記対象体上における３回目の位置合わせ用のアライメントマークを、２回目及び１回目それぞれの位置合わせ用のアライメントマークの間に設けるか又は１回目の位置合わせ用のアライメントマークに対して２回目の位置合わせ用のアライメントマークのある側とは反対側に設けて位置合わせを行うとともに、
それぞれのアライメントマークを、アライメントマークを形成すべき領域の中央から右側領域と左側領域とに交互に設けて位置合わせを行うことを特徴とする露光マスクの位置合わせ方法。

本発明によれば、同一の露光マスクにおけるアライメントマーク間の最小許容間隔を保ちつつ、対象体のアライメントマークに必要な領域を縮小することができる。

また、本発明は、下記２．〜５．に示す発明をそれぞれ提供するものである。

２．前記対象体上における奇数回目の位置合わせ用のアライメントマークと、偶数回目の位置合わせ用のアライメントマークとを、それぞれの配置領域に交互に設けて位置合わせを行う、前記１記載の露光マスクの位置合わせ方法。
かかる方法によれば、対象体のアライメントマークに必要な領域をより効率的に縮小することができる。

３．アライメントマークが形成された複数のホログラムマスクを用いてパターン露光を行うホログラム露光を利用した薄膜素子基板の製造方法であって、
前記１又は２記載の露光マスクの位置合わせ方法を用いて位置合わせを行う第１工程と、
前記ホログラムマスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光してパターニングを行う第２工程と、を含むことを特徴とする薄膜素子基板の製造方法。

かかる方法によれば、半導体装置等のデバイスに用いられる薄膜素子基板の回路パターン形成に利用し得る領域を広げることが可能となるので、より高密度に集積化されたデバイスを提供することが可能となる。

４．アライメントマークが形成された複数のホログラムマスクを用いてパターン露光を行うホログラム露光を利用した薄膜素子基板の製造方法であって、
前記ホログラムマスクにアライメントマークを含む所望のパターンを記録する第１工程と、
前記１又は２記載の露光マスクの位置合わせ方法を用いて位置合わせを行う第２工程と、
前記ホログラムマスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光してパターニングを行う第３工程と、を含むことを特徴とする薄膜素子基板の製造方法。

５．前記対象体のアライメントマークが、該対象体上に最初のパターンを露光する際に形成される、前記３又は４に記載の薄膜素子基板の製造方法。
かかる方法によれば、対象体上のアライメントマークを別途形成する必要がなくなるので、作業工程を減らすことが可能となり、生産効率を向上させることが可能となる。

本発明によれば、同一の露光マスクにおけるアライメントマーク間の最小許容間隔を保ちつつ、対象体のアライメントマークに必要な領域を縮小することのできる露光マスクの位置合わせ方法が提供される。また、本発明によれば、高密度に集積化されたデバイスを形成することのできる薄膜素子基板の製造方法が提供される。

以下に、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、本発明は下記実施の形態に限定されるものではない。
図１は、本実施形態に係る露光マスクの位置合わせ方法を実施するためのホログラフィック露光装置の全体構成を示す図である。

図１に示すように、この露光装置は、主にプリズム２０１、ステージ２２０を備えるステージ装置２２２、第１情報処理装置２３０、距離測定光学系２４０、膜厚測定光学系２５０、光源２６０、第２情報処理装置２７０、露光光源２８０、露光光源駆動装置２８２、およびアライメント系２９０により構成される。

ステージ装置２２２は、感光性材料膜２１２が形成された露光対象体としての被露光基板２１０を真空チャック等でステージ２２０上に保持して、上下方向（Ｚ方向）及び水平方向（ＸＹ平面）へのステージ２２０の位置調整が可能に構成されている。

光源２６０は、距離測定光学系２４０および膜厚測定光学系２５０の測定用光ビームを射出可能に構成されている。距離測定光学系２４０は、ビームスプリッタ、シリンドリカルレンズ、光センサ、誤差信号検出器等を備え、ホログラム記録面２０２と被露光基板上に塗布された感光性材料膜表面２１４との距離を調整して露光時のフォーカスを制御することが可能に構成されている。

第１情報処理装置２３０は、距離測定光学系２４０により計測されたホログラム記録面と被露光基板上に形成された感光性材料膜表面との距離に基づいてフォーカスが適正となるようにステージ２２０の位置を設定するように構成されている。膜厚測定光学系２５０は、ビームスプリッタ、フォトデテクタ、増幅器、Ａ／Ｄ変換器等を備え、被露光基板２１０上に形成された感光性材料膜２１２の膜厚を測定するための構成を備えている。

第２情報処理装置２７０は、露光光源２８０から照射される露光ビームが適正な露光領域内を走査するように露光光源２８０を移動させるとともに、膜厚測定光学系２５０により出力された感光性材料膜２１２の膜厚の相対値に基づいて露光の光量を制御するように構成されている。

露光光源２８０は、ホログラムマスク２００のホログラム記録面２０２に露光ビームを照射可能に構成されている。露光光源駆動装置２８２は、この露光光源２８０を移動して被露光基板２１０上の所望の露光領域を走査して露光するように構成されている。また当該露光装置は、被露光基板２１０に対向する面に、所定のレチクルパターンに対応した干渉パターンが記録されているホログラムマスク２００を装着したプリズム２０１を備えている。

また、アライメント系２９０は、アライメントマークを観察するための観察手段と、観察手段から得られた情報に基づきホログラムマスク２００のアライメントマークと被露光基板２１０のアライメントマークとの位置ずれを検出する位置ずれ検出手段とを備えている。

本実施形態では、観察手段としての顕微鏡２９２は、ホログラムマスク２００を介して、被露光基板２１０上に形成されたアライメントマークを観察するためのものである。顕微鏡２９２は、観察されたアライメントマークの画像を取り込むための例えばＣＣＤカメラ等の画像取込み装置を備えている。顕微鏡２９２により観察され、画像取り込み装置により取り込まれたホログラムマスク２００のアライメントマークと被露光基板２１０のアライメントマークの画像は、画像信号に変換され、位置ずれ検出手段としての位置ずれ検出装置２９４に送られる。

位置ずれ検出装置２９４は、画像信号からホログラムマスク２００側のアライメントマークと被露光基板２１０側のアライメントマークの特徴点を抽出し、特徴点間の距離を算出するものである。例えば、被露光基板２１０上に十字状のアライメントマークが形成され、ホログラムマスク２００側にＸ字状のアライメントマークが形成されている場合において、特徴点として、例えば十字の交点及びＸ字の交点を各々抽出し、当該交点間の距離を算出する。この算出された距離情報を第１情報処理装置２３０に送信する。

第１情報処理装置２３０は、また、このアライメント間の距離（アライメントずれ量）が減少するように、ステージ装置２２２をＸＹ方向に移動させ被露光基板２１０の位置を設定するようにも構成されている。これにより、ホログラムマスク２００と被露光基板２１０との位置合わせが可能となる。

そして、ホログラムマスク２００と被露光基板２１０との位置合わせは、図２に示すように行う。図２に示すように、本実施形態においては、ホログラムマスク２００が、被露光基板２１０上のパターニング対象となる第１層目の露光に使用するマスク（第１層目用マスクと称する、以下同様）（Ｌ１）、第２層目用マスク（Ｌ２）、第３層目用マスク、・・・第７層目マスク（Ｌ７）のように、複数からなる。

先ず、第１層目用マスク（Ｌ１）の所定の領域に下層側マーク用のアライメントマークＬＡ１を設けておく。これにより、被露光基板２１０上の第１層目パターニングの露光を行う際、被露光基板２１０上のデバイス領域以外の所定の領域にＬＡ１に対応するアライメントマーク（下層側マーク）も併せて形成される。次に用いる第２層目用マスク（Ｌ２）には、当該第２層目用マスク自体が被露光基板２１０と位置合わせを行うためのアライメントマーク（上層側マーク）ＵＡ２と、第３層目用マスク（Ｌ３）が被露光基板２１０と位置合わせを行うための下層側マーク用のアライメントマークＬＡ２とを一定の間隔をあけて設けておく。そして、先に形成された被露光基板２１０上のＬＡ１に対応したアライメントマークと、第２層目用マスク上のＵＡ２とを照合させることで、第１回目の位置合わせを行う。

第２層目用マスクと被露光基板２１０との位置合わせ後には、被露光基板２１０上の第２層目パターニングの露光により、被露光基板２１０上のデバイス領域以外の所定の領域にＬＡ２に対応するアライメントマーク（下層側マーク）も併せて形成される。このとき、第１回目の位置合わせを行った被露光基板２１０上のアライメントマークは、ＵＡ２の露光によって米字のマークＡＬ_2-1となる。次に用いる第３層目用マスク（Ｌ３）には、当該第３層目用マスク自体が被露光基板２１０と位置合わせを行うためのアライメントマーク（上層側マーク）ＵＡ３と、第４層目用マスク（Ｌ４）が被露光基板２１０と位置合わせを行うための下層側マーク用のアライメントマークＬＡ３とを一定の間隔をあけて所定の位置に設ける。即ち、本実施形態では、ＬＡ３は、先に形成された被露光基板２１０上のマークＡＬ_2-1の直ぐ近傍に下層側マークが形成されるような位置に設ける。そして、先に形成された被露光基板２１０上のＬＡ２に対応したアライメントマークと、第３層目用マスク上のＵＡ３とを照合させることで、第２回目の位置合わせを行う。

第３層目用マスクと被露光基板２１０との位置合わせ後には、被露光基板２１０上の第３層目パターニングの露光により、被露光基板２１０上のデバイス領域以外の所定の領域にＬＡ３に対応するアライメントマーク（下層側マーク）も併せて形成される。このとき、第２回目の位置合わせを行った被露光基板２１０上のアライメントマークは、ＵＡ３の露光によって米字のマークＡＬ_3-2となる。次に用いる第４層目用マスク（Ｌ４）にも、第３層目用マスク（Ｌ３）と同様に、当該第４層目用マスク自体が被露光基板２１０と位置合わせを行うためのアライメントマーク（上層側マーク）ＵＡ４と、第４層目用マスク（Ｌ４）が被露光基板２１０と位置合わせを行うための下層側マーク用のアライメントマークＬＡ４とを一定の間隔をあけて所定の位置に設ける。即ち、本実施形態では、ＬＡ４は、先に形成された被露光基板２１０上のマークＡＬ_3-2の直ぐ近傍に下層側マークが形成されるような位置に設ける。そして、先に形成された被露光基板２１０上のＬＡ３に対応したアライメントマークと、第４層目用マスク上のＵＡ４とを照合させることで、第３回目の位置合わせを行う。

第５層目マスク（Ｌ５）と被露光基板２１０による第４回目の位置合わせ、第６層目マスク（Ｌ６）と被露光基板２１０による第５回目の位置合わせ、第７層目マスク（Ｌ７）と被露光基板２１０による第６回目の位置合わせについても、前記第２回目及び第３回目の位置合わせと同様の手順により行うことができる。このようにして、第６回目の位置合わせを行った後、被露光基板２１０上の第７層目パターニングの露光により、被露光基板２１０上のデバイス領域以外の所定の領域には、図２に示すように、米字のマークＡＬ_2-1、ＡＬ_3-2、ＡＬ_4-3、ＡＬ_5-4、ＡＬ_6-5及びＡＬ_7-6が密接に形成されることになる。即ち、同一のホログラムマスク２００上における二のアライメントマーク間の最小許容間隔よりも小さい間隔で形成することができる。このように、本実施形態によれば、被露光基板２１０のアライメントマークに必要な領域を縮小することができる。

また、本実施形態では、前述の第１回目〜第６回目の位置合わせにおいて、被露光基板２１０上における第１回目、第３回目及び第５回目である奇数回目の位置合わせ用のアライメントマーク（図２に示すＡＬ_2-1、ＡＬ_4-3、ＡＬ_6-5に相当する位置の十字の下層側マーク）と、第２回目、第４回目及び第６回目である偶数回目の位置合わせ用のアライメントマーク（図２に示すＡＬ_3-2、ＡＬ_5-4、ＡＬ_7-6に相当する位置の十字の下層側マーク）とを、それぞれの配置領域、即ち図２では位置合わせ用のアライメントマークを形成すべき領域の中央から右側領域と左側領域とに交互に設けて位置合わせを行っている。このため、被露光基板２１０のアライメントマークに必要な領域の縮小化を効率よく行うことができる。

本実施形態では、例えば、連続する第１、第２及び第３回目の位置合わせにおいて、被露光基板２１０における第３回目の位置合わせ用のアライメントマーク（ＡＬ_4-3に相当する位置の十字の下層側マーク）を、第１回目の位置合わせ用のアライメントマーク（ＡＬ_2-1に相当する位置の十字の下層側マーク）に対して第２回目の位置合わせ用のアライメントマーク（ＡＬ_3-2に相当する位置の十字の下層側マーク）のある側とは反対側に設けて位置合わせを行っているが、第２回目及び第１回目それぞれの位置合わせ用のアライメントマーク（ＡＬ_3-2及びＡＬ_2-1それぞれに相当する位置の十字の下層側マーク）の間（図２ではＡＬ_5-4、ＡＬ_7-6のある位置）に設けて位置合わせを行うこともできる。

また、例えば、連続する第２、第３及び第４回目の位置合わせにおいて、被露光基板２１０における第４回目の位置合わせ用のアライメントマーク（ＡＬ_5-4に相当する位置の十字の下層側マーク）を、第３回目及び第２回目それぞれの位置合わせ用のアライメントマーク（ＡＬ_4-3及びＡＬ_3-2それぞれに相当する位置の十字の下層側マーク）の間に設けて位置合わせを行っているが、第２回目の位置合わせ用のアライメントマーク（ＡＬ_3-2に相当する位置の十字の下層側マーク）に対して第３回目の位置合わせ用のアライメントマーク（ＡＬ_4-3に相当する位置の十字の下層側マーク）のある側とは反対側（図２ではＡＬ_3-2より左側のマークのない位置）に設けて位置合わせを行うこともできる。

本発明においては、少なくとも連続する三回の位置合わせのうち、被露光基板における３回目の位置合わせ用のアライメントマークを、２回目及び１回目それぞれの位置合わせ用のアライメントマークの間に設けるか又は１回目の位置合わせ用のアライメントマークに対して２回目の位置合わせ用のアライメントマークのある側とは反対側に設けて位置合わせを行う限り、前記の形態に制限されない。

尚、図２では、説明の便宜上、複数のホログラムマスク２００を層状に重ねて示してあるが、実際の位置合わせは、ホログラムマスク２００に記録された上層側マークと被露光基板２１０に記録された下層側マークとの間でホログラムマスク２００毎に行われる。このように露光するホログラムマスク２００が多数に及ぶ場合でも、同一の当該ホログラムマスク２００上のアライメントマーク間の最小許容間隔を保持しつつ、対象体である被露光基板２１０上のデバイス作成可能な領域が減少することがない。

次に、図３乃至図６を参照しながら本実施形態の薄膜素子基板の製造方法について説明する。

まず、第１のパターニング（最初のパターニング）を行う。
図３（Ａ）に示すように、プリズム２０１に貼り合わせられたホログラムマスク２００ａのホログラム記録面２０２に、例えばＣｒ製の第１の原版マスク３００（元レチクルともいう）を用いて第１のレチクルパターンに対応する干渉縞を記録する。第１のレチクルパターンには、少なくとも目的とする薄膜素子基板における薄膜素子を含む薄膜回路に対応するパターンが含まれる。

具体的には、記録ビームＬ１（物体光）を第１の原版マスク３００に照射して第１の原版マスク３００を経た回折光をホログラムマスク２００ａのホログラム記録面２０２に射出する。この第１の原版マスク３００を介した記録ビームＬ１と、ホログラム記録面２０２の他方面側からプリズム２０１を透過させて照射した参照光Ｌ２とを干渉させる。これにより、ホログラム記録面２０２に所望のパターンの干渉縞が記録される。

図３（Ｂ）は、第１の干渉縞パターン３１０が形成されたホログラムマスク２００ａの一例を示す図である。図３（Ｂ）に示すように、第１の干渉縞パターン３１０には、薄膜回路を構成する第１の回路パターンに対応する干渉縞パターン３１２及びアライメントマークとなる干渉縞パターンＰ１１、Ｐ２１、Ｐ３１、Ｐ４１が含まれる。

次に、図４（Ａ）に示すように、原版マスク３００が配置されていた位置に、原版マスク３００の代わりに第１の感光性材料膜２１２ａが形成された被露光基板２１０を配置する。その後、再生光である露光ビームＬ３を、図３（Ａ）における参照光Ｌ２の入射側と反対の方向（参照光Ｌ２の出射側）から、プリズム２０１を介してホログラム記録面２０２に照射し、被露光基板２１０上に形成された第１の感光性材料膜２１２ａを露光する。なお、この際、露光ビームＬ３の入射側にプリズム２０１の斜面が向くようにプリズム２０１の方向を変えてホログラムマスク２００ａをプリズム２０１に付け替える。これにより、ホログラム記録面２０２に記録された第１の干渉縞パターン３１０に対応するパターン３１４が被露光基板２１０上に形成される。

図４（Ｂ）に、第１の干渉縞パターン３１０により形成されるパターン３１４の一例を示す。図４（Ｂ）に示すように、ホログラムマスク２００ａの干渉縞パターンＰ１１、Ｐ２１、Ｐ３１、Ｐ４１に対応するアライメントマークＡ１〜Ａ４及び干渉縞パターン３１２に対応する第１の回路パターン３１６が形成される。その後、必要な現像やエッチング処理がなされて第１のパターニングが終了する。

次に、第２のパターニングを行う際には、ホログラムマスクのアライメントマークの位置を所定の間隔をあけて形成する以外は、第１のパターニングと同様に行う。

次に、第２のパターニングを行う。
図５（Ａ）に示すように、プリズム２０１に貼り合わせられたホログラムマスク２００ｂのホログラム記録面２０２に、例えばＣｒ製の第２の原版マスク３０２を用いて第２のレチクルパターンに対応する干渉縞を記録する。第２のレチクルパターンには、少なくとも薄膜素子基板における薄膜素子を含む薄膜回路に対応するパターンが含まれる。干渉縞を記録する工程は、図３（Ａ）の工程と同様の方法、即ち、物体光Ｌ１と参照光Ｌ２の照射により行われる。この際、他のホログラムマスクと被露光基板２１０との位置合わせを行うためのアライメントマークＰ１３、Ｐ２３も形成される。また、この干渉縞を記録する工程とは別に、物体光Ｌ１のみを照射することにより、ホログラムマスク２００ｂのホログラム記録面２０２に、アライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２を形成する。ここで形成されるアライメントマークＰ１２〜Ｐ４２とＰ１３、Ｐ２３は、その目的を異にしている。即ち、前者は第１のパターニングに対してアライメントマークを行うための上層側のマークであるのに対し、後者はいわゆる第３層目のホログラムマスクとアライメントマークを行う下層側のマークとなる。両者は、図８に示す方法と同様な方法でつくり分けられる。

図５（Ｂ）は、第２の干渉縞パターン及び第２のアライメントマークが形成されたホログラムマスク２００ｂの一例を示す図である。図５（Ｂ）に示すように、第２の干渉縞パターンには、薄膜回路を構成する第２の回路パターンに対応する干渉縞パターン３２０が含まれる。また、ホログラムマスク２００ｂの四隅には、このホログラムマスク２００ｂと被露光基板２１０との位置合わせを行うためのアライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２、Ｐ１３、Ｐ２３が所定の位置に形成される。

次に、図６（Ａ）に示すように、原版マスク３０２が配置されていた位置に、原版マスク３０２の代わりに第１の回路パターン上に第２の感光性材料膜２１２ｂを形成した被露光基板２１０を配置する。その後、露光ビームＬ３を、図５（Ａ）における参照光Ｌ２と反対の方向（参照光Ｌ３の出射側）から、プリズム２０１を介してホログラム記録面２０２に照射し、第２の感光性材料膜２１２ｂを露光する。なお、この際も同様に、露光ビームＬ３の入射側にプリズム２０１の斜面が向くようにプリズム２０１の方向を変えてホログラムマスク２００ｂをプリズム２０１に付け替える。

本工程についてより具体的に説明する。
まず、第２の感光性材料膜２１２ｂが形成された被露光基板２１０とホログラムマスク２００ｂとの位置合わせを、被露光基板２１０上に形成されたアライメントマークＡ１〜Ａ４とホログラムマスク２００ｂに形成されたアライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２（図５（Ｂ））とを重ね合わせることにより行う。具体的には、図１に示したように、ホログラムマスク２００ｂと被露光基板２１０を所定位置に設置した後、各アライメントマークが観察される位置に設置された顕微鏡２９２によりプリズム２０１の垂直面を介してホログラムマスク２００ｂと被露光基板２１０のアライメントマークの重なり画像を取り込む。顕微鏡２９２において取り込んだ画像を画像信号として、位置ずれ検出装置２９４に送信し、アライメントマークの重なり画像から特徴点を抽出する。例えば、アライメントマークＡ１の十字の交点とアライメントマークＰ１２のＸ字の交点の位置を抽出し、この交点間の距離を算出する。この距離情報を第１情報処理装置２３０に送り、この距離が減少するように、ステージ装置２２２を駆動してホログラムマスク２００ｂと被露光基板２１０との位置合わせを行う。

その後、露光ビームＬ３をホログラム記録面２０２に照射する。感光性材料膜２１２ｂには、ホログラムマスク２００ｂのアライメントマークＰ１２、Ｐ２２、Ｐ３２、Ｐ４２、Ｐ１３、Ｐ２３に対応するアライメントマークが、ホログラム記録面２０２上に記録された干渉縞パターン３２０に対応する第２の回路パターン３２４と併せて形成されることになる（図６（Ｂ））。その後、必要な現像やエッチング処理がなされて第２のパターニングが終了する。

そして、前述した位置合わせ方法（図２参照）を採用し、図５及び図６に記載の工程を繰り返して、第３のパターニング、第４のパターニング、・・・、を行うことにより、本実施形態に係る薄膜素子基板を製造することができる。

本発明に係る薄膜素子基板の製造方法は、例えば、ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの電気光学装置における各画素を構成する画素回路や、当該画素回路を制御するドライバ（集積回路）の形成等に適用することができる。また、このような電気光学装置の製造以外にも、種々のデバイス製造に適用することが可能である。例えば、ＦｅＲＡＭ（ferroelectric RAM）、ＳＲＡＭ、ＤＲＡＭ、ＮＯＲ型ＲＡＭ、ＮＡＮＤ型ＲＡＭ、浮遊ゲート型不揮発メモリ、マグネティックＲＡＭ（ＭＲＡＭ）など各種のメモリ製造が可能である。また、この他、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用して集積化したセンサ、ＣＰＵを搭載したバンクカード等にも利用可能である。さらに、マイクロ波を用いた非接触型の通信システムにおいて、微小な回路チップ（ＩＣチップ）を搭載した安価なタグを製造する場合にも適用が可能である。

本発明は、同一の露光マスクにおけるアライメントマーク間の最小許容間隔を保ちつつ、対象体のアライメントマークに必要な領域を縮小することのできる露光マスクの位置合わせ方法、及び高密度に集積化されたデバイスを形成することのできる薄膜素子基板の製造方法として、産業上の利用可能性を有する。

図１は、本実施形態に係る露光マスクの位置合わせ方法を実施するためのホログラフィック露光装置の全体構成を示す図である。図２は、本実施形態に係る露光マスクの位置合わせ方法を説明するための図である。図３は、本実施形態に係る薄膜素子基板の製造方法を説明するための図である。図４は、本実施形態に係る薄膜素子基板の製造方法を説明するための図である。図５は、本実施形態に係る薄膜素子基板の製造方法を説明するための図である。図６は、本実施形態に係る薄膜素子基板の製造方法を説明するための図である。図７（ａ）及び（ｂ）は、ホログラム用マスクを作成するためのオリジナルＣｒ製マスク（元レチクル）を示す概略平面図である。図８（ａ）及び（ｂ）は、ホログラム用マスク（２層目マスク）におけるデバイス領域記録時とアライメントマーク記録時それぞれの工程を示す概略構成図である。図９は、従来の露光マスクの位置合わせ方法を説明するための概略構成図である。

符号の説明

２００，２００ａ，２００ｂ・・・ホログラムマスク、２０１・・・プリズム、２０２・・・ホログラム記録面、２１０・・・被露光基板、２１２・・・感光性材料膜、２１２ａ・・・第１の感光性材料膜、２１２ｂ・・・第２の感光性材料膜、２１４・・・感光性材料膜表面、２２０・・・ステージ、２２２・・・ステージ装置、２３０・・・第１情報処理装置、２４０・・・距離測定光学系、２５０・・・膜厚測定光学系、２６０・・・光源、２７０・・・第２情報処理装置、２８０・・・露光光源、２８２・・・露光光源駆動装置、３００・・・第１の原版マスク、３０２・・・第２の原版マスク、３１０・・・第１の干渉縞パターン、３１２・・・干渉縞パターン、３１４・・・パターン、３１６・・・第１の回路パターン、３２０・・・第２の干渉縞パターン、３２２・・・干渉縞パターン、３２４・・・第２の回路パターン、Ａ１〜Ａ４・・・アライメントマーク、Ｂ１〜Ｂ４・・・領域、ＨＭ・・・ホログラムマスク、Ｌ・・・露光光源、Ｌ１・・・記録ビーム、Ｌ２・・・参照光、Ｌ３・・・露光ビーム、Ｐ・・・プリズム、Ｐ１１，Ｐ２１，Ｐ３１，Ｐ４１・・・干渉縞パターン、Ｐ１２，Ｐ２２，Ｐ３２，Ｐ４２・・・アライメントマーク、Ｐ１〜Ｐ４・・・アライメントマーク、ＬＡ１〜６・・・下層側マーク、ＵＡ１〜７・・・上層側マーク、ＡＬ_2-1、ＡＬ_3-2、ＡＬ_4-3、ＡＬ_5-4、ＡＬ_6-5、ＡＬ_7-6・・・アライメントマーク

Claims

アライメントマークが形成された複数のホログラムマスクを用いて、アライメントマークが形成された露光対象となる対象体にパターン露光を行うに際し、両者のアライメントマークを用いて前記ホログラムマスクと前記対象体との位置合わせを複数回行う露光マスクの位置合わせ方法であって、
少なくとも連続する三回の位置合わせのうち、前記対象体上における３回目の位置合わせ用のアライメントマークを、２回目及び１回目それぞれの位置合わせ用のアライメントマークの間に設けるか又は１回目の位置合わせ用のアライメントマークに対して２回目の位置合わせ用のアライメントマークのある側とは反対側に設けて位置合わせを行うとともに、
それぞれのアライメントマークを、アライメントマークを形成すべき領域の中央から右側領域と左側領域とに交互に設けて位置合わせを行うことを特徴とする露光マスクの位置合わせ方法。
前記対象体上における奇数回目の位置合わせ用のアライメントマークと、偶数回目の位置合わせ用のアライメントマークとを、それぞれの配置領域に交互に設けて位置合わせを行う、請求項１記載の露光マスクの位置合わせ方法。
アライメントマークが形成された複数のホログラムマスクを用いてパターン露光を行うホログラム露光を利用した薄膜素子基板の製造方法であって、
請求項１又は２記載の露光マスクの位置合わせ方法を用いて位置合わせを行う第１工程と、
前記ホログラムマスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光してパターニングを行う第２工程と、を含むことを特徴とする薄膜素子基板の製造方法。
アライメントマークが形成された複数のホログラムマスクを用いてパターン露光を行うホログラム露光を利用した薄膜素子基板の製造方法であって、
前記ホログラムマスクにアライメントマークを含む所望のパターンを記録する第１工程と、
請求項１又は２記載の露光マスクの位置合わせ方法を用いて位置合わせを行う第２工程と、
前記ホログラムマスク上から露光ビームを照射することにより、前記対象体を露光してパターニングを行う第３工程と、を含むことを特徴とする薄膜素子基板の製造方法。
前記対象体のアライメントマークが、該対象体上に最初のパターンを露光する際に形成される、請求項３又は請求項４に記載の薄膜素子基板の製造方法。