KR20040072882A - 환경친화형 반도체소자 봉지용 에폭시수지 조성물 - Google Patents

환경친화형 반도체소자 봉지용 에폭시수지 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 환경친화형이면서 고온 장기신뢰성을 갖는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 특정의 에폭시 수지, 페놀수지, 난연제 등을 포함하여 환경친화적이면서 고온에서도 장기간 신뢰성을 갖는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.

Description

환경친화형 반도체소자 봉지용 에폭시수지 조성물 {Epoxy resin composition for environmental frendly sealing semiconductor element}
본 발명은 환경친화형이면서 고온 장기신뢰성을 갖는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 특정의 에폭시 수지, 페놀수지, 난연제 등을 포함하여 환경친화적이면서 고온에서도 장기간 신뢰성을 갖는 반도체소자 봉지용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다.
최근의 초고속 마이크로프로세서와 같은 처리속도 기술이 발달함에 따라 자동차나 항공기에 탑재되는 전자부품에 상기 디바이스 기술들을 적용하는 추세이다. 자동차에 탑재되는 소자의 경우 접합부(junction) 온도가 175℃의 온도범위까지는 고온 장기신뢰성을 겨우 만족하지만, 그 이상의 온도에서는 수명 주기가 급격히 짧아지거나 기능을 잃어버리는 경우가 발생하게 된다. 또한 이러한 높은 온도에서 종래의 할로겐 및 안티몬 산화물을 난연제로 적용하는 봉지재의 경우 고온에서 해리된 할로겐 이온성분에 의한 금속 부식 및 난연 방출가스의 촉매적인 작용에 의한 금속층간의 분리현상 등을 초래하여 반도체 소자의 동작불량을 유발하게 된다.
현재 반도체용 봉지재에 난연제로 널리 사용되는 브롬화 에폭시의 경우 150℃ 이상의 온도에서는 메틸 브로마이드나 브롬화 수소 등 부식 유발 가능성이 높은 부산물을 방출하게 된다. 따라서 150℃ 이상의 높은 온도에서 종래의 난연체계를 갖는 봉지재로 사용되는 디바이스의 동작기능을 만족하는데 문제점이 있었다.
이에 본 발명자들은 전술한 종래기술의 문제점을 해결하고, 고온 장시간의 동작시험후에도 봉지재의 고신뢰성을 유지할 수 있는 조성물을 연구검토한 결과, 특정구조를 갖는 수지를 사용하고, 신규 난연제를 적용함으로써 고온 장기신뢰성이 월등히 향상되는 것을 발견하였으며, 이를 기초로 하여 본 발명이 완성되었다.
따라서 본 발명의 목적은 175℃ 이상의 높은 온도에서도 장기 신뢰성을 만족할 수 있는 환경친화형 반도체용 봉지재의 조성물을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체소자 봉지용 조성물은, 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지, 오르소 크레졸 노볼락형, 비페닐형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되는 에폭시 수지 4∼20중량%; 하기 화학식 2로 표시되는 페놀 수지, 하기 화학식 3으로 표시되는 수지, 노볼락형, 자일록형, 멀티아로마틱형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디시클로펜타디엔형 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되는 경화제 4∼20중량%; 천연 실리카, 합성 실리카, 용융 실리카 및 알루미나로 이루어진 군으로부터 선택되는 무기 충진재 70∼90중량%; 및 하기 화학식 4로 표시되는 유기 인 질소 고분자화합물, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄 및Bi2O3로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상 선택되는 난연제 0.05∼10중량%;를 포함하며, 여기서 상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지 또는 화학식 2로 표시되는 페놀 수지는 각 에폭시 수지 또는 페놀 수지의 함량에 대하여 60∼100중량%로 포함되며, Tg가 180℃ 이상으로 유지된다.
상기 식에서, R1및 R2는 서로 같거나 다르고, 수소, 메틸기 및 에틸기로 이루어진 군으로부터 선택되며, R3및 R4는 서로 같거나 다르고 C3∼C12의 지환족 또는 C6∼C12의 방향족 탄화수소이며, 상기 탄화수소내에는 1개 이상의 산소원자나 질소원자를 포함하고, n 및 m은 1 내지 10의 정수이며, ℓ은 3 내지 1000의 정수이다.
이하, 본 발명을 좀 더 구체적으로 설명한다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지 또는 상기 화학식 2로 표시되는 페놀 수지를 필수적으로 포함한다. 즉, 본 발명에 따른 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지 또는 상기 화학식 2로 표시되는 페놀 수지 중 하나 이상을 필수적으로 포함하여야 한다.
여기서 상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지는 전체 에폭시 수지 함량에 대해 60∼100중량%로 사용될 수 있으며, 바람직하게는 80중량% 이상이고, 상기 화학식 2로 표시되는 페놀 수지는 전체 경화제 함량에 대해 60∼100중량%로 사용될 수 있으며, 바람직하게는 80중량% 이상이다.
상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지와 함께 혼합하여 사용될 수 있는 에폭시 수지는 오르소 크레졸 노볼락형, 비페닐형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되며, 전체 에폭시 수지의 함량은 4∼20중량%이고, 바람직하게는 5∼14중량%이다. 에폭시 수지의 함량이 4중량% 미만이면 Tg가 180℃ 이하로 저하되어 고온신뢰성에 영향을 주며 20중량%를 초과하면 상대적으로 충진제 함량이 적게 되어 강도가 낮아지게 된다.
또한 상기 화학식 2로 표시되는 페놀 수지와 함께 사용될 수 있는 경화제는, 하기 화학식 3으로 표시되는 수지, 노볼락형, 자일록형, 멀티아로마틱형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디시클로펜타디엔형 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되며, 전체 경화제의 함량은 4∼20중량%이고, 바람직하게는 5∼14중량%이다. 경화제의 함량이 4중량% 미만이면 Tg가 180℃ 이하로 저하되어 고온신뢰성에 영향을 주며 20중량%를 초과하면 상대적으로 강도가 낮아지게 된다.
화학식 3
상기 식에서, R1및 R2는 서로 같거나 다르고, 수소, 메틸기 및 에틸기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 예를 들어, 말레인산, 시트라콘산, 프탈산 및 메사콘산 등을 들 수 있다.
한편, 본 발명에서 사용되는 무기 충진재는 천연 실리카, 합성 실리카, 용융 실리카 및 알루미나로 이루어진 군으로부터 선택되며, 성상은 구상 및 각상을 모두적용할 수 있다. 또한 그 함량은 70∼90중량%, 바람직하게는 74∼89중량%, 더욱 바람직하게는 78∼88중량%이다. 이때 무기 충진재의 함량이 70중량% 미만이면 강도가 저하되고, 90중량%를 초과하면 Tg가 낮아져서 고온신뢰성에 영향을 주게 된다.
또한, 본 발명에 따른 수지 조성물은 하기 화학식 4로 표시되는 유기 인 질소 고분자화합물, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄 및 Bi2O3로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상 선택되는 난연제를 포함한다.
화학식 4
R3및 R4는 서로 같거나 다르고 C3∼C12의 지환족 또는 C6∼C12의 방향족 탄화수소이며, 상기 탄화수소내에는 1개 이상의 산소원자나 질소원자를 포함하고, ℓ은 3 내지 1000의 정수이다.
또한 상기 화학식 4의 반복단위에 있어서, 인의 함량은 전체 유기 인 질소 고분자 화합물의 1∼30중량%인 것이 바람직하며, 질소함량은 1∼15중량%인 것이 바람직하다.
또한 상기 난연제는 0.05∼10중량%로 사용될 수 있다. 이 때, 상기 난연제의 함량이 10중량%를 초과하면 전기전도도가 높아지는 문제가 발생하며, 특히 난연제로서 유기 인 질소화합물을 선택한 경우에는 10중량%를 초과할 때 반응성이 저하되는 문제가 발생할 수도 있다.
그밖에도 본 발명에 따른 에폭시수지 조성물에는 커플링제 0.05∼2중량% 이내, 카본블랙을 포함하는 착색제 0.05∼0.5중량%, 경화촉진제 0.05∼1.0중량% 및 기타 첨가제 1 내지 5중량%를 첨가할 수 있다.
본 발명의 반도체소자 봉지용 에폭시수지 조성물은 상기와 같은 각 원료들을 균일하게 섞은 후 용융 혼합기(heat kneader)를 이용하여 100℃ 내지 130℃의 온도에서 용융 혼합하고 상온으로 냉각시킨 다음 분말상태로 분쇄하는 공정을 거치는 일반적인 방법에 의하여 제조한다.
하기 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 이에 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
실시예 1∼4 및 비교예 1∼7
하기 표 1에 나타낸 바와 같이 각각의 성분 및 함량을 계량하여 함께 믹싱한 후 용융혼합, 냉각, 분쇄, 블렌딩 공정을 거쳐 일정의 크기로 타정하여 반도체소자 봉지제용 수지 조성물을 제조하였다.
하기 실시예 및 비교예에 사용된 원료 및 물성은 다음과 같다.
제조업체 특성
A) 화학식 1의 다관능에폭시 수지 일본화약 에폭시당량 170,연화점 59℃
노볼락 에폭시 수지 일본화약 에폭시당량 215,연화점 62℃
바이페닐 에폭시 수지 일본화약 에폭시당량 192,연화점 105℃
디시클로펜타디엔 에폭시수지 일본화약 에폭시당량 248,연화점 65.3℃
B) 화학식 2의 다관능페놀수지 일본화약 OH당량 104,연화점 75℃
화학식 3의 산무수물계수지(무수프탈산) - 산무수물당량96,녹는점 120℃
노볼락 페놀수지 메이와 OH당량 106,연화점 83℃
자일록 페놀수지 메이와 OH당량 175,연화점76℃
C) 각형시리카 덴카덴키 평균입경 15∼18㎛
구형시리카 덴카덴키 평균입경 15∼20㎛
D) 브롬화 에폭시 일본화약 에폭시당량 283
삼산화안티몬 제일난연 평균입경 24㎛
화학식 4의 포스파진 오츠카케미칼 분해온도 358℃
수산화마그네슘 교와 고순도
수산화알루미늄 Martinswerk 내습성
Bi2O3 - -
비교예 4, 5, 6, 7의 Br 함량 = 0.35중량%
수산화마그네슘은 교와케미칼사의 KISUMA 5J Mg(OH)2를 적용하였으며, 수산화알루미늄은 Martinswerk사의 ON-310 Al(OH)3를, 금속산화물의 경우 Bi2O3를 적용하였다.
상기 실시예 및 비교예는 모두 UL 94 V-O의 난연시험을 합격한 구성이다.
Tg는 Du Pont사 TMA 열분석기기로 측정되었으며, 이온불순물은 테프론 용기에 120℃, 24시간 추출한 추출수를 이온크로마토그래프로 측정하였다.
구분 원료명 실시예 비교예
1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7
A) 화학식 1의 다관능에폭시수지 10.2 10.6 8.0 8.7
노볼락에폭시수지 2.3 10.9 10.4 9.1
바이페닐에폭시수지 8.4 7.1
디시클로펜타디엔에폭시수지 11.0 9.8
B) 화학식 2의 다관능 페놀수지 5.7 5.6 5.0 5.2
화학식 3의 산무수물계 수지 5.3
페놀노볼락수지 5.5 4.9 4.8 4.1
페놀자일록 수지 7.5 6.8
C) 구형 실리카 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72 72
각형 실리카 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10
D) 브롬화 에폭시수지 1.0 1.0 1.0 1.0
삼산화 안티몬 2.0 2.0 2.0 2.0
화학식 4의 포스파진 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0
E) 이미다졸 0.1
카본 블랙 0.25
카누바왁스 0.25
에폭시 실란제 0.5
Tg(℃) 212 195 185 175 172 135 146 170 135 147 208
이온불순물(PPM) Na+ 1.9 2.0 2.1 2.4 2.1 2.6 2.6 2.7 2.7 2.7 2.7
Cl- 2.7 2.8 2.8 3.0 3.2 3.3 3.3 3.4 3.4 3.4 3.4
Br- - - - - 19 - 16 - 21 - 10
<고온 신뢰성 시험결과 I (High Temperature Reverse Bias Test)>
고온신뢰성 시험은 고압의 POWER MOS 소자를 TO220AB 패키지에 탑재하여 평가하였다.
금번 평가를 위해 각 시험구성당 약 300DICE의 소자를 범용으로 생산되는 TO220AB 패키지에 탑재하여 상기 시험표에 의해 제조된 각각의 봉지재로 가열이송 성형기(압력=70Kgf/cm2, 온도=175℃, 경화시간=200초)에서 몰딩한 후 175℃의 오븐에서 6시간 동안 후경화시킨 다음 하기 표 2 내지 4의 온도 및 시간변화에 따라 소자의 전기적 특성변화를 측정하였다.
전기적 특성 평가는 자동차용 소자 시험규격인 AEC-Q201을 기준으로 시험하였으며 게이트(Gate)와 소스(Sorce) 사이의 전압은 0으로 하고 드레인(Drain)과 소스(Source) 사이의 전압을 최대 전압의(Vds) 80%를 인가하여 측정하였다. 소자 주변의 온도라 할 수 있는 접합부(Junction) 온도는 175℃, 185℃, 200℃의 온도변화를 주면서 시간별로 전기적 특성의 변화를 평가하였으며, 전기적 특성이 양호한 제품과 불량인 제품의 구분은 게이트와 소스 사이의 임계전압(Vgs(th)) 변화 및 드레인과 소스 사이의 누설전류(Idss)를 측정하여 초기 측정값을 기준으로 변화율이 20%이상인 소자를 기준으로 하여 구분하였다.
175℃에서의 고온 신뢰성 시험결과(HTRB), Vds＝80% Rated
PKG : TO220 POWER MOSFET
시간 300 400 500 600 700 800 900 1000 1250 1500
실시예 1 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 2 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 3 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 4 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
비교예 1 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 5/77 11/77 10/77 17/77 18/77
비교예 2 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 3/77 8/77 11/77 12/77 14/77
비교예 3 0/77 0/77 4/77 5/77 7/77 14/77 19/77 22/77 18/77 27/77
비교예 4 0/77 0/77 9/77 6/77 8/77 7/77 12/77 9/77 13/77 18/77
비교예 5 0/77 0/77 4/77 4/77 15/77 12/77 15/77 18/77 24/77 30/77
비교예 6 0/77 0/77 3/77 2/77 11/77 3/77 10/77 12/77 17/77 28/77
비교예 7 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 4/77 5/77 7/77 8/77 14/77
185℃에서의 고온 신뢰성 시험결과(HTRB), Vds＝80% Rated
실시예 1 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 2 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 3 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 4 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 4/77 5/77 4/77 4/77
비교예 1 0/77 0/77 0/77 0/77 1/77 3/77 9/77 11/77 24/77 30/77
비교예 2 0/77 0/77 0/77 0/77 1/77 4/77 13/77 17/77 21/77 29/77
비교예 3 0/77 1/77 3/77 4/77 8/77 17/77 25/77 32/77 47/77 54/77
비교예 4 0/77 0/77 0/77 6/77 10/77 12/77 14/77 16/77 31/77 40/77
비교예 5 0/77 2/77 3/77 6/77 12/77 18/77 29/77 45/77 47/77 58/77
비교예 6 0/77 0/77 4/77 13/77 10/77 16/77 13/77 28/77 29/77 33/77
비교예 7 0/77 0/77 0/77 4/77 8/77 6/77 11/77 9/77 11/77 12/77
200℃에서의 고온 신뢰성 시험결과(HTRB), Vds＝80% Rated
실시예 1 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 2 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 3 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 4 0/77 0/77 0/77 0/77 2/77 1/77 4/77 7/77 8/77 21/77
비교예 1 0/77 0/77 0/77 0/77 2/77 10/77 15/77 28/77 33/77 32/77
비교예 2 0/77 2/77 5/77 13/77 15/77 20/77 27/77 35/77 40/77 41/77
비교예 3 4/77 6/77 13/77 17/77 21/77 31/77 34/77 37/77 53/77 61/77
비교예 4 5/77 18/77 15/77 28/77 29/77 27/77 45/77 41/77 45/77 52/77
비교예 5 11/77 22/77 33/77 46/77 32/77 38/77 46/77 45/77 57/77 68/77
비교예 6 9/77 21/77 19/77 25/77 30/77 31/77 40/77 37/77 45/77 63/77
비교예 7 3/77 6/77 10/77 12/77 21/77 28/77 30/77 29/77 51/77 31/77
실시예 5∼8 및 비교예 8∼11
하기 표 5에 나타낸 바와 같이 각각의 성분 및 함량을 계량하여 함께 믹싱한 후 용융혼합, 냉각, 분쇄, 블렌딩 공정을 거쳐 일정의 크기로 타정하여 반도체소자 봉지제용 수지 조성물을 제조하였다. 각 성분은 상기한 바와 같다.
구분 원료명 실시예 비교예
5 6 7 8 8 9 10 11
A) 화학식 1의 다관능에폭시 수지 8.3 8.3 7.6 5.7 8.7
노볼락 에폭시수지 8.5
바이페닐 에폭시수지 6.8
디시클로 펜타디엔 에폭시수지 9.0
B) 화학식 2의 다관능페놀수지 4.6 4.3 3.3 5.2
화학식 3의 산무수물계 수지 4.6
페놀노볼락수지 4.4 3.9
페놀자일록 수지 6.1
C) 구형 실리카 72 72 72 72 72 72 72 72
각형 실리카 10 10 10 10 10 10 10 10
D) 브롬화 에폭시수지 1.0
삼산화 안티몬 2.0
화학식 4의 포스파진
수산화마그네슘 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0
수산화알루미늄 5.0
Bi2O3 8.0
E) 이미다졸 0.1
카본 블랙 0.25
카누바왁스 0.25
에폭시 실란제 0.5
Tg(℃) 206 197 194 192 170 135 152 210
이온불순물(PPM) Na+ 2.0 2.1 2.1 2.3 2.8 2.9 2.9 2.1
Cl- 2.7 2.8 2.8 2.8 3.4 3.5 3.4 2.8
Br- - - - - - - - 10
상기 비교예 8 내지 11의 Br 함량 = 0.04중량%
상기 실시예 및 비교예는 모두 UL 94 V-O의 난연시험을 합격한 구성이다.
Tg는 Du Pont사 TMA 열분석기기로 측정되었으며, 이온불순물은 테프론 용기에 120℃, 24시간 추출한 추출수를 이온크로마토그래프로 측정하였다.
175℃에서의 고온 신뢰성 시험결과(HTRB), Vds＝80% Rated
시간 300 400 500 600 700 800 900 1000 1250 1500
실시예 5 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 6 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 7 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 8 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
비교예 8 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 2/77 5/77 7/77 9/77 11/77
비교예 9 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 1/77 5/77 7/77 8/77 12/77
비교예 10 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 2/77 4/77 11/77 11/77 17/77
비교예 11 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 5/77 11/77 10/77 17/77 18/77
185℃에서의 고온 신뢰성 시험결과(HTRB), Vds＝80% Rated
시간 300 400 500 600 700 800 900 1000 1250 1500
실시예 5 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 6 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 7 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 8 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
비교예 8 0/77 0/77 0/77 0/77 1/77 5/77 11/77 7/77 14/77 20/77
비교예 9 0/77 0/77 0/77 0/77 4/77 6/77 10/77 12/77 19/77 30/77
비교예 10 0/77 0/77 0/77 0/77 3/77 6/77 11/77 17/77 26/77 29/77
비교예 11 0/77 0/77 0/77 0/77 1/77 3/77 9/77 11/77 24/77 30/77
200℃에서의 고온 신뢰성 시험결과(HTRB), Vds＝80% Rated
시간 300 400 500 600 700 800 900 1000 1250 1500
실시예 5 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 6 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 7 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
실시예 8 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77 0/77
비교예 8 0/77 4/77 4/77 12/77 17/77 21/77 21/77 27/77 34/77 38/77
비교예 9 4/77 4/77 8/77 15/77 25/77 23/77 25/77 30/77 37/77 48/77
비교예 10 2/77 10/77 13/77 13/77 18/77 26/77 21/77 27/77 36/77 49/77
비교예 11 4/77 8/77 10/77 1577 11/77 19/77 15/77 28/77 33/77 42/77
상기 실시예 및 비교예를 통해 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 조성물은 고온 장시간의 동작시험후에도 봉지재의 고신뢰성을 유지하며, 비교예에 비하여 고온장기신뢰성이 월등히 향상된 것을 알 수 있다.

Claims (2)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지, 오르소 크레졸 노볼락형, 비페닐형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되는 에폭시 수지 4∼20중량%;
    하기 화학식 2로 표시되는 페놀 수지, 하기 화학식 3으로 표시되는 수지, 노볼락형, 자일록형, 멀티아로마틱형, 다관능형, 나프탈렌형 및 디시클로펜타디엔형 페놀 수지로 이루어진 군으로부터 적어도 하나이상 선택되는 경화제 4∼20중량%;
    천연 실리카, 합성 실리카, 용융 실리카 및 알루미나로 이루어진 군으로부터 선택되는 무기 충진재 70∼90중량%; 및
    하기 화학식 4로 표시되는 유기 인 질소 고분자화합물, 수산화마그네슘, 수산화알루미늄 및 Bi2O3로 이루어진 군으로부터 적어도 하나 이상 선택되는 난연제 0.05∼10중량%;
    를 포함하며,
    여기서 상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지 또는 화학식 2로 표시되는 페놀 수지 중 하나 이상을 필수적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 봉지용 에폭시수지 조성물:
    화학식 1
    화학식 2
    화학식 3
    화학식 4
    상기 식에서, R1및 R2는 서로 같거나 다르고, 수소, 메틸기 및 에틸기로 이루어진 군으로부터 선택되며, R3및 R4는 서로 같거나 다르고 C3∼C12의 지환족 또는 C6∼C12의 방향족 탄화수소이며, 상기 탄화수소내에는 1개 이상의 산소원자나 질소원자를 포함하고, n 및 m은 1 내지 10의 정수이며, ℓ은 3 내지 1000의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 수지 또는 화학식 2로 표시되는 페놀수지는 각 에폭시 수지 또는 페놀 수지의 함량에 대하여 60∼100중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 봉지용 에폭시수지 조성물.
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